Герасименко

Номер патента: 884481

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Соколов

МПК: H01L 21/24, H01L 21/28

Метки: металлов, силицидов, создания

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металлической пленки на кремний и импульсный нагрев структуры, кремний - металлическая пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев при одновременном сохранении свойств исходного кремния, структуру нагревают импульсами СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность отдельного импульса менее 10-5 с и временные промежутки между ними 10-2 -10-1с, частота СВЧ-излучения 30 МГц - 100 ГГц, плотность поглощения энергии СВЧ-импульса рассчитывается по формулеE c

Номер патента: 1080675

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин, Суртаев

МПК: H01L 21/24

Метки: металлов, силицидов, создания

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металла на кремний и нагрев структуры "металл-кремний" СВЧ-излучением с основной частотой 950 МГц - 1000 ГГц, плотностью поглощенной энергии излучения 0,2 - 2 кДж/см2 в течение 1 - 103 с, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев и упрощения технологического процесса, перед СВЧ-нагревом нанесенный металлический слой облучают ионами элементов, обладающих электроотрицательностью меньшей чем электроотрицательность нанесенного металла, причемЭм - Ээ = Э

Номер патента: 1031367

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вершинина, Герасименко

МПК: H01L 21/263

Метки: кремний-двуокись, кремния, структур

Способ обработки структур кремний - двуокись кремния, включающий термообработку структур в интервале 200-300oC и одновременное облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью пониженного избыточного положительного заряда в структурах, облучение осуществляют электронами энергией 0,18-3,5 Мэв дозой 1014-1015 эл см-2.

Номер патента: 880198

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Лежайко, Любопытова, Ободников

МПК: H01L 31/0352

Метки: полупроводниковый, фотоприемник

Полупроводниковый фотоприемник на основе внутреннего фотоэффекта, содержащий кристалл с фотоприемной поверхностью, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона фоточувствительности, над фотоприемной поверхностью расположен варизонный слой, толщина которого не более обратной величины коэффициента поглощения регистрируемого излучения и не менее длины туннелирования носителей заряда, причем градиент ширины запрещенной зоны удовлетворяет соотношениюгде Eg(x) - ширина запрещенной зоны; - подвижность носителей...

Номер патента: 1545845

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Стась, Сухих

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структуры

Способ получения структуры "кремний на изоляторе", включающий имплантацию в кремниевую подложку ионов кислорода (азота) с дозами и энергиями, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния (нитрида кремния) под слоем кремния, и нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структуры, имплантацию и нагрев проводят в два этапа: на первом этапе имплантируют часть поверхности кремниевой подложки так, чтобы имплантируемые области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором имплантируют только неиплантированную на первом этапе поверхность кремниевой подложки и проводят нагрев.

Номер патента: 1304666

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Герасименко, Дульцев, Репинский, Соломатина, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, локального, окисла, слоев, сухого, травления

1. Способ локального сухого травления слоев окисла кремния, включающий обработку поверхности газообразным фтористым водородом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества оставшейся пленки окисла и подложки в областях травливания, перед травлением участки пленки, подлежащие стравливанию, облучают ионами дозами 1013 < D < 1016 см-2, энергиями 1 кэВ < E < Емакс, где Емакс - энергия ионов, глубина проникновения которых равна толщине пленки, затем выдерживают в ненасыщенных парах воды в течение 0,1-120 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени обработки, после ионного облучения проводят...

Номер патента: 1077517

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Суртаев

МПК: H01L 27/14

Метки: интегральное, фотоприемное

Интегральное фотоприемное устройство, содержащее подложку из кремния с системой обработки информации, отличающееся тем, что, с целью увеличения чувствительности в ИК-области спектра, микроминиатюризации, упрощения и удешевления устройства, фотоэлементы выполнены из силицидов металлов.

