G01N 23/20 — с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения

Номер патента: 1260784

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Соболев, Фомин, Хван

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллического, ориентации, слитка

...заданной кристал" ую лографической плоскости, но параллель-1 О на главной оси вращения гониометра.Пересечения на торцах слитка слео- дов двух плоскостей, перпендикулярныхзаданной кристаллографической плоскости, являются точками выхода нормали15 к заданной кристаллографической плоскости на обоих плоских торцах слитка. поворачиваться вокруг главной оси вращения. независимо от приставки держателя слитка с помощью кольца 1 и хомутика 18. Положение хомутика фиксируется на кольце с помощью сто порного винта 19. Боковая поверхнос 20 неподвижной планки 14, к которой примыкает боковая поверхность подви ной планки 16, проходит через главн ось вращения гониометра. Положение подвижных планок 7 и 14 фиксируется на направляющих 6 и 15 с помощью ст...

Номер патента: 1217079

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Булатов, Долженко

МПК: G01N 23/20

Метки: криостат, кристаллов, магнитном, поле, рентгенографии

...и напряженности магнитного поля.Цель изобретения состоит в повышении точности измерений благодаря стабилизации положения образца в условиях температурно-силового воздействия в процессе исследования и улучшения условий юстировки.На чертеже схематически изображен предложенный криостат, разрез.Внутри вакуумного корпуса 1 с основанием 2 размещены азотный 3 и гелиевый 4 сосуды Дьюара, жестко закрепленные на верхнем Фланце 5. Основание 2 вакуумного корпуса 1, повторяя по Форме углубления в верхней части корпуса б гониометра, своим конусным хвостовиком посажено в отверстие на вал 7 гониометра. Сверх- проводящий соленоид 8 смонтирован внутри корпуса и состоит иэ двух разделенных зазором катушек, которые создают магнитное поле напряженностью...

Номер патента: 1286973

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Ильинский, Мантуло, Петьков, Скляров

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературная, дифрактометру, камера-приставка, рентгеновскому

...чехол в шпинделе 20 таким образом,чтобы спай термопары был расположенпод дном кюветы. Колодные концы проводников термопары 17 подсоединяютк зажимам на корпусе привода 7. Привод 7 держателя 4 кюветы, состоящийиз механизмов вращения 8 и перемещения 9 с помощью накидной гайки 19и эластичного уплотнителя соединяютс крьппкой 2. Включают механизмы 8, 9позиционирования образца (кюветы)и проверяют их работоспособность.Движение от электродвигателя 22передается через двухступенчатый редуктор 21 на вал червячной шестерни 28, который с помощью цилиндрической передачи 29 приводит в движение вокруг собственной оси шпиндель20, на которой жестко укреплен держатель 4 кюветы, Электродвигатель(не показан) механизма 9 перемещениядержателя 4...

Номер патента: 1288563

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Гавриш, Карпов, Петьков, Поленур, Разумов

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгеноструктурного

...различных кристаллаграфических плоскостей,В качестве примера проводят исследование фаэавага превращения в стали тремя способами: методом углов вай дисперсии, энергописперсианным(при условиях фиксированного угла)и предлагаемым. Задача состоит в том,чтобы одновременно контролироватьвесь процесс по полной дифракционнойкартине и точно измерять параметрырешетки одной или нескольких фаз.Для получения температурной зависимости фазового состава и парамет,ра решетки фазы при данной температуре общепринятым методом угловой дис- О:персии необходимо исследовать угловую зависимость интенсивности рассеянного характеристического излученияв широком диапазоне углов для уста 1 новления фаз, существующих в сплаве 5,при данной температуре (время...

