Способ определения ориентировки кристаллов

(72) Автор изобрете Ску исследовательский физико-техническийском государственном университетеим. Н.И. Лобачевского Горьковск при Горьк ститут 7) Заявите ОСОБ ОПРЕДЕЛЕ Цель изобрности измерениисключения ошла в кристалл.Изобретение относится к исследованию химических и физических свойств веществ с помощью дифракции, например, для исследования структуры кристаллов с помощью отраженного излучения,Известей способ определения угла среза поверхности. кристалла к его кристаллографической плоскости, заключающийся в том, что определяют угол отражения монохроматического рентгеновского излучения от кристалпографической плоскости. Плоскость поверхности среза кристалла определяют оптическими методами 1 .Недостатком зтогмалая точность опреоптическими методами.Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ определения ориентировки кристаллов путем измерения угла между поверхностью среза кристалла и его кристаллографической плоскостью, включающий облучение поверхности исследуемого о способа является1деления угла среза РИЕНТИРОВКИ КРИСТАЛЛО кристалла монохроматическим рентгеновским излучением, выведение его в отражающее положение путем поворота исследуемого кристалла вокруг оси дифрактометра, Фиксацию угла; при котором наблюдается максимальная величина отраженного излучения раз 1 ворот исследуемого кристалла на )80 в собственной плоскости, фиксацию второго угла отражения исследуемого кристапла 2.Недостатком этого способа является то, что при измерении угла среза возникает погрешность, обусловленная несовпадением оси вращения кристалла в собственной плоскости и нормали кповерхности среза за счет неточности установки исследуемого кристалла в кристаллодержателе. ения - повышение точугла среза за счет ок установки кристалержателе,87306 15 30 формула изобретения Указанная цель достигается тем,что в способе определения ориентировки кристаллов на дифрактометрепутем измерения угла между поверх-,ностью среза кристалла и его кристаллографической плоскостью, включающем облучение поверхности исследуемого кристалла монохроматическимрентгеновским излучением, выведение его в отражающее положение путемповорота исследуемого кристалла вокруг оси дифрактометра, фиксацию угла,г,при котором наблюдается максимальнаявеличина отраженного излучения, раз-,Оворот исследуемого кристалла на 180в собственной плоскости, фиксациювторого угла отражения исследуемогокристалла, параллельно исследуемомукристаллу на фиксированном расстоянии устанавливают с помощью подпружиненного Фиксатора эталонный крис-:талл в отражающее положение путемповорота обоих кристаллов вокруг .оси дифрактометра, Фиксируют уголотражения, затем поворачивают исследуемый кристалл на 180 в собственоной плоскости, Фиксируют второйугол отражения эталонного кристаллаи определяют угол среза исследуемого кристалла по формуле:0-о Ра. Р2 2где( и а,- углы, соответствующиеположениям отраженияисследуемого кристалладо и после поворота егона 180 в собственнойплоскостии г углы соответствующиеположениям отраженияэталонного кристалладо и после поворота исследуемого кристаллав собственной плоскостина 180 ОНа фиг.1 показан общий вид устрой"ства, реализующего способ на фиг.2 схема измерения угла среза,Для осуществления предлагаемогоспособа исследуемый кристалл 1 устанавливают в кристаллодержателе 2 гониометрической приставки дифрактометра.Вращением всей гониометрическойприставки вокруг рси дифрактометраЯ. выводят исследуемый кристалл 1 вотражающее положение и фиксируютна шкале угол ФОХ отражения О, За 8 4тем исследуемый кристалл с помощью червячного механизма 3 поворачивают на 180 в собственной плоскости и Фиксируют новое угловое положение (К исследуемого кристалла и определяют разность углов ЬОС= К.йПосле этого дополнительный кристаллодержатель 4 с эталонным кристаллом 5, установленный на основании 6, перемещают с помощью устройства 7 в направлении, перпендикулярном основному кристаллодержателю 2 исследуемого кристалла 1. При этом прижимной подпружиненный фиксатор 8, установленный на кристаллодержателе контактирует с исследуемым кристал. лом 1 по периферии его поверхности.Поворотом всей гониометрической приставки вокруг оси Я. дифрактомет" ра отмечают ,1- угол отражения эталонного кристалла 5. Затем поворотом исследуемого кристалла 1 на 180 в собственной плоскости замеряют угол эталонного кристалла 5 на шкале дифрактометра.Далее определяют Ь = - Р 1, Угол среза,монокристалла определяют по Формуле: где-С1 я. - Ьа угол.й35Наличие прижимного подпружиненного Фиксатора, которым снабжен дополнительный кристаллодержатель, позволяющего осуществить контакт исследуемого и эталонного кристалла, исключает погрешности, связанные сотклонением .оси вращения кристаллав собственной плоскости от нормалик поверхности среза. 45 На современных дифрактометрахизвестными способами можно достичьизмерения угла среза 0,5 угл.мин.За счет исключения погрешностейточность измерения угла среза увели 50 чится до 1 О углс Способ определения ориентировки кристаллов на диффрактометре путем измерения угла между поверхностью среза кристалла и его кристаллографической плоскостью, включающий обСоставитель Т. ВладимироваРедактор И. Касарда Техред Т.Маточка Коррект аз 9019 ППП Патент , г. Ужгород, ул. Проектная 66 . Тираж 910ВНИИПИ Государственного комиФпо делам изобретений и113035, Москва, Ж, РаущсФилиал Подписноета СССРткрытийая иаб., д. 4/5 емчи