G01N 23/20 — с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения

Номер патента: 382960

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Краковецкий

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературной, дифрактометру, нагревательное, приставки, рентгеновскол1у

...основании 8, которое центрируется в камере тремя установочными винтами. Для предотвращения физико-химиче 15 ского взаимодействия, например образованияавтектики, между рамкой 1 и ооразцом 3 может вставляться промежуточное кольцо 9 изинертного материала. Свободная посадка образца в рамке обеспечивает легкую его заме 20 ну, а наличие заплечиков - авгохтатическуюориентацию рабочей поверхности образца ввертикальной плоскости.Рамка 1 и стойка 2 изготовлены пз тугоплавкого металла (например, вольфрама) и25 являются одним из электродов термопары,другой электрод которой выполнен из проволоки 10, жестко закрепленной в верхней части стойки 2 и натягиваемой по оси полостистойки натяжным устройством 11. Стойка за 30 щищает проволоку 10 от...

Номер патента: 411421

Опубликовано: 15.01.1974

МПК: G01N 23/20, G03B 1/60

Метки: 411421

...линиями.Ошибка возникает из-за смещения осевой линии секторов от ее истинного положения,Для повышения точности замера рентгенограмм в предлагаемой кассете выполнены выступы в прорезях крьшки на противоположных концах одного диаметра крьнпки, причем торцовые грани выступов расположены строго по общей биссектрисе пары секторов.5 Применение кассеты предлагаемой конструкции позволяет исключить применение шаблона для определения осевой линии секторов и тем самым ускорить промер рентгенограмм и снизить случайную ошибку, связанную с ис пользованием шаблона.На чертеже показана описываеная кассета, состоящая из корпус2, коллиматора 3, прижимной гайкмающей пленку, и прижимной га5 жимающей крышку, кассета заргеновской пленкой...

Номер патента: 420919

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Казанский, Кринари

МПК: G01N 23/20

Метки: гальванических, покрытий, рентгеновский

...покрытие, текстурированцость покрытия по направлению 222 уменьшается, а по направлению 311 несколько возрастает. Это приводит к значительному изменению величиныотношения интенсивностей дифракционных максимумов 311 и 222,Другой причиной уменьшения отношения311/222 является увеличение толщины покрытия (до 40 мкм и более) или увеличение плотности катодцого тока (до 1,2 а,дм и более).Покрытия с такими параметрами в данном случае также должны быть отбракованы. Установив экспериментально для каждого конкретного объекта пороговую величину отношения 311/222 можно на ее основе разделять 10 все контролируемые покрытия на годные инегодные.Для чисто серебряных гальванических покрытий, полученных из цианистого электролита с реальными для...

Номер патента: 421919

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Всесоюзный, Кашолкин, Смелков, Томашпольский

МПК: G01N 23/20

Метки: оплавленияпроводников, причины

...обладал бы научной объективностью и достоверностью.Цель достигается путем рентгеноструктурных исследований проводников, представляемых с пожара (аварии) в качестве вещественных доказательств. Основным признаком, свидетельствующим о воздействии на проводник тока короткого замыкания, является наличие астеризма на малых углах рентгенограмм, снятых с оплавленных участков провательскии институт противопожарно обороны водника. а также с участка, удаленного от места оплавления на 8 - 10 мм.Причину оплавления определяют по предлагаемому способу следующим образом, 5 Проводник со следами оплавления осторожно очищают от копоти и остатков изоляции, обезжиривают. Затем из него вырезают два образца длиной по 8 мм каждый: первый образец - место...

Номер патента: 421920

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Антоненко, Косменюк, Луц, Ярославский

МПК: G01N 23/20

Метки: листовой, стали, штампуемости

...контроля незначительна, так как в одной партии испытанию подвергают 0,02 - 0,1% от общего веса металла.Цель изобретения - разработка такого способа испытания листовой стали, который позволил бы по одной характеристике при минимальной затрате времени и средств судить о способности стали штамповаться.Цель достигается оценкой пол уш ирины (ширины на половине высоты) рентгеновской дифракционной линии К от кристаллографической плоскости (220) решетки феррита стали. Выбор этого параметра обусловлен тем, что полуширина дифракционной линии зависит от совершенства кристаллической ре щетки и параметров субструктуры (размераблоков и их разориентировки), оказывающих существенное влияние на свойства металлов и сплавов. Кроме того, полуширина...