Номер патента: 700983

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Бизюкин, Виноградов, Герасименко, Горбунов, Зельцер, Земченко, Машечков, Тетельбаум

МПК: B21C 37/12

Метки: подачи, спиральношовных, труб

Устройство для подачи спиральношовных труб большого диаметра при сварке рабочих швов, содержащее установленные в станине попарно связанные между собой поворотные корпуса с подающими роликами и механизм настройки роликов на угол спирали, отличающееся тем, что, с целью стабилизации процесса сварки рабочих швов путем обеспечения фиксации подающих роликов в заданном положении, оно снабжено механизмом фиксации, выполненным в виде башмаков для зажатия поворотных корпусов и гидроцилиндра с рычагами, шарнирно соединенными со штоком гидроцилиндра, при этом башмаки для зажатия поворотных корпусов шарнирно укреплены на свободных концах рычагов.

Номер патента: 613555

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Герасименко, Земченко, Кубрин, Хлопенков, Христин, Шарипов

МПК: B21C 37/06, B23B 5/16

Метки: внутреннего, грата, удаления

Устройство для удаления внутреннего грата, содержащее корпус, на котором закреплена державка с режущим инструментом и ограничивающими глубину врезания роликами, размещенными на одном из ее концов, опорный рычаг с роликами и механизм регулировки усилия прижима режущего инструмента, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и компактности конструкции, державка выполнена в виде шарнирно укрепленного на одной оси с опорным рычагом двуплечего рычага, свободное плечо которого выполнено в виде пластинчатой рессоры, а механизм регулировки усилия прижатия режущего инструмента - в виде эксцентрика.

Номер патента: 1005610

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Йожеф, Петер

МПК: H01L 31/036

Метки: фотодетектор

1. Фотодетектор на основе полупроводниковой структуры, по крайней мере с одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности в области длин волн вблизи края собственного поглощения полупроводника и расширения диапазона чувствительности в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона выполнена с дефектами в виде изолированных выделений второй фазы в количестве 0,1 - 8% от объема зоны.2. Фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что размер дефектов - не менее длины волны края собственного поглощения полупроводника.

Номер патента: 686563

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко, Домахин, Зайцев, Логинова

МПК: H01L 31/0288

Метки: фотоприемник

1. Фотоприемник на основе полупроводниковой подложки с по крайней мере одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и расширения ее спектральной области в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона содержит изоэлектронную примесь с концентрацией 1018 - 1021 см-3.2. Фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка выполнена из кремния, а фоточувствительная зона содержит примесь элемента, выбранного из IV группы Периодической системы, преимущественно германия.

Номер патента: 786712

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, пластин

Способ обработки кремниевых пластин, включающий механическую обработку поверхности и термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров кремния за счет снижения концентрации дефектов, перед отжигом пластины облучают ионами кремния дозой 5 1014 - 5 1016 см-2 и энергией, обеспечивающей выполнение условия:R d,где R - глубина проникновения ионов в пластину.d - толщина нарушенного механической обработкой приповерхностного слоя...

Номер патента: 1289294

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Едренов, Мясников

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин

Способ обработки кремниевых пластин, включающий обработку поверхности кремниевых пластин импульсом электромагнитного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности операции сглаживания краев пластин, обработку всей поверхности пластин проводят импульсом некогерентного излучения при длительности импульса от 1 до 250 мс и удельной мощности от 0,3 до 140 кВт/см2.

Номер патента: 824831

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко

МПК: H01L 29/02

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор на основе кристалла с p-n-переходом, содержащего область с дефектами структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токов утечки и собственных шумов, указанная область выполнена на расстоянии от p-n-перехода, не превышающем диффузионную длину примеси, и имеет дефекты типа введений второй фазы, объем которых в ней 1 - 10%.

