G01N 23/20 — с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения

Номер патента: 857816

Опубликовано: 23.08.1981

Автор: Скупов

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр

...и кристалла-анализатора, а- также рентгеновских лучей при измерении деформации кристаллической решетки.Рентгеновский спектрометр содержит источник 1 рентгеновских лучей, устройство 2 его линейного перемещения по вертикали, плоские зеркала 3, 3, механизм 4 поворота плоских зеркал, щелевое устройство 5, механизм 8 перемещения целевого устройства относительно плоских зеркал, кристалл-монохроматор 7, щелевое устройство 8, плоское зеркало 9, механизм 10 поворота плоского зеркала, исследуемый кристалл 11, кристалл- анализатор 12, детектор 13 излучения.Источник 1 рентгеновских лучей связан с устройством 2 линейного перемещения по вертикали. На пути от источника расположены два плоских зеркала 3 и 3 для полного внешнего отражения лучей...

Номер патента: 857817

Опубликовано: 23.08.1981

Автор: Калеганов

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, образцов, порошкообразных, рентгеновского, фазового

...интенсивностей аналитических линий фазы в образце и эталоне, эталон выполняют в виде плоскопараллельной пластинки, укрепляют его на поверхности образца и прн облучении857817 Формула изобретения Составитель Е.Сидохин едактор О.Малец ТехредМ, Рейвес Корректор Е,Рошк07 П енного комитета етений и открыти Раушская наб,7231/71 Т ВНИИПИ Госудпо делам 13035, Москва сноеР ж ак зобрЖлиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проек располагают эа образцом по ходу первичного луча.На чертеже схематически показан ход рентгеновских лучей при осуществлении рентгеновской съемки 1 на просветф.Первичный рентгеновский луч 1 и луч 2, возникающий врезультате дифракции от определяемой фазы в образце 3, образуют одинаковые углы 8 с нормалью 4 к поверхности образца 3...

Номер патента: 859890

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Колеров, Логвинов, Скрябин, Юшин

МПК: G01N 23/20

Метки: пленок, поликристаллических, толщины

...дифракционной картины, образец рентгенографируюг в неподвижном состоянии при значении угле наклона, соответствующем исчезновению дифракционных отражений от подложки, при этом перемещают детектор излучения по окружности фокусировки, а глубину .анализируемого слоя. определяют по формуле40 она 1а преломление ренггелучейскорость пеуемещенияизлучения;т линейного ослабле 50 Ьфния;Е - суммарная (интенсивность дифрагированных И;- мощность первиаого пучка;9 - доля дифрагированных лучей внаправлении даюого дифракционного отражения.Для несимметричного (Ы, с 9) ения рентгеновских луней ог исса и определяют глубину анализируема о слоя.П р и м е р 1, В качестве исследуемого образца берут алюминиевую фольгу толщиной 20+1 мкм и ренггенографируют ее...

Номер патента: 864079

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Дьяченко, Кукареко, Сусин

МПК: G01N 23/20

Метки: закаленной, мартенсите, содержания, стали, углерода

...в нем при нагреве под закалку. При относительно низких температурах отпуска скорости выделения углерода и легирующих элементов из мартенсита существенно различаются. Это связано с тем, что скорость диффузйи атомов углерода на несколько порядков выше скорости864079 Формула изобретения Составитель Е,СидохинТехред М. Голинка КорректоР Ю.макаренко Редактор М.Келемеш Заказ 7763/61 Тираж 910 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 диффузии атомов других легирующих элементов. В связи с этим при определенных режимах отпуска углерод практически полностью выходит из твердого раствора, тогда как легирую- щие элементы...

Номер патента: 864080

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Александров, Галль, Шевченко

МПК: G01N 23/20

Метки: излучения, источник, монохроматического, рентгеновского

...излучения, которым является анод рентгеновской трубки, и моно- кристалл-монохроматор 2Кроме моно- кристалла-монохроматора "на отраже- . ние" 2, вводится один или несколько монокристаллов "на прострел" 3 и 4, толщиной О,1-0,7 мм, изогнутые так, что представляют собой часть сферы. Эти монокристаллы можно ставить следующими способами:1),между источником 1 и монокристаллом-монохроматором "на отражение" 2 - монокристалл 3;2) между монокрксталлом-монохроматором "на отражение" 2 и точкойфокуса рентгеновского источника 5монокристалл 4;3) и там и там (см.пп. 1 и 2).В первом случае центр кривизныкаждого монокристалла-монохроматора"на прострел" должен лежать в точкевыхода рентгеновского излучения споверхности анода, во втором - в...