Номер патента: 1291856

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Лудвиг, Ортруд

МПК: G01N 23/20

Метки: кривизны, кристаллов, радиуса

...для исследования несложного устройства, предъявляющего незначительные требования к юстировке, а также простота измерений, оценки результатов, Так как для испытания всего кристалла достаточно построение одной кривой качания, скорость измерения высока, При подборе подходящих эталонных кристаллов возможно высокопроизводительное серийное испытание. Аппаратурные требования по Сравнению с известными двухкристальными дифракционными устройствами незначительны, так как испытание осуществляется только с .точностью до угловых минут (а не угловых секунд). Кривая качания неизогнутого и немозаичного (идеального кристалла) имеет ширину10,1-0,5 . Это осуществляется за счет1291856 применения пучка, расходящегося ввертикальной плоскости, что...

Номер патента: 1293593

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Гавриш, Новоставский, Петьков, Поленур

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр, энергодисперсионный

...8 и кабелем соединен с усилителем 14, Усилитель 14 соединен кабелем с многоканальным амплитудным анализатором 15, а многоканальный амплитудный анализатор 15 соединен с ЭВМ 16, графопостроителем 7, цифропечатью 18, перфоратором 19 и накопителем на магнитной ленте 20. Механизм 21 перемещения образца и механизм 22 перемещения трубки находятся в корпусе гониометрического устройства и кабелем соединены с блоком 23 управления гониометрическим устройством.Устройство работает следующим образом.Исследуемый образец помещают в держатель образца 5 и закрывают вакуумную камеру 6. Производят вакуумирование камеры, Устанавливают держатель образца 5 на угол 9, а рентгеновскую трубку 3 с устройствомф Формирования первичного пучка на угол 26....

Номер патента: 1293594

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Глазков, Мишенский, Наумов, Соменков, Станкевич, Шильштейн

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр, нейтронный

...4 устройством, состоящим из 40 ползунка 15 с кулисой 1 б, Коллиматор жестко закреплен на кулисе 16. Ролики (шестерни) 17 обеспечивают центрирование и перемещение детектирующей системы 7 в защите 1 О, 45 94(Фиг. 1) смещается на шаг и кольцевые детекторы дают информацию об отражении под углами последующих конусовЧерез ш шагов первый кольцевой детектор займет положение второго, второй - третьего и т.д, Расстояние 1 Т между кольцевыми детекторами в модуле (Фиг. 2) кратно шагу перемещения модуля, Разность характеристик счетчиков, составляющих кольцевой детектор, не имеет значения, так как снимается суммарный сигнал от счетчиков, а ошибки, вносимые разностью характеристик отдельных кольцевых детекторов и усилителей, исключаются, так как...

Номер патента: 1303913

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Фомин, Шехтман

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристалла, параметров, поверхностного, реального, слоя

...углового положения исследуемого монокристалла с соответствует на даннойсхеме повороту вектора обратной решетки 3 на угол О вокруг нулевого узла обратной решетки. Вращение кристалла-анализатора на уголотвечает повороту вектора дифракции Кдвокруг центра сферы Эвальда на угол 3,Как видно из чертежа, при поворотеисследуемого монокристалла на угол Ки кристалла-анализатора на угол=20конец дифракционного вектора К ивектора обратной решетки и пересекаются на сфере Эвальда, что соответствует динамической дифрации на областях когерентного рассеяния дляданного углового положения исследуемого монокристалла. Таким образом,проводя измерения в режиме совместного вращения исследуемого монокристалла и кристалла-анализатора ссоотношением скоростей...

Номер патента: 1303914

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Петрашень, Разумовский

МПК: G01N 23/20

Метки: гониометрическое, исследований, монокристаллов, рентгенодифракционных

...поворот усто ройства как целого с точностью +0,5 вокруг вертикальной оси 3 осуществля 14 2ется вручную с помощью юстировочного рычага, вставленного в гнездо 12. При дальнейшей юстировке кристалла вращают вручную микрометрический винт 14 и винт 15. При вращении винта 14 основание 16 кристаллодержателя поворачивается вокруг горизонтальной оси, проходящей через неподвижные опоры 17, и кристаллодержатель наклоняется. При вращении микрометрического винта 15 поступательное движение винта через шарик 11 передается на угловой рычаг 10, поворачивая его относительно упругого шарнира 5. Движение упругого шарнира 6, находящегося на угловом рычаге, через промежуточное звено . и упругий шарнир 7 передается пгавижной части 4, заставляя се...

