Патенты с меткой «резистивный»

Номер патента: 205109

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Иванов, Марочкин, Рачин, Филиппов

МПК: H01C 1/02, H01C 1/14, H01C 10/46 ...

Метки: резистивный

...витку проволочной обмотки можно произвести только на резистивных элементах с каркасом прямоугольного сечения. При этом виток, к которому припаивается вывод, оттягивается от каркаса, в результате чего происходит деформация, понижающая надежность этого соединения.Сделать оттяжку витка на каркасе круглого сечения практически невозможно и, следовательно, невозможно и произвести припаивание вывода к одному витку,Предлагаемый резистивный элемент потенциометра со срединным выводом свободен от указанных недостатков, имеет малую трудоемкость изготовления при закорачивании в точке отвода не более 2-х витков обмотки.Зачистка от изоляции производится перед намоткой резистивного элемента на ширину, равную 1,5 - 2 шага обмотки проволоки. При намотке...

Номер патента: 266901

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Молчанов

МПК: H01C 3/02

Метки: резистивный, элемент

...по линии сгиба Л - А, общий вид.Активная часть Б шунта, т. е. та часть, которая находится между точками В и В присоединения потенциальных отводов к токовым пластилинам шунта, разделена прорезями 1 на ряд пластинок.Токоподводящая часть Г шунта, т. е. та его часть, которая находится между активной частью Б и контактивными пластинами 2 шунтаприсоединяемыми к внешней цепи, выполнена в виде бифилярных изолированных друг от друга пластин, в которых также выполнены прорези 3, превращающие сплошную пластину токоподвода в систему элементарных токоподводящих пластинок.Прорези на токоподводах расположены симметрично относительно оси симметрии шунта, причем расстояние между двумя соседними ,прорезями, то есть ширина, а следовательно, и сечение...

Номер патента: 283366

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бондаренко, Московский, Соколов, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...дующим об силиката ц шивают на создания з обжигают 2 - 3 час. замет для ия и ение те н и едмет и 10 Резистивн ния на осно изготовленн металлов и месью в ви 15 личаюи 1 ийся диапа:зона ности парах ства исполь рый в каче 20 марганец 2Изобретение относится к электроннои технике и может быть использовано,при производстве резисторов.Известны резистивные материалы на основе валентных полупроводников, изготовленных из солей щелочноземельных металлов и ортокислот с примесью в виде металлических соединений.Однако электропроводность этих материалов невысока, что не позволяет изготавливать из них электросопротивления с широким диапазоном номиналов.Целью изобретения является расширение диапазона номиналов электросопротивлений и повышение...

Номер патента: 288093

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Плащинский, Шефтель

МПК: H01C 7/04

Метки: высокотемпературных, материал, резистивный, терморезисторов

...ДЛ ЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ТЕ ЗГОТОВЛ ЕНИЯРЕЗИСТОРОВ(6 - 10)10 ом пр ный коэффициен 1,4% С. 600 и 1000 сопротивлен Температу от 29 д 5 дмет изобре В описываемый резистивный целью увеличения его температ фициента и повышения стабильн ческих параметров при темп 1000 С введено 85 - 98 вес. % дв и 2 - 15 вес. % двуокиси цирконИзготовленные из описанно терморезисторы в диапазоне 650 в 10 С имеют сопротивлени Резис сокотем 10 жащий тем, что коэффиц стабильн териала 15 держит 2 - 15 веериал для из терморези циркония,увеличения ротивления стрических п ературах до ес. % двуок иси цирконпятивныи мат пер атурных двуокись с целью иента соп ости зле при темп 85 - 98 в с. % двуок Известныи рези товления высокот ров, содержащий ризуется относите...