Номер патента: 866461

Опубликовано: 23.09.1981

Автор: Безирганян

МПК: G01N 23/20

Метки: интерферометрии, рентгеновской

...интерферометра. Ход лучей в интерферометре имеет следующий вид.При помощи экрана Э, непрозрачного для рентгеновских лучей и имеющегодве щели, от источника О выделяют двапучка ОА и ОВ, составляющих друг относительно друга угол 29, где,. о 30угол Вульфа-Брегга, причем угол междупучкжи задают расстоянием между экраном Э и источником О.Пучки ОА и ОВ падают на первыйблокО интерферометра под углами отражения по Лауз, где каждый из нихрасщепляется на два пучка ОА на АСн АО, а ОВ на ВЕ и ВГ.Достигнув второго блока с 1 интерферометра, каждый из вновь полученных пучков АС и АО, ВЕ и ВГ также расщепляется на два, и в результате получается восемь пучков: СК, С 1., О,ОМ, ЕМ, Ей, ГИ, ГР.Так как расстояниямежду тремяблоками интерферометра...

Номер патента: 873067

Опубликовано: 15.10.1981

Автор: Скупов

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр

...постоянны и собственные оси вращения кристаллов совпадают с отражающими поверхностями, что обеспечивает расширение функциональных возможностей спектрометра,На фиг.1 и 2 представлены схемы спектрометра для измерения малых О(45 о) и больших(9145 ф)углов отражения соответственно на фиг.3 и 4- схемы для расчета углов поворотов кристаллов спектрометра при В 45 и 9745 Спектрометр содержит размещенные на основании 1 рентгеновскую трубку 2, коллиматор 3, кристалл-монохроматор 4, исследуемый кристалл 5 и детектор 6 излучения, расположенный на круговом основании 7, Кристаллы 4 и 5 установлены на держателях 8 и 9, жестко закрепленных на подвижных платформах 10 и 11, имеющих -общую ось поворота О, и снабжены механизмами 12 и 13 поворота с...

Номер патента: 873068

Опубликовано: 15.10.1981

Автор: Скупов

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллов, ориентировки

...кристалла на 180в собственной плоскости, фиксациювторого угла отражения исследуемогокристалла, параллельно исследуемомукристаллу на фиксированном расстоянии устанавливают с помощью подпружиненного Фиксатора эталонный крис-:талл в отражающее положение путемповорота обоих кристаллов вокруг .оси дифрактометра, Фиксируют уголотражения, затем поворачивают исследуемый кристалл на 180 в собственоной плоскости, Фиксируют второйугол отражения эталонного кристаллаи определяют угол среза исследуемого кристалла по формуле:0-о Ра. Р2 2где( и а,- углы, соответствующиеположениям отраженияисследуемого кристалладо и после поворота егона 180 в собственнойплоскостии г углы соответствующиеположениям отраженияэталонного кристалладо и после поворота...

Номер патента: 873069

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Ильинский, Кононенко, Новоставский, Скляров, Тимин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр, исследования, кристаллических, структуры, тонкой

...осидетектора на точку 0, Главная ось гонио.метрического устройства 8 перпендикулярнаэкваториальной плоскости в точке 0 и еенаправление выбрано, как направление однойиэ главных осей координатной системы дифрактометра,Поворотный стол 7, расположенный на ва.лу 8 вместе с собственной осью вращения, может наклоняться вокруг оси качанияс, проходящей через точку О перпендикулярно оси 8, Направление оси.качания совпадает со второй главной осью координатнойсистемы дифрактометра. Базовая плоскость по.воротного стола 7 всегда параллельна оси качания с" и находится ниже геометрическогоцентра 05 дифрактометра,Ось 1 всегда перпендикулярна оси о и проходит через точкуо,. 5 1 О 15 20 25 30 35 40 На базовой поверхности поворотного столаразмещен блок 9...

Номер патента: 873070

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Кононенко, Новоставский, Скляров, Тимин

МПК: G01N 23/20

Метки: колец, рентгенографирования

...на своем свободном конце кассету 10. Кассета 10 выполнена в виде скобы с двумя щечками и упругим элементом 11 (пластиной) меж. ду ними, На наружной щечке установлена руч. ка - фиксатор 12, находящаяся в контакте супругим элементом 11, и воздействующая на него. Внутренней стороной кассета закреплена на направляющей 9, Направляющая и приемное гнездо имеют согласованный профиль, пре дотвращающий поворот кассеты, Осевые перемещения направляющей с кассетой ограничены фиксаторами, учитывающими толщину исследуемых колец. При повороте ручки-фиксатора 12 вправо или влево упругий элемент 11 прижимается к торцу образца или отходит от него, закрепляя или освобождая кольцо между щечками внутри скобы, В основании кассеты размещен выталкиватель 13 с...

