Патенты с меткой «поликристаллической»

Способ припаивания титановых токовводов к оболочке из поликристаллической окиси алюминия газоразрядных ламп высокого давления с парами щелочных металлов

Загрузка...

Номер патента: 251089

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Коркина, Яковлев

МПК: H01J 9/32

Метки: алюминия, высокого, газоразрядных, давления, ламп, металлов, оболочке, окиси, парами, поликристаллической, припаивания, титановых, токовводов, щелочных

...керамической трубкой; на фпг. 2 - лампа, изготовленная по предлагаемому способу.25 Детали, соответствующим образом промытые н предварительно отожженные в вакуумепомещают в кварцевую ампулу 1 так, как показ ано н а фиг, 1.Вольфрамовый электрод 2 з30 отверстии титанового колпачкагорячей посадки или, что попроще, заклинивают в отверстии несколькими ударами кернера вокруг электрода. Керамическую трубку 4 вставляют в колпачок 3 так, что между ними обеспечивается скользящая посадка третьего,класса точности.В кольцевой конический паз между колпачком и трубкой, помещают кольцо 5 припоя (медь или никель). На дне колпачка рас,положена плоская прокладка б из того же материала, что и кольцо припоя, служащая для уменьшения взаимодействия паров...

Способ растворения спеченой поликристаллической и монокристаллической окиси алюминия

Загрузка...

Номер патента: 574392

Опубликовано: 30.09.1977

Авторы: Зорина, Пронкин

МПК: C01F 7/02

Метки: алюминия, монокристаллической, окиси, поликристаллической, растворения, спеченой

...Растворение наВески полпкрнсталлическоп окиси ал 5 омннп 5 проводят при температуре 280 в 3-С ь течение от 40 до 300 мин. Растворение наьески ыонокристаллической 0 елси а;)5055 пня проводят прп температуре 385"С ь тсчсн)5 с 12 ч.Дл 5 Изу)снн 5 ИроцсссОВ, пронсхо;),ящ)5 х В газоразрядной труокс из по;шкрнсгал;шчсской или ь)онокриста)г)ическои Окис) лОм)5- ния, которая применяется В нронзВОдстВО натриевых ламп высокого давления, необходимо растворение различной степени,П р и м ер 1, Растворение проводят прп оптимальной температуре 385 С В течение 40 мин, прп этом труока пз полкриса)55- ческой окиси алюминия раствор 55 стс) полностью - это неооходнмо для полного хиэшчсского анализа. Производя растворение при температуре 300"С и изменяя...

Прозрачная трубка из поликристаллической окиси алюминия

Загрузка...

Номер патента: 651686

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Исао, Масаюки

МПК: C04B 35/111, C04B 35/115

Метки: алюминия, окиси, поликристаллической, прозрачная, трубка

...у-гпинозема, имеющего чиототу выше, чем 99,0 вес.% я размер зерен меньше чем 1,бм средний размер зерен 01,4 м):- обработка дпя получения требуемых размеров в соответствии с применением;пропнтка нитратным раствором посредством однородного покрытия трубы за исключением концевых частей, при которой состав нятратного раствора подбирают таким образом что конечный продукт в средней части содержит 0,05 вес,%МрО;005 вес.% СО и 0,1 вес.%Ов АО О,;.Подученная прозрачная труба из по ликристаппического глинозема имеет средний размер зерен кристаллов окопо 35 Д м в средней части и окопо 7 а м в концевых частях, Как можно видеть иэзависимости междуразмером зерен и прочностью на сжатие трубы, послед няя составляет примерно 1500 кг/см2 в...

Способ определения толщины поликристаллической пленки, возникающей при обработке монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 949439

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Лобова, Райхельс

МПК: G01N 23/20

Метки: возникающей, монокристалла, обработке, пленки, поликристаллической, толщины

...рентгеновских лучей Йотмонокристаллов МаС с различйойплотностью дислокаций р , где кри-,вые.1,2 и 3 относятся к излучениямМоК и рефлексу (600), СцКи рефлексу (400) и РеК, рефлексу(200) соответственно. П р и м е р. Из различных монокристаллов МаС 1 выращенных методомКиропулоса на воздухе, выкалывают поспайности (100 образцы размером 20 х 20 х 10 мм. С помощью травления на дислокации подбирают образцы с различной плотностью дислокаций Я Изменение величины Р от образца к образцу выбирают в диапазоне от 10 см до 10 см . На этих.монокристаллах измеряют значения интегрального коэффициента отражения рентгеновских лучей Й, Такие зависимости получают для излучений МоК 11, рефлекс (500) 1 СцКЯ 1 рефлекс (400). и РеК,урефлекс (200) .Из...

Способ обработки поликристаллической керамики

Загрузка...

Номер патента: 1635488

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Имаев, Кайбышев, Мусин

МПК: C04B 35/00

Метки: керамики, поликристаллической

...в течение 10 ч в атмосфере кислорода (Рог = 1-2 атм) при 900 С, после чего печь охлаждают до 400 С со скоростью 1 град/мин. Далее заготовку выдерживают при 400 С в течение 5-6 ч. затем печь выключают и охлаждают до комнатной температуры.После указанной термообработки сверхпроводяшие свойства восстанавливаются: переход в сверхпроводящее состояние как и до деформации происходит при 94 К,Примеры выполнения предлагаемого способа по сравнению в прототипом представлены в таблице.Обработка керамики сверхпроводящего состава по режимам прототипа невозможна, образцы имеют трещины. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ при обработке керамики состава тВаКцз 07.деформирование ведут на воздухе при температуре 0,86 - 0,99 температуры ее плавления,Условия деформации...

Способ получения поликристаллической заготовки

Номер патента: 695061

Опубликовано: 10.09.1999

Автор: Худяков

МПК: B22F 1/00, B22F 3/14

Метки: заготовки, поликристаллической

1. Способ получения поликристаллической заготовки, включающий формование заготовки и последующее спекание, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости, спеченную заготовку подвергают термомеханическим напряжениям, бомбардируют ее атомами гелия энергией 50 - 1000 эВ и воздействуют на нее ионизирующими излучателями, а затем заготовку дробят в порошок, полученный порошок прессуют взрывом и отжигают при всестороннем сжатии при температуре 0,3 - 0,5 температуры плавления материала заготовки.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что воздействие ионизирующими излучателями осуществляется электронами энергией 1 - 50 МэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что...

Способ изготовления поликристаллической заготовки

Номер патента: 703971

Опубликовано: 10.09.1999

Автор: Худяков

МПК: B22F 1/00, B22F 3/14

Метки: заготовки, поликристаллической

1. Способ изготовления поликристаллической заготовки, включающий распыление расплавленного материала со скоростью охлаждения 102 - 1010o К/с и выдержку полученного порошка в атмосфере гелия под давлением 5 - 500 кбар, отличающийся тем, что, с целью уменьшения работы выхода электронов и ионов, повышения пластичности и химической активности материала, в процессе выдержки порошка в атмосфере гелия его подвергают дополнительной обработке, а на полученную заготовку воздействуют ионизирующим излучением.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что дополнительную обработку осуществляют путем нагрева порошка до температуры 0,1 - 0,6 температуры плавления...