Номер патента: 1190857

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Мясников, Ободников

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин, полупроводниковых

Способ очистки полупроводниковых кремниевых пластин путем воздействия на поверхность лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения очистки поверхности пластин от механических загрязнений, кремниевые пластины подвергают воздействию лазерного излучения с длиной волны 1,06 0,000365 мкм, удельной мощностью 318 Вт/см2 - 15 кВт/см2 и длительностью воздействия 50 - 200 мс.

Номер патента: 795319

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: памяти, элементов

Способ изготовления элементов памяти, включающий последовательное формирование на полупроводниковой подложке первого туннельно тонкого слоя диэлектрика, второго слоя диэлектрика, обладающего эффектом запоминания, и электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения времени хранения записанной в элемент памяти информации, перед формированием электрода производят ионное легирование второго слоя диэлектрика ионами элементов из группы веществ, атомный вес которых превышает атомный вес каждого из составляющих диэлектрик элементов, включающей фосфор, аргон, галлий, мышьяк и криптон, с дозой (5 1014 - 1

Номер патента: 353478

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Алиев, Борисов, Верник, Герасименко, Земченко, Кучер, Овчаров, Разин, Сидоренко, Танцырев

МПК: B21C 37/06, B21C 43/00

Метки: внутреннего, грата, сварных, срезания, труб

Устройство для срезания внутреннего грата со сварных труб, включающее резцовую головку, установленную на штанге, механизм ориентации грата трубы и механизм передачи трубы к резцовой головке, отличающееся тем, что, с целью обеспечения поточности снятия грата с труб малого диаметра, оно снабжено столом с подвижной тележкой и попарно установленными в ряд захватывающими роликами, смонтированными с возможностью их разведения от действия подвижной тележки, соединенной с концом штанги, размещенной между попарно установленными в ряд роликами, а за столом размещены механизмы ориентации грата и зажима трубы, поперечно которым установлены ролики винтового рольганга с подъемными линейками.

Номер патента: 748967

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Баранцов, Бизюкин, Виноградов, Герасименко, Земченко, Машечков, Сидоренко, Тетельбаум

МПК: B21C 37/12, B23K 31/02

Метки: большого, диаметра, сварки, спирально-шовных, стан, труб

1. Стан для сварки спирально-шовных труб большого диаметра, содержащий устройство для перемещения свариваемых труб, консольную штангу со сварочной головкой на свободном конце, монтированную в опорном узле, а также устройство для настройки электродов сварочной головки на оптимальную точку сварки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества шва за счет улучшения условий настройки на оптимальную точку сварки при сварке длинномерных труб, устройство для настройки электродов сварочной головки на оптимальную точку сварки выполнено в виде смонтированного в раме опорного узла с возможностью поворота в горизонтальной плоскости ползуна и установленного на нем с возможностью поворота вокруг оси,...

Номер патента: 507988

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Герасименко, Горохов, Земченко, Медведев, Меньщиков, Овчаров

МПК: B23D 79/06

Метки: внутреннего, грата, удаления

Устройство для удаления внутреннего грата в трубах, корпус резцедержателя которого шарнирно связан с тяговым звеном, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, резцедержатель соединен с корпусом при помощи шарнира и пружины.

Номер патента: 1103432

Опубликовано: 20.05.1997

Авторы: Алехин, Герасименко, Лысенков, Мустюков, Псарев, Санков

МПК: B23K 15/00

Метки: процесса, сварки, электронно-лучевой

Способ контроля процесса электронно-лучевой сварки, при котором образец из материала свариваемой детали проплавляют электронным лучом и по результатам проплавления судят о параметрах луча, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, используют образец толщиной, равной 10 20 диаметрам сечения электронного луча, который устанавливают заподлицо со свариваемой деталью, а о параметрах луча судят по времени его проплавления.