Номер патента: 873071

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Казаков, Макаров, Морозов, Панов

МПК: G01N 23/20

Метки: камера, микроанализатора, образцов, рентгеновского

...микроаналиэатора, содержащей вакуумный корпус, столик с держателем образцов, установленный в нем с возможностью поступательного перемещения по трем координатам, и приводы, пере.873071 3дающие столику движение из вневакуумного объема, столик смонтирован на торце полого вала, введенного одним концом внутрь ваку. )щого корпуса с возможностью осевого пере. мещения и вращения вокруг своей,оси, совпа 5 дающей с осью электронно. оптической систе. мы микроаналиэатора, при этом механизмы привода столика смонтированы в полости вала.,На чертеже изображена камера образцов рентгеновского микроанализатора.Камера образцов имеет высоковакуумный корпус 1, столик 2 с держателем 3 образцов, установленный в направляющих каретки 4, которая, в свою...

Номер патента: 881591

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Большаков, Горбачева, Иванов, Кокко, Минина, Мясников

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгеноструктурного

...излучения, дифрагированного объектом, и находятструктурные характеристики образца,пересчитывая данные спектральногосостава излучения с помощью уравнения Вульфа"Брэгга.На чертеже представлена схема осу.ществления способа.Полихроматический пучок рентгеновских лучей 1 от источника 2 направляют на объект 3, установленный под углом 20-50, который выбирают исходяиз конструктивных соображений; израспределения интенсивности в спектре рентгеновской трубки и величинымежплоскостных расстояний изучаемогообъекта, который остается неподвижнымв процессе съемки. Пучок дифрагированных лучей 4 направляют на кристалл -анализатор 5, Изменяя угол падения луча 4 на кристалл-анализатор 5 посредством вращения последнего вокруг оси 6 и регистрируя...

Номер патента: 881592

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Имамов, Ковальчук, Миренский, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр

...в непосредственной близости к поверхности кристалла, регистрирует флуоресцентные кванты, попадающие в телесный угол, определяемый апертурой детектора. При этомсчетчик, находящийся в положении,перпендикулярном поверхности образца (т.е, продольная ось счетчикасовпадает с нормалью к поверхностикристалла), регистрирует Флуоресцентные кванты с максимально возможной глубиной выхода. Если детекторнаходится в положении, при которомего продольная ось образует некоторый угол с нормалью к поверхности,то он уже регистрирует кванты, выходящие с глубины 2, , меньшейпоскольку расстояние 1.0 -В достаточно для поглощения квантов. В тоже время кванты, образовавшиеся наменьшей глубине кристалла Ь 1 , могут преодолеть расстояние Ь, В ивыйти...

Номер патента: 890176

Опубликовано: 15.12.1981

Автор: Красильников

МПК: G01N 23/20

Метки: кристалла, ориентировки

...)где ы - угол поворота между отражающими положениями исследуемого и эталонного кристаллов;Ви 6 - углы дифракции исследуемого и эталонного кристал-лов,На чертеже показаны исследуемыйкристалл 1, эталонный кристалл 2, падающий рентгеновский луч 3, рентгеновский луч 4, отраженный исследуемым кристаллом, рентгеновский луч 5, отраженный эталонным кристаллом; ОА - отражающее положение кристаллографическойплоскости исследуемого кристалла, ОВ -отражающее положение кристаллографической плоскости эталонного кристалла,ОС - положение кристаллографическойплоскости исследуемого кристалла приотражении луча кристаллографическойплоскостью эталонного кристалла, Й 1,- нормали кристаллографической плоскости и плоскости среза исследуемогокристалла, Ч), о -...

Номер патента: 890177

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Анциферов, Овчинникова, Тимохова, Шабская

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгеноструктурного, сплавов, фазового

...линией- (110) Ге, Съемку осуществляют на дифрактометре Дров,5 сканированием углового интервала 2 943 - 50 через 5 с. Интенсивность линий определяют площадями по соотУменьшение количества цементита в процессе отжига говорит о протекании графитизации, Количество выделив 77зависит от вида исследуемых фаз, ново всяком случае, находится в пределах0,5-1%.П р и м е р. Предлагаемый методприменяют для определения количествацементита в снеченных сталях, подвергаемых графитизирующим отжигам. Впроцессе графитиэации ронсходит вы- .деление свободного углерода по реакции ГЕС ГЕСИзменение количества цементита впроцессе отжига может служить меройинтенсивности графитизации. Определитьколичество цементята но известномуспособу ие представляется...

