G01N 23/20 — с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения

Номер патента: 1656421

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Балук, Василечко, Завербный, Матковский

МПК: G01N 23/20

Метки: кривизны, радиуса

...осуществляют следующим образом.1. Для ряда полированных пластин прямоугольной формы были проведены измерения реального профиля поверхности образцов в радиальном сечении на установке "Рейа 1 - 11 А" (США) на длине контролируемой поверхности равной=30 мм.2. По результатам измерений отобрана партия образцов из девяти штук с цилиндрически изогнутой поверхностью,3. Для построения калибровочного графика в осях й и 2 ЬО значения радиусов кривизны й поверхности каждой из пластин партии были получены по формуле, (вытекающей из геометрических построений, изображенных на фиг. 3).( В-Н)+-2) = й, ( ) где Н - величина максимального отклонения реального профиля от прилегающей плоскости;. - 30 мм - контролируемая длина профиля пластиныРадиус йк...

Номер патента: 1658050

Опубликовано: 23.06.1991

Автор: Гундырев

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, рентгеновских, топограмм

...27, содержащая системутонких плоских пластин 28, равномерно распределенных по всему основаниюгребенки 27 и выполненных иэ хорошопоглощающего рентгеновские лучи материала. Плоскость каждой пластины28 проходит через точечный фокус Френтгеновского источника и перпендикулярна отражающим кристаллографическим плоскостям.Устройство работает следующим образом.При среднем положении камеры узкий пучок характеристического излучения направляется на центр образца ипо детектору 14 образец выводится вотражающее положение К компонентыизлученияПосле этого раскрываютсящели неподвижного коллиматора 26 всоответствии с требуемой горизонтальной расходимостью первичного пучка,которая определяется шириной используемого участка спектра, углом...

Номер патента: 1659807

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Овсиенко, Родин, Рыжак

МПК: G01N 23/20

Метки: катализаторов, стабильности

...Через камеру осуществляют проток реакционного(восс гановительного) газасостава Н 2:СО:СО 2 = 60:30:10 при нагревании образца, При этом происходит восстановление СцО до Сц. Ход процессавосстановлений контролируют по уменьшению дифракционных линий СцО и возрастанию интенсивности линий Сц. При 200 Спроизводят замену восстановительного реакционного газа на инертный - чистый Не,т.к, для данных составов катализатораи ре. акционного газа при этой температуре вселинии неактивной фазы СцО полностью исчезают на рентгенограмме, а линии активной фазы Сц наиболее четко выражены.Нагревание катализаторов данного типа вреакционной газовой среде при температуре, превышающей 400 С, не рекомендуетсяпо причине восстановления ЕпО до 7 п,...

Номер патента: 1659808

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Балук, Василечко, Кокоулин, Копко, Нога, Осечкин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, кювета, рентгеноструктурного

...состоящем из концентрированных азотной (НАВОЗ), плавиковой (Н Е) и уксусной ве Целью изобр ение чувствительн оличеств веществ,На фиг.1 представлена предлагаемаякювета, содержащая диск с углублением; нафиг.2 - диффузионный фон от стандартнойкюветы из плавленого кварца (1) и от предлагаемой кюветы (2).Кювета для рентгенографическоголиза выполнена из монокристалличесматериала,Повышение чувствительности при проведении рентгеноструктурных измерениймикроколичеств веществ объясняется значительно более низким уровнем диффуз. етения является повыш ости измерений микрок ана- кого(54) КЮВЕТА ДЛЯНОГО АНАЛИЗА я к области рент- и может быть исоструктурных и аний микроколиретения является ости измерений путем снижения тся тем, что кювеанной...

Номер патента: 1661633

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Кадыржанов, Махмутов, Тулеушев, Югай, Якунин

МПК: G01N 23/20, G21K 1/04

Метки: диафрагмы, исследований, рентгеноструктурных, щелевой

...из поглощающего рентгеновское излучение металла с обеих сторон. Для предотвращения запыления щелей диафрагмы в них вставляются пластины слюды, которые в процессе напыления поглощающего рентгеновское излучение металла сдвигаются навстречу потоку пара напыляемого металла.1 з,п.ф-лы 2 ил.верстие 1 пластины 2 в световом микроскопе с увеличением х 1000 в просвечивающем режиме при помощи устройства 5, состоя щего из микрометрической винтовой подачи, вдвигают пластинку 6 (набример, из слюды) с поперечным размером, меньшим поперечного размера щелевого отверстия диафрагмы. Кремниевую пластину 2 со щелью 1 жестко закрепляют на устройстве 5, причем плавное вертикальное перемещение пластинки 6 в щелевом отверстии 1 осуществляют...