Номер патента: 320835

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Болгарина, Вибли, Гаг

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный, тонкопленочный

...- в 1 10 в /С, что недостаточно д высокостабильных и прецизионных резис ров.Целью изобретения является получение резисторов с низким значением ТКС при расширении диапазона сопротивлений в низкоомную 15 и высокоомную область. Для достижения этой цели в состав резистивного материала введена смесь окислов висмута, железа, алюминия, титана, хрома, тантала и ниобия. При этом тонкопленочный резнстивный материал может 20 содержать исходные компоненты в следующих количественных соотношениях, в вес, %:Окислы олова 85 - 98,5, титана,железа0 - 150 30 стивный материал поллоокисные пленки для резисторов с величиной ТКС, изменяющейся в интервале -1-100 10 - /С, и величиной удельного поверхностного сопротивления от 0,5 Ола до 1 ком/кв при этом...

Номер патента: 293271

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Белевцев, Бесшапошников, Ефимов, Музалев, Семенов, Чижик

МПК: H01C 7/06

Метки: потенциометра, резистивный, элемент

...1 А, удельно лщиной 1 пленка хром Авторыизобретения А, Т, Белевцев, Е Изобретение истизации, вычислитнике.Известны резистивные элеметра, выполненные в видетельно нанесенных слоев, оявляется слой родия.Сопротивление резистивной дорожкняется с изменением температуры, т, етивная дорожка обладает температурэффициентом сопротивления (ТКС).С целью термостабилизации сопротв предлагаемом устройстве в качестверодня использована термообработаннака хрома,На чертеже представлена схема премого резистивного элемента потенциоУстройство содержит подложку 1, рные дорожки 2 и 3, нанесенные на ситаподложку методом вакуумного термииспарения.Изготовление резистивной ддится в две стадии.Сначала на подложку на пользуется в технике автома ельной и...

Номер патента: 313225

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Павлов, Рудово

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...в интервале температур от 0 С до 180 С. Диапазон номинальных значений сопротивлений зависит от соотношения токопроводящей фазы и связующего и со. ставляет 0,5 - 15 ом,тивный материал рида со связующ ийся тем, что, с ойкости и влаго ширении диапазо ную область, он в количестве 50 но бор нобариевое с от общего веса к вгоплавтом, отышешгя зистора лений в рпд мо- алюмо- тазьное на осчове тим компоненцелью повтойкости рса сопротивсодержит бо- 80 вес. % истекло - осомпонентов. Резис кого бо личающ 0 тер мост при рас низкоом либдена силикат 5 до 100 э/Изобретение относится к технологии производства радиодеталей и может быть использовано при изготовлении переменных и постоянных непроволочных резисторов объемного типа общего и...

Номер патента: 313227

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Гребенкина, Косолапова, Павлов, Рудовол, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...материалы для объ емных резисторов на основе тугоплавкого карбида и стеклянного связующего.Однако резисторы, изготовленные из этих материалов, обладают низкой теплостойкостью и значительным температурным коэф фициентом сопротивления.С целью расширения диапазона номинальных значений сопротивления, повышения теплостойкости и уменьшения температурного коэффициента сопротивления, в качестве то копроводящей фазы предлагаемого материала применен сложный карбид циркония и вольфрама, а в качестве связки использовано силикатноборобариевое стекло, при этом исходные компоненты смеси могут быть взяты 20 в следующем соотношении, вес. %:сложный карбид цирконияи вольфрама 50 - 80силикатноборобариевоестекло 50 - 20 25В качестве примера...

Номер патента: 317112

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Ходаковска

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...при 12 при 1320 материа оводить :1:30 С, а0 С,ную шеи йстлия 1 стпДля резистор ниях из массы превышает зна ложительных т сти отрицатель основа- ТКС не асти по- в облахар актеов, изготовленных н добавкой, изменени ения 1,05 10 - 4 в об мператур и 1,02 10 - ых температур, что ем не Известны тонкопленочные резисторы, в состав керамических подложек которых входят следующие компоненты: ЬтО 2, А 120 з, МдО, СаО, ВаО, Ее,О, Т 102, К,О, 1 ча 20.Известные резистивные материалы не дают 5 возможности получать резисторы с низким и стабильным значением температурного коэффициента сопротивления (ТКС) как в области положительных, так и отрицательных температур. 10Описываемое изобретение позволяет получить низкое и стабильное значение ТКС,Это...