Номер патента: 890178

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Кононенко, Новоставский, Рожкова, Тимин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометра, ловушка, первичного, пучка

...параллельна падающемупучку. На основании 5 установлен двухпозиционный фиксатор (на чертеже непоказан) положений кронштейна 3 дляавтоматического выведения одного изстаканов (например 1) на первичныйпучок во всех случаях, когда окно детектора 8 не перекрывает этот пучок.Для воздействия на кронштейн 3 детектор 8 оснащен толкателем 9. Для регулирования положения ловушки при изменении направления первичного лучка (например при использовании монохроматора) основание 5 ловушки установленона базе 6 с возможностью регулируемого перемещения по дуге относительно главной оси гониометра.Ловушка работает следующим образом.До начала эксперимента основание 5устанавливают в соответствии с условиями съемки в положение, при которомось кронштейна...

Номер патента: 890179

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Новиков, Освенский, Утенкова, Фомин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометрический, монокристалла, ориентировки

...рентгеновских лучей от источника 1 проходйт через систему коллимируюших щелей 2 и падает на поверхностьизучаемого монокристалла 3, подвергнутого предварительному ориентированию,при котором нормаль отражающей плоскости и нормаль поверхности и повыведенй в плоскость перпендикулярнуюгониометрической оси 4, Поворачиваякристалл вокруг оси 4 выводят нормальП 1,в отражающее положение фиксируя максимум интенсивности дифрагированного луча 5 детектором 6, Приэтом регистрируется отсчет углоизмеритедьного устройства поворота 9, Вданном положении вводят кодлимиатор 7с двумя круглыми диафрагмами, размеркоторых должен быть равен сечению дифрагированного луча 5, и, плавно перемещая его, устанавливают в позиции,обеспечивающей прохождение...

Номер патента: 890180

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Новиков, Освенский, Утенкова, Фомин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристалла, ориентировки, рентгенодифрактометрического

...монокристалла, подвергнутого предварительной юстировке, направляют монохроматический пучок рентгеновских лучей и, поворачивая кристаллы вокруг оси гониометра, выводят в отражающее положение заданную кристаллографическую плоскость, фиксируя при этом значение угла ф, отвечающего этому положению, Затем объект поворачивают на180 вокруг оси, перпендикулярной плооокости среза и гониометрической оси, и,повторяя ранее совершенные операции,вновь выводят монокристаллы в отражение и фиксируют угловое положение кри-сталла , Ориентацию заданной кристаллографической плоскости относительноплоскости шлифа (т. е. угла отклоненияот нормали к плоскости среза) находяткак полуразность зафиксированных углов7 йООКак следует из таблицы,...

Номер патента: 898301

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Кононенко, Новоставский, Скляров, Тимин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометра, приставка, рентгеновского

...подвижной в направлении, перпендикулярном оси вращения.На чертеже схематически показанодин из вариантов исполнения приставки,Приставка содержит корпус 1, в котором для установки на оси гониометра выполнено посадочное отверстие 2. На43 стойки 3 корпуса 1 опирается откидная планка 4, нижняя пов ерхно с ть к о торой лежит в базовой плоскости установки образца, проходящей через оптический центр гониометрического устройства дифрактометра. Удержание планки 4 в положении, показанном на чертеже, производится защелкой 5. Каретка 6 размещена в пазах стоек 3 с возможностью перемещения под воздействием микрометрического винта 7 параллель- фф но базовой плоскости установки образца. На каретке 6 размещен электродвигатель 8, связанный через...

Номер патента: 911264

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Александров, Киселева, Кузнецов, Турянский

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометрии, рентгеновской

...предлагаемого способа (б).Энергодисперсионный дифрактометр(фиг. 1) содержит генератор 1 рентгеновского излучения, ограничивающиещели 2 - 4, гониометрическое устройство 5, на оси которого помещен исследуемый кристаллический образецб, полупроводниковый детектор 7,высоковольтный источник 8 питания,линейный усилитель 9, многоканальный анализатор 10, устройство 11вывода информации, электромеханический преобразователь 12 углового смещения образца и приемной щели вэлектрический сигнал, управляющийкоэффициентом усиления усилителя икриостат 13,Способ осуществляется следующимобразом.Устанавливают детектор 7 под углом 29 О, равным удвоенному углу междунаправлением падающего луча и поверхностью образца б. При выключенной рентгеновской трубке...