Номер патента: 1663518

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Блохин, Гранский, Овечкин, Овсянников

МПК: G01N 23/20

Метки: вращательных, движений, механизм, пространственных

...изобретения является упрощение конструкции.На чертеже изображена схема механизма в аксонометрии.Механизм включае 1 основание 1 с установленным на нем двигателем 2, который посредством конической передачи 3-4 связан с ведущими шестернями 5 и 6 эубчаторычажных передач. На осях 7 и 8 установлены соответственно водила 9 и 10 с шестернями 11 и 12, зацепляющимися с шестернями 13 и 14. Водила 9 и 10 упруго связаны с основанием 1 для обеспечения надежного контакта зубьев в зацеплении, Шестерни 13 и 14 связаны с червяками 15 и 16 червячных передач поворота ведомого звена 17 вокруг осей Х-Х и У-У соответственно. В ведомое звено 17 устанавливается исследуемый образец 18.Механизм работает следующим образом,Вращение вала двигателя 2 передается...

Номер патента: 1670549

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Вершинин, Густова, Коваленко, Магдалев, Марченко, Сопин

МПК: G01N 23/20

Метки: неоднородности, химической, целлюлозы, эфиров

...к величине фона вблизи него, т.е. разделить интенсивность рефлекса на величину интенсивности фона, 1670549Известно, что интенсивность рефлекса прямо пропорциональна количеству вещества в образце, Поэтому отношение интенсивности рефлекса целлюлозы в эфире к интенсивности рефлекса в чистой целлюлозе дает количество целлюлозы, содержащейся в эфире. Для исключения влияния условий съемки лучше брать отношение интенсивностей, нормированных к величине фона.Сущность предлагаемого изобретения можно проиллюстрировать следующими примером. Для анализа отобраны образцы нитроэфиров целлюлозы, полученные нитрацией целлюлозы различных партий в течение 40 мин (образец 1-3) и 10 мин (образец 4-8), Нитрацию проводили смесью состава: азотная кислота -...

Номер патента: 1670550

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Барков, Бурыкин, Востриков, Жидков, Экк

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллических, материалах, неоднородности, распределения, фаз

...в каждом отдельном случае на трубке и счетчике устанавливали идентичные щели, с целью получения отдифрагмированного, с минимальной расходимостью, плоскопараллельного пучка. В одном варианте образец и эталоны снимали в статических условиях без вращения приставки, в другом включали равномерное вращение образца вокруг нормали к поверхности отражения с частотой 1 Гц.В последнем варианте при анализе относительной разности концентраций фаз съемки эталонов не потребовалось. так как значения интегральной интенсивности строго пропорциональны облучаемому объему при изменении вертикальной проекции пучка.Параметр неоднородности , П на 1=1 ходили иэ нижеприведенных соотношений, соответственно, для случая неподвижного и вращающегося образцаккп"=(- -...

Номер патента: 1672323

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Кадыржанов, Махмутов, Тулеушев, Югай, Якунин

МПК: G01N 23/20, G21K 1/04

Метки: диафрагма, исследований, рентгеноструктурных, щелевая

...что делает их неразличимыми на рентгенограмме. Для предотвращения попадания первичного рентгеновского излучения в кремний служит слой 4 напыленного металла на той поверхности кремниевой пластины, куда входит рентгеновский пучок Э. Выбор металла для напыленного покрытия производится так, чтобы даже самое же 1672323сткое используемое в структуре анализа рентгеновское излучение не возбуждало в нем флуоресцентного свечения, т.е, металл должен быть тяжелее вольфрама. При толщине слоя металла (например свинца), равном 30 мкм, первичный пучок ослабляется на 997 ь. Но при использовании сверхмощных источников рентгеновского излучения, таких как, например, синхронное излучение накопителя ВЭПП/3 - интенсивность прошедшего в кремний остаточного...