Номер патента: 326643

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гальперин, Солдатова

МПК: H01C 7/00

Метки: высокоомный, материал, резистивный

...ль достигается п олиителя мелкодис (аэросил), иолучае 1 редм зоб ения 1, Высокоомиь резистивиьдержащий сажу, смолу и миис 0 цитель, ог,тичатощтся тем, чт и материал, со рдльцый цаполо, с целью полуИзобретение относится к р;диоэсеЕ(троп и КЕ, Е ИМЕИИО К ИРОИ 3 ВОДСТВУ ИСИРОВОЛОЧПЬХ резисторов,При известных способах производства высокоомцых непроволочцых резисторов ца основе лакосажевых композиций сажа вводится непосредственно в связуЕощу о основу, поэтому предельная величица сопротивления огрдцичивается мииимальцым объемом сажи, при котором сохрдияется однородность и воспроизводимость свойств композиций. С целью дальнейшего повышсция сопротивления сажу Вводят в связующую основу в виде предварительно измельченной композиции с лаком и...

Номер патента: 347593

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Анатычук, Ах, Лусте, Стаднык

МПК: G01K 7/22

Метки: датчик, низкотемпературный, резистивный, температуры

...н а концах двух вз аметров диска, с правлениями осей ия системы конт высокую точность лектропроводности ктрическ ускания ложен ы рных дт 45 с на орцецтац наиболееотропии э ем, что датчик изготовлен йЬЬ с анизотропной элеквиде плоского круглого 25 в крисгаллографической етырьмя контактами, расщах двух взаимно перпецров диска, составл яющ 1 х и кристаллографическимн 30 Это достигается т из монокристалла С тропроводностью в диска, вырезанного плоскости (100), с ч положенными на ко дикулярных диамет угол 45 с главным тношеция а= -озз 222Изобретение рии и может н для измерения, пературы. Лат собой резистив лом температу ные резистивные ные и полупросопротивления, ичаются высокой очно низких темнагреть до комвновь охладить, сные эффекты и...

Номер патента: 347811

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Власов, Павлов, Рудовол, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...текпроводя щев следующвес. %: Изобретение относится к области резисторостроения.Известен резистивный материал с токопроводящей фазой на основе карбида кремния и керамическим связующим,Предлагаемое изобретение снижает температуру коэффициента сопротивления и повышает термостойкость резисторов.Описываемое изобретение отличается от известного тем, что резистивный материал выполняют с токопроводящей фазой на основе сложного карбида металлов 1 Ч и Ч 1 групп периодической системы, например циркония и молибдена, и связующим в виде алюмо-силикатно-боро-бариевого стекла.Содержание исходных компонентов т водящей фазы представлено в следую личественных соотношениях, вес, %:Цирконий 25 - 75Молибден 15 - 65 Углерод 8 - 15.Содержание компонентов...

Номер патента: 355672

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бондаренко, Иванчик, Карелина, Московский, Соколов, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...материал на о углерода, окислов металлов, боридов иа также на основе проводящих органич материалов.Универсальностью свойств, которые удовлетворяли бы все требования к резисторам, ни одно из этих соединений не обладает, в связи 10 с чем необходим поиск материалов и композиций с улучшенными по сравнению с известными электрическими и физико-химическими характеристиками.Цель изобретения - повышение стабильно сти резисторов. Достигается она тем, что в резистивный материал, содержащий смесь окислов цинка, кремния и хлористый марганец, вводят окись бериллия, причем исходные компоненты взяты в следующих соотношениях 20 (вес, %):Окись бериллия 29 - 36Окись цинка 30 - 35Окись кремния 29,9 - 37,5 Хлористый марганец 0,1 - 2,5 25 Компоненты...