Номер патента: 918827

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Генкин, Красильников, Макарычев, Тюрина

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр

...лучевого блока. Остальные детекторы 4 спектрометра служат для юстировки монохроматоров 3.Измерение приращений брэгговских углов отражения рентгеновских лучей от исследуемого кристалла 5 произво дят следующим образом.Поворотами лучевых блоков устанав" ливают между двумя падающими рентгеновскими лучами угол, равный 180 -28,о где 9 - брэгговский угол отражения, 20 Подключают ближайшие к исследуемому кристаллу 5 детекторы 4 левого и правого лучевых блоков к устройствам регистрации интенсивности отраженных рентгеновских лучей. Включают механизм поворота исследуемого кристалла 5, а при записи брэгговских максимумов отражения на диаграммную ленту - механизм ее протяжки, работающий синхронно с механизмом поворота исследуемого кристалла 5....

Номер патента: 920481

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Истомина, Нижник

МПК: G01N 23/20

Метки: качества

...при одноосном растяжении развивается преимущественно 20 ограниченная текстура, а при двухосном - аксиальная текстура сжатия (с осью 1103 для сталей аустенитного класса и 1113 для сталей мартенситного класса, параллельной нор мали к поверхности исследуемого тонкостенного элемента), Усиление аксиальной текстуры при двухосном растяжении проявляется в увеличении объемной доли кристаллитов Яф: Формирующих указанный компонент текстуры, и в уменьшении угла его . рассеяния 3. с ростом величины ин" тенсивности деформации ЕИз изложенного следует, что рентгеновский анализ кристаллографицеской текстуры позволяет определить вид напряженного состояния, а также качественно оценить величину пласт тической деформации, соответствующие процессу...

Номер патента: 928208

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Бухардинов, Домбровский, Миренский, Резников, Хейкер, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: автоматический, дифрактометр, многокружный

...кристалла относительно оси 1 на под.вижном кольце поворотного устройстваотносительно оси Х , являющегося одновременно датчиком 2 углового положения кристалла относительно этойоси,Неподвижное кольцо поворотного устройства датчика 2 углового положения Х укреплено на валу 18, с которым скреплено подвижное кольцо датчика 4 углового положения кристалла относительно оси соУстройство работает следующим об разом.Рентгеновский луч, например, от источника излучения 1 направляют на исследуемый кристалл 15, Дифрагированные лучи принимаются и регистрируются системой регистрации 6. Дляустановки кристалла в положение регистрации определенных рефлексов используется автоматический гониометрдифрактометра, позволяющий вращатькристалл независимо вокруг...

Номер патента: 934329

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Антонов, Малютин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифференциальный, рентгеновский, фильтр

...легкого химического элемента (пунктирная кривая) и Фольги из более тяжелого элемента (сплошная кривая).25Устройство для анализа спектра рентгеновского излучения, показанное. схематически на фиг.1, содержит две Фольги 1 из различных химических элементов, на которые направляют поток 2 анализируемого рентгеновского излучения, два детектора 3, устанонленные за пластинками, выходы которых присоединены к входам измерителя 4 разностного сигналаИзмерение спектра посредством устройства, содержащего предлагаемый дифференциальный фильтр, поясняет график, приведенный на фиг.2. На граФике показана зависимость эфФективности, регистрации рентгеновско 40 го излучения(произведение пропускания фольги на спектральную чувствительность рентгеновского де"...

Номер патента: 935757

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Бабчиницер, Генин, Дунаев, Коршак, Перфилов, Русаков, Седых, Цванкин

МПК: G01N 23/20

Метки: многофазных

...изобретения - повышение надежности контроля иэделий из поли"гексаметиленсебацинамида.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу включающему облучение объекта пучком рентгеновских лучей, регистрацию дифракционной картины и измерение углового положения дифракционных максиму-:мов составляющих фаз, отлитое изделие выдерживают при комнатной температуре, не производя термическойобработки, регистрируют дифракционную картину в интервале углов дифракции 15-25 С и отбирают в качествегодных для термообработки изделия,обнаруживающие один дифракционныймаксимум с центром при 21,3Сущность предлагаемого способаконтроля состоит в следующем.Изделие из полигексаметиленсебацинамида, отлитое под давлением ипрошедшее дефектоскопический контроль,...

