Способ изготовления диодов шоттки

Номер патента: 1217182

Авторы: Герасименко, Суртаев

Описание

Способ изготовления диодов шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, формирование силицида металла в окнах и последующий высокотемпературный прогрев, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности диода за счет устранения бокового роста силицида, после фотолитографии по металлу, но до высокотемпературного прогрева участки металла над окислом облучают ионами N+2 дозой 1015 - 1016 ион/см2 с энергией, обеспечивающей пробег ионов на 0,50 - 0,75 толщины металла.

Заявка

3749871/25, 01.06.1984

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет

Герасименко Н. Н, Суртаев А. Ю

МПК / Метки

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1217182-sposob-izgotovleniya-diodov-shottki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления диодов шоттки</a>

Похожие патенты