Номер патента: 357600

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бондаренко, Соколов, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...несвязанным азотом (2 - 3 вес. %), изменяющим в нужную сторону электросопротивление покрытия.Образование резистивной пленки с малым ТКС и с широким диапазоном номиналов возможно благодаря малому ТКС карбида тантала (от 10 - 4 до 10 - 6 град т) и высокому удельному сопротивлению, мало меняющемуся в диапазоне температур 20 - 1000 С. Содержание резистивным покрытием несвязанного растворенного в тантале азота также позволяет уменьшить ТКС и расширить диапазон номиналов резисторов. 58 - 94 3 - 40 2 - 3 Карбид танталаТанталНесвязанный азот Предм зобретен ся пример образования реиз предлагаемого материаском основании. 20 зистивной пленки на диэлекии из керамики, стекла, снматериалов осуществляется о напыления тантала (3 - е из смеси,...

Номер патента: 358726

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Метелкин, Патентно, Перевезенцев, Просвирника, Сорокин, Шмеле, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...м мат ского соединен ция, а составл следующих соо хинке изготов з предложенного печить ТКС от тервале темпераиент увлажнения ктросгарецця до ОРЫ ВЫПОЛНЕННЫЕ 1 ча позволяют обе о 8 10 вград вв и- ;+155 С, коэффицкоэффициент эле относится к теалей.зигтивцые,матеря щей композицтана) и металл 1ью расширенияг;олений в прссриале в качесгя использованапоцие компоцсГЦОПЕНИ 51 Х (ВЕС,иалы на осноии, состоящей 1 ЕСКОГО СОЕДИноминальных длагаемом ретве металличеОкцс.ь алсомицты взяты в %): изобретен,1 атериал ца оциц, состоящеаллическогочто, с цельюцй сопротивчго соедицецпя Й со снов 9 - 9 окись алю:1 игия цый материал порезисторов в стоцых значений и ремцых Оминальных Остировку поминаженцый резистцв1 асширигь инас(оомных пом;налв сторону цизкооц...

Номер патента: 392556

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...в интервале темпеила 1,5 - 3,10 4 град2 - 0,3 л 1 кв,в. ы, ,изготовлен (вольфрам - дя ТКС величи ратур 18 - 250 С - а э. д. с. ые из вуокись на кото, соста- шумов ЗО 1Изобретение относится и ооластн резисторостроения, в частности к технологии получения резистивных материалов для изготовления объемных резистивных.Известен резистивный материал на основе полупроводниковых проводящих веществ, характеризующийся относительно высоким ТКС (например, для резисторов типа ТВО ТКС составляет величину порядка 8 - 10 10 град - ) и невозможностью на одном виде материала получать резисторы широкого диапазона номиналов.Целью изобретения является возможность изготовления резисторов в широком диапазоне номиналов и уменьшение температурного коэффициента...

Номер патента: 382151

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...использован для изготовления к так и пленочньх резисторов. десятков меую зависив 0,5 с/о и маможет быть к объемных,едмет изобрет О Резастивный материал, напри товления объемных резисторов электрических неорганических отличаюи 1 ийся тем, что, с цель температурной завсимости па5 ширения диапазона и уменьш номиналов, он содержит 10 - 9 тропроводящего неорганическо го - дисилицида молибдена и диэлектрического неорганическо0 ля - электрокорунда, например Изобретение относится к области электротехники,Известен резистивный материал, например, для изготовления объемистых резисторов на основе диэлектрических неорганических соединений. Недостатками такого материала являотся температурная зависимость параметров резисторов, а также сложность...

Номер патента: 439851

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Грачев, Ермолаева, Красов, Лагутин, Лебедева, Петрова, Пушкина, Таипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...в спирте (например, 1-ундециловом или 1-капроновом или их эквивалентах).Резистивный материал, в состав которого входит свинцовоборосиликатное стекло, имеет следующие недостатки: резисторы одного геометрического размера, изготовленные из такого материала, после высокотемпературного обжига дают разброс значений сопротивлений порядка -1-20%, а температурный коэффициент сопротивления составляет значительную величину - (+4) - ( - 6);( 10 - 4 град -(в зависимости от соотношения компонентов в применяемом материале). Эти недостатки обусловлены отсутствием у свинцовоборосиликатного стекла определенной температуры р азмягчения.С целью улучшения воспроизводимости номиналов резисторов, снижения их температурного коэффициента сопротивления...