Номер патента: 1673933

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Абоян, Безирганян, Хзарджян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, кристаллов, рентгеноинтерферометрический

...даже до их проектирования, не полны - они преимущественно представляют картины полей деформации, возникших в направлении нормали отражающих плоскостей.В рентгеноинтерферометрических исследованиях, кроме перечисленных, регистрируемые дифракционные изображения (муаровые картины) сильно зависят от направления поворотов отражающих плоскостей, вызванных несовершенствами кристаллов интерферометра, от характера изменения межплоскостных расстояний отражающих плоскостей, от как абсолютного, так и относительного месторасположения несовершенств кристаллов интерферометра. Если в случае отдельного кристалла при формировании дифракционного изображения основную роль играет относительное расположение векторов Бюргерса и дифракции, то в...

Номер патента: 1679312

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Бабенко, Вайсман, Минина, Пельтек, Сова, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: восстановления, концентрата, молибденового, степени

...В процессе обжига молибденосодержащего концентрата молибден из окисла Мо 20 з переходит в карбид благодаря присутствию кокса в шихте,В результате непрерывно увеличивается содержание МорС и интенсивность его регистрируемого рефлекса. В то же время уменьшается содержание графита в смеси и интенсивность его рефлекса, Следовательно, нормированная интенсивность 1 мо 2 с1 испытывает, будучи отношением возрастающей величины к уменьшающейся, более сильное изменение, чем 1 мо 2 с, при изменении степени восстановления концентрата. Поэтому способ благодаря указанному дополнению имеет более высокую чувствительность и точность, особенно на более поздних стадиях процесса восстановления, что обнаружено при экспериментальной проверке,Определяют...

Номер патента: 1679313

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Абоян, Безирганян, Хзарджян

МПК: G01N 23/20

Метки: дилатационных, исследования, монокристаллов, несовершенств, рентгеноинтерферометрический

...от того, падает ли первичная волна со стороны первого или третьего кристалла, получают1 11 оьь ЮьоКопо - Ив1. В двухкристальных интерферометрах, когда межплоскостные расстояния отражающих плоскостей первого и второго кристаллов отличаются одно от другого, период муаровых картин зависит от того, падает ли первичная волна со стороны первого или второго кристалла.2. В трехкристальных интерферометрах, когда межплоскостные расстояния отражающих плоскостей первых двух(первого и второго) или последних двух (второго и третьего) кристаллов одинаковы, но отличаются от межплоскостных расстояний оставшегося (третьего или первого) кристалла, период муаровых картин зависит от того, падает ли первичная волна со стороны первого или третьего...

Номер патента: 1679314

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Волков, Головкин

МПК: G01N 23/20

Метки: двухкомпонентной, равновесной, смеси, состава, фазового

...На основании измерений и расчета установлено, что одна из фаз имеет состав йао 241 Ч 205, а другая - йао,о 1 Ч 205. 1 табл. нительным трехкратным перетираниемрез каждые 25 ч отжига.Образец ц готовят из 5,9112 г Ч 200,0883 г йа 2 СОз, что соответствует 2,5% йа 20 и 97,5 мол. % Ч 205, тщательно итирая смесь этих ингредиентов и отж 1при 500 С втечение 100 ч с дополнительтрехкратным перетиранием через ка25 ч отжига.Для о 00,2650 г й м"ДРОН" лниядифра э браэца г берут 5,6080 г Ч 2 а 2 СОз, что соответствует 7,5 92,5 мол. % Ч 205, Затем сни ью рентгеновской устан с использованием СоКа -из ктограммы отожженных обра1679314 у -Г - = 0,010 ф О,ОО 2.Формула изобретения Способ определения фазового составаравновесной двухкомпонентной смеси, 10...

