G01N 23/20 — с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения

Номер патента: 957077

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Безирганян, Кочарян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного

...ленточный пучок 1 рентгеновского излучения направляют под углом Вульфа-. Брэгга на плоский монокристалл 2. Дифрагированный. монокристаллом 2 пучок 3 рентгеновского излучения падает на клиновидный монокристалл 4. Монокристаллы 2 и 4 установлены на независимых осях поворота (не пока заны)двухкристалльного спектрометра. Дифрагированные клиновидным моно- кристаллом 4 пучки 5 и б регистрируют с помощью рентгеновской пленки. При наличии разориентации монокристаллов 2 и 4 в дифракционной картине присутствует картина муара с маятниковыми полосами.В случае идеальных кристаллов (не имеющих решеточных поворотов, растяжений и сжатий) вершины маятниковых полос должны быть расположены на центральной линии 00 отраженного от системы пучка, так...

Номер патента: 966566

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Крауя, Курземниекс, Мелнис

МПК: G01N 23/20

Метки: камере, нагружения, образцов, рентгеновской

...вовтулке квадратного сечения 7 стержнем 8. На.стержне 8 при помощи гайки 9 крепится датчик измерения усилия 10. К стержню 8 при помощи оси11 крепится неподвижный захват 12,В прикрепленной к кольцам при помощи винтов.13 колодке 1 ч вмонтированузел регулирования уровня нагружения, состоящий из траверсы 15 с винтом 16, направляющих стержней 17,втулки 18 и держателя 19, в О-образные пазы которого вставляется валик20. К траверсе 15 при помощи оси 21крепится подвижный захват 22.Предлагаемое устройство работаетследующим образом,В захватах 12 и 22 при помощи винтов 23 закрепляется образец 21,Вращение валика 20 вручную или при помощи электромотора путем передвижения траверсы с захватом в колодке11 производятнагружение образца,Вынимая валик...

Номер патента: 968715

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Копань, Рево

МПК: G01N 23/20

Метки: держатель, дифрактометра, образцов, рентгеновского

...4-5.Держатель образца рентгеновского Ы 5дифрактометра работает следующим образом (при исследовании текстуры в образце),.Кольцо 1 вращается вокруг своей осис помощью механизма 3 и ведущей шестерни 4. Вместе с кольцом 1 вращается феи образец 2. Рентгеновский луч падаетна.образец 2. Отраженный от благоприятно ориентированных кристаллических плоскостей луч попадает в счетчик дифрактометра, на самописце которого записывает ф 5ся интенсивность, После одного оборотакольца 1 поворачивают основание 8 спомощью ручки гониометра дифрактометрана определенный угол ( например, 2 )и снова записывают изменение интенсив цности отраженного луча при вращениикольца 1 на один оборот и т.д. На основе полученных данных строят лаиоснуюфигуру, Затем...

Номер патента: 976358

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Колеров, Логвинов, Скрябин, Юшин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, образцов, поликристаллических, рентгеноструктурного

...-коэффициент, линейного ослабления;суммарная интенсивность дифрагированных лучей; (6.- скорость перемещеният 5 детектора излучения;- мощность первичного пучка и (, - доля дифрагированных лучей в направлении данной интерференции 1 21,Однако для известного способа характерны нарушение фокусировки прирентгенографировании нв дифрактометре Брегга-Брентано неподвижного образца и невозможность получения колицеформула изобретения Составитель Т. рладимироваРедактор Л. Гратилло Техред И.Гергель Корректор Б. Рошко Заказ 8995/71 Тираж 887 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,5 97635В предлагаемом способе...

Номер патента: 979971

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Гитгарц, Жибарева, Ивашин, Комарова, Толстой, Цветнов

МПК: G01N 23/20

Метки: бериллиевой, бронзы, термической

...БНТ - 1,9 и БНТ - 1,9, Юг, подвергнутых старению по режимам 320 - , 2 ч и 340 - 3 ч. С помощью рентгеноструктурного анализа опре. делялась величина периода решетки выделяющейся фазы и уширение дифракционной линии(П 1) твердого раствора. Рентгенографическая съемка изделий осуществлялась на дифрактометре в СоК- излучении с применением монохроматиэации вторичного излучения и записи дифракционных линий по точкам (в режиме скани. Зф рования),Определение уширения /3 производили стандартным образом, используя как эталон такое же изделие, материал которого находился в закаленном состоянии ( в состоянии нерас. павшегося твердого раствора, у которого ширина: дифракционных линий связана лишь с инструментальными факторами). В качестве...

Номер патента: 693804

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Булатов, Долженко, Колобердян

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометра, криостат, рентгеновского

...рабочую камеру с окном для пропускания рентгеновских лучей, держатель образца, соединенный посредством блока теплоизолирующих опор с основанием корпуса криостата, рабочая камера выполнена цельнометаллической из материала прозрачного для рентгеновских лучей, например бериллйя, а окно -.в виде радиальной проточки с углом раствора не менее 180 ф на ее цилиндрической поверхности.На чертеже изображен предлагаемый криостат, общий вид.Криостат состоит иэ вакуумного корпуса 1 с окном, закрытым .бериллиевой Фольгой 0,05 мм, которая уплотняется резиновыми прокладками, основания 2, закрепленного через юстировочное устройство 3 со столом 4 гониометра дифрактометра, теплообменника 5, к нижней части которого припаяна рабочая камера б,...

Номер патента: 991272

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Богданов, Казаков, Козленков, Руднев

МПК: G01N 23/20

Метки: излучения, рентгеновского, спектрометр, ультрамягкого, фокусирующий

...излучения . содер 1 кащем микрофокусный источник излучения, зеркало полного внешнего отражения, 20 последовательно установленк яе на фокусирующей окружности диспергируюший элемент и выходная щель и детектор излучения, микрофокусный источник. излучения установлен а фокуспруюшей ок ружности, а межцу ним и циспергирующим элементом или диспергируюшим элементом н выходной щелью установлено внутри фокусирующей окрулсности зеркало полного Вненп 1 его отражения, выполненное З 0 плоским.На чертеже показана рентгеновская схема предлагаемого спектрометра,Рентгеновссоя схема фокусируюшегоспектрометра содержит микрофокусныйисто шик 1 излучения и вогнутую дифракционную решетку 2, размещенные на круге фокусировки, зеркало 3 полного...

Номер патента: 994967

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Ингал, Минина, Мотора, Мясников, Соловейчик, Утенкова, Финкельштейн

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, рентгенографического

...доби"ваются появления вторичного дифрагированного луча б, несущего скрытоетопографическое иэображение распреде.ления дефектов по облуцаемой поверхности монокристалла 5. Топографичес"кое изображение неподвижного монокристалла Фиксируют на Фотопластин-,ке 7, установленной параллельно илипод некоторым углом к поверхности мо"нокристалла 5, Проанализировав топо"графическое изображение, выбирают наповерхности объекта область, представляющую интерес для исследованияс помощью анализа Формы кривой двойного отражения . Для получения кривой5 .-9949двойного отражения от указанной об"ласти устанавливают новую фотоплас-тинку 7, повторно экспонируют ее 1,ноеще не проявляют )а затем в пучок 4вводят диафрагму 8, размер которой - 5выбирают таким, чтобы...

Номер патента: 1000868

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Ермолаев, Кваша, Манько, Назаренко, Огданский, Соловьев

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, полимеров, рентгенографического, структуры

...рассеяния (1), можно определить значения Рф, а в предположении и ( Ро)- также и относительные доли неоднородностей различного размера. При наличии упорядоченности в расположении одинаковых неоднородностеи имеет место интерференция волн, рассеяных различными неоднородностями. Интенсивность рассеяния для случаяплотноупакованной системы неоднородностей представляется соотношениемЭ=йп ф(5 Р)Я5 55 п(25 ) (,ф(25 Я) (2)Ч 2 258-4 где Я - объем всех частиц радцуса Й;Ч - объем системы;Фф)- дебаевская функция формы иразмера неоднородностей.Интенсивность рассеяния ( 2) имеет ряд максимумов Юдовича, наблюдающихся при )Р 1 равных 2,5; 5,8; ),1 и т.д, Определив значения 5, прц которых на кривой интенсивности наЯллдабтся максимумы, из...

Номер патента: 1004832

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Гусев, Петьков, Поленур

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературный, дифрактометр, рентгеновский

...защитного экрана убраны, исходя из радиуса дяфрактометра, таким дбраэом, чтобы черезкаждую секцию падаю щей н дйфрагированный пучок проходили беэ искажений. На кронштейнах трубка 1 и детектора 3 над щелями 2 и 4, Формирующими первичный и дифрагированиый пучки, установлены уст- у ройства управления 13 и 14 секциями защитного экрана 12.В качестве примера элемента управления секциями выбран постоянный магнит, Такие же магниты 15 закреплены на подвижных секциях защитного экрана 12 так, чтобы не препятствовать входу и выходу рентгеновских лучей через окно 7. Могут быть ,применены и другие элементы управл ния секциями - механического, электромагнитного типа и т.п.Камера б изготовлена из немагнит ного материала и вместе с образцом 8...

Номер патента: 1004833

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Беляев, Гущин, Ефанов, Лютцау

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, рентгеновской, топографии

...ММ, подается на монокристалл под определенным углом и каждому лучу соотнетствует определенная длина волны рент.геновского излучения, для которой 30 выполняется условие брэггонского отражения (например лучу Г - длина волны характеристического излучения источника) от данной группы кристаллографических плоскостей. Посколь ку исследуемый монокристалл ориентирован н плоскости среза так, что линия, пересечения отражающей плоскости с плоскостями параллельных щелевых диафрагм составляет с направлением щелей угол меньше 90 и больше 0 каждый дифрагиронанный луч составля- ет свой определенный угол с плоскостью первичного пучка в зависимости от угла падения первичного луча на монокристалл, и следовательно, линия пересечения НР дифрагиронанного...

Номер патента: 1010526

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Истомина, Нижник

МПК: G01N 23/20

Метки: конструкций, пластичности, ресурса, тонкостенных, элементов

...тангенциальное) образца, изготовленного путем хо 60 о 5 снятие рентгенограмм эталонных образцов и рентгенограмм исследуемогообразца и измерение количествакристаллитов основной фазы материала, формирующих ограниченнуютекстуру, снимают текстурные рентгенограммы эталонных образцов из исследуемой стали, деформированныхпри варьируемых соотношениях радиального и тангенциального компонентов деформации, строят зависимостьколичества кристаллов, формирующихцилиндрическую текстуру, от радиальной деформации и зависимость отношения количеств кристаллитов, формирующих цилиндрическую и ограниченную текстуры, от отношения рядиальной и тангенциальной деформацииснимают текстурные рентгенограммыобразца из исследуемого элементаконструкции, измеряют...

Номер патента: 1024811

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Гладких, Григорьева, Заславская, Куклин, Мелкадзе, Петров, Фролов, Чижик

МПК: G01N 23/20

Метки: величины, потенциала, среде, ультрадисперсной, химического, электрона

...обратная разФ меру частиц ", а на оси ординат " К фГотносительное изменение величины хи Ь О мического потенциала электрОна ". 2С 4 юоКак видно из приведенного графикао для частиц размером, например, 50 А относительное изменение величины хиЬ,ф,цв 1 ь.мического потенциала д = "фф= = ФЛв фф = 10, что соответствует 01=4,98 эВ и хорощо согласуется с результатами, полученными при помощи фотоэлектрон" ной спектроскопии (известный способ),по которому,О для частиц золота раз" мером 50 А составляет 5,02 эВ,Использование способа дает возмож ность изучать зависимость изменения величины химического потенциала от размера частиц на одном и том же образце путем испарения исследуемо:го материала на подложке в то время как по известному способу...

Номер патента: 1030709

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Ильинский, Кононенко, Новоставский, Подушко

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометра, юстировки

...основании 1 и суппорте 2 выполнено сквозное отверстие 3, в котором размещена с возможностью продольного перемещения полая поворотная ось 4 системы коппиматора, выполненного в виде двух соосньх капилляров 5 и 6 малой расходимости. Оптическая ось АВ соос-, ных капилляторв 5 и 6 пересекает поворотную ось 4 под прямым угпом. Коаксиапьно поворотной оси 4 на шарнире 7 установлено съемное полупрозрачное зеркало 8. На капиппяре 5 установлено съемное полупрозрачное зеркало 9, плоскость которого перпендикулярна оптической оси АВ капилляров. Условно изображен источник оптического излучения 10.Работу предлагаемого устройства рассмотрим на примере использования его дня юстировки шестикружного дифрактометра фиг. 2).Дифрактометр содержит две...

Номер патента: 1032376

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Барышевский, Данилов, Феранчук, Шадыро

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, кристаллов, рентгеноструктурного

...при двух различных его ориентациях от" носительно пуаса, и по измеренным 76 2интенсивностям определяют величинуи фазу структурных амплитуд,Способ осуществляют следующимобразом,На исследуемый кристалл направляют пучок заряженных частиц, привзаимодействии которых с периодической решеткой кристалла образуетсяинтенсивное рентгеновское излучение.При этом испускаемое частицами из"лучение имеет пики интенсивности какв угловом,.так и в спектральном распределении, образуя дифракционныйспектр кристалла, Интенсивность излучения в каждом пике пропорциональна квадрату соответствующей, структурной амплитуды, Частота излучения,сосредоточенного в этих пинах, зависит от одного из периодов решеткии угла влета цастиц...

Номер патента: 1032377

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Арсентьева, Сакун

МПК: G01N 23/20

Метки: гониометрическое, рентгеновского, спектрометра, трехкристального

...их поворота установлены напараллельных направляющих2 1.Такое выполнение укаэанного устройства дает-возможность значительно расширить углы дифракции. Однакорасположение кристаллов на значитель-ном расстоянии один от другого непозволяет испольэовать методы двулучевой дифракции,Известно устройство, в которомс целью повышения точности измерений введен второй аналогичный трехкристальный спектрометр с поворот.ными держателями для кристалла-монохроматора, эталонного кристалла и. к ристалла"анализатора.Независимое от исследуемого крис"талла положение эталона обеспечива.ет постоянную точку отсчета угловыхприращений, что позволяет исключитьинструментальные погрешности юстировки3,Данное устройство чрезвычайнотрудоемко как в изготовлении, таки...

Номер патента: 1032378

Опубликовано: 30.07.1983

Автор: Калеганов

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгенофазового

...текстувирования, 8 силу этого дифрагированное мешающей Фазой излучение бу дет только по одну сторону от на10 5 20 25 40 45 50 55 З 10правления первичного пучка - под углом 2 6 к этому пучсу. На другомвозможном направлении (-26) указанное излучение будет отсутствовать.Частицы же определяемой фазы, расположенные хаотично, будут создавать дифракционное излучение по всемнаправлениям, лежащим на поверхностидифрасционного конуса, в частности ив направлении -29, которое, следовательно, будет свободно от наложенияизлучения мешающей фазы.Рассмотрим общий случай, когдаотражающее семейство плоскостей мешающей фазы расположено под некоторым углом к плоскости текстурирования, т.е. к внешней плоскости ца"стиц этой Фазы, параллельных плоскости...

Номер патента: 1035488

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Блудилин, Гриднев, Гуревич, Журавлев, Лариков, Минаков, Трефилов

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, варианты, его, рентгеноструктурного

...регистрации слабых линий связано с поеевышением интенсивности при сохране.нии фокусировки. Таким образом,исследование быстропротекающих про-.цессов на существующих дифрактометрах практически. невозможно.Известно устройство принцип по"которого заключается в использовании вращающегося анода рентгеновскойтрубки, в то время как фокус остается неподвижным в пространстве ( 2 1,Для Фокуса обычных размеров (1 ммф)возможен выигрыш мощности .в 8 раз.Однако зто устройство конструктив"но сложно и дорогостояще,. Сложностьконструкции:определяется в основном вращающим источником излучения.Кроме того, из-Эа локального. разогрева поверхность анода после длительного использования покрывается трещинами вследствие температурной усталости металла,...

Номер патента: 1035489

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Аветисян, Безирганян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного

...причем рентгеновский пучок направляют под угломВульфа-Брэгга к выбранной системе кристаллографических плоскостей идеального монокристалла и регистрируютдифракционную картину за исследуемым монокристаллом, по которой судят о его структурном совершенстве Г 23В известном способе повышение чувствительности достигается за счетдифракционного увеличения получаемойдифракционной картины эа исследуемым объектом ( монокристаллом) с помощью более. толстого совершенногомонокристалла.Однако известный способ не позволяет исследовать незначительные нарушения кристаллической решетки исследуемого монокристалла.Цель изобретения - повышение чувствительности способа,Поставленная цель достигается тем,что согласно способу исследованияструктурного...

Номер патента: 1041918

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Бухаленко, Ильинский, Кононенко, Мантуло, Петьков, Подушко, Романова, Скляров

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометра, первичного, пучка, юстировки

...что согласно способу юстировки первичного пучка дифрактометра, заключающемуся в фиксации отклонения пучка от базового направленияи повороте источника до, совпаденияпервичного пучка с оптическимцентром дифрактометра, на кронштейне детектора устанавливают блок из5 трех линейно расположенных в экваториальной плоскости приемниковрентгеновского излучения, один изкоторых центральный. В проиэвольноьно фиксированном относительно своего кронштейна положении источниканаправляют коллимированный пучокрентгеновских лучей, лежащий в экваториальной плоскости, на центральный приемник и фиксируют на кронштейне детектора ориентацию блокатаким образом, чтобы линия расположения приемников была перпендикулярна первичному пучку, поочередноопределяют углы Уи 2...

Номер патента: 1043535

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Гильварг, Пикуз, Разин

МПК: G01N 23/20

Метки: монохроматор, рентгеновский

...что рец .тгецовский монохроматор, выполненный в виде пластины с тремя расположенными ца однойпрямой ячейками с кольцевыми выступами,расположенными ца их вцутрецней поверхности,на которых установлены кристаллодержателисо сферически изогнутыми кристаллами, отражающие плоскости которых параллельны ихповерхности, размещенными ио большой ок. 45ружности тороидалыцй поверхности, образован.цой вращением окружности Роулацда вокругоси, соединяющей источник излучения и детектор, снабжен дополнительными ячейками с:ристаллдьп 1, располокеццымц цд тороидальцой 50поверхности таким образом, что их центрысмещены относительно больигой окружцосзитороидальцой гнверхиости и изготовленнымитдк, что отраждюишс цлоаоси наклонены ких поверхности иод углм с: -...

Номер патента: 1052956

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Агеев, Гоганов, Казанский, Комяк

МПК: G01N 23/20

Метки: варианты, его, заданного, кристалла, кристаллографических, ориентации, отклонения, относительно, плоскостей, поверхности, среза, угла

...разности измеренных углов 2.5 Наиболее близким кпредлагаемомуявляется способ определения отклонения угла ориентации кристаллографических плоскостей от заданного угла относительно поверхности среза кристалла, включающий облучение поверхности среза исследуемого кристалла пучком рентгеновских лучей и регистрацию отраженных от него лучей с помощью детектора 13Недостаток способа состоит в том,что необходимо поворачивать исследуемый кристалл для лоиска отражения и нахождения углового положения его максимальной интенсивности, что существенно снижает экспрессность анализа. Кроме того, точность определения угла отклонения таким способом зависит от точности изготовления узлов, обеспечивающих поворот и определение углового поло.ения кристалла,...

Номер патента: 1052957

Опубликовано: 07.11.1983

Автор: Тузиков

МПК: G01N 23/20

Метки: биологических, исследования, кюветы, объектов, подготовки, рентгенографического

...исследования биологических объектов, включающем последовательную укладку друг на друга элементов кюветы, имеющих плоскую Форму, в том числе полимерных 55 пленок, и устанавливаемого между ними вкладыша из эластичного матерйала, равномерное стягивание элементов по периметру посредством зажимов,заполнение внутренней полости кюветы 60 исследуемой жидкой или газообразной средой, перед заполнением исследуемой средой кювету погружают в жидкость с температурой, обеспечивающей интенсивную термоусадку полимер ных пленок, на время, достаточное для завершения процесса усадки, а затем охлаждают до комнатной температуры.На,фиг.1 схематически показано взаимное расположение элементов при сборке; на фиг,2 - продольный разрез кюветы,...

Номер патента: 1057823

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Коган, Шехтман

МПК: G01N 23/20

Метки: локальных, монокристаллов, рентгенооптических, средних, характеристик

...расположении отражающихплоскостей и поверхности монокристалла. Различие в значениях параметровобласти дифракционного отражениядля монокристаллов, изогнутых поИоганну и Кошуа, и для монокристаллов, изогнутых по Иоганссону и пологарифмической спирали, объясняетсяразличными условиями сохраненияугла скольжения пучка при вращениимонокристаллов этих двух групп,Для монокристаллов, изогнутых поИоганну и Кошуа, пучок дискретносмещают в поперечном направлении,после каждого перемещения монокристалл вращают вокруг оси, проходящей через центр его изгиба, измеряют интенсивности дифра 1 ированного излучения, по ним строят дифракционный профиль и определяют егопараметры,Для монокристаллов, изогнутыхпо Иоганнсону и по логарифмической 60спирали,...

Номер патента: 1062578

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Дорошенко, Нижник, Островская, Усикова

МПК: G01N 23/20

Метки: мартенситностареющих, рентгенографического, сталей, термической

...количества аустенита (1 А) и периода его кристаллической решетки (аА) от температуры нагрева стали Н 18 К 9 М 5 Т; на фиг. 2 в . эталонные кривые зависимости количества аустени та 1 А) и ширины рентгеновской интерференции (110) Ж -фазы (р) от температуры нагрева мартенситностареющих сталей Х 12 Н 10 МТ (а) Н 18 КЭМ 5 Т б), Х 11 Н 10 М 2 Т в) .Представленные графики показывают недостаточность только одной из указанных структурных характеристик для определения режима термообработки вследствие немонотонной зависимости каждой из них от температуры нагрева. Неоднотипный характер влияния температурыпревращения на указанные структурные характеристики, но закономерная зависимость последних позволяют на основе их совместного анализа определить...

Номер патента: 1025226

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Коваленко, Лабушкин, Прокопов, Саркисов, Саркисян, Селезнев

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, кристалла, магнитных, свойств, толщине, электрических

...плоскостей, параллельных поверхности кристалла. Дифрагировавшее на кристалле излучение регистрируют полупроводниковым блоком детектирования б, Импульсы с предусилителя блока детектирования поступают на спектрометрический прибор 7,затем сформированные и усиленные импульсы с выхода прибора подаются .на вход амплитудного анализатора импульсов 8, с выхода которого сигнал поступает на мессбауэровский спектрометр ЯГРС9. Скорость движенин вибратора задается мессбауэровским спектрометром. Поглощение и излучение у -квантов происходит через определенный ядерный переход,для чего спектрометр, работающий в режиме постоянных скоростей, задает определенную скорость движения штока вибратора. Получают зависимости интенсивности дифрагировавшего...

Номер патента: 1073648

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Дутчак, Микитюк, Федышин

МПК: G01N 23/20

Метки: жидких, исследований, кристаллов, кювета, рентгеноструктурных

...жидких кристаллов с помощью рентге новской дифракции и поляризованного сВета, которая состоит из прозрачных монокристаллических кварцевых окон, закрепленных на ,вух пластинах, которые установлены в алюминиевом кор пусе. Зазор между пластинами уплотняется резиной, смазанной высоковакуумной кремниевой смазкой и составляет 0,5 мм. Кювета имеет приспособление для вращения одной из пластин, 40 а также для жидкостного нагревания или охлаждения вещества 3 .Наиболее близкой к предлагаемой по технической сущности является кювета для рентгеноструктурных исследований жидких кристаллов, состоящая из корпуса с отверстием в верхней части и рентгенопроэрачных окон 4 .Недостаток известной кюветы состоит в том, что она не может быть применена для...

Номер патента: 1081490

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Алавердова, Коваль, Михайлов, Фукс

МПК: G01N 23/20

Метки: деформации, системах, упругой, эпитаксиальных

...предварительнопроизводят его стандартную юстировкуи находят отражение с углом Ю , близким к 45 о. Затем вращением образцавокруг главной оси гониометра при неподвижном счетчике (ш - сканированиепредварительно находят максимум интенсивности отражения от плоскостей(Ь;,К;,1-) подложки, После этого передсчетчиком устанавливается узкая щельи вращением счетчика при неподвижномобразце определяют положение, соответствующее максимуму интенсивностирассеяния. При большой ширине кривойкачания, обусловленной неоднородностью межплоскостных расстояний, принеподвижном счетчике с узкой щельюрегистрируют кривую качания и по положению ее максимума определяют уголповорота образца, соответствующийустановленному положению счетчика.Такая схемка позволяет...

Номер патента: 1081491

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Биктимирова, Варфоломеев, Вахитов, Гимаев, Новоселов

МПК: G01N 23/20

Метки: качества, углеродного

...изобретения - повышение точности контроля углеродных материалов,Указанная цель достигается тем,что согласно способу определениякачества углеродного материала,включающему термообработку образцапри 1600-2500 С, облучение его пучком рентгеновских лучей, регистрацию одного из дифракционных максимумов (ООФ), производят регистрациювыбранного дифракционного максимума,по крайней мере, при двух температурах ниже температуры термообработкиобразца, измеряют интенсивность мак- .симумов при каждой температуре иопределяют качество углеродного материала сопоставлением найденногоиз измерений для образца термического коэффициента интенсивности отражения (00) с таблицей его соответствующих значений для эталонов.Способ осуществляют следующим...

Номер патента: 1081492

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Жигулина, Надеждин, Пархоменко, Цыбулев

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, продуктов, реакции, рентгенографического, твердое, тело-газ

...позволяет 40изучать реакции типа "твердоегаэ"в интервале температур от комнатнойдо 1200 С 21.Недостатком известного устройстваявляется низкая достоверность резуль татов рентгенографического анализапродуктов реакции "твердое - газ",обусловленная тем, что изучаемыереакции идут главным образом в поверхностном слое запрессованногов кювету образца, и возникающий приэтом градиент концентраций искажаетрезультаты анализа.Целью изобретения является повышение достоверности результатоврентгенографирования продуктов реакции "твердое тело - газ",С этой целью в устройстве длярентгенографического исследованияпродуктов реакции "твердое тело -гаэ", включающем основание с флак- . 60цем в нижней части, соответствующимпосадочному гнезду на торце...