G01N 23/20 — с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения

Номер патента: 1716406

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Ефанов, Кемпфе, Кертель, Роч, Семенов

МПК: G01N 23/20

Метки: гониометр, крупногабаритных, напряжений, объектах, портативный, рентгеновский

...гониометра, устройство для контроля юстировки гониометра выполнено в виде двух источников световых пучков равной длины волны, фиксированных относительно дуги гониометра так, что их оптические оси пересекаются в центре окружности дуги гониометра,На фиг. 1 изображена схема портативного рентгеновского гониометра для определения напряжений в крупногабаритных конструкциях; на фиг. 2 (а, б, в, г) - световые пятна, образуемые на поверхности исследуемого объекта при различных разъюстировках гониометра. Портативный рентгеновский гониометрдля определения напряжений в крупногабаритных объектах содержит дуговую направляющую 1 с расположенными на ней средствами перемещения и фиксации источника и детектора рентгеновского излучения (не показаны),...

Номер патента: 1716407

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Алешко-Ожевский, Погосян

МПК: G01N 23/20

Метки: амплитуд, деформаций, кристаллах, локальных, пьезорезонаторов, сдвиговых, упругих

...составляет с иэображениями большинства дислокаций максимальный угол, повышает чувствитель ность способа, так как при этом величинаизменения изображения дислокаций максимальна. Исследования показали, что при использовании первой гармоники колебаний, когда на толщине кристалла укладывается 45 одна полуволна ультразвуковых колебаний,эффект "расщепления" изображения дислокаций максимален и ярко выражен, При третьей и пятой гармониках колебаний также имеет место эффект "расщепления", но 50 его величина при этом в несколько раз меньше. Для увеличения чувствительности способа также необходимо, чтобы изображение дислокации составляло с вектором дифракции возможно больший угол, так как "рас щепление" максимально при угле 90 иотсутствует...

Номер патента: 1716408

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Алешко-Ожевский, Лидер, Погосян, Пышняк

МПК: G01N 23/20

Метки: акустических, взаимодействия, волн, дефектами, исследования, кристалла, поверхностных

...и фотопластинки, а также во много раз уменьшает время получения топограмм по сравнению с методом сканирования, Возбуждение дополнительной системы встречных первоначальным поверхностных акустических волн необходимо для возникновения стоячих волн, распределение которых отражает фронт и изменения фронта для бегущих волн, Одинаковое значение частоты для встречных волн обеспечивает сохранение постоянства периода и в значительной степени постоянства амплитуды возникающих стоячих волн.На фиг. 1 представлена схема, поясняющая суть способа; на фиг. 2 и 3 - примеры рентгеновских топограмм со стоячими поверхностными акустическими волнами на кристаллах ниобата, лития и кварца соответственно,10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Способ осуществляется...

Номер патента: 1718067

Опубликовано: 07.03.1992

Автор: Никифоров

МПК: G01N 23/20

Метки: излучения, монохроматор, рентгеновского

...оси для установки в отражающее положение под углом Брзгга к пучку рентгеновских лучей, а также поворачивать кристалл вокруг горизонтальной оси для настройки прибора. Кроме того, должно быть три устройства; позволяющие устанавливать кристаллы так, чтобы отражающие плоскости кристаллов были параллельны осям вращения кристаллодержателей. В результате получается прибор со многими степенями свободы, что делает его настройку крайне трудоемкой, а прибор неустойчивым к случайным механическим воздействиям. Поэтому такие приборы не применяются на производстве (на заводах и мастерских), а используются только в исследовательских лабораториях.Наиболее близким по технической сути к предлагаемому является монохроматор, в. котором...