Номер патента: 1154815

Опубликовано: 20.05.1997

Авторы: Барышев, Герасименко, Каплан, Псарев, Свечин

МПК: B23K 15/00

Метки: процесса, сварки, электронно-лучевой

1. Способ контроля процесса электронно-лучевой сварки по ширине проплавления, при котором осуществляют несквозное проплавление контрольного образца сфокусированным линзой лучом и характер этого проплавления сравнивают с характером проплавления базового образца, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, проплавление базового образца осуществляют недофокусированным лучом не менее чем на двух участках с его перефокусировкой также не менее чем на двух участках, при этом фокус луча располагают симметрично относительно фокуса луча при проплавлении образца сфокусированным лучом путем равномерного изменения тока фокусирующей линзы в диапазоне 0,4 - 1,0% тока сфокусированного луча, проплавление контрольного образца осуществляют при тех же...

Номер патента: 792725

Опубликовано: 10.05.1997

Авторы: Барышев, Герасименко, Докашев, Лысенков, Овчинников

МПК: B23K 15/00

Метки: кольцевых, сварки, стыков, электронно-лучевой

Способ электронно-лучевой сварки кольцевых стыков, при котором осуществляют относительное перемещение электронного луча и свариваемой детали, а с момента замыкания шва уменьшают ток луча и выводят его фокус на поверхность детали, отличающийся тем, что, с целью повышения качества сварного соединения, в момент замыкания шва прекращают относительное перемещение детали и луча.

Номер патента: 1352787

Опубликовано: 20.04.1997

Авторы: Герасименко, Иосилович, Лысенков, Псарев, Савотин, Свечин

МПК: B23K 15/00

Метки: луча, наведения, свариваемых, стык, электронного

1 Способ наведения электронного луча на стык свариваемых деталей, при котором положение луча относительно стыка определяют по двум точкам, расположенным на расстоянии, соизмеримом с толщиной свариваемых деталей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности наведения электронного луча на стык при сварке соединений толщиной не менее 30 мм, стык выполняют и обрабатывают совместно с вводными планками и реперной ступенькой толщиной 0,03 0,08 толщины свариваемых деталей, которую выполняют от нижней кромки стыка, а точки для определения положения оси луча относительно стыка располагают на вводных планках с лицевой стороны стыка, причем одну из них совмещают с верхней кромкой вблизи торца деталей, а другую на реперной ступеньке.

Номер патента: 1369379

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Герасименко, Гончаров, Иванов, Кротов, Кузнецов, Марморштейн, Овнатанов, Петухов, Сергеев, Сидоров, Юргенсон

МПК: E21B 43/25

Метки: пласта, продуктивного, проницаемости, увеличения

1. Способ увеличения проницаемости продуктивного пласта, включающий проведение вертикальных разгрузочных щелей в скважине, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса, после формирования разгрузочных щелей, создают область повышенного давления закачиванием песка в пласт, затем проводят повторную прорезку щелей в напряженной области вокруг скважины при ориентировании вторичных щелей в нормальной плоскости по отношению к плоскости первичных щелей.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что песок под давлением закачивают в объеме, который определяют из выраженияV=20 (1- п/...

Номер патента: 1835732

Опубликовано: 10.11.1996

Авторы: Афонин, Герасименко, Орлов, Шляпин, Шмаков, Ярмашев

МПК: B62D 53/00

Метки: самоходное, шасси

...соединена задним концом 2 с мостом ведущих колес 3 и силовым агрегатом 4, а передним 5 с мостом управляющих колес б, а также площадку управления 7 с кабиной 8,Площадка управления 7 посредством рессор закреплена на переднем конце 5 рамы 1, который оснащен удлинителем 9 в виде двух простирающихся вперед консольных кронштейнов 2-образной формы. При этом один конец кронштейна примыкает к переднему концу рамы 1, а другой расположен ниже рамы, Кабина 8 выполнена в виде Самоходное шасси, содержащее опирающуюся передней частью на мост управляемых колес двухбрусную раму, с которой связаны кабина и силовой агрегат с коробкой передач и системой управления, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и улучшения условий...