Номер патента: 1312458

Опубликовано: 23.05.1987

Авторы: Макаревич, Румак, Сакун, Сапожников, Скворцов, Тишкевич, Ярошевич

МПК: G01N 23/20

Метки: длинномерных, рентгеновского, текстуры

...трубки, держатель образца и систему регистрации дифрагированного излучения, на корпусе жестко закреплена дуга, выполненная в виде части кольца, установленного вертикально и снабженного направляющими, в которых смонтирована поворотная платформа, несущая жестко закрепленные на ней кожух рентгеновской трубки и вторую дугу с направляющими каретки, несущей детектор, а держатель образца выполнен в виде обоймы параллельно расположенных в горизонтальной плоскости направляющих роликов, снабженных приводомНа чертеже представлена предлагаемая системаУстановка содержит корпус 1, держатель 2 образца, поворотную платформу 3 с направляющими 4, рентгеновскую трубку 5 с. щелевым устройством 6, дугу 7, детектор 8 с щелевым устройством 9 и...

Номер патента: 1312459

Опубликовано: 23.05.1987

Авторы: Асланов, Фетисов

МПК: G01N 23/20

Метки: веществ, исследования, кристаллических, рентгенографического

...держателя образца и может убираться при отсутствии необходимости работы с 2ОКГ; платформу 6, установленную на основании 1, имеющую возможность поворота вокруг оси, перпендикулярной основанию с помощью механизма 1 поворота под контролем средства отсчета угла поворота платформы, источник 8 и детектор 9 рентгеновских лучей с индивидуальными механизмами поворота и средствами отсчета углов 10 и 11 соответственно источника и детектора, удлиненный узел 12 переменной длины, передающий вращение от механизма 3 к закрепленному на нем образцу С, кронштейн 13 крепления механизма поворота держателя образца к основанию.Устройство работает следующим образом. При исследовании монокристаллов образец устанавливается в точку С пересечения геометрических...

Номер патента: 1312460

Опубликовано: 23.05.1987

Авторы: Елютин, Кулиджанов, Матвеев, Эйдлин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, дефектов, дифрактометрического, монокристаллах, распределения

...Брэгга, эффективно отражаются тонким приповерхностным слоем образца с толщиной, равной длине экстинкции, давая начало пику 8 (фиг.2 и 3), Лучи, отраженные от задней по отношению к пучку-зонду поверхности образца, образуют в распределении дифрагированной интенсивности пик 9 (Фиг.2 и 3), амплитуда которого составляет несколько процентов от амплитуды пика 8, В случае идеальных кристаллов между динамическими пиками 8 и 9 рассеяние не происходит, тогда как наличие дефек 1 тов приводит к значительному диффуз=1 ному рассеянию, распределенному между пиками 8 и 9.В предлагаемом способе исследуется совершенство кристаллов непосредственно по диффузному рассеянию на дефектах, которое таким образом отделяется в пространстве от динамиче ских...

Номер патента: 1317341

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Кулиш, Мельникова, Мироненко, Петренко, Порошин, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометру, исследования, монокристаллов, приставка, рентгеновскому

...и механизма 11 радиального перемещения образец 1 юстируют для выведения плоскости среза и плоскостиотражения в соответствии с выбраннойметодикой исследования. Рентгеновскиелучи падают на образецчерез полуснерическую крынку 5 иэ бериллия, чтопозволяет ориентировать образецпод любым углом без изменения степени поглощения рентгеновских лучейкрышкой 5. Откачка воздуха или напус Окание любой газовой среды в замкнутый объем приставки осуществляютсячерез отверстие 7. Вакуум необходимдля уменьшения теплообмена между образцом 1 и окружающей средой, улучшения э 4 ективности и экономичности работы холодильных средств, устраненияобмерзания образца 1 и рассеяния рентгеновских лучей на воздухе вблизи от образца 1. Пропусканием тока в одном или другом...