Номер патента: 1718068

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Гришин, Гуревич, Куров

МПК: G01N 23/20

Метки: ресурса

...а.пределяемое произвольно, при данном Тк на графике; число циклов нагружения (Т) - вероятность разрушения Р (О Б Р100 ф ) получается одна точку, как правило к ф, например: Тк 1 х 10; 1 х 10 З; 1 х 104; 1 х 10; 1 х 106; и т.да - йр; Ир - число циклов до разруше- . ния эталонного образца;Иэ изложенного следует, что способ. определения ресурса материалов повышает надежность нераэрушающего контроля, так как все параметры контроля определяются по реальному состоянию на момент измерений, а включение оценки по вероятности разрушения отражает стохастическое поведение материалов при циклическом нагружен ии.На фиг 1 и 2 изображены экспериментальные и эмпирические зависимости, соответствующие формулам (1) и (2).На фиг,1 приведены...

Номер патента: 1718070

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Глазов, Путивцева

МПК: G01N 23/20

Метки: координат, кристаллических, кристаллографических, поверхностей, тел

...прохождения рентгеновского луча, в. которую вставляется рентгеновская. пленка, На той же подставке устанавливается металлическая пластина 10 с расположенным на оси прибора магнитным кристаллоносцем 5 и укрепленным.на нем кристаллом 6, Расстояние от кассеты до кристалла 35 мм (стрелкой показано направление хода рентгеновских лучей).Сущность предлагаемого способа заключается в следующем.Кристаллическое тело 6 укрепляют с помощью пластилина на торце магнитного кристаллоносца 5, который переносят на конец кристаллодержателя 4, В кассету 3 вставляют светочувствительную пленку. С помощью кристаллодержателя кристаллическое тело вводят в фокус зеркала 2, включением источника 1 света экспонируют фотоснимок, На кристаллоносце отмечают...

Номер патента: 1723506

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Иванов, Савенко, Сидоров, Смирнов

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометру, исследования, монокристаллов, приставка

...реэьбового соединения 10, а внутренней полостью 11 подключена через державку 12 монокристалла 13 и капилляр 14, установленный внутри нажима 15 к заправочному каналу 16, и загерметизирована с помощью прокладок 17, установленных между корпусом 8 и державкой 12, и уплотненных с помощью нажима 15, имеющего резьбовое соединение 18 с корпусом 8, При этом рабочая часть 19 камеры 7 высокого давления выполнена в виде полусферы, расположенной концентрично полусфере вакуумной камеры 4. На корпусе заправочного вентиля 9 расположено средство для создания температурного 5 10 15 20 25 30 35 40 50 режима исследования - змеевик 20 (с намотанным на нем нагревателем), по которомупропускают поток холодного газа, азота илигелия, Приставка основанием 5...

Номер патента: 1728744

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Котляр, Ром, Свердлова, Ткаченко

МПК: G01N 23/20

Метки: структуры

...под заданным углом ф, угол й направле 20 25 30 35 40 45 50 55 ния первичного луча с поверхностью образца находят из соотношенияа = ч - агсщ ( эп у то 3 ),где дР - текущий угол дискретного поворота,и строят зависимость интенсивности дифрагированного излучения от угла р, из которой находят определяемую структурную характеристику материала.Отличительные признаки предлагаемго решения, характеризующие дискретность вращения образца в плоскости главной оси гониометра, проведение измерения в пау-, зах междудискретными поворотами при неподвижном образце, а также размещение образца, при котором его исследуемая поверхность установлена относительно к оси дискретного поворота образца под заданным углом Р, а угол направления первичного угла с...

Номер патента: 1728745

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Гинзбург, Кузнецова, Туйчиев

МПК: G01N 23/20

Метки: механических, полимерного, рентгенодиагностики, свойств

...(гомополимера) получают бь(0)" 65, Ъ (е) = 54, следовательное = 20;(. Проводят серии таких измеренийдля различных е 0 и определяютсоответствующие значения ес . Данные сведены втаблицу.Строят график зависимости микродеформации е от макродеформации я 0 5(фиг. 2, кривая 4) для отожженного образцакапрона, для него выполняется соотношение яе, т.е. аморфные участки деформируются неодинаково, Этот случайхарактеризует неоднородность деформа-10ции.П ри мер 3, Дляобразца изсмеси 15ПА - 6 + 85% ПЭ аналогично примеру 1снимают малоугловые рентгенограммы длянедеформированного и для упруго деформированного образцов, Строят графики зависимости интенсивности рассеянногоизлучения от угла рассеяния для недефор-мированного и упруго...