Номер патента: 433385

Опубликовано: 25.06.1974

Автор: Катеринов

МПК: G01N 23/20, G01V 5/00

Метки: анализа, гaшa, лучей, поглощешю, срвд, трехкомпонентных

...энергия рассеянного излучейия была меньше энергии К:края поглощения элемента, влияние которого страняется,и близка к энергии его луоресцентйого излучения. Относительные интенсивности флуоресцентного,оассеянного и суммарного излученйи можно определить следующими выражениями:(1) йВ еазаЦ ю 5 - Ц-САИ, С. ц ., у ,о (3) излучений для наже коэффициентыношение синусов глов падения и ртбора излучений, ля выражения (3)справедливо соотношение (Ь 1,если СА:О или Сд=1.Анализ выражений (Е)-(3) показывает,что изменение величин 0; и Я, в зависимости от СА будет одийаковым,если отношение массовых коэффициентов поглощения величин К и А для наполнителя и анализируемого элемента будут равны,т.е.(4)Компенсация изменений интенсивностей рассеянного и...

Номер патента: 439741

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Брусиловский, Заблоцкий, Иванов

МПК: G01N 23/20

Метки: содержания, углерода

...перекрывающихся дублетов, что снижает точность определения содержания углерода,С целью повышения точности определениясодержания углерода по степени тетрагональности решетки измеряют смещение дифракционной линии с тремя одинаковыми индексами,В качестве линии с тремя одинаковыми индексами можно использовать линию (222) 2 для 1 са 1 - излучения меди (20 = 137 О 5).Не исключена возможность применения линии (444) для 1 а 1 - излучения молибдена (29 = 11795). Для,поглощения флюоресцентного излучения у регистрирующего счет чика рентгеновского дифрактометра устанавливаются фильтры из алюминиевой фольги определенной толщины.Уравнение Вульфа - Брегга для линии сти этого способа можно пр ренцированием уравнения (11 /с а"- --- з 1 п 29 ЬО, 2 а/...

Номер патента: 441487

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Ковьев, Фокин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифракции, монокристаллов, углов

...кристаллом пучки,производят колебания эталонногокристалла и измеряют угол междуего положенивщ, в которых имеютместо минивумы йнтенсивности диафрагированного исследуемым кристаллом чка,чертеже приведена оптическая схема, иллюстрирующая предлагаемый способ.Исследуемый присМлл 1 устанавливают в отражающее положение.Эталонный кристалл 2, углы дифракции которого известнй с большоиточностью и который слабо поглощает рентгеновские лучи, установлентаким образом, чтобы йервичный 3и дифрагировайный 4 пучки проходили через него. Затем производятколебания эталонного кристалла 2,причем он последовательно попадает, в оттижаюшие положения по отноше -3441487нию к первичному 3 и дифрагирован" в том-,"что опредбляют угловое сменому 4 исследуемым...

Номер патента: 441488

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Блохин, Никифоров

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр, трехкристалльный

...4, второй 5 и третий 6 крйсталлы, помещенные в герметичнуюкамеру, рентгеновскую трубку 7коллиматор 8. Подвижная часть 3 20камеры 1 может поворачиваться (дооткачки камеры) вместе с рентгеновской трубкой.Камера 1 имеет двойное дио,состоящее из внутренней опорной плиты 9 и наружной плиты 10. На опорной плите 9 размещены подшипникиосей 04 первого и 0третьегокристаллов, а также салазки 11 второго кристалла.30Вокруг подшипника оси Омогут поворачиваться плечи 12 и 13детекторов 14 и 15 соответственно.Ось 0 под камерой соединяется спрецизионным гониометром.35Излучение рентгеновской трубки, пройдя коллиматор, отражаетсяпоследовательно либо от первого,Второго и третьего кристаллов (врежиме трехкристального спектрометра), либо только от...