Номер патента: 1317342

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Дегтярев, Никольский, Разумовский, Чернов

МПК: G01N 23/20

Метки: дифракционных, рентгеновских, топограмм

...Таким образом осуществляются сканирование кристалла в характеристическом рентгеновском излучении. Фокусировка отраженных лучейна пленке 4 происходит за счет вращения пленки со скоростями 2 ы и -ывокруг осей О и О ., Экранирующаящель 5 отслеживает дифрагированныйпучок, поскольку она совершает вращение в плоскости дифракции вокругоси О с удвоенной по отношению ккристаллу скоростью при одновременном вращении ее в противоположномнаправлении в той же плоскости вокруг оси, лежащей в плоскости щелии проходящей через ее середину, сугловой скоростью, равной скоростивращения кристалла. Из анализа рентгенооптических схем (Фиг,1 и 2) следует, что радиус К вращения щели 5 может быть определен по Формуле: отсчет против часовой стрелки, знак "+- по...

Номер патента: 1317343

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Румак, Сакун, Сапожников, Тишкевич, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, рентгенографического, текстуры

...Изобретение относится к рентгеновской аппаратуре и может быть использовано для дифрактометрического исследования текстуры поликристаллических материалов, металлов и сплавов методами построения полюсных фигур или сбора данных для расчета функций распределения ориентировок кристаллитов,Цель изобретения - расширение функциональных возможностей установки эа счет увеличения диапазона скоростей вращения образца.Поставленная цель достигается тем, что изменена конструкция держателя образца, к которой присоединен дополнительный двигатель, позволяющий независимо от работы других частей .установки обеспечивать широкий диапазон скоростей вращения образца. Стабильность результатов при получе,нии прямых полюсных фигур по сравнению с...

Номер патента: 1318871

Опубликовано: 23.06.1987

Автор: Сафонов

МПК: G01N 23/20

Метки: камера, малоугловая, рентгеновская

...измельченного катализатора и его чистого носителя засыпают в отдельные кюветы 5, стенки которых выполнены из ядерных фильтров. Кюветы с образцами устанавливаются в держатели, закрепленные на валу 4, имеющем электронагреватель 6 и холодильник полость для подачи жидкого азота. Воздух из вакуумного корпуса камеры откачивается. С помощью электронагревателя б, установленного на валу 4, осуществляется сушка образцов в ва кууме. Пористые стенки кювет, выполненные из ядерных фильтров 4, обеспечивают удаление влаги из образцов. Обезвоженные образцы охлаждаются до низкой температуры при подачи жидкого азота в полость 9 вала 4 с держателями. Затем включается испаритель 10.Пары вещества заполняют вакуумную камеру и конденсируются в порах об разцов...

Номер патента: 1318872

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Бодрова, Почта, Тихонович

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, поверхностных, поликристаллов, послойного, рентгеноструктурного, слоев

...интегральной ширины и данных, приведенных в таблице, на блюдается соответствие между В и В в , что указывает на отсутствие60,90градиента свойств поверхности эталонного образца.Предлагаемый способ рентгенострук турного анализа поверхностных слоев поликристаллов позволяет, не прибегая к аналитическим методам, определять глубину анализируемого слоя из получаемых экспериментально величин и проводить анализ поверхностного слоя образца дифференциально па конкретным подповерхностным слоям.Использование предлагаемых технических условий эксперимента зна чительна уменьшает искажение профиля дифракционной линии и ее геометрическое уширение, обусловленное дефокусировкой.572 4 ния количественной информации о структурных нарушениях...