Номер патента: 1733987

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Лившиц

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометрической, поликристаллических, рентгеновской, съемки

...тонких поверхностных слоев из-за того, что способ не позволяет ограничивать обусловленную поглощением глубину объема, дающего вклад в измеряемую интенсивность дифрагировавшего излучения.Цель изобретения - повышение эффективности рентгеносъемки тонких поверхносгных слоев,Поставленная цель достигается тем, что в известном способе рентгеновской дифрактометрической съемки поликристалли ских материалов, включающем облучение оизразца пучком рентгеновских лучей, испускаемых фокусом рентгеновской трубки, вращение его вокруг оси, перпендикулярной к плоскости круга фокусировки и отстоящей от фокуса трубки на расстоянии Я, регистрацию дифрагированного образцом ;злучения посредством детектора, перед входным окном которого установлена...

Номер патента: 1733988

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Лисойван, Маврин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристалла, ориентации

...нормали к грани, не изменившей своей кристаллографической ориентации в результате второго поворота,и нормали к плоскости, перпендикулярной оси первого поворота. Эту проверку осуществляют перед измерениями углов первого и второго поворотов,На фиг. 1 изображено взаимное положение кристаллофизических осей ХУ 2, выбранных плоскостей (2110), (0110), (0001) и нормалей М 1, Й 2, Мз к этим плоскостям; на фиг. 2 - положение их относительно нормалей Йа, МБ, М 6 к граням двухповоротногокварцевого пьезоэлемента.П р и м е р, Проверка углов поворотов на сверхтонком пьезоэлементе среза ух 3/35 10 ф/3050 ф. Эксперимент проведен на рентгеновском дифрактометре с гониометром ГУРс гониометрической приставкой, позволяющей вращать образец вокруг...

Номер патента: 1744611

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Афанасьев, Гулидов, Левченко, Хашимов, Щелоков

МПК: G01N 23/20

Метки: атомных, изгиба, монокристаллических, пластин, плоскостей, радиуса

...сто абразивной резки. лодержател ь кристалличе)4 диаметмм, Рабочая ана до 14-го рона - после пускаемых промышленностью одно- и двукристальных дифрактометрах.П р и м е р 1, На кристаллодержатель устанавливают образец монокристаллического кремния марки КДБ 10 (111) 4 О, Д 76 мм, толщиной 3 мм, отполированный до 14-го класса чистоты.Образец устанавливают таким образом, чтобы его поверхность была параллельна оси гониометра и рентгеновский луч скользил по рабочей поверхности образца. Перед исследуемым образцом на одно основание на расстоянии 1 мм от него устанавливают эталон - монокристаллическую пластину толщиной 2 мм, отполированную до 14-го класса чистоты, Эталон жестко закрепляют перед образцом таким образом, чтобы его атомные...

Номер патента: 1746268

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Беляевская, Ингал, Косарев, Ошеров

МПК: G01N 23/20

Метки: исследований, монокристаллов, рентгенотопографических

...зеркало); на фиг.3 - ход рентгеновских лучей в щелевом холлиматоре ПВО (параболическое зеркало).Устройство для рентгенотопографических исследований монокристаллов содержит источник (рентгеновскую трубку) 1 рентгеновского излучения, зеркала ПВО 2 с дополнительными поглощающими пластинами 3, исследуемый монокристалл 4 с держателем, передающую телевизионную трубку- рентгеновидикон 5, телевизионный канал 6 и видеоконтрольное устройство (ВКУ) 7. Зеркала ПВО 2 с пластинами 3 собраны в единый блок кодлиматора, кото. рый может юстироваться относительно оптической оси. Источник 1, держателЬ кристалла с кристаллом 4 установлены неподвижно относительно плиты (не показана), на которой собрана вся установка . (модифицированная установка...