Номер патента: 441489

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Узморский, Хулелидзе

МПК: G01N 23/20

Метки: веществах, гомогенности, области, размеров, распределения, твердых, химических, элементов

...по размерам све тового.ятна на монокристалле флюорита,точное измерение диаметра производили методом клина.Сначала сканировали сфокусиро 4 ованным электронным пучком вдольп 1.сиавольного прямолинейного отрезка на шлифе образца исследуемоговещества, полученная при этом кривая измвйения интенсивности излу очвиия 7. К представлена на фигЛ.Ход этой кривой качественно соответствует изменению концентрациититана вдоль линии сканирования.Диспврсные включения металлическо- оого бора зарегистрированы на этойкривои в виде провалов,Затем, постепенно расфокусируя пучок йутем изменения тока вобъектной лйнзе электронно-опти- ыческой колонны микроанализатора,сканировали им вдоль того жв отрезка. На ь .2, 5 и М представленыкривые изменения интенсивности...

Номер патента: 441490

Опубликовано: 30.08.1974

Автор: Генкин

МПК: G01N 23/20

Метки: внутренних, монокристаллах, напряжений

...плоскости, причем напряжения определяют по изменению разности брэгговских углов отражения этих лучей.Используя отражения двух рент геновских лучей от одной кристаллографической плоскости, исключают недостатки известного способа, связанные с необходимостью воспроизводить и сопоставлять брзгговские отражения рентгеновского луча от 2 О двух кристаллографических плоскостей исследуемого монокристалла.Выбирая величину угла между падающими рентгеновскими лучами, равную разности их брзгговских углов отражения, сокращают на эту величину измеряемый интервал, доводя его до области разности угловых приращений брэгговских максимумов. Этим исключают недостаток известного 30 способа, связанный с необходимостью вычислять искомые приращения как малые...

Номер патента: 442399

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Барзилович, Баталин, Капличный, Климовицкий, Лидер, Мартыненко, Рожанский

МПК: G01N 23/20

Метки: микроскопу, приставка, рентгеновская, электронному

...можно вычислить параметрырешеток монокристаллоз низшихсингоний), акизотропные, т.е. не. -однородные деформации зобразце,прозодить ректгенозскую микроскопию образцоз и другие зиды исследований.Эа счет расположения юстирозочного экрана з плоскости анода , достигается высокая точность фокусировки электронного пучка ка аноде,что узеличизает эффектизностьйсследозаний. 3 электронного пучка зонда анод 2;-формирующий расходящийся пучок реиттенозских лучей,зерхнюю фото- кассету 3 для получения снимкоз з расходящемся пучке на отражение; нижнюю фотокассету Ф для получения сиимкоз иа просзет, з котором закрепляется исследуемый объект б;7;."- размещают микрофотокамеру 8 при замере фотокассет; клапан откачки 9 камеры шлюзоваийя 7; направляющие. 10,...

Номер патента: 443292

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Бабад-Захряпин, Борисов

МПК: G01N 23/20

Метки: анализатор, микрозондовый, рентгеновский

...излучаемой регистрируемым элементом.На чертеже приведена схема предложенного рентгеновского микроанализатора.Перед выполнением анализа в ,вакуумной камере 1 вместо образ.ца 2 устанавливается эталонный образец. В эталанном образце под воздействием электронного пучка возбуждается рентгеновское характеристическое излучение, на определенную длину волны которого настраивается ручкой 3, либо мотоомкристалл-анализатор 5 и деектор б так чтобы интенсиметр 7 и самописец 4 регистрировали максимальную интенсивность, фиксируеМую детектором б. После этого эталонный образец заменяется иссле дуемым образцом. Включается систе ма, состоящая из усилителеИ 9 и 10, блока 11 сравнения сигналоз, индикатора разбаланса 12, системы реле 15, при этом система реле...