Номер патента: 1318873

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Алейникова, Беликов, Кудашов, Работкина, Шеменева

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллитов, размеров, рентгенографического

...для всех тех плоскостей (Ь 1 1 ), которые могут дать дифракционные пятна, попадающие на выбранную окруж ность. Набор этих плоскостей находят из условия, что значения межплоскостных расстояний д(Ь;Е 1;) для этих плоскостей исследуемого материала не превышают величины %, /2 зп 9, где19 = - агсд (г/А) (здесь А - расстоя 4ние образец - рентгенопленка),В качестве примера определяют линейный Размер кристаллитов по точеч ной множественной лауэграмме, полученной с титановой пластинки толщиной 0,5 мм, при съеме "на просвет" на установке УРС, трубке БСВс медным анодом при ускоряющем напряжении 30 кВ и токе 10 мА. 11 ри 9 равном 10 радиус окружности г=А 82 9 = =40 д 20. =14,56 мм. Угол сходимости 8=0,012 рад. При напряжении на трубке равном...

Номер патента: 1318874

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Богун, Никишин, Петьков, Подорожный

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературная, дифрактометру, камера-приставка, рентгеновскому

...клапаном и нагревательной системой установлена ловушка 22.Нагревательная система с образцами 5 и 12 окружена блоками экранов: цилиндрическими 23, торцовыми-верхними 14 и нижними 24. Блок 23 цилиндрических экранов - двухсекционный. Одна из секций - легкосъемная, что облегчает замену вышедшей из строя термопары 15. В камере имеется смотровое окно 25, При необходимости для предварительной градуировки камеры можно использовать оптический пирометр. Смена нагревательного элемента происходит без нарушения юстировки образца. Корпусы камеры, насоса и силовые токовводы 26 охлаждаются водой. Устройство работает следующим образом.Корпус 1 камеры-приСтавки отсоединяют от основания 21, на держатель образца 6 устанавливают экран 8 иобразец 5, проверяют...

Номер патента: 1323930

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Журтов, Кармоков, Шебзухов

МПК: G01N 23/20

Метки: коэффициента, поверхностной, свободной, температурного, энергии

...рефлексазеркального отражения при двух фиксированных значениях энергии электронного пучка Е и Е при температурах монокристалла Т. и Т 2 и по формуле 25 (1) определяют температурный коэффициент поверхностной энергии. Значение Е выбирают из интервала 50, 100 эВ энергии падающего электронного пучка, так как интенсивность дифракцианнаго рефлекса дает первый .атомный слой из-за малой глубины проникновения . электронов. Значение Е выбирают из интервала 400, 500 эВ, когда основной вклад в интенсивность рефлекса дают глубинные слои монокристаллического образца.По формуле (1) находят температурный коэффициент свободной поверхностной энергии, при этом значение параметра решетки а берут из справочника.В таблице приведены...

Номер патента: 1323931

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Лавров, Попель, Спиридонов

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, расплавов, структуры

...направляют сфокусированный пучок электроновот источника 3 вдоль оси ячейки.2 ил.Формула изобретения Составитель Е,СидохинТехред А.Кравчук Редактор А.Лежнинао Корректор С.Черни Заказ 2957/47 Тираж 7/6ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 413239Изобретение относится к технике изучения структуры металлических, оксидных и солевых расплавов с помощью сфокусированного пучка электронов и может быть использовано для исследования структуры их приповерхностных слоев.Цель изобретения - определение структуры поверхностных слоев расплава. 10На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на...

Номер патента: 1323932

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Водолазская, Родин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, высокотемпературного, количественного, рентгенофазового

...исследуемого образца.200 мг исследуемого порошкообразного образца с элементарным соста Таблица 1. Номер опыта 1 ан / 1 цскс ТемпеКоличестратура,обработки(г.),ОС во кристаллической фазыоксидацинка(щд), мг 300 330 0,80 80,8 86,6 500 0,86 0,88 600 88,5 700 1,00 100,0 32 2вом (Сц, 2 п) в пересчете на СцО и 2 пО, равным 1: 1, помепгают в кювету высокотемпературной камеры-приставки ГПВТ - 1500 к рентгеновскому дифрактометру ДРОН,0, заполненной воздухом, Образец чагревают до температуры появления на рентгенограмме дифракционных максимумов оксида цинка (330 С) и при этой температуре определяют интенсивность 1линии(010) 2 пО в анализируемом образце.Продолжая нагрев, определяют 1 при 500, 600 700 и 800 С.по тому же дифракционному максимуму,...

Номер патента: 1343321

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Горбачева, Румак, Сакун, Тимашков, Тишкевич, Ярошевич

МПК: G01N 23/20

Метки: приставка, рентгендифрактометру

...с двуплечим рычагом11, на котором размещены противовес 2512 и платформа 13 с испытательнымгрузом (разновесом) 14, На подвижномзахвате жестко закреплен индикатор 15часового типа, а на неподвижном захвате 6 закреплена с возможностью регулировки установочная штанга 16. Вверхней части направляющей 5 жесткозакреплен гидроцилиндр 17, включаюший поршень 18, шток 19, входной штуцер 20 и выходной штуцер 21. С помощью излучателя 22 на исследуемый образец 8 направляют пучок рентгеновских лучей, а детектором 23 регистрируют интерференционную картину.Установка работает следующим об 40разом,Противовесом 12 выравнивают двуплечий рычаг 11, а в захватах 6 и 7закрепляют исследуемый образец 8. Затем с помощью юстировочного устройства 2 совмещают...

Номер патента: 1350571

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Бабенко, Бражевский, Ежова, Миневич, Тимашков

МПК: G01N 23/20

Метки: длинномерных, образцов, приставка, рентгеновская

...образца на кронштейне 7, который смонтирован на стакане 4. Приэтом образец помещают на подающийбарабан протяжного механизма 5, Спомощью барабана протя;кного механизма5 проволоку (ленту) подают на водоохлаждаемый ролик 8 в первую канавку,за ем - на нижний охлаждаемый ролик 9и по направляющим 10 - в зону нагреванагревателя 13. Пройдя зону нагрева,образец снова подается на охлаждаемый верхний ролик 8 во вторую егоканавку, а затем - во вторую канавкунижнего ролика 9, При перемещенииобразца от верхнего охлаждаемого ролика 8 до нижнего 9 участки образца15 находятся вне зоны нагрева, таккак диаметр роликов 8 и 9 больше радиуса печи, т.е в данном случае больше радиуса теплового экрана 14. Дляисключения проскальзывания образцана охлаждаемых...

Номер патента: 1357810

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Греков, Данильченко, Утенкова, Харитонов

МПК: G01N 23/20

Метки: камера, монохроматор, рентгеновская

...камера-монохроматорработает следующим образом.10 Первичный рентгеновский пучокг 1 роходит через ко;1 лиматор 2 и попадает на кристалл-монохроматор 8,установленный таким образом, чтобыго отражающая пл 11 скость находилась15 в отражаю 111 ем положении. При этомхарактеристическое излучение отражается и первичный ренггеновский пучок делится на два пучка - прошедший первичный и отраженный монохроматичес 20 кий. Прошедший первичный пучок непосредственнс эа кристаллом-монохроматором 8 перехватьпается ловушкой ипоглощается экране м 1 О, а отраженныймонохроматвческий пучок распростра няется под углом 2 8 к оси коллиматорд 2, где В - брэгговский угол отражающей плоскости кристалла-монохроматорд, выходит в отверстие корпуса 9,.попадает на...

Номер патента: 1368743

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Колмаков, Митричев, Россинская, Степанов

МПК: G01N 23/20

Метки: возникновения, замыкания, короткого, медных, момента, началу, отношению, пожара, проводах

...прилежащей к участку оплавления провода в результате короткого замыкания (КЗ), зависит от того, что произошло в начале- КЗ или пожар. Дпя осуществления способа отбирают два участка провода: один непосредственно у эоны оплавления, другой на расстоянии 25-35 мм.Затем их подвергают рентгенографиро-, ванию, регистрируя две близкорасполо- Я женные линии закиси меди и меди, по которым определяют интегральные интенсивности, а затем их отношение. Если для первой пробы это отношение больше, чем для второй, то вначале имело место КЗ, а затем произошел пожар.2 ил., 1 табл. )вилСОсодержания окисных фаз в поверхностном слое этих участков, сравниваютполученйые;.начения их концентрациймежду собой и по результатам сравнения определяют момент...

Номер патента: 1368744

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Горбачева, Сифорова, Утенкова, Щербединский

МПК: G01N 23/20

Метки: камера, прицельной, рентгенограмм, съемки

...различным в зависимости от 44 2рабочей температуры ванны и физических свойств расплава. Вместо ванны 16 при исследовании закалки твердых веществ монтируются зажим и сбрасыватель образцаРабота предлагаемой камеры может быть проиллюстрирована на примере исследования закалки капель галлия,Ванну 16 в этом случае заполняют галлием или его расплавами и поднимают температуру нагревателя 15 выше точки плавления металла, поддерживая ее на заданном уровне с помощью средств регулирования (типа ВРТ-З). Одновременно устанавливают в холодильнике рабочую температуру, либо заполняя его объем средой с подходящей температурой (например, жидким азотом), либо включив и отрегулировав работу батареи термоэлементов 12.После этого посредством сбрасывателя...

Номер патента: 1368745

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Бабенко, Киричевская, Миневич, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: длинномерного, изделия, контролируемого, методом, рентгенодифракционным, установочное

...относится к рентгеноструктурному контролю изделий,Цель изобретения - повышение производительности контроля длинномерных изделий с поверхностями постоянной или переменной кривизны.На Фиг.1 показано установочноеустройство, общий вид; на фиг.2конструкция упора; на фиг.3 - одиниз типов контролируемых длинномерныхизделий, общий вид.Установочное усройство содержитоснование 1 с юстировочными винтами2 на его нижней части. платформу 3плавающего типа, на которой закреплено контролируемое изделие 4, поджимаемое к жестко связанному с основанием 1 упору 5 посредством упругого прижима, состоящего из корпуса 6,толкателя 7 и пружины 8. На противоположном стороне закрепления изделия4 конце платформы 3 имеется направляющий палец 9, заходящий в...

Номер патента: 1368746

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Бабенко, Ежова, Киричевская, Миневич

МПК: G01N 23/20

Метки: качества, отливок, чугуна

...состава чугуна на термоЭДС. Для удобства контроля и обеспечения его автоматизации целесообразно в качестве эталона выбирать участок на контролируемой отливке, на котором по технологическим условиям производства отбел всегда отсутствует. Разность термоЭДС, т,е, разность термоЭДС между контролируемой поверхностью и выбранной в качестве эталона, зависит только от структуры отливки - концентрации карбидов в точке контроля. Способ был использован для контроля локального отбела на отливках втулок сальника полуоси к автомобилю,изготовленных из серого чугуна марки СЧ. Из чугуна марки СЧизготавливали клиновидную отливку с переменным содержанием карбидов. На одной из граней клина, начиная с острия,с интервалом 2 мм производили...

Номер патента: 1374106

Опубликовано: 15.02.1988

Авторы: Макаров, Подсвиров

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллических, полярности, структур

...углов дифракции первич ного пучка электронов на плоскостях, перпендикулярных полярной оси. При этом эффект асимметрии наблюдается как для возбужденных в кристалле вторичных электронов, так и для упруго и неупруго отраженных электронов зондирующего пучка. Энергия первичных электронов не является критичной и может составлять единицы-десятки килоэлектронвольт. Варьирование энергии 35 в указанных пределах позволяет изменять глубину зондирования объекта в диапазоне единицы-десятки нанометров.Устройство для определения поляр О ности криСталлов включает вакуумную камеру 1, электронную пушку 2, исследуемый объект 3, коллектор 4 вторичных электронов 5, магнитную отклоняющую систему 6 с блоком 7 питания, 45 блок 8 измерения токов и...