Номер патента: 1746269

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Демиденко, Корхов, Молчанов, Сандалов

МПК: G01N 23/20

Метки: композитных, компонентов, материалах, содержания

...содержание компонентов определяется новым выражением,Облучение контролируемой поверхности объекта осуществляют под углом О,потом измеряют интегральную интенсивность рассеянного излучения в диапазонеуглов 2 О от 8 до 60, причем образцысравнения изготавливают из исходныхсоставляющих компоэитного материала тойже партии, то и материал контролируемогообьекта.Содержание материала матрицы вычисляют из выражения 1 - 1 св 8гавр - свгде 1, )св и гавр - интенсивности дифрагированных рентгеновских излучений соответственно на образцах исследуемого компоэитного материала, заполимериэованного связующего и материала матрицы,Новый способ расчета содержания ком 5 понентов основывается на предположениио линейной зависимости интегральной интенсивности...

Номер патента: 1748030

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Абоян, Безирганян, Хзарджян

МПК: G01N 23/20

Метки: проекционных, рентгеновских, топограмм

...рассеяния (в рассеиваемом объеме не происходит многократныхотражений); на фиг. 3 и 4 - топографы, полученные способом-прототипом и предлагаемым способ соответственно.Определив ширины первичного и дифрагированного пучков и их направленияхнаправления сканирования), можно с помощью часового механизма регулироватьшаговые движения образца и пластинки,Казалось бы, при сканировании образца(кристалла) с шагом, равным ширине первичного пучка, области кристалла,подобные ВВ 1 В (фиг, 1), проектируютсядважды и независимо от скорости перемещения пластинки картины таких областейна ней получаются дважды.Однако нетрудно убедиться в том, чтодифракционно проектируемыми зонамикристалла являются только области, облучаемые первичными пучками, т,е....

Номер патента: 1749796

Опубликовано: 23.07.1992

Автор: Петрашень

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр, рентгеновский

...дифрактопрбстрайогве. Дифрагированное на акали- метр, базирующийся на второй из рассмотзаторе излучение направляется на детек ренныхосновьгыхсхемсповорачивающимся тор, способный двигаться по дуге источником), в котором с целью упрощения окружности вокруг оси анализатора. Такой кинематической схемы и уменьшения габаприбор можно строить на основе одной из ритов оси гониометра образца, двух детекдвух схем двухкристального дифрактомет- торов и аналйзатора пространственно ра, добавляя к ним еще один гониометр 55 совмещены, Призтомобразецианализатор анализатора с детектором, способный вра- не могут одновременно находиться на оси щаться как динов целое вокруг оси образца. вращения. хотя бы один из них должен быть Это добавляет еще три...

Номер патента: 1749797

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Гашков, Горбачева, Егошин, Малеева, Сидохин, Сорокин, Тимофеева, Утенкова, Шмуилов

МПК: G01N 23/20

Метки: альфа-оксида, алюминия, глиноземе, содержания

...образом, в интегральной интенсив ности указанного участка спектра содержится информация о количественном составе всех фаз оксида алюминия, содержащихся в глиноземе. В то же время близость взаимного расположения линий 15 исКлючает возможность выделения интегральных интенсивностей каждой в отдельности. Такая возможность существует только для участка линии альфа-фазы с межплоскостным расстоянием 1,37 нм от максимума до фона в сторону больших 20 брэгговских углов.Принимая отношение интегральной интенсивности этого участка линии 1,37 нм к полной интегральной интенсивности всего указанногоучастка спектра за показатель 25 относительного содержания в глиноземеальфа-фазы, можно построить градуировочйую зависимость этого отношения от...