Номер патента: 446815

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Лебедев, Мизин

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературная, дифрактометрам, приставка, рентгеновским

...токоподводяшии упою 1 - поджимыыв графитовые кольца, 15 - юазрезная коническая втулка из грацита, 16 - полостьв крышке камеры для транспортиров оки газа от штуцера до каналов обдува, 17 - полость в крышке дляпритока охлаждающей жидкости, 18 -цилиндрические окна из бериллиевой фольги для входа и выхода 15первичного пучка и отраженных лучей,Нижний токоподводящий зажимэлектюически изолирован от заземленнои массы корпуса снизу ас- обестовой плиткои, а с боковых стоон смолой ЭДс отвердителем.агревающее устройство соединейос электропитающей системой меднымиэластичными шнурами, заключенными 25в гибкие водднепронйцаемые шланги,через которые пропускается вода.Такая конструкция гибких токоподзодов позволяет осуществить вращеыие камры...

Номер патента: 446816

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Бабенко, Олейник, Рахманов

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, образцов, рентгеноструктурного

...кото рой в захватах установлен образец 4. Нижнийзахват 5 жестко связан с рамой. Верхний захват б подвижный. Он имеет участок с прямоугольным сечением и установлен в колодке 7, которая жестко прикреплена к раме 3.15 Головка захвата б опирается на упорныйподшипник 8, размещенный внутри втулки 9, установленной в подшипнике скольжения 10 внутри полой цапфы рамы 3. Втулка 9 жестко связана с тягой 11, проходящей через фторо лоновое вакуумное уплотнение 12 верхнейкрышки вакуумной камеры 13. Тяга 11 может перемещаться только поступательно.Датчики для измерения напряжения, деформации и температуры на образце, а также д таковводы для нагрева образца и системаводяного охлаждения на чертеже условно не показаны.Устройство работает следующим образом,...

Номер патента: 448372

Опубликовано: 30.10.1974

Автор: Лисойван

МПК: G01N 23/20

Метки: гониометра, лучей, наклона, оси, пучка, рентгеновских, угла

...повышение экспрессности определения.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу для определения угла наклона рентгеновских лучей используют счетчик и две непрозрачные для рентгеновских лучей шторы, края которых выводят на ось пучка. Первоначально весь пучок направляют в счетчик. Затем первую штору устанавливают перед счетчиком так, чтобы перекрыть пучок на 50% пс интенсивности, а вторую такую же штору помещают на некотором расстоянии перед перещают параллельно еи до положером интенсивность пучка уменьна 1 - 2%. После того, как шторы на оси пучка, их положение можть обычными способами, например накладного уровня.ие пространственного положения тра обычно не вызывает затрудневательно, весьма просто найти и а оси пучка к...

Номер патента: 448373

Опубликовано: 30.10.1974

Авторы: Бабенко, Дементьев, Донде, Злацин, Левитин, Рахманов

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературная, исследований, камера, рентгеноконструкторных

...азотом)е в котором выполнены окошки, соосйые и соразмврныв с окошкамив корпусе камеры, а к верхнему и нижнему торцам сосуда прикреплены кольцевые экраны из материала с хорошей теплопровохностью, например из мехи.Такая конструкция камеры позволяет подучить прехвльный вакуум 1.10 е мм рт,ст. и улучшить температурные условия работы вакуумных уплотнений. Это также исключавт необходимость првХваритвльного прогрева вакуумной камеры.На чертеже схематически физображвна предлагаемая высокотвмпе448373 3ратурная камера, в которои креплвнив образца првдусматривавт совдинвнив с нагружающим устройством.Исслвдувмый образец 1 закрвплвн в верхнем 2 и нижнеМ 3 захватах нагружающвго устройства. Обраэвц и захваты окружвны цилиндричвским сосудом Ф с жидким...