Номер патента: 1679315

Опубликовано: 23.09.1991

Автор: Клевцов

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгеноструктурного

...я по глубине, исключается погрешность в соотношении ширины линий, связанная с различной толщиной эффективно рассеивающего слоя материала.П р и мер. Производятсъемкустальных образцов в СоМ а-излучении при регистрации линий (100)к а (2 О= 52,4) и (220)3(а (2 О = 124) а = Фазы Ре. При съемке линии (100)М толщина эффективно воассеивающего слоя материала равна 6,610 м. Чтобы обеспечить такую же толщину эффективно рассеивающего слоя материала при сьемке линии (220)1 а необходимо, согласно указанному соотношению, установить угол между первичным рентгеновским пучком и плоскостью образца равным 16,5. В этом случае толщина Н 1 эффективно рассеивающего слоя при съемке линии (Ь 1-11-11) равна толщине Н эффективно рассеивающего слоя для линии (Ь...

Номер патента: 1679316

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Бурханов, Ганелин, Ермолаев, Князев, Медведев, Петрунин, Трусов

МПК: G01N 23/20

Метки: мелкои, порошков, размера, ультрамелкодисперсных, частиц

...проводят в режиме по точкам с угловым шагом 0,050. Время набора статистики на точке составляет 20 с. Используется излучение от рентгеновской трубки с медным анодом ( А = 1 5418 А). Предварительно до начало измерения рентгенограмм каждой из порошков попеременно насыпается в стандартную1679316 Та бл и ца 1 сетчатую плоскую кювету, слегка подпуессовывается при давлении Р = 0,2 т/см на гидравлическом прессе и крепится на гониометрической головке рентгеновского дифрактометра. Вклад, вносимый в 5 измеряемые рентгенограммы порЪшков радиотехническим и естественным радиационным фоном фап определяется из измеренной без образца при тех же условиях эксперимента рентгенограммы и состав ляет 1 фап = 0,2 имп/с.Из полученных рентгенограмм находят...

Номер патента: 1679317

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Синани, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, рентгенографического, текстуры

...образца 6, Внутри обоймы 5 установлен объемный диск 9, на котором смонтирован блок 10, обеспечивающий закрепление и вращение образца 6 во время съемки. Внутри блока 10 на стороне 11 съемного диска 9, противоположной рабочей плоскости 12, закреплена стойка 13, несущая валик 14, Нэ валик 14 надет барабан 15, который частично заходит вовнутрьвыполненной в сьемном диске 9 прорези 16, Барабан 15 может приводиться во вращение индивидуальным электроприводом (не показан) или может быть снабжен лопастями 17, на которые воздействует поток воздуха от компрессора не показан).Установка работает следующим образом. На наружную поверхность барабана 15наклеивают контролируемый ленточныйобразец, Барабан 15 надевают на валик 14и устанавливают вместе с...

Номер патента: 1681210

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Егорова, Колосов, Лашманов, Минина, Стрельцов, Утенкова, Хабарин, Швидак, Шихторин, Щербединский

МПК: G01N 23/20

Метки: кольцевых, рентгенодифрактометрическое

...в свою очередь, надето,г.ТО/:, ф г .СИР/.11ЭЛо,.Ь / а ДИСКЕ 28, г.Я торцовой , Верхнос;и диска 28 установя(8,:. Оголи(,)2 г(еХкоордиРтного переМеЦВНИЯ (ИЛИ ЛИЕЙНОГС П 81 ЭВМЭ;ЦЕНИЯ, 3 НЯ Нем ЖЕСТКО 331;ОС 1)ЛВН КОЖУХ 4 РЕНТГВНО вской троки,".,(ежду кареткой 7 и подвешенной на 88 Оси Я платфсрмОЙ 119 уСТЯНОЕЛ 8/10 ) СТрОЙС ГЕЭ).), Наг,рИМЕр, ТИПЯ В 1411 т гайкэ, об(зсг)ечивающее изменение угЛа На Кг(ОНЯ П(Л а ( фор 4(.1 1 У, Е 8118 СТ 8 С НЕЙ ОСИ еал(.ка 22 по оноше 11 и о .; Оси шпинделя 9,уг ИС;, т;,: Рг;(;. 3 ,01 КОН(че КОЙ( Г 10 ВЕРХНОСтл;лЗДЕЛИЯ ;.,;,З 0(1,:г: Яг (%то/(к",г, ВгОРГ(( б.)азгвав1 ееся;гтвеОс)ие изделия 1; со зставленН Ь 14 ЕО Ь Н ,"Т ) Ь Н 8 Г О ") Д 1 И (4 И 3М Е Н Н Ы", КОЛЕЦ12 и надевают 8 ГО на еал 1 НЯ конЦ 8...