Номер патента: 1753380

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Берсудский, Карпов, Петьков, Поленур

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгеноструктурного

...второй (цифра- Устройство для рентгенострук нвой) вх м) од умножающего цифроаналогового, анализа содержит источник 1 рентгеновскотру турногопреобразователя соединен с выходом пре го коллимированного полихроматическогообразователя кода, вход которогоподклю- излучения, автоматизированный гониометрчен;: второму выходу гониометра; а выход 2 с держателем образца, детектор 3 с высо- .умножающего цифроаналогового преобра- ким энергетическим разрешением, линейзователя - к входу первого аналогр-Цифро- ный усилитель 4, первый аналого-цифровойвого преобразователя, выход второго 25 преобразователь 5,многоканальныйамплианалого-цифрового преобразователя под- тудный анализатор 6. Кроме того, устройстключен к третьему входу многоканального во содержит...

Номер патента: 1767403

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Ефанов, Кертель, Кэмпфе, Михель, Семенов, Трэнкнер

МПК: G01N 23/20

Метки: крупногабаритных, напряженного, переносное, рентгенодифрактометрического, состояния

...для рентгенодифрактометрического определения напряженного состояния крупногабаритных изделий работает следующим образом.Устройство устанавливают на исследуемое изделие 1 его кольцевым основанием 2 в условиях силового замыкания, которое обеспечивается, например, с помощью магнитов (не показаны). При установке устройства могут быть использованы согласующие элементы (не показаны), например закрепленное внутри кольцевого основания 2 переходное кольцо, используемое для выравнивания закругленных поверхностей объектов, или дополнительные регулируемые опоры на нижней стороне кольцевого основания 2 в случае выпуклых поверхностей объектов.В исходном положении дуговой кронштейн 12 установлен в положении, соответствующем углу наклона Ч= О....

Номер патента: 1768041

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Агеев, Гоганов, Малюков, Наумов, Рейзис, Щелоков

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, ориентации, слитков

...поворота цилиндров) при случайном прикосновении к щели коллимационной системы поворота цилиндра не произойдет, поскольку от шероховатой поверхности человеческой кожи нет интенсивного зеркального отражения светового пучка.В известном техническом решении используется пружинный затвор для перекрывания пучка рентгеновских лучей от радиоактивного источника, что позволяет обезопасить при контроле ориентации слитков персонал от облучения. Однако для надежной работы этого устройства с возможно слабой пружиной для утапливания цилиндрического затвора необходимо приложить усилие, превышающее 7 г. Следовательно, при контроле ориентации монокристаллических (например, кремниевых) пластин диаметром - 76 мм и толщиной1 мм, по крайней мере, один...

Номер патента: 1770864

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Долгополов

МПК: G01N 23/20

Метки: объекта, оптического, пучком, рентгеновским, совмещения

...попадал и на объект, и на экран, Недостатком этого способа является то, что экран частично закрывает объект, что сильно затрудняет его наблюдение и совмещение с пучком, Кроме того, при указанном способе возможно попадание рассеянного рентгеновского излучения на части тела оператора, поэтому необходимо использование громоздких защитных устройств,Целью изобретения является повышение точности совмещения объекта с рентгеновским пучком при съемке на дифрактометре.Поставленная цель достигается тем, что экран с отверстием размещается в держателе образца, отверстие выводят на ось рентгеновского пучка по сигналу (максимальному) с детектора, установленному по оси пучка за экраном, заменяют рентгеновский пучок пучком света, юстируют ось...

Номер патента: 1770865

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Бреус, Дроздова, Моисеев, Павленко, Сергеева, Ульянова

МПК: G01N 23/20

Метки: дефекта, образованию, покрытия, рыбья, склонности, стали, чешуя, эмалевого

...график зависимости.На фиг,1 приняты следующие обозначения; стакан 1, опоры 2, образец 3, анод 4(нержавеющая сталь), источник 5 тока, амперметр 6, включатель 7, реостат 8, электролит 9,Изобретение поясняется примеромконкретного выполнения для стали 08 К,П.Предварительно определяют градуировочную зависимость на образцах стали 08КП, Для этого отбирался комплект образцовстали 08 КП, полученный при различных режимах прокатки и термообработки, Определяют время полного наводороживанияобразцов с помощью известного способа 15 20 30 35 40 45 50 55(ТУ 14-14180-86). Полученные значения приведены в табл,1,Затем иэ тех же материалов изготавливают образцы размером 60 х 40 х 1 мм и определяют полуширину интерференционной линии дальнего порядка...