Номер патента: 457018

Опубликовано: 15.01.1975

Авторы: Аверин, Лифорова, Хотеев

МПК: G01N 23/20

Метки: головка, гониометрическая

...и нижнюю платформы, на первой из которых укреплен держатель образца, а вторая прикреплена к устройству угловых перемещений, между платформами при помощи рамы с направляющими установлены подвикные стержни и центральная ось со сферической головкой, проходящая через отверстие в сферическом сегменте, выполненном в центре верхней платформы, и опирающаяся на указанный сегмент, причем другой конец оси расположен в центральной направляющей рамы и подпружинен к ней, а рама соединена с основанием гониометрической головки. тх перемещений представора 10 и 11, которые перещи червячных винтов 12 и ерпендикулярных направи 15. Устройство угловых окено на ползуне 16 устперемещений. На ползуне кке установлена плита 4. ается в направляющих8Направляющие...

Номер патента: 457913

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Епифанов, Краковецкий-Кочержинский, Петьков, Подорожный, Тарнавский

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературной, дифрактометру, крепления, образца, приставке, рентгеновскому

...из материала, совместимого с материалом образца при температурах исследования. Профильный паз характеризуется наличием двух плоскостей вертикальной фиксирующей 6 и опорной 7, расположенной под острым углом к фиксирующей. Опорная плоскость 7 преобразует вертикальное усилие прижима в горизонтальное усилие, прижимающее образец 1 к фиксирующей плоскости 6. Сменные наконечники 4 и 5 служат для предотвращения физико-химического взаимодействия, например образования эвтектики, между веществом образца 1 и стоек 2 и 3. Нижняя поддерживающая стойка 2 изготовлена в виде трубки из тугоплавкого металла, например вольфрама, и составляет один из электродов термопары, а второй электрод термопары - проволока 8, натянутая в полости, поддерживающей...

Номер патента: 458746

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Козырский, Кононенко, Тарнавский, Эпик

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометре, образца, рентгеновском, столик, установки

...расположен в глублеции ниже базовой поверхности установочного диска 1, Образец 10 расположен ца поперечинах салазок 11, продольные полозья 5 которых находятся в направляющих установочного диска 1. На базовой поверхности установочного диска 1 закреплен механизм параллельного смещения образца 10, состоящий цз подпружиненного толкателя 12, кулачка 13, 20 ручек4 со шкалой по цилиндрической по верхности, корпуса 15 и крышки 16. В прорезитолкателя 12 расположена пластина 17. 1 а крышке 16 установлены пружинная пластина 8 и винты 19, 20.25 Образец 10 устанавливают ца салазки 1 вконтакте с толкателем 12 механизма парал-.лельного смещения образца.Предварительно на образец прц номощцприбора ПМТнаносят квадратные клетки з 0 со стороной...

Номер патента: 458747

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Вайнштейн, Гоганов, Дмитриев, Комяк, Лубе, Малахова, Миренский, Резников, Хейкер

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр, многоканальный

...в заданном угловом ицтервае (илц за задацное время), вместе с цоаза. 10 25 с и Институт кристалло циальное конструкторско им. А. В. Шубникова и бюро рентгеИзооретецие относится к области рентгеновской дифрактометрии.Известны многоканальные дифрактометры, содержащие линейный детектор излучения, Однако детектор может регистрировать тольо одну слоевую линию при сьемке по методу вращающегося моцокристалла,Цель изобретения - повышение эксцрессцости сьемки (что особенно важно цри исследовании кристаллов, разрушающихся под действием излучения),Цель достигается тем, что в предлагаемом дифрактометре блок детекторов излучения выполнен в виде дискретного набора одномерных детекторов излучения, расположенных параллельно друг другу, и...