Номер патента: 1689818

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Дудчик, Комаров, Соловьев, Тишков

МПК: G01N 23/20

Метки: излучения, источник, коллимированного, рентгеновского

...излучения. Расстояние между пластинами б,Толщина пластины 2 не меньше, чем величина ф 6, где 1 ф = 1/В, В - показательослабления излучения с энергией Еа материалом мишени; О - критический угол полного внешнего отражения фотонов отстенок канала, Генерация излучения происходит в приповерхнастном слое стенок канала. Число квантов с энергией Еа,образующихся в этом слое, элемент объемакоторого равен Ьх 1 убг, где 1 хя.у попереч 10 ный и продольный размеры пластины 2; бг- олщина слоя, равно:бИ = ф Иа % (Е ) 1 у 1 хбг (1) где Йд - концентрация атомов в мишени,Е - энергия электрона на глубине 2 от верхней поверхности пластинь 1 2;о(Е ) - сечение выхода рентгеновского излучения.Если угол скольжения квантов меньше критического 9, = Ь вр/Еа,...

Номер патента: 1693497

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Буряков, Малахов, Рудник

МПК: G01N 23/20

Метки: влажных, льда, материалах, прочностных, свойств, смерзшихся, сыпучих

...этих величин для обработанных и необработанных реагентами замороженных проб влажного сыпучего материала определяют способность реагентов модифицировать структуру льда в смерзшемся влажном сыпучем материале.П р и м е р. Готовят 15 проб аглоруды крупностью менее 5 мм и влажностью 3,1, Пробы 6 - 10 обрабатывают аммиачной водой, а пробы 11 - 15 - природным раствором бишафита при расходе каждого их этих реагентов, как это принято в практике профилактирования влажных сыпучих материалов ат смерэания, равном 1,5 О по атношениа к массе обрабатываемой пробы.Затем обработанные и необработанные реагентами пробы замараживают в холодильной камере при температуре -40 С в течение 12 ч, Замороженные пробы подвергают рентгеноструктурному анализу на...

Номер патента: 1695197

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Гетманец, Пелихатый, Стешенко, Титова

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа

...35 40 способности анализирующих ионов в веществе маски; гпгде д = -- отношение массы анализируМющего иона к массе атома примеси;С - угол рассеяния;х= х 1(1-у 1 д а).Отсюда следует ограничение на дллну маски Толщина маски Ь должна зависеть от у таким образом, чтобы прошедший через нее пучок ионов с энергией Ео имел на выходе из маски энергетическую зависимость Е(у), определяемую формулой (2).Пусть тормозная способность пучка ионов в веществе маски характеризуется также степенной зависимостью от энергии: где К 1 и п 1 - постоянные, определяемые параметрами вещества маски.В этом случае зависимость толщины маски Ь от у можно получить в явном виде ота энергетического спектра рассеионов при энергии Е 1 пропорциоконцентрации примеси на глубине...

Номер патента: 1695198

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Деревягин, Кац, Кочерга, Ошкадеров, Петьков, Приходько, Телевич

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературная, камера, рентгеновская

...Формы, Оно определяется отношением пло. щади поверхности всей сферы Я к площади сферического сегмента 5;, вырезаемого нд сФере углом а ( лг, 2), Сегмент пропускает свет, так как касательная к каждой тачке его поверхности образует с осью в,у. уголс, т,е.: Я=4 л В; =2 тт В 1;Ь:=В - ОМ=В(1 - сов Р);СР 6=- .а==,В . - . 90- о.;5= 2 7 с В (1 - эи я5 4 ЕВ 2Цгт 2 лВ (1 - з 1 п ЫД 1Я.,ЬтК =1 - япа Для волаканн(-ог 1 тическага устройства удовлетворительные условия передачи светавога патока вь 1 палняются приугле а35, явля 1 още(лся характерным сгапараметрам. Подставив (х в вь 1 ракение 1,1),получим й .:- 4,69, Тдк 1 лм образом, минимальное количества устройства для сборкивсей сферы на 1 ленес пяти штук,лз соображений стесеометсии...