Номер патента: 1770866

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Горбачева, Едигарова, Жигалова, Сидохин, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: гониометра, держатель, образца, рентгеновского

...образной скобе на головке, и снабжена на торцах ее полок в середине соосными вырезами в виде призмы, при этом на одной из полок вставки выполнены сбоку щечки, охватывакйцие соответствующую полку скобы нз головке, а вставка подпружинена посредством прижима к скобе на головке,Нз фиг,1 схематически показан вид держателя; на фиг.2 - разрез А - А нз фиг.1 (расположение образца держателя сбоку); на фиг.3- разрез Б-Б на фиг.2 (вид на образец сверху).Держатель образца рентгеновского гониометра содержит основание 1, установленную на нем головку 2, выполненную в виде платформы с жестко закрепленной на ней -образной скобой 3. На торцах полок 4 -образной скобы 3 нз головке выполнена базовая плоскость 5. Держатель образца снабжен подпружиненным...

Номер патента: 1770867

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Сидоренко, Тарасиков

МПК: G01N 23/20

Метки: глинистых, минералах, наличия, органических, разбухающих, соединений

...+ 14.2)/2. Аналогичные межпласкостные расстояния в структурах этих минералов, насыщенных глицерином, после такой же обработки увеличены для смектита до 13,4 Д, хлорит-смектита до 14.5 А, гидрослюда-смектита до 11.2 А,Причем съемку рентгенограмм необходимо производить сразу после прокаливэния образцов (в теплом состоянии), поскольку разбухающие глинистые минера ступке до тонкодисперсного состояния, готовят.из него водную суспензию; затем ориентированный препарат.Этот препарат прокаливают в муфельной печи при температуре 340 в 3"С в течение 1 ч 50 минч 10 мин,Сразу после этого, не давая остыть, препарат помещают в дифрактометр и и раизво 40 дят сьемку на отражение По значениям первых базальных рефлексов определяют наличие или отсутствие...

Номер патента: 1774238

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Гончаров

МПК: G01N 23/20

Метки: держатель, образцов, отражение, съемки

...струбцины, Недостатком этого держателя является то, что в нем нельзя закреплять для съемки на отражение плоские образцы произвольной формы, например круглые, и неправильной (криволинейной) Формы по их периметру. Кроме того, данный держатель не позволяет вращать образец в собственной плоскости.Цель изобретения - возможность исследования образцов произвольной формы -30 достигается тем, что в держателе аразцав в виде П-образной струбцины противоположные губки имеют по ряду отверстий, расположенных са сдвигом на полшага относительно друг друта, в отверстия устанавлены подпружиненные прижимные стержни с кулачками с одной стороны и резьбой с регулиравачнай гайкой с прот ивапалажнай стороны, между кулачком и гайкой установлены пружины и в...

Номер патента: 1775655

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Антонов, Даровский, Маркашова, Смиян

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллических, образцов, размеров, твердотельных, ультрадисперсных, частиц

...слоях частиц, средний размер конгломерата б определяют в режиме электронного контраста, после чего выбирают диаметр электронного пучка таким образом, чтобы ОО, а ускоряющее напряжение выбирают таким, цтобы оно обеспечивало глубину проникновения электронов в твердотельный образец, превышающую б. После этого переходят на работу в режим ликро-микродифракции, корректируют диаметр электронного пучка до размеров, обеспечивающих получение точечной электронограммы, Далее определяют колицество рефлексов К на выбранном дифракционном кольце и производят расчет среднего размера частиц 0 по фор- муле 15 20 25 30 35 с 10 Л 5 50 55 ный характер, поэтому для электронного0пучка соотношенис д О= - , применяемоеЯв рентгеновском анализе(2),...