Номер патента: 463045

Опубликовано: 05.03.1975

Авторы: Ковальчук, Ковьев, Миренский, Пинскер, Фокин, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр

...когда отраженный от оси кристалла-моцохроматора 3 луч проходит через ось О гоциометра 10, При враще нии кристалла-анализатора 5 в определенном угловом интервале вокруг оси О гониометра 10 счетчиком 7 измеряется кривая дифракционного отражения 12.Переход нд другис значения углов дифрдк ции ха 1)ате 1 зистцчсс 01 о и сплоцгцоо сцс 1 т 1 здосуществляется поворотом 1 ристалла-моцохроматорд 3 и псрпсндикмлярным смещением его отцосителыго направления цадд 1 огцих рентгеновских лучей, выходящих из коллцмдто 30 ра 2. Посколыу осц кристалла-монохромдтоРедактор кая Изд Лв 531 сударственноко комитета 1 о делам зобретенииказ 13877 Ц 1.111 И П И Г пиен Тирад 902 Совета Чинистр открытий иао, д чо131:иирайии, ир Саииоа, 2 ра 3 и...

Номер патента: 463897

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Мацегорин, Наумов, Русаков, Соколов, Яльцев

МПК: G01N 23/20

Метки: внутренних, изучения, поверхностей, текстуры, цилиндрических

...А. А. Русаковв и В, Н, Яльцевудового Красного Знамензический институт цевой конический пучок, который облучает кольцевую внутреннюю поверхность изделия.Угол раствора конуса регулируют взаимным перемещением источника 2 и экрана 3. Расстояния между источником, экраном и детектором, а также размер экрана выбираются таким образом, чтобы регистрировать отражения от одного типа кристаллографических плоскостей. Отраженные от исследуемой поверх ности рентгеновские лучи регистрируют детектором 4. Источник 2, экран 3 и детектор 4 перемещают вдоль трубы 1, получая, таким образом, информацию о текстуре всей внутренней поверхности изделия.15 Описанный способ реализован при исследовании ориентированных металлических покрытий внутри металлических...

Номер патента: 463898

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Вербицкий, Геншафт, Капланский, Кузьмин, Пешков, Стасевич

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр, ренгеновский

...механизма и в то же время обеспечивает максимальную чувствительность настройки, что повышает производительность работы рентгенгониомстра при сохранении высокой точности измерения, Такой преобразователь может быть выполнен, например, в виде диодного ограничителя с источником опорного напряжения,Далее ток с выхода преобразователя 5 поступает на вход индикатора 6. Индикатор 6 регистрирует изменение тока счетчика и, тем463898 Составитель К. КононовРедактор И. Шубина Техред О. Гуменюк Корректор Л, Денисова Заказ 972/8 Изд. Мо 1186 Тираж 902 Подписно:ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытийМосква, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4,5 Типография, пр. Сапунова, 2 самым, угловое положение...

Номер патента: 468139

Опубликовано: 25.04.1975

Автор: Генкин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, параметров, решетки, эталонного

...ражаясь от которого рторами Д Л й2 3 я дет Целью изобрчности измер етения является повышение ний.выбранной точке исследуеодновременно форентгеновских п ля этого го кристалла менее двух кусируют учков под личным глами, соотверэгговским уг тствую рот исгол межлам, произво сталла и изм следуемого крду его отражаю яют лож Кроме того фокусируют пуч щими различнь одной системы стэй, на исследуемый кристалли под углами, соответствуюм порядкам отражения отристаллографических плоскоПроцесс дифракт следующим образомии осуществля зобретение относится к рентгенострукому анализу, в частности к эталоннымдам определения параметров элементарячеек кристаллических решеток. параметров элементарных ячеек идвухкристального спектрометра.Однако...

Номер патента: 469918

Опубликовано: 05.05.1975

Авторы: Шатинина, Шутько

МПК: G01N 23/20

Метки: взаимодействия, исследования, кинетики, компонентов, раствора

...в ней молекул ДНК, заранее вводят третий компонент - низкомолекулярное по сравнению с ДНК вещество Р - Н, содержащее обменоспособный водород.,При этом количество обменоспособного водорода должно быть много больше, чем количество обменоспособного водорода ДНК (первое условие); скорость его обмена с водородом окружающей воды должна быть соизмерима со скоростью обмена водорода между молекулами самого растворителя, не содержащего растворенных веществ (второе условие). В такой системе третий компонент выполняет функции опосредственного свидетеля состояния растворителя. Так, кинетика прямого включения меченого водорода из растворителя в обменоспособный водород органики будет складываться из двух процессов; НН"О, Н - ДНК (3) ННОГО Н - К...

