G01N 23/20 — с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения

Номер патента: 1571486

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Алешко-Ожевский, Ковальчук, Лидер, Литвинов, Мазуренко, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновской, синхротронной, станция, топографии

...кристалл монохроматор 12, а на третьей - исследуемый кристалл 13 в геометрии (и, -п,п), причем межплоскостные расстояния, соответствующие используемым рефлексам, близки для всех трех кристаллов. При движении вдоль пучка первого кристалла-монохроматора 11 и параллельном повороте обоих кристаллов-монохроматоров 1 1 и 12 относительно осей О, и О обеспечивается возможность непрерывного изменения длины волны в широком диапазоне, При этом дифракция на втором, асимметрично отражающем кристаллемонохроматоре 12 обеспечивает уменьшение угловой расходимости пучка и увеличение его поперечного сечения. Применение для монохроматиэации двух кристаллов монохроматоров 11, 12 с асимметричной дифракцией уменьшает возможный интервал изменения длин волн,...

Номер патента: 1578607

Опубликовано: 15.07.1990

Автор: Коробков

МПК: G01N 23/20

Метки: коррозионной, сплавов, стойкости, циркония

...и его сплавов, 1 з.п. ф-ль жении 800 кВ, С помощью микрофотометра МФопределили соотношение интенсивности дифракционных максимумов от плоскостей с межплоскостным рассто- фффффоянием 1,81 и 1,54 А. Для иодидного СЛ циркония получили соотношение интен- ф 3 сивностей Т /1 ,=0,6, а для техни- Я) ческого циркония 0,7. Из этого заключи ф ли, что на техническом цирконии образу.ется большее количество тетрагональной фазы 2 гО, а значит, в пленке выше концентрация пор, чем на иодидном цирконии, который должен в связи с этим обладать более высокой коррозионнойстойкостью, чем технический цирконий,Произведенная проверка коррозионной стойкости указанны; сортов циркониятрадиционным "способом привесов" показала, что при 700 С после 1 О ч коррозии в...

Номер патента: 1580231

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Афанасьев, Бабич, Дедков, Исайкин, Колобов, Коротаев, Назаров, Тастембеков

МПК: G01N 23/20

Метки: предела, текучести

...17 971 О-з 14,81,10 -з 17,5 10-з 19,71 10 з 18,98 10-з 17,20 10-з 17,22 10 3,9 5,5 4,6 5,0 5,3 10,99,0 10,9 12,1 11,8 10;4 10,6 6 Р" и К с помощью специально подготовленных образцов.П р и м е р . Стандартные образцы из дисперсно-упрочненной стали состава, мас.1. СГ 20 у А 1 4 4 у Т 3. Оу 5 у, У 0 0,5; Ре - остальное, отличающиеся по степени деформации горячей прокатки, подвергают одноосному растяжению вдоль направления прокатки при 1100 С до степени деформации 0,23 и определяют соответствующую этой деформациинагрузку Р, по которой рассчитывают предел текучести 6,Для этой серии образцов методом отражения рентгеновских лучей на дифрактометре с приставкой получают серию текстурограмм и по стандартной методике строят полюсные...

Номер патента: 1589167

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Архипов, Макаров

МПК: G01N 23/20

Метки: инструмента, пластин, режущего, рентгенографического, сплава, твердого

...1, за тоже время. Далее вычисляют о ношение К = 1 100 -1 Ж/100 1 Р Подставляя значение в предварительно определенную функциональную зависимость Рс = Е(Ь), находят средний размер зерна карбидной фазы 0 с 0.П р и м е р. Осуществлен контрол пластин твердых сплавов ВК 6 и ВК 60 М1589167 формула изобретения Полученные результаты представлены в таблице. Марка сплава СреднийразмерзернаП , мкм Среднее значениеотношения К = 1 оо 11 оо 1 р 25 ВК 8ВК 6 МВК 60 М 2,03 1,72 1,10 0,95 1,45 2,40 30 1(оо) 1 срК по эталонным образцам строят тарировочную зависимость среднего размеразерна Р от К и определяют по нейи найденному К размер зерна Эс вконтролируемом образце. Составитель Е.Сидохин Редактор Е.Копча Техред Л,ОЛийиьпс Корректор Т,ПалийЗаказ 2536...

Номер патента: 1589168

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Баранов, Иванюкович, Ключинский, Мейер

МПК: G01N 23/20

Метки: анализаторов, настройки, рентгенорадиометрических, системы, стабилизации, шкалы, энергетической

...легко найти в спектре вторичного излучения. Кроме того, скорость счета в области некогерентцо рассеянного излучения примерно на порядок выше, чем в области опорного пика, обусловленного когерентно рассеяг ныви квантами. В результате время набора информации с заданной статистической точностью сокращается примеоно в 3 раза.Исходная величина усиления спектрометрического тракта в начальный момент может устанавливаться по максимуму скорости счета в энергетическом интервале, соответствующем средней энергии некогерентно рассеянного излучения. На чертеже видно, что достаточнодобиться максимальной скорости счетав энергетическом интервале, соответствующем средней энергии некогерентно рассеянных квантовВ приведенном примере центр этого интервала...

Номер патента: 1594392

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Жукас, Минина, Рагульскис, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, рентгенографического, текстуры

...образец 6 с помощью пластилина. Кольцо 12 вставляют в гнездо 18, где оно фиксируется подпружиненным шариком (не показан). Упор 20 в виде двуплечего рачага устанавливают в зависимости от рода работы либо с опорой на кулачковую поверхность 19, либо на цилиндрическую поверхность втулки 11. После этого дополнительный держатель закрепляют всей внешней обоймой 9 в основном держателе 5 и включают генератор 17, который запускает электропривод 13. Последний вызывает вращение втулки 11, а вместе с ней кольца 12 и закрепленного в нем образца, 6. Если по роду работы достаточно,только вращения образца 6 вокругоси 8, перпендикулярной плоскостиобразца,. то упор 20 устанавливают впозицию, в которой он удерживаетвтулку 11 от колебания вокруг...

Номер патента: 1594393

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Баженова, Байдюк, Минина, Парилов, Петров, Пилюгин, Утенкова, Щербединский, Щукин

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгенодифрактометрическое

...окна ПЧД 28. Устанавливаютв гнездо 29 коллиматор 30 и перемещением каретки 16 освещают .ось коллиматора 30 с направлением дифрагированного луча. Затем с помощью средствюстировки производят юстировку щелевого устройства 25, выводя его щелина первичный пучок, выделяемый щелевым коллиматором 30,Формула изобретения Рентгенодифрактометрическое устройство, содержащее корпус с предметным столом и размещенной на нем повоторной платформой, на внешней стороне которой выполнена базовая плоскость с отверстием в центре, рентгеновскую трубку с окном, размещенную в кожухе, источник питания рентгеновской трубки, щелевое устройство, детектор рентгеновского излучения, средства поворота рентгеновской трубки и детектора вокруг оси, лежащей в базовой...

Номер патента: 1594399

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Балук, Василечко, Копко, Мельничук, Нога

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, кювета, рентгенографического

...ул. Гагар 10Изобретение относится к научномуриборостроению, в частности к средстЙм рентгенографического контроляполи- кристаллических материалов.5Цель изобретения - упрощение эксплуатации и повышение производительности рентгенографического контроля.На фиг.1 схематически представлена предлагаемая кювета на фиг.2 -разрез 10 Аф.А на фиг.1.Кювета состоит из рамки 1, внутри кторой выполнена полость, часть котЬрой занята эталоном 2, а часть 3 остается свободной. Кювета имеет опор ную плоскость 4, которой она устанав- ливается на опору в держателе образцЬв гониометра, и базовую плоскость 5 которая совмещается с осью гониомйтра, для чего в его держателе вьг 2 О пфлняется обычно базовая плоскость, в которую при установке кюветы упира."...

Номер патента: 1599732

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Гоганов, Гуткевич, Имамов, Ломов, Новиков

МПК: G01N 23/20

Метки: искажений, монокристалла, приповерхностных, слоев, совершенного, структурных

...0,5-50 нм.Способ осуществляется следующимобразом.Для исследуемого кристалла выбирается семейство дифракционных плоскостей, составляющих с поверхностьюкристалла угол ) ( 9 ь, Поскольку интенсивность ПБП тем выше, чем меньшеугол отклонения от точного угла Брэгга, то следует выбирать (8 -(О) ".о Бг-. 1 - 3, а для повышения локальности необходимо, чтобы значение (6 ьр+ Ц)обыло близко к 90 . Для стандартныхполупроводниковых кристаллов, используемых в промьппленности, удобно выбирать следующие отражения: при ориентации поверхности 1111 - отражение (311) и излучение М, Со, Ре,а при ориентации 100) - отражение(311), (400) и излучение Сц. При использовании стандартныхисточников излучения монохроматизация падающего пучка не...

Номер патента: 1606920

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Волейник, Квашнина, Рысева

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгенографического, фазового

...последовательно в одной и той же кювете. В качестве внутреннего стандарта выбрана свободная от наложений линий других фаз линия с д = 2,54 А, принадлежащая фазе2. Аналитической линией фазы1 (МаС) выбрана линия 1(д=2,8 А).Измеренные значения интенсивностей аналитических линий 1, и 1 с представлены в таблице (графа 2, 3) . По величине содержания стандартной фазы в пробе (Хд=37,1 Я) и значениям интенсивностей 1, аналитической линии этой фазы на дифрактограммах отдельных порций, вычислено содержание стандартной фазы (Х ) в каждой порции учитывая,что 1 стхст; ху -- Х ху(л) и 1 р=Х 1 с 2(л)М среднеарифметическое значение интенсивностей порций равно 57,8 ог,Вычисление значения х,т приведены в таблице (графа 4), где также представлено (графа...

Номер патента: 1608527

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Егоров, Минина, Парилов, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометра, рентгеновского, юстировки

...отраженного пучка при рр, вновьфиксируя угловое положение а 2 находятпоправочное значение углаа 2 а 1 - 180д -2. Поворачивают держатель в обратную сторону на угол д и 10 152025303540 ГУРснабженным позиционно-чувстви тельным детектором (ПЧД) типа РКД-02, На дифрактометре установлена рентгеновская трубка БСВс железным анодом со штриховой проекцией фокусного пятна, расположенной параллельно оси гониометра (т,е вертикально). В качестве зеркала полного внешнего отражения используют стеклянную полированную плоскопараллельную пластину К(размером 60 х 60 х 20 мм) из комплекта оптического гониометра - секундометра ГС, поскольку стекло имеет резкий край границы ПВО и уЪр около 17 - 20 угл. мин.Следовательно, проекция плоскости пластины Кпри...

Номер патента: 1608528

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Гусев, Евграфов, Забелышенский, Киселев, Фомин

МПК: G01N 23/20

Метки: гониометру, держатель, монокристалла, рентгеновскому

...ролики отводят внаправлении от стойки 2. Цилиндрический монокристалл устанавливаютторцом на шариковую опору 3, совмещают образующую цилиндра монокристалла с образующей опорных роликов 4 и перемещают прижимные ролики 5 в обратном направлении. При этом фиксатор 10 находится в нейтральномположении и прижимной ролик 5 свободно вращается вокруг своей оси, Вращением всего устройства вокруг оси гониометра устанавливают базовую плоскость 11 стойки 2 под брэгговским углом 0 относительно направления первичного пучка, Угол 0 соответствует отражению от заданных кристаллографических плоскостей ЬЫ) базового среза, Детектор гониометра располагают подуглом 20 относительно первичного пучка. Направляют рентгеновский пучок на образующую монокристалла и,...

Номер патента: 1610412

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Волошин, Карбачинский, Лопатин, Никольский, Смольский

МПК: G01N 23/20

Метки: исследований, кристаллов, рентгеноструктурных

...посредствомадгезионного слоя 22Такая биморфнаяпластина 17 состоит из двух секций,причем внешние части электропроводящих слоев 20 одной секции электрически соединены с частями внутреннихэлектропроводящих споев 20 другой сек"ции и наоборот.В другом варианте (Фиг.4) биморФная пластика 17 образована двумя пьезоэлектрическими пластинами 19, каждая из которых различно поляризованав своей верхней и нижней половине.Характер деФормации таких биморФных пластин 17 приведен на Фиг,5,Устройство для рентгеноструктурныхисследований кристаллов работает сле"дующим образом.Мо нохро мати ческо е рент гено вско еизлучение от источника 1 падает наисследуемый кристалл 6, а отраженноеот кристалла б излучение детектируется счетчиком 7, сигнал которого...

Номер патента: 1615605

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Волейник, Квашнина, Рысева

МПК: G01N 23/20

Метки: качества, магниевого, производства, электролита

...282) 1(О 260) х т -- + 1 024 -- А+1(0, 254) 6) - --- О, 056) х 1(0 282) 1(0,254) где 1 - интенсивность аналитических.пиний,Коэффициенты пропорциональностинайдены способом, учитывающим флуктуации содержания фаз, имеющих местов разных порциях одной и тай же пробы с известным количественным фазовымсоставом.10 В табл.2 представлены результатыанализа трех проб электролита с известным химическим анализом. Времяистирания проб 1,5 мин, время. рентгенографирования 8 мин. 15 Формула изобретения Способ контроля качества электролита магниевого производства, вклю чающий количественное определениехлоридов магния, калия натрия икальция по измерению физической величины, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью упрощения и ускорения 25 контроля, в...

Номер патента: 1617344

Опубликовано: 30.12.1990

Автор: Лидер

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометрии, рентгеновской, трехкристальной

...невозможно использоватьи монокристалл арсенида галлия изэ слабости рефлекса (222), ни моокристалл германия (для него рефлекс (222) является запрещенным). Дляешения поставленной задачи можно исцользовать предложенный способ трех- ЗО кристальной дифрактометрии. Дпя первого монохроматора Се (100) выбирают рефлекс (422), Дпя второго монохроматора, изгатовленного также из германия, выбирают рефлекс (311). 35 Подставляя значения брэгговских углов для перечисленных вьше рефлексов в Формулу для угла , получаем, ччто при использовании непараллельной геометрии расположения монохрома О торов и образца угол . = 23,6 . Это значит, что для изготовления второго ь".онохроматора необходимо у германиевой пластины ориентации (100) делать скос,...

Номер патента: 1617345

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Минина, Овсянников, Парилов, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: камера, рентгеновская

...камерой (фиг,3,4)работают следующим образом,Камеру ставят ца оперативныйстол рентгеновского аппарата так,чтобы оси 17 подшипников 15 вилки 14располагались горизонтально или вертикально в зависимости от того, ввертикальной или горизонтальной плоскости соответственно выходит коллимированный луч из окна кожуха рентге16173 10 ников.Работа подставки опробована при 35 исследовании легированной стали при съемке на аппарате УРС,0 с рентгеновской трубкой БСВСг со встроенным монохроматором из пирогафита в рентгеновской камере РКУи ДСК.40 Формула изобретения 1. Рентгеновская камера, включающая корпус с держателем образца и коллиматором и подставку, содержащую основание, столик, выполненный с возможностью возвратно-поступательного...

Номер патента: 1622803

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Егикян, Карабеков

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллических, нарушенности, объема, пластин, поверхности, степени

...исследуемого образца относительно эталоча - 0,5 то изменение ЛЬ составит величину 1 мм, Так как расширение: ели на 0,1 мм легко может быть измере о, то соответственно изменение е 2 на величину - 0,05" явится разрешением предлагаемого способа.Использование синхротронного излучения, имеющего,зкую диаграмму направленности, высокую интенсивность, равномерность интенсивности в плоскости орбиты, позволяе 1 создавать узкие, протяженные в горизонтальной плоскости щелзвые пучки, перекрывающие диаметры полупроводниковых кремниевых шайб, служащих в качестве основного материала для создания элементов современной электроники, Перемещение исследуемого монокристалла в плоскости, совпадающей с ристаллографической плоскостью, без изменения угла...

Номер патента: 1627941

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Воробьев, Гирин

МПК: G01N 23/20

Метки: аморфных, анализа, дифрактометрического, рентгеновского

...2000 имп/с, постоянная времени 2 с) и с использованием ф кусировки по Брэггу-Брентано запи вали дифрактограмму в интервале у лов 26 от 10 до 55 о. На дифрактограмме зафиксировали диффузное гал характерное для аморфного состоян На основе полученного результата лали предположение, что структура образца является аморфнойЗатем этот же образец облучали РеК 1-излучением с длиной волны 9=1,93728 А, удовпегнорнкчщей соо ношению 9/= 2,73 (напрн; ев 1 е627941 Составитель Е,СидохинТехред Л.Олийнык Корректор В.Гирняк Редактз А Долинич Тираж 396 Заказ 33 Подписное РчИИП 1 Гос ударственного комитета по изобретениям н открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушскан ндб., д. 4/5Произнодс"нонна-нздательскии комбинат . Патент", г,уж; род, ун,...

Номер патента: 1627942

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Ильинский, Петьков, Подорожный, Харитонов

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр, рентгеновский

...проходящей через фокус рентгеновской трубки, ось кюветы и середину приемных щелей детектора. Источник 1 снабжен устройством 20 для его поворота на брегговский угол вокруг оси, параллельной оси гониометра и лежащей на образуюшей вставки 19. Величину брегговского угла монохроматизации устанавливают по шкале 21.Устройство работает следующим образом.Собирают термоэлектрический преобразователь - термопару 15 и вставляют его в камеру 6. Одевают на чехол термопары 15 держатель 10 с кюветой 11, заправленной образцом 12, закрывают кювету торцовыми крышками 17, Поворачивают термопару 15 таким образом, чтобы вырез кюветы был параллелен оси гониометра 5 и закрывают кювету 11 экранами 16. Камеру 6 герметизируют и, произведя нагрев, расплавляют...

Номер патента: 1627943

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Новоставский, Петьков

МПК: G01N 23/20

Метки: высоковакуумная, высокотемпературная, дифрактометру, камера-приставка, рентгеновскому

...микровыключателя 26, Затем устройство 10 перемещают в верхнее рабочее положение и фиксируют микровыключателем 27.После этого включают шаговый двигатель 21 привода 22 и через зубчатое колесо 17 и винт 18 вводят образец 5 в зону нагрева до тех пор, пока верхний блок цилиндрических радиационных экранов не соприкоснется с нижним блоком 8, При этом зубчатое колесо 13 входит в зацепление с зубчатым колесом 14. Окончательное положение держателя 9 образца 5 фиксируется выступом 28 в направляющей 29. Два других держателя находятся вне рабочей зоны и накрыты дополнительными защитными крышками 30,Соединяют крышку 2 с основанием 1 через металлическое уплотнение, Пользуясь оптической системой 19, 20, совмещают главную ось гониометра с осью камеры...

Номер патента: 1627944

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Сидохин, Утенкова, Щербединский

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометра, приставка, рентгеновского

...винтом 17, В вертикальной полке упора 15 выполнено сквозное резьбовое отверстие, в котором устанавливается либо подпружиненный прижим, либо винт 18. Фигурный вьреэ 19 в верхней части вертикальной полки необходим для расширения угловогодиапазона рентгеносьемки, Устройство снабжено сьемной вставкой 20 с фигурным вырезом, аналогичным по назначению и выполнению фигурному вырезу 19. В корпусе 6 смонтированы подпружиненный прижим 15 20 25 30 35 40 45 50 55 21, опорная поверхность 22 которого имеет форму призмы, и фиксатор 23.Приставка работает следующим образом,С помощью винтов 3 приставку закрепляют фланцем 2 на валу гониометра, Посредством винта 7 юстируют базовую плоскость 12 приставки, совмещая ее с гониометрической осью 14....

Номер патента: 1627972

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Айрапетян, Арутюнян, Кочарян, Унанян

МПК: G01N 23/20, G01N 29/00

Метки: добротности, монокристаллов

...зависит от значения амплитуды напряжения на электродах пьезокристалла, то отношение амплитуд напряжения под логарифмом в формуле (1) можно заменить отношением интенсивностей в те же моменты времени. Если подобрать значения интенсивностей так, чтобы одно из них1 равнялось максимальному значению интенсивности, а второе 1; было бы меньше первого в е рээ, то выражение для добротности упрощается 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 а =л 1 г, (2)где г - время, зэ которое интенсивность уменьшается в е раз.Как видно из фиг, 3, минимальное значение интенсивности отличается от нуля, поэтому, чтобы получить истинные значения величин интенсивностей, надо брать разность между максимальным и минимальным 11 = 1 макс 1 мин, д также между промежуточ. ным и...

Номер патента: 1629828

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Воробьев, Гирин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, дифрактометрического, рентгеновского, текстурованных

...прц увеличении угла наклона образца, различающихся порядком отражения,110) и г 22 сг.Анализ полученных кривых текс 1) рцой записи образца показал, что преимущественная ориентировка кристаллцтов электро1629828 Формула изобретения 10 Составитель Е. Сидохина Редактор М. Бланар Техред Л. Кравчук Корректор Л Патай Закз 435 Тираж 396 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45 Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 10осажденного железа описывается интенсивной аксиальной текстурой с осью 112 и слабой ограниченной текстурой (112) (110).Количественные характеристики аксиальной текстуры с осью 112 (средний угол рассеяния...

Номер патента: 1631379

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Газизов, Гуламова

МПК: G01N 23/20

Метки: гониометрическая, приставка

...величину деформации.1 з.п,ф-лы,1 ил. изображена незаштрихованными кругами),Для установки образца 20 в приставкусжимают возвратную пружину 15, подавая держатель вперед, образец 20 придерживают между опорами 11 столика иупором 17 держателя.При отпускании держателя возвратная пружина 15, разжимаясь, толкаетдержатель назад. Образец 20, увлекаемый опорами 11, прижимается к упору17. Наличие механизма нагружения вприставке, который содержит два электромагнита 21 (на чертеже показанатолько половина механизма) и дварычага 22, установленные шарнирнона осях, позволяет создавать на образце 20 деформацию изгиба.Механизм нагружения работаетследующим образом,При подаче напряжения на обмотки электромагнита 21, подключенныепоследовательно, якоря,...

Номер патента: 1635091

Опубликовано: 15.03.1991

Автор: Хаютин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгеноструктурного, сплавов

...вычисление в функции этого отношения содержание компонентов, соответствующего скачку поглощения рентгеновских лучей.1 табл,рого один из компонентов данного сплава лежит в районе скачка поглощения. то величина а/Р" будет зависеть от состава. Поскольку в районе скачка р меняется очень сильно (в 5-7 раз), отношение интенсивности сильно зависит от состава. а именно от отношения концентраций упомянутых компонентов, Так, у двойных сплавов медь-никель на дифрактограмме в медном излучении,и 3/ра меняется от 0,75 у меди до 6,1 у никеля, а отношение интенсивностей а й)3 -линий - соответственно от 5:1 до40:1, Это позволяет быстро определить содержание никеля с точностью до 1-3 при любом составе. То же касается анализа сплавов железо - кобальт или...

Номер патента: 1636745

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Агеев, Захарченко

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр-разбраковщик, монокристаллов

...с вершиной,обраценной к опорной поверхности инаходящейся на расстоянии а от нее.При этом длина вершины меньше диамет Ора стержня, а торец стержня совмещенс опорной поверхностью. Затвор 8первичного пучка выполнен в виде полого цилиндра с двумя диаметральнорасположенными окнами у нижнего еготорца для пропускания первичного идифрагированного пучков, Затвор 8установлен внутри корпуса 3 соосноклину 7 с возможностью возвратнопоступательного перемещения вдоль 4 Оих общей оси под действием массыраэбраковщика (образца) или усилияпружины 9,Дифрактометр-разбраковщик работает следующим образом. 45Прибор приводят в рабочее состоя-+ние открытием активной части изотопаили включением рентгеновской трубкиПервичный пучок источника 1 проходитвдоль канала...

Номер патента: 1636746

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Бабенко, Захаров, Лазебнов, Минина, Райцес, Утенкова, Ценципер

МПК: G01N 23/20

Метки: коррозионной, нержавеющих, сварных, сталей, стойкости, швов

...значениями (1 Й 1) чувствительны к микро- напряжениям в кристаллической решетке. Интегральную интенсивность линии 15 (110) о -феррита нормируют на интенсивность линии (200) аустенита и устанавливают корреляционную зависимость нормированнойинтенсивности линии110) о-феррита от содержания 20-феррита, определенного магнитным или другим методами, и коррозионной стойкости. 1(оррозионную стойкость. эталонов определяют кипячением их в агрессивной среде в течение опреде ленного времени с последующим измерением потери массы за время испытания. После установления корреляционной зависимости определяют коррозионную стойкость сварных швов нержавеющих сталей. Дпя этого ренгенографируют контролируемый участок сварного шва, измеряют интегральные...

Номер патента: 1636860

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Беликова, Перстнев, Писаревский, Регель, Сизова, Сильвестрова, Турская

МПК: G01N 23/20, G21K 1/06

Метки: гидрофталатов, диспергирующих, монокристаллов, фокусирующих, элементов

...2 МПа (ось сжатия под 45 к плоскости (010.Однако при изгибе пластины с малым радиусом изгиба (100-200 мм) напряжения ,. разрушения всегда значительно ниже указанных напряжений разрушения при сжатии ( в 10 раз), так как при изгибе происходит раскрытие поверхностных трещин, которые при сжатии "задавливаются".При расколе кристалла на тонкие пластины в пластинах возникают напряженные области, которые при дальнейшем изгибе являются концентраторами напряжения, на которых происходит разрушение. Вероятность разрушения пластин из гидрофталатов при изгибе резко возрастает с уменьшением радиуса изгиба, Поэтому рассматривается только деформация изгибом пластин с малым радиусом (200 и 100 мм), Радиусы более 200 мм не являются критическими...

Номер патента: 1649397

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Жухлистов, Звягин, Кязумов, Фоминенков

МПК: G01N 23/20

Метки: косых, кристаллов, пластинчатых, текстур, типа, тонких, электронограмм

...образца вокруг нормали к плоскости препаратодержателя (крнсталла) на угол в пределах до 360 .При этом для получения. отдельных составляющих полной дифракционной картины моно- кристальную пластинку перед ее нак-,. лоном устанавливают таким образом, чтобы радиусы того или иного рефлекса оказались параллельными оси наклона препаратодержателя, и экспозицию производят при вращении кристалла на такие углы (60-180 в. зависимости от геометрии злектронограммы в перпендикулярном положении), чтобы узловые ряды от разных рефлексов одинакового радиуса не перекрывались вдоль элпипса. При неблагоприятных для дифракции условиях съемку электронограмм можно производить при вращении в меньших угловых интервалах,,и требующаяся дифракционная информа,ция...

Номер патента: 1651173

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Кшевецкий, Стецко

МПК: G01N 23/20

Метки: выявления, дефектов, кристаллов, рентгенотопографический, структуры

...С,Мигунова Корректор Н.Ревс актор О.Голова з 160 Тираж 410 одписн НТ ССС 1 И Государственного комитета п 113035, 11 ос.ква, Ж изобретениям иРаушская наб,крытиямд. 4/5 Производствснно-издательский комбинат "Патент", и. Ужгород, ул. Гагарина, 10 16511 ют вокруг вектора дифракции так, чтобы угол входа падающего пучка в кристалл был близок углу полного внешнего отражения, и фиксируют дифракционную картину на фотопленку,5 о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения искажений изображения дефектов кристаллической струк 136туры субмикронных слоев и повышениячувствительности к рельефу поверхности монокристалла, в качестве отражающих выбирают плоскости, составляющие угол разориЕнтации по отношениюк входной поверхности кристалла,близкий...