Номер патента: 935758

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Безирганян, Папоян

МПК: G01N 23/20

Метки: высоте, изгиба, монокристаллических, однородности, пластин

...лф 0,966, определяют радиусы изгиба у этих точек: В11,8 м, В.и = 8,1 м, которое хорошо совпадают с результатами, полученными известным способом рф (2). Учитывая, что расстояние между исследуемыми точками на поверхности кристалла равно ЬЬ = 2 мм, для параметра К получают значение К = Ьй/ЬЬ=1,85 м/мм. 2Применение предложенного способа позволяет исключить аппаратуру для тонкого переноса и поворота образца и системы щелей вместе с характерными ошибками, связанными с ними. Все зв это существенно упрощает методику определения степени однородности из 58 6гиба по высоте образца и обеспечива" ет высокую степень точности измерений, так как МП весьма чувствитель" ны к слабым деформациям. формула изобретенияСпособ определения однородностиизгиба...

Номер патента: 938113

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Андреева, Хапачев

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, дифракционного, монокристаллов, структуры

...состоящем втом, что направляют на поверхность крис талла рентгеновский луч, измеряют интенсивность луча, дифрагированного через грань кристалла, непараллельную его поверхности, глубину исследуемого слоя изменяют при постоянном угле дифракции путем поворота кристалла вокруг двух взаимно перпендикулярных пересекающихся друг с другом и с подающим лучом 13 4осей, лежащих в плоскости поверхности кристалла, одна из которых лежит в плоскости, проходящей через падавший луч и нормаль к поверхности кристалла.Кроме того, при изменении угла падения излучения в плоскости, параллельной поверхности кристалла, в условиях некомнланарной геометрии эксперимента фиксируются различные порядки отражения. Регистрация дифрапгрованной волны осуществляется...

Номер патента: 949439

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Лобова, Райхельс

МПК: G01N 23/20

Метки: возникающей, монокристалла, обработке, пленки, поликристаллической, толщины

...рентгеновских лучей Йотмонокристаллов МаС с различйойплотностью дислокаций р , где кри-,вые.1,2 и 3 относятся к излучениямМоК и рефлексу (600), СцКи рефлексу (400) и РеК, рефлексу(200) соответственно. П р и м е р. Из различных монокристаллов МаС 1 выращенных методомКиропулоса на воздухе, выкалывают поспайности (100 образцы размером 20 х 20 х 10 мм. С помощью травления на дислокации подбирают образцы с различной плотностью дислокаций Я Изменение величины Р от образца к образцу выбирают в диапазоне от 10 см до 10 см . На этих.монокристаллах измеряют значения интегрального коэффициента отражения рентгеновских лучей Й, Такие зависимости получают для излучений МоК 11, рефлекс (500) 1 СцКЯ 1 рефлекс (400). и РеК,урефлекс (200) .Из...

Номер патента: 949440

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Сарычев, Тихонов, Ульянов

МПК: G01N 23/20

Метки: поверхностных, прижогов

...в исследовании поверхности методомрентгеноструктурного анализа, в состав шлифовапьного материала вводятэлемент, температура плавления кото рого меньше нли равна температуреобразования прижога, и по наличиюэтого элемента в обработанной поверхности определяют место прижога.Способ реализуют при рентгенограФическом исследовании прижогов на стали, обработанной шлифовальным кругом,в состав связки которого введенаалюминиевая пудра. В местах прижогов,контролируемых также металлографическими Методами, обнаруживают следыокиспов алюминия. Дифрактограммыснимают на аппарате Дрон. В местах, свободных от прижогов,. окислыалюьвния не наблюдаются.Фтемпература плавления алюминия658 С, что соответствует температуре образования прижогов на стали(,около...

Номер патента: 951129

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Адамян, Безирганян

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллов, пьезоэлектрических, рентгеновской, топографии

...узким пучком рентгеновскогоизлучения и регистрации в геометрии.25 "на просвет" дифрагированного различными участками кристалла излученив условиях воздействия на кристаллпостоянного электрического поля,исследуемый кристалл предварительно30 облучают по всей исследуемой поверх951129 Составитель К.КононовРедактор Т, Парфенова Техред М,Рейвес Корректор И. Муска Заказ 5934/47 Тираж 887 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-Д 5, Раушская наб., д.4/5Филиал ППП ".Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 ности рентгеновским излучением в условиях воздействия на кристалл постоянного электрического поля.Сущность изобретения заключается в следующем.При облучении кристаллов кварца...