Способ изготовления тонкопленочныхсхем

Союз Советских Социалистических Рвспублик(22) Заявлено 100179 (21) 2711216/18-25с присоединением заявки Йо(51)М, Кл,з Н 01 . 21/265 Государствеииый комитет СССР по делам изобретений и открытий(53) УДК 621. 382. .002(088.8) в 4 ОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СХЕ к микроэлеки может бытьленни фотоИзобретение относитсятронике, оптоэлектроникеиспользовано при изготоврезисторов.Известен способ изготовления тонкопленочных схем, включающий изготовление гребенчатых электродов из метал лических лент, укрепление их на изолирующей подложке, нанесение фото- проводника между гребенчатыми электродами 1 .Недостатками этого способа являются низкая разрешающая способность и .низкое качество электрического контакта между электродами и фотопровод с ником тонкопленочной схемы, изготовленной данным способом, большое количество технологических операций в связи с необходимостью создания гребенчатых электродов, выполненных иэ 20 металлических лент, и их укреплением на изолирующей подложке.Известен способ изготовления тонкопленочных схем, включающий последовательное нанесение на подложку из стекла Фоточувствительной пленки и пленки металла, нанесение сетки иэ воска с заданным рисунком и избирательное травление. Этот способ позволяетулучшить качество электрического кон такта изготовленной тонкопленочнойсхемы 2 .Однако он обладает низкой разрешающей способностью, содержит большоеколичество различных технологическихопераций в связи с необходимостью нанесения на Фоточувствительную пленкупленки металла, сетки из воска с заданным рисунком и избирательного трав.ления.Известен также способ изготовления тонкопленочных схем на основе полупроводниковых соединений типа А В",ввключающий нанесение на подложку полупроводниковой пленки и формированиеэлектрических контактов к ней с использованием маски из фоторезиста.Способ включает нанесение на подложку фоточувствительной пленки соедии и,нения Л В ; нанесение поверх фоточувствительной пленки металлической пленки; создание контактной маски иэ фоторезиста; селективное травление металлической пленки для формированияэлектрода. Способ обладает высокойразрешающей способностьюЯ,Однако он также содержит большоеколичество технологических операцийв связи с необходимостью нанесения841071 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 4796/80 Тираж 784 Подписное Филиал ППП "Патентф, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 металлической пленки и ее последующего травления,Цель изобретения - упрощение технологииПоставленная цель достигается тем,что электрические контакты формируютбомбардировкой ионами аргона незащищенных фоторезистом участков поверхности полупроводниковой пленки.Кроме того, бомбардировку ионамиведут до уменьшения поверхностногосопротивления в 10-10 раз, по сравЬнению с исхОдным еВ данном способе электрод формируется в результате обработки в потокеионов незащищенной фоторезистом поверхности полупроводниковой пленки. 15Поток ионов, падающий на поверхностьпленки, выбивает из нее часть атомов,однако атомов шестой группы выбивается намного больше, чем второй (металлИ), в результате чего поверхность щоказывается обогащенной атомами второй группы и поверхностное сопротивление резко уменьшается. Таким образом,создается низкоомный слой, играющийроль электрода на поверхности высокоомного фоточувствительного материала, каким является тонкопленочные полупроводниковые соединения А ВСпособ упрощен тем, что исключаетнанесение поверх фоточувствительнойпленки металлической пленки и ее селективное травление для формированияэлектрода. Нанесение металлическойпленки на фоточувствительную приводит к расходу дорогостоящего металла,например, индия. Кроме того, на гра- З 5нице металлической и фоточувствительной пленки возникает потенциальныйбарьер, ухудшающий электрические свойства электродов, Селективное травление ухудшает поверхность фоточувстви Отельной пленки за счет возникновениядефектов на поверхности и подтравливания самой поверхности.Замена вышеперечисленных действийобработкой верхнего слоя поверхности фоточувствительной пленки в потокеионов позволяет сократить расход дорогостоящего металла, улучшить электрические свойства электродов, благодаря исчезновению потенциального барьера, уберечь от разрушения поверхностьфоточувствительной пленки. Число технологических операций при этом уменьшается.Обработанный ионами слой, поверхностное сопротивление которого отличатся от исходного менее, чемв 10 раз, не обеспечивает удовлетворительного электрического контакта.После уменьшения поверхностного сопротивления в 106 раз дальнейшая бомбардировка ионами не вносит существенного эффекта.П р и м е р. На подложку наносится фоточувствительная пленка толщиной 1 мкм химически осажденного из водного растора Сд 5, На фоточувствительную пленку Сд 5 наносится маска из фоторезиста. Далее производится обработка в пОтоке ионов незащищенной фоторезистом поверхности СО 5 в следующем режиме: диодная система; парциальное давление газа (аргона Р=10 Па; 0 - 2,7 кВ, ,3 = 4,3 10 А , время обработки изменяется от 5 до 180 мин.После обработки сопротивление поверхностного слоя фоточувствительной пленки уменьшается в 10 раз (исход 6ное поверхностное сопротивление Вр=10"о Ом/см). Предлагаемый способ позволяет сократить расход дорогостоящего металла, повысить выход продукции за счет умень. шения числа технологических операций и уменьшения дефектности фоточувствительной пленки, повысить производительность труда при изготовлений схем а также снизить себестоимость готовой продукции. 1. Способ изготовления тонкопленочных схем на основе полупроводниковых соединений типа Л В", включающий нак ч 1несение на подложку полупроводниковой пленки и формирование электрических контактов к ней с использованием маски из фоторезиста, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения электрических свойств контактов, удешевления способа при одновременном упрощении технологии, электрические контакты формируют бомбардировкой ионами аргона незащищенных фоторезистом участков поверхности полупроводниковой пленки.2. Способ по и. 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что бомбардировку ионами ведут до уменьшения поверхностного сопротивления в 106 -10 ь раз, посравнению с исходным.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент США Р 2937353,кл. 338-15, 1960.2. Патент ФРГ 9 1166394,кл. 21 ф 29/01, 1964.3. Авторское свидетельство СССРпо заявке 9 1927630/25,кл. Н 0121/28, 1973 (прототип).