Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1450665
Авторы: Васильев, Герасименко
Описание
Заявка
3996157/25, 20.12.1985
Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет
Васильев С. В, Герасименко Н. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Метки: n-p-переходов, контактов, мелких, ним, создания
Опубликовано: 10.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1450665-sposob-sozdaniya-melkikh-n-p-perekhodov-i-kontaktov-k-nim.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения характеристик полупроводниковых материалов
Следующий патент: Травитель для поликристаллического кремния, легированного кислородом
Случайный патент: 151496