Номер патента: 440755

Опубликовано: 25.08.1974

Авторы: Батыгин, Бежанов, Иноземцева

МПК: H02N 1/08

Метки: высокоомный, резистивный, токоведущий, элемент

...напряженности электрического поля, конфигурация электрическихэквипотенциалей. На поверхность этих пазовнанесено металлическое покрытие, например,путем высокотемпературного вжигания, проникающее вглубь керамики и образующее переходную структуру толщиной десятки - сот 10 ни микрометров, Г 1 ереходная структура повторяет конфигурацию паза, а следовательно,и профиль индуктора и имеет плавно увеличивающееся удельное электрическое сопротивление от сопротивления металла до сопротивле 1 б ния керамики. К металлизированной поверхности пазов припаяны металлические индукторы,На фиг. 1 показан участок выравнивающегостатора с открытыми пазами, отродольный раз 20 рез; на фиг. 2 - то же, поперечный разрез;на фиг. 3 - участок статора с закрытыми...

Номер патента: 469219

Опубликовано: 30.04.1975

Авторы: Булах, Купченко, Пекарь

МПК: H05B 1/02

Метки: нагреватель, резистивный

...относится к электротермии и может использоваться в технологической аппаратуре, в частности для выращивания моно- кристаллов, наращивания эпитаксиальных слоев.Известны резистивные нагреватели, выполненные в виде последовательно соединенных проводников из различных материалов, образующих термометры сопротивления, посредством которых осуществляется контроль за нагревом,Однако область применения таких резистивных нагревателей ограничена (500 - 700 С).С целью использования нагревателя в качестве источника термоэлектродвижущей силы и расширения температурной области применения предлагаемые проводники выполнены из термопарных материалов, спай между которымн находится в зоне нагрева, а их концы выведены за пределы этой зоны,На чертеже приведена...

Номер патента: 470697

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Зеликовский, Нилова, Танасов

МПК: G01B 7/16

Метки: резистивный, тензокалибратор, электрический

...иа одном обц 1 ем узле с общей переключаемой частью.На чертеже изображена электрическая схема активного плеча тензокалибратора.Он имеет сопротивление 1 постоянной части для типоразмера 1, РО 1; сопротивление 2 постоянной части для типоразмера К Л,1 постоянные сопротивления 3 и 4 изменяемой части первого разряда, соответственно Р 11, Л; постоянное сопротивление 5 шунтирующей цепи сопротивления Й 11, постоянное сопротивление 6 шунтирующей пепи группы сопротивлений Р 11 +Р 1, сопротивление 7, 8 и 9 переменной части шунтирующих цепей 1-го разряда, постоянные сопротивления 10 и 11 изменяемой части последнего разряда, соответственно Л и Я постоянное сопротивление 12 5 шуитирующей цепи сопротивления Япостоянное сопротивление 13 шунтирующей...

Номер патента: 470868

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Горячев, Руд, Самсонов, Шулишова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...С. Токопроводящая фаза не разлагает 20 ся в процессе изготовления резисторов иустойчива в окислительных средах до 800 С. 3,2 - 19,549,8 - 66.,6 30,2 - 30,( ной борид получают метокого восстановления смеси элементарным бором. При т с 20%-ным избытком к арии Предмет и етения Указанный дводом боротермичеЬтпОз и ВаСОз сэтом ВаСОз беру Резистивнфазой на ос 0 щелочноземе Изобретение относится к области радиотехнического материаловедения и может быть использовано в производстве толстопленочных и объемных постоянных и переменных резисторов.Известен резистивный материал с токопроводящей фазой на основе двойного борида самария и щелочноземельного металла, например кальция.Однако известный резистивный материал на основе боридов самария и кальция...