Номер патента: 1696979

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Новоставский, Подорожный

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературная, дифрактометру, камера-приставка, ренгеновскому

...обеспечивая при этом надежный электрический контакт, что очень важно для слаботочных систем, Поворот шпинделя до 360 в обе стороны осуществляется приводом, на валу которого закреплена шестерня 17, работающая в паре с закрепленной на втулке 9 шестерней 18, Втулка 11 с целью частичного отсечения теплового потока от образца 13 находится а контакте с радиатором 19, закрепленным на корпусе узла 7 поворота. Корпус узла 7 поворота, в свою очередь, закреплен на поворотном кронштейне 20, который вакуумно-вводными приводами вертикального перемещения и поворота не показаны) перемещается вдоль и поворачивается вокруг вертикальной оси, параллельной оси шпинделя, перпендикулярной главной оси 21, при смене образца 13 и его юстировке относительно оси...

Номер патента: 1702264

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Бурханов, Ганелин, Ермолаев, Князев, Медведев, Петрунин, Трусов

МПК: G01N 23/20

Метки: мелко-и, порошков, размеров, ультрадисперсных, частиц

...кассета подвергается облучению монохроматическим пучком нейтронов, выбранной длины волны и измеряется участок нейтронограммы в том же диапазоне углов Брэгга, в котором измерялись порошки с известным размером частиц. Иэ полученной нейтронограммы определяется составляющая фона 1, обусловленная рассеянием нейтронов на материале кассеты, радиотехническим шумом аппаратуры и радиационным фоном.Иэ полученных нейтронограмм находят1 ьвотношение ( для каждого из по 1 ф 1рошков, состоящих из частиц известных размеров Вь Полученный набор экспериментальных значений ( ( ), В) анп 1 ья1 ф - 1роксимируется функцией видаГ(В) -Ь В1=2)Значения постоянных коэффициентов Ь и число членов и в аппраксимирующей функции определяется по методу наименьших...

Номер патента: 1702265

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Ром, Ткаченко

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллической, периодов, прецизионного, решетки

...монскристалла и расширениекласса исследуемых кристаллов.На фиг,1 схематично показано устройство для реализации способа; на фиг;2 -10 график зависимости угла между кривымикачания образца и эталона ЛЖц и 1 ц бц .Поставленная цель достигается тем, чтов способе прецизионного измерения периодов кристаллической решетки, в качестве15 эталона используют монокристалл из тогоже материала, что и Образец и имеющий туже ориентацию анализируемого среза, Образец предварительно поворачивают относительно эталона в плоскости дифракции на20 угол, превышающий полуширину кривой качания эталона. Проводят запись кривых качания образца и эталона для несколькихотражений определяют угловое расстояниемежду центрами тяжести кривых качания25 эталона и образца и...

Номер патента: 1702266

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Ауэрсвальд, Ефанов, Кемфе, Кертель, Михель, Роч, Семенов, Ценкер

МПК: G01N 23/20

Метки: отражения, рентгенографического, угла

...производят интегральное измерение угла отражения ч при всех углах поворота р и огределяют среднюю величину чо угла отражения во время непрерывного поворота образца на 360 вокруг оси, проходя.цей перпендикулярно(2) поверхности образца в месте падения пучкарентгеновского излучения,В дру-ом варианте углы отражения чизмеряют при углах поворота р, получен 5 ных путем деления полной окружности углов поворота на равные части, а уголотражения чл для недеформированногомежплоскостного расстояния определяютпутем формирования средней арифметиче 10 ской величины измеренных углов отражения.При этом выполняют несколько цикловизмерений с различными исходными угламиповорота /о,15 Способ осуществляют следующим образом.Исследованию подвергали...

Номер патента: 1702267

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Волейник, Рысева

МПК: G01N 23/20

Метки: качества, магниевого, производства, рентгенографического, электролита

...- О 30011 о 2340 40,6 45,4 38,4 34,0 0,222 0,199 0,234 0,263 Скс = (0,395 -- - 1,ЛОО) Гмцаг,1 о,ггг1 о,гз 410199,Сг 4 ас = 0,367Смцс 210,23410,263Ссас = 0,431Смцс 1 г1 о 234Коэффициенты пропорциональности в уравнениях найдены способом, учитыва;о. щим флуктуации содержания фаз, име,:ощих место в разных порциях одной и той ие пробы с известным количественным фазовым составом. В качестве внутреннего стандарта использован шестиводиый карналлит КС 1 М 9 С 12 бН 20.Рабочие формулы предусматривают определение содержания хлоридов в исходной пробе электролита (до гидратации, обусловленной пробоподготовкой), так как при решении уравнения связи принимали, что:Ско + Сас + Смцсг + Ссасг = "00 (, т.е, Н 20 = О.Способ осуществляют...