Номер патента: 1415794

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Герасименко, Гопиенко, Калекин, Кеворкян, Павлюченко, Прощицкая, Савченко, Щербина

МПК: C22C 1/04

Метки: неорганических, соединений

Способ получения неорганических соединений, преимущественно алюминидов лития, включающий смешивание исходных компонентов, взятых в стехиометрическом соотношении, прессование, проведение самораспространяющегося синтеза, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, исходные компоненты берут в количестве 140 600 г, дисперсностью 16 400 мкм, а прессование ведут до плотности 1,19 1,49 г/см3.

Номер патента: 1804135

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Герасименко, Калекин, Степанова, Фридляндер, Щербина

МПК: C22C 1/04

Метки: алюмолитиевых, сплавов

...не является показателем полноты синтеза, Более достоверным критерием может стать максимальная температура СНС. Если она выше температуры плавления лития (181 С) или равна ей, то, как следует из данных рентгенофазового анализа и металлографических исследований, синтез прошел до конца (см. акт испытаний, примеры 7 - 8), Сплав получается двух- или однофазный, Если температура СНС ниже температуры плавления лития то полнота сгорания не обеспечивается, продукт получается многофазный, например, при проведении синтеза за пределами заявляемого диапазона концентраций лития: 3,2; 64,0 мас (см. акт испытаний, примеры 6 и 9). Указанная закономерность характерна для всех исследуемых случаев (см. акт испытаний, примеры 1 - 15),В известном способе...

Номер патента: 1475217

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Герасименко, Гусейн-Заде, Дмитриевский, Иванов, Кудинов, Морморштейн

МПК: E21B 43/24, E21B 43/25

Метки: зоны, призабойной, скважины

Способ обработки призабойной зоны скважины, включающий выравнивание профиля притока путем щелевой пескоструйной перфорации, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса за счет повышения проницаемости и увеличения радиуса обработки, щелевую пескоструйную перфорацию проводят при использовании в качестве жидкости-песконосителя легких углеводородов С3 С12, при этом на забое скважины поддерживают давление, соответствующее давлению насыщения прискважинной зоны легкими углеводородами С3 - С12, причем в конце щелевой пескоструйной перфорации снижают давление нагнетания, осуществляют прогрев призабойной зоны до 150 200oС и проводят нагнетание воздуха.

Номер патента: 1447189

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Ведерников, Герасименко, Герасимов, Лямин, Мазарченков, Новозинский, Павутницкий

МПК: H01J 9/00

Метки: барокамеру, ввода, излучения, оптического, узел

Узел ввода оптического излучения в барокамеру, содержащий патрубок, один торец которого жестко соединен с корпусом барокамеры, а другой с фланцем, на котором герметично установлена плоскопараллельная светоделительная пластина, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения регулирования пространственного положения светоделительной пластины, патрубок выполнен в виде сильфона, армированного металлическими кольцами, размещенного внутри оболочки, выполненной в виде соосной с патрубком усеченной сферы, торцовые поверхности которой через замковые соединения связаны соответственно с корпусом барокамеры и с фланцем, установленным с возможностью вращения вокруг оси патрубка и разделенной на две детали...

Номер патента: 1380338

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Герасименко, Гончаров, Дацик, Дешура, Иванов, Кротов, Кузнецов, Марморштейн, Петухов, Сергеев, Сидоров, Юргенсон

МПК: E21B 43/26

Метки: пласта, продуктивного, проницаемости, увеличения

Способ увеличения проницаемости продуктивного пласта, включающий разделку щели вдоль оси скважины с помощью устройства для нарезания щели, отличающийся тем, что, с целью уменьшения энергозатрат на процесс, щель прорезают на высоту l, но не менее диаметра скважины, перемещают устройство вдоль скважины на расстояние, которое определяют из выражениягде d диаметр скважины, м;- горизонтальное напряжение на глубине залегания пласта, МПа;sкуб кубиковая прочность пород продуктивного пласта, МПа;h расстояние, м,затем разрезают следующую щель на ту же высоту, обрушают...