Номер патента: 471613

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Коновалова, Руд, Самсонов, Шулишова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...фазу резным коэфвале от10 - 4 гра6000) мк ратуринтер - 2,6)(245 -тинного материала с темпеициентом сопротивления в7 до +200 С, равным (1,5-с диапазоном номиналовм см. радиотехнике, атериал на основе еталлов.иал характеризуетном номиналов со х из него резистоИзобретение относится к Известен резистивный м боридов редкоземельных мОднако известный матер ся недостаточным диапазо противления изготовляемь явля сопро резист допол и след нтов, в Резистивный материал с токопровфазой на основе борида редкоземельнталла, например борида самария, о тлщ и й с я тем, что, с целью расширениязона номиналов сопротивлений изготовиз него резисторов, он дополнительножит борид кальция при следующем сооции исходных компонентов, вес. %:Самарий 1,0 - 69,6Кальций...

Номер патента: 476608

Опубликовано: 05.07.1975

Авторы: Александрова, Воронков, Кобцев

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, резистивный

...материал содержит дополнительно окись олова и диборид хрома при следующем количественном соотношении исходных компонентов (вес. %): 6 10 - 10 е н/м-, а затем синтезируют при 1000 - 1300 К в атмосфере воздуха с часовой выдержкой при максимальной температуре, Приготовленные таким образом синтезиро ванные брикеты перемалывают до дисперсности порядка 10 мкм и менее, Просеянный мелкодисперсный порошок перемешивают до получения однородной массы шликера со связующим веществом, состоящим из 12 г поли- О винилбутираля и 42 мл дибутилфталата, растворенного в сложном растворителе, состоящем из 60 мл дпоксана, 66 мл изопропилового спирта и 20 мл ацетона, взятого в количестве 3 - 4,6% по сухому остатку.5 На промышленной лптьевой установкеУБполучают...

Номер патента: 478202

Опубликовано: 25.07.1975

Авторы: Ибрагимов, Клименко

МПК: G01K 7/16

Метки: датчик, резистивный

...возрастание сопротивления в области жидкого г 77 К. 11 ан цокристаллических в СЕ+ 81, получ огут быть изгот слоев еццых влены твердых растворона диэлектрике, мрезис тивные низкотемпературные дладающие высокой чувствите тью ороше п и точностью, хстабильностью яем остью ах до комаг 350 К), с маполей и равнов области темотогрев выше ( цой температу лым влиянием мерной чувств 25 ператур жидко гнитных ительностыо о гелия. Изобретение относи сопротивления для изм в области 4,0 - 250 сложняет измерительную аптенин - повышение точнос ий в области низких темп ение этого материала в новомЗаказ Я ЯкО Изд. М 90 Тираж 740 Подписное 111 П 11 И 1 осуларствен ного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035,...

Номер патента: 481945

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Бочкарев, Бочкарева

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...на диэлектрическ наносят испар е е осн ением в плаания. сел ния более высокоомньалой э.д,с. шумов увние окислов лантаноцдрезисторов с малойние этих окислов ум ля попуч резисторовс мвают содержа Для получения шумов содержа ли ш ов,э.д.с,ень шлю н те ни яержаший мьэяты ш Реэистивный материал, соталлосилицидный сплав и ок да, отличаю щи йс я ел пантинятем, что, с резисторе,89. полу"тивле- мом э,д.с. шумов ненты взять. указанные компколичественномМета ллосилиОкисел панта следуюлн. к 1ес о;1 1-802 0-89,оотношении цидный сноида дно ов 2 Изобретение относится к радиоте1Известен резистивный материал,жаший металлосилицидный сплав и олантаноида,Однако резисторы, изготовленныеизвестного материала, обладают больэ.д.с. шумов,Целью изобретения...