Номер патента: 1704046

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Ковальчук, Николаенко, Семилетов, Харитонов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: вторичной, регистрации, узел, эмиссии

...фотозмиссии при 111 оговсл 1 Овой 1 дифракцл 1 есут ценнуО физическуо информацию о распределении вол;:ового поля в кристалле, Выполнение участка корпуса камеры иэ ре 1 тгенопрозрач ого материала обеспечивает возможность регистрации дифрагироааннсго излучения от всех кристаллографических г 1 лоскостей, вы-ееде 1 ных в отражающее положение в поеделах телесого угла, равного 360,Таким образом, все указанные существенные признаки обеспечивают воэможность измерения выхода электронов в условиях многоволновой дифракции, при этом исследования осуществляются в процессе Однократной съемки, что особенно актуально при измерении неустойчивых быстрораспадающихся объектов На чертеже представлен узел регистрации вторичной эмиссии, общий вид.Узел...

Номер патента: 1704047

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Величко, Новоставский, Петьков, Сендюк

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометру, приставка, рентгеновскому

...образцов под пучок рентгеновских лучей и совмещение исследуемой поверхности образца с главной осью дифрактометра.На фиг, 1 дано схаматическое изображение приставки; ца фи;, 2 - разрез А - А на фиг, 1; на фиг. 3 - вариант конструкции посадочного места основания приставки; ца фиг, 4 - схематическое изображение держателя образца о зафиксированном поло - ни в зоне рентгеновского пучка,Приставка к рентгеновскому дифрактометру соде; жит осо;ание 1 с посадочным местом 2 длл ее монтажа ца корпусе рентгеновского гониометра (длл сьемки по схеме 0 - 6), с посадочным местом 3 для ее монтажа на столике гониометра не показан, для съемки по схеме 0 - 2 Я и с юстировоццым устройством 4, и механизм 5 вращенил дег.кателл б обр.зца вокруг с:и, перецд,...

Номер патента: 1711048

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Ефанов, Кемпфе, Кертель, Михаэль, Михель, Семенов, Тренкнер, Ценкер

МПК: G01N 23/20

Метки: величины, деформации, инвариантной, первой, тензора

...равным трем.В другом варианте измерение среднео угла отражения производят в интегральном режиме по всем. углам поворота,Кроме того, при неизвестном угле огргжения Ос, для неддформиооэнного меж 25 30 35 40 45 50 55 плоскостного расстояния определяют разность величин первых инвариантных тензо- ра деформации для исследуемого и эталонного образцов.В основе выбора величины угла Ч = 54,74 лежит то, что при таком угловом положении все три положительных отрезка осей координат расположены симметрично относительно нормали к поверхности образца в точке падения первичного пучка в мнимой полусфере над поверхностью образца,Способ осуществляют следующим образом,Исследованиям подвергают образец призматической формы из стали 90 МпЧ 8 Методом...

Номер патента: 1712844

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Оберемок, Черный, Щуляренко

МПК: G01N 23/20

Метки: изгиба, кристалл-монохроматора

...частей, при этом на пассивнойчасти размещены элементы для закрепления кристалла-монохроматора, а активнаячасть разделена по крайней мере на трисекции, причем длина средней секции равна длине дуги фокусирующей окружности с центральным углом 1, а остальные секции равны между собой.Выполнение изгибного элемента из активной и пассивной составных частей позволяет осуществлять изгиб одной частью, а именно активной, которая обладает однородной структурой, легко поддается расчету и управлению, а следовательно, позволяет достичь необходимой точности меньшими усилиями.Размещение на пассивной части элементов закрепления кристалла-монохроматора обеспечивает установку кристалла-монохроматора в устройстве, не влияя на пьезоэлектрические...