Номер патента: 478235

Опубликовано: 25.07.1975

Автор: Инденбом

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновской, топографии

...пучки убираютсяшими экранами 4-6.Благодаря конденсору образец 1 освещается широким пучком, представляющим собой изображение щели в кристалле-конденсоре 2.Пучок испытывает внутри исследуемого кристалла дифракционное сжатие и на глубине Ы равной толщине кристалла-конденсора 2 дает узкое изображение исходной щели с точностью / , гдеЛ -2.т Кэкстинкционная длинао с)( -гол Брэгга, Кристалл-объектив 3 фокусирует на фотопластинку или иной приемник изобран(ение слоя, расположенного на глубине б от поверхности, Таким образом, благодарядифракционной фокусировке рентгеновскихлучей внутри исследуемого образца в реп тгеновское изображение дают преимушествен"ный вклад дефекты, расположенные в сравнительно тонком слое на глубине ЦСмена...

Номер патента: 483611

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Ключников, Кудинова, Сапуков, Спивак, Угрюмова

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгенострукурного

...с помощью клиньев в держатели токо- вводов так, чтобы плоскость исследуемого образца проходила строго по центру, Токовводы 10 4 монтируются в камеру сбоку и охлаждаютсяводой.Температура замеряется термопарой (начертеже не показана), горячий спай которой прижимается к нагревателю в непосредствен ной близости от исследуемого образца.В корпусе камеры для пропусканпя рентгеновских лучей выполнено окно 5, герметично закрываемое бериллиевой фольгой 6, В камере установлены секторные экраны 7 и 8 с ди афрагмами 9 и 10 шириной 1 - 1,5 мм, соединенные с рентгеновской трубкой и счетчиком через вал гониометра и тяги 11. Экраны 7 и 8 установлены таким образом, чтобы падающий и дифрагированный пучки проходили через 25 диафрагмы. Экраны...

Номер патента: 487338

Опубликовано: 05.10.1975

Авторы: Ковальчук, Ковьев, Миренский, Пинскер, Фокин, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр

...дополнительного кристалла.На чертеже показан предложенный спектрометр с раздельными осями поворота основного и дополнительного кристаллов-монохроматоров,Кристаллы-монохроматоры 1 и 2 и кристалл-анализатор 3 расположены таким образом, чтобы дифрагированный кристалломмонохроматором 2 пучок проходил через кристалл-анализатор 3; затем отражался от кристалла-моцохроматора 1 и в центре гониометра 4 попадал на поверхность кристаллаанализатора 3. Для этого предусмотрены механизм поворота 5 источника рентгеновского излучения 6, механизм поворота 7 кристалламонохроматора 1, коллпматор 8, размещенный 5 на плите 9, снабженной механизмом лшейного перемещения 1 О относительно главного гониометра 4.Спектромстр работает следующим...

Номер патента: 488122

Опубликовано: 15.10.1975

Авторы: Байрамашвили, Ломидзе, Узморский, Хулелидзе

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, веществ, количественного, рентгенострукторного, твердых, фазового

...чтобы можно было построить кривую почернения, Съемку образца производят при одном фиксированном времени выдержки, которое подбирают так, чтобы почернение линии не выходило за пределы области пропорциональности характеристической кривой применяемой фотопленки, После этого строят график зависимости почернения лшши эталона от времени выдержки и по нему, зная почерненпе той же линии образца. определяют время, в течение которого следует экспонировать эталон для получения почернеиия лицин, 15 равного почернению линии образца, Далеепроизводят расчет концентрации компонента вооразце,488122 4 10 Предмет изобретения 1О э э 0 Составитель В. КононовТехред О, Луговая Корректор М, Лейзергван Редактор Т, Юрчикова Заказ 573/4 Изд. М 1892 Тираж 902...