Номер патента: 484573

Опубликовано: 15.09.1975

Авторы: Андрейченко, Власенко, Врублевский, Горелов, Григорашвили, Добжинский, Жаворонков, Зорин, Манчук, Репях

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...другим композиционным электропроводным материалам, которые могут быть использованы в энергетическом, гражданском и промышленном строительстве, например, ь 1 я 1 зготовлеп;:я Обьемп 1:1 х резисторов, пагрсвате,.ыь х элементов заземлптелей.Известен резпстпвный материал, содержа 1 цпй портлапдцсмепт, кварцевый песок, мелкодпснерсный порошок углерода и воду. Однако этот материал имеет низкие значения теплосризических характеристик, что снижает допустимые удельные энергии рассеяния.Цель изобретения - улучшение теплофизпческпх характеристик и повышеше величины энергии рассеяния. Для этого в состав резистпвного материала дополп:тельно введен пери 1,лаз прп следуОгнем 1 О 1 чсствснном соотог ношешш исходных компонентов. вес. 1 о.Портландцемент...

Номер патента: 491161

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Болгарина, Фищева

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...в качестве проводящей фазы соединение рутения, стекло, например свинцовоборосиликатпое, и органическое связующее,Из этого материала, высокое содержание в котором окислов рутения и окислов ннобия делает его дорогим и дефицитным, получаются резисторы с большим температурным коэффициентом (до - 800 10 -"-/ С).В предлагаемом резистивном материале с целью расширения диапазона удельных сопротивлений и снижения ТКС в качестве соединения рутения использован его гидрооксихлорид при следующем количественном соотношении исходных компонентов (вес, %): Гидрооксихлорид рутенияСвинцовоборосиликатноестекло 57,7 - 74,7Органическая связка 20,1 - 26,05 Входящсе в пасту стекло состоит из следующих компонентов (вес. %): Стекло 54,69 - 61,90 вес....

Номер патента: 491162

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Красов, Могилева, Пушкина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...(вес.Окись свинцаОкись висмутаОкись кремнияОкись алюминияОкись магнияРезисторы на основе эго материала имеот уд, птивлснне квадрата р6=2. - Т,С вкв кв125 С составляет (1 - 6)от 60 ло 20 С- - (0,3 -р позипт Оньн матс пользован лля расширения номенкларнлных интегральных микросхем.П р и м е р 1. Резнстивная пастаОксь индия 4,55Окись серебра 9,0Палл алий 11 Л 5Стекл освязка 75Составленную композицию усрелнкратым просевом через капроновоячейками 65 тк,т.При приготовлении пасты примеганическую связку на основе ланолноошковой композиции), сиз ланолина, вазелинового масла исанола в весовых соотношениях 15:ветственно.Композиционный материал перемсвязкой в винтовой мешалке с о(до 40 С) .Резисторы пз этой пасты имели у491162 Предмет...

Номер патента: 495714

Опубликовано: 15.12.1975

Авторы: Безруков, Болгарина, Шибалова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...примерами получения рсзистивного материала с указанием крашпх значений для максимума, минимума и среднего диапазоны величин сопротивления резисторов при толщине слоя 25- - 30 мкм.Для Л=-2- - 5 Момквадрат двуокись олова, легированная пятпокисью сурьмы и пяти- окисью тантала 50 - 58 все. Оо, стекло 30 - 32,5 вес. ,о, органическое связующее 16,5 - 18 вес. ",Ь при температуре оожига 800 С.Для Я = 00 - 100 Момквадрат дв окись олова, легированная пятиокисью сурьмы и пяти- окисью ниобия 33 35 вес. о, стекло 46 - 00 вес.,д, органи сскос св 5 зюцсс 16,7 - 19,3 вес. Оо при температуре обжига 750 С.Для 0=500 Мом - 1 Гом,квадрат двуОкись ОГова, легированна 5 Пя Гиокпсь 10 сурэмы; п 5 т 101 псь 0 ниоби 51 11 - -13 все. :о, стекло 70...