G01N 23/20 — с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения

Номер патента: 1376015

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Белецкая, Конев, Рубцова, Филиппов

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, количественного, рентгеноструктурного, фазового

...повышением Б до 40 кВ вклад Б, в Ир возрастает с 20-30 (9 = 10 ) 45 до 70-80% (.Я = 124,5 ). В последнем случае для образцов, содержащих кальций и железо, Бд и И больше Б, в 2-4 раза. Наблюдается зависи сц т. са мость соотношения Б Б ЫигеМ от аппаратурных условий эксперимента и химического состава излучате ля, В соответствии с предварительно полученными данными, при экспериментальной проверке предлагаемого способа использовали дифференциальный и55 интегральный режимы работы ААИ. В первом .случае при нижнем уровне Ь, равном 5 В, и ширине ЬЧ канала 11 В регистрируется преимущественно И,СчСц т во втором (Чц = 5 В) - сумма И, + И,.Выбор оптимального угла 00 для измерения интенсивности фона И вы 9 полняют с использованием искусственных...

Номер патента: 1376016

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Днепренко, Кац, Лариков, Оберемок, Петьков, Ципин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометрического, рентгеновского, текстуры

...при поворотахобразца вокруг первой оси м определяется выражением(8) 25Как следует иэ (8), величина 5 неизменяется при поворотах образцавокруг осей текстургониометра.Изменение задания времени рентгеновской экспозиции осуществляет блокб управления, который выставляет.при каждой рентгеновской экспозициизадание времени рентгеновской экспозиции на программируемый таймер 5в соответствии с выражением (3).35 Регистрацию дифрагированного рентгеновского пучка в каждом дискретномположении образца относительно обоихгониометрических осей в течение времени рентгеновской экспозиции осуще ствляет блок 4 регистрации рентгеновского излучения по командам .про,граммируемого таймера 5При этомвходную щель детектора блока регистрации рентгеновского излучения...

Номер патента: 1225358

Опубликовано: 30.03.1988

Авторы: Бондарец, Зеленов, Лейкин, Мингазин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристалла, неоднородностей, площади, распределения, структурных

...6, а дифраги"," рованный пучок попадает во входное окно детектора 7. Регистрируемый де- тектором сигнал преобразуется и уси-, ливается в интенсиметре 8 и поступает в блок .сравнения системы 9 управления. В блоке сравнения зарегистрированный сигнал 1, сравнивается с дву" мя заданными пороговыми величинами 1, и 1 , где 1, соответствует интенсивности дифракции от структурно совершенного участка монокристалла, а 1 - интенсивности дифракции от участка .монокристалла с заданной плотностью дефектов структуры. В зависимости от соотношения уровня сигнала 1 и пороговых значений 1, и 1 сис-. тема управления вырабатывает команду,задающую режим работы пишущего органа двухкоординатного записывающего узла 10.Исследуемый монокристалл горизонтально...

Номер патента: 1390550

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Месропян, Ростомян

МПК: G01N 23/20

Метки: резонатор-монохроматор, рентгеновский

...резонансной волны, которая определяется ориентировкой монокристаллон 1 и 2,Для получения днухкратной циркуляции пучка длина отражающей поверхности должна быть увеличена и, крометого, на линии выхода луча 5 из резонатора после первого цикла должна быть удалена часть блока 1.1, тем самым образовав свободный выход. Частьпучка по высоте, совершая один цикл, выходит из резонатора, а остальная часть выходит после второго цикла,Для обеспечения работы реэонато" ра юстировка кристаллов-монохромато" ров производится в следующей последовательности. На столик внешнего.гониометра основанием вверх ставитсякристалл 1. Грубым поворотом находится положение кристалла 1, при котором имеет место отражение рентгеновских лучей от первого блока кристалла 1....

Номер патента: 1396022

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Калышенко, Колеров, Логвинов, Мишин, Скрябин, Юшин

МПК: G01N 23/20

Метки: гониометр

...размещены детектор 13 и щелевое устройство 14, формирУющее 25 дифрагированный пучок лучей. Для управления шаговым приводом применяется Вычислительная машина с таймером,Гониометр работает следующим образом.Предварительно производят его юстировку, заключающуюся в совмещении.фокуса источника излучения, коллимационного устройства, рабочей плоскости столика 10 держателя 9 образцов, щелевого устройства 14 и детектора 13 35 с осью гониометра, положение которой определяется общей осью валов 5 и 6. Это достигается поворотом последних и перемещением столика 10 держателя 9 образцов перпендикулярно пучку. По ворот вала 5 производят с помощью шагового привода держателя образцов, а вала б - при включении привода крон: - штейна 11 детектора 13...