Номер патента: 1778650

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Задорожная, Костылев, Семериков, Славов, Хачпанян

МПК: G01N 23/20

Метки: покрытия, стойкости, титановой, химической, эмали

...используют соотноПредлагаемый способ позволяет учитывм ь физическую сущность влияния фазы рутила в поверхностных слоях покрытия, фазового состава грунта и покровной эмали на химическую стойкость белой титановой эмали, не связан с необходимостью воздействия кислоты на эмалированное изделие, дает возможность прогнозирования химической стойкости эмалированных изделий на сснове информации о дифракционных химических параметрах и обеспечивает не- разрушающий контроль качества покрытия в процессе эксплуатации.На чертеже представлена номограмма, позволяющая реализовать предложенный способ и получить эмалированные изделия требуемого качества. Номограмма представляет собой зависимости химической стойкости эмали от величины уширения...

Номер патента: 1778651

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Гелес, Мелех, Петрова

МПК: G01N 23/20

Метки: древесных, надмолекулярной, параметров, структуры, физических, целлюлозь

...Поставленная цель достигается тем, что в способе определения физических пара 40 метров надмолекулярной структуры древесных целлюлоз, включающем изготовление пластин образцов тангенциального среза исследуемого объекта, облучение их пучком рентгеновского излучения и регистрацию картин рассеяния дифрактометрическим методом, по которым определяют параметры надмолекулярной структуры, согласно изобретению образцы изготавливают отдельно для ранней и поздней древесины толщиной, равной ширине годового кольца, съемку каждого образца проводят в геометрии на просвет в двух положениях, отличных друг от друга поворотом на 90 О, располагая в одном случае волокна параллельно оси гониометра, а в другом перпендикулярно ей в плоскости среза.Анализ...

Номер патента: 1784885

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Мазур, Руфанов, Шпортко

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометру, низкотемпературная, приставка, рентгеновскому

...теплоизоляционной пленки 13,прозрачной для рентгеновских лучей, хомута 14 и гайки 15.Приставка работает следующим образом, Нажатием на кнопку механизма отвода7 прижим - подпружиненный хладопровод6 отводится и образец 4 на державке (термопаре, на чертеже не показано) по шлюзу2 вводится в приставку, освобождается механизм отвода 7 и образец 4 прижимом -подпружиненным хладопроводом б прижимается к сегментам держателя образцаупора) 3, изготовленным иэ теплоизоляционного материала, при этом поверхностьобразца 4 совмещается С юстировочнойплоскостью держателя образца 3, После этого в сосуд 5 заливается хлоранит жидкий азот). По достижении заданной температуры производится съемка.По окончании съемки механизмом отвода 7 прижим -...

Номер патента: 1784886

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Еднерал, Костюкович, Скаков, Шелехов

МПК: G01N 23/20

Метки: аморфно, анализа, кристаллических, рентгеновского, фазового

...аморфно-кристаллического-сплава, где 1- ская фаза не имеет текстуры.интенсивность в произвольных единицах, 2 Использование предлагаемого. способа9- угол дифракции в градусах, "- интег- рентгеновского фазового анализа аморфноральнвя интенсивность линии кристалличе- кристаллических материалов по сравйениюГкой фазы, г - пиковая интенсивность 10 с существующими имеет то преимущество,аморфного гало под максимумомлийии,что по. диФракционной картине в области(ЙК ) - ййдексыййтерференции линйи;-углов едйнственной дифракциойной линииПредлагаемый способ рентгеновского (НКС) станоайтсявозможнымопределение.-фазового айалйза аморфно-кристалличе- среднйх объемных долей аморфной и криских материалов может быть реализован 15 сталлической...