Номер патента: 1396023

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Денисов, Зельцер, Коряков, Сеничкина

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры

...совместно с таймером 51 преобразует последовательность поступающих импульсов в двоичный код, пропорциональный скоростисчета и через интерфейс 48 выдаетэтот код на ЭВМ 47, которая через интерфейс 48 осуществляет управление иобмен информацией с устройствамиблока 46. Управляощие сигналы и информационные коды, поступающие от ЭВМ47 через интерфейс 48 в устройство49 управления, преобразуются в нем внапряжения, необходимые для управления гониометром 10, на котором установлен кристалл-монохроматор 8.ЭВМ 47 сравнивает текущее значение интенсивности рентгеновского от -ражения от кристалла-монохроматора 8(1 ) со значением интенсивности от 1ражения лри точном брэгговском положении кристалла-монохроматора 8 (18 ),(лри О значение интенсивности...

Номер патента: 1396024

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Дорошенко, Нижник, Островская, Усикова

МПК: G01N 23/20

Метки: мартенситностареющих, пластичности, рентгенографического, ресурса, сталей

...так и обратмного аустенита (фиг. 4 и 5) .Остаточный аустенит (правая ветвькривой Г -Т, фиг, 2) сохраняется призакалке в структуре мартенсита охлаждения и так же, как и мартенсит охлаждения характеризуется резким повышением уровня изменения ширины рентгеновских интерференций, При этом сростом количества остаточного аустенита г постоянная его кристалличесАкой решетки а, увеличивается (фиг,4и 5), а постоянная кристаллическойрешетки мартенсита ац уменьшается(фиг. 4 и 5). Для мартенсита охлаждения хар актер на слаб ая з ави симо с тьА от 1 А, Закономерный характер связи ам ( Рм) и аА ( 6) для обратного и остаточного аустенита подтверждается данными электронно-микроскопического анализа, выявляющего различную микроструктуру аустенита...

Номер патента: 1322796

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Инденбом, Каганер

МПК: G01N 23/20

Метки: микродефектов, монокристаллах

...в объеме, исследуемого монокристалла , а именно их концентрации, типа н размеров. Способ реализуется нв двухкристальнойрентгенотопбграфической установке.Исследуемый монокристалл облуМаютпучком рентгеновских лучей, коллимироввнным при асимметричном отрааенииот кристалла-монохромвтора. Монокристалл отклоняют от полоаения, соответствующего максимуму кривой отрмения,на угол 1 у60/Е 2 (е+2 Й)-1 ф,где 6 9 - полуаиринв динамическойкривой отрааения исследуемого крас .талла; й - толцина кристалла; Еглубина рвсполоаения исследуеваюх дефектов. Такое отклонение кристаллапозволяет осуществить интерфереицивроаденных при рассеянии нв дефектеволн с опорными волнами идеальногокристалла и получить интерфереиционное изобравение дефекта. 1 ил.1322796...

Номер патента: 1322797

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Инденбом, Каганер, Кушнир

МПК: G01N 23/20

Метки: микродефектов, монокристаллах

...перекачиваясь иэ одной волны в другую и обратно по мере распространения волн вглубь кРисталла (маятниковые колебвння интенсивности). Поэтому 45 диффузная составляющая в дифрагироввнном пучке, определяемая рассеянием проходящей волны на дефектах исследуемого кристалла и регистрируемая после отражения от кристалла-ана лнэвторв 4 детектором 5, уменьшается, Недостающая часть интенсивности определяется рассеянием дифрвгированной волан в диффузную составляющую прохщящего пучка н регистрируется после 55 отвааения от кристалла-анализатора 4 детектором 6. Вращение исследуемого рнствлла 3 и криствлла-анализатора 4 позволяет исследовать распределение 97 2 нн г нспнногти диффуэно рас еянх вол д зависимости от величины и напрал ння переданного...

Номер патента: 1402872

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Иванченко, Новоставский, Петьков

МПК: G01N 23/20

Метки: камера, крупнозернистых, рентгеновская, съемки

...вертикальном валу 42 с возможностью радиального смещения центра его профиля5для изменения угла колебания кронштейна 43 с роликом 44, которое приводит к изменению амплитуды колебанияобразца 11. Червячный редуктор привода 3, состоящий из колеса 46 и червяч ка 47, приводится в движение двигателем 48,Рентгеновская камера для съемкикрупнозернистых материалов работоет следующим образом. 15Привод 3 с механизмами 23 вращенияколебания и качания образца1 поворотом на платформе 2 корпуса привода3 вокруг пальца 12.ось которого совпадает с осью 0, устанавливают так, 20чтобы уголмежду торцовой поверхностью держателя 24 образца 11 в горизонтальной плоскости и осью 0 соответствовап углу, необходимому для косыхсъемок (например, 45). Исследуемыйобразец...

Номер патента: 1402873

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Казимиров, Ковальчук, Чуховский

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного

...от его положения, соответствующего максимуму интенсивностидифрагированного им излучения, отраРженный от исследуемого образца пучокнаправляют на кристалл-анализатор подуглом к его поверхности, большим Вз,выделяют диффузный максимум и измеряют его интегральную интенсивность,из акоторой находят относительную величину дефектной области исследуемогокристалла, 5 ил,1402873 разца первого и второго типа соответственно. ф о р м у л а изобретения Способ исследования структурного совершенства монокристаллов, заключающийся в том, что рентгеновский пучок от источника направляют на 10 кристалл-монохроматор, установленный под брэгговским углом 0 = 9 в, отраженный от первого кристалла пучок направляют на исследуемый образец, повернутый на заданный...

Номер патента: 1402874

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Голуб, Корнев, Михайлов

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометра, монохроматизации, рентгеновского

...ось которого лежит в горизонтальной плоскости. Первичный пучок падает на первый фокусирующий кристалл-монохроматор блока 5. Блок 5 первого фокусирующего кристалла-монохроматора путем поворота его держателя б вокруг оси, перпендикулярной плоскости платформы 3, устанавливается так, что между осью первичного пучка рентгеновского излучения и касательной, проведенной к центру первого 4 юкусирующего кристалла-монохроматора блока 5, образуется угол 6 , где 6 - угол Брэгга. При отражении первичного пучка от цилиндрической поверхности первого кристалла-монохроматора блока 5 происходит его монохроматизация и 4 юкусировка в плоскости, перпендикулярной его образующей, При этом угол между осями первичного и отраженного пучков составляет 29,...

Номер патента: 1409904

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Бабенко, Бражевский, Ежова, Мищенко, Плотников

МПК: G01N 23/20

Метки: длинномерных, изделиях, качества, покрытия

...процесса и покрытием кон-" трольного образца и/или эталона. Установленные взаимосвязи размеров блоков и микроискажений на эталонных образцах с термоЭДС позволяет контролировать динамику изменения этих параметров, определяющих качество покры" тия в допустимых пределах.Измерение разности термоЭДС этало на и контрольного образца устанавливает начальное состояние покрытия изделия, а последующее изменение разности термоЭДС покрытия изделия и контрольного образца показывает ход 45 технологического процесса и необходимость его корректировки.Пример осуществления способа.Предлагаемый способ контроля качества покрытия реализуется при конт роле медной никелированной проволоки ,диаметром 0,26 мм. Никелевое покрытие толщиной 6 мкм наносят в...

Номер патента: 1413492

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Алексеев, Курбаков, Трунов

МПК: G01N 23/20

Метки: мозаичности, монокристаллов

...штриховой линией нанесено значение интегрального коэффициента отражения для модели идеального кристалла (Йпр,); (Я, - экспериментальное значение интегрального коэффициента отражения, 20 х - координата сканирования расстояния по кристаллу в направлении, перпендикулярном направлению падения у-пучка; на фиг. 2 - зависимость интегрального коэффициента отражения К, от места прохождения р-пучка через образец для рефлекса 25 (110) на пластине кварца2, размерами ЗОХ 50 К 8 мм", боковая грань которой размерами 8 ХЗО мм совпадает с плоскостью (110); на фиг. 3 - универсальная зависимость интегрального коэффициента отражения (И;) , от отражательной способности кристалла Й,; на фиг. 4 - расчетные зависимости интегрального коэффициента отражения...

Номер патента: 1413493

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Багдасарьян, Безирганян, Мартиросян

МПК: G01N 23/20

Метки: изменений, полимерах, растянутых, структурных, тонких

...2 изображена рентгенооптическая схема предлагаемого способа.На чертежах обозначены М, А - зеркальный и анализирующий блоки. Р - образец - растянутая пленка полимера, Х - пучок рентгеновских лучей, Р - экран или фотопленка, 0 - ось растяжения.Способ осуществляют следующим образом.Рентгеновский пучок, падая на первый кристаллический блок под углом Брэгга, расщепляется на два пучка - проходящий и дифрагированный, которые дифрагируют во втором блоке М и складываются у входной поверхности блока А, образуя интерференционную картину - муаровые узоры на экране т". Помещение на пути одного из дифрагированных пучок растянутой пленки приводит к смещению муаровых полос. Измерив смещение, находят о - декремент показателя преломления рентгеновых...

Номер патента: 1420491

Опубликовано: 30.08.1988

Авторы: Агеев, Гоганов, Захарченко

МПК: G01N 23/20

Метки: макронапряжений, рентгенографического

...8,а для фиксации устройства в рабочемположении - держатель 12,Устройство работает следующим образом.,С помощью держателя 12 устанавливают контрольную плоскость 13 платформы 3 параллельно плоскости образца 11 и соьмещают ось 0 дифрактометрического устройства с поверхностьюобразца 11 используя индикатор 7 сизмерительньы щупом 8 Источник 1 ус"танавливают в парные отверстия 9 наплатформе 3, имеющие например, маркирОВКУ пРЕ". В.зтОМ СЛУЧаЕ УГОЛ МЕждуисточником 1 и неподвижно установленным на платформе 3 1 ТЧ-детектором 2оравен 2=180 -6где 6- уголВульфа Брегга для излучения источника и выбранного Оптимального отражения ЬИ.) исследуемого материалаРе),Фиксатор 6 устанавливают в однночь ое сквозное Отвепстие ".,0 с аналогич нОЙ маркировкой е Угол...

Номер патента: 1420492

Опубликовано: 30.08.1988

Авторы: Безверхий, Игнатова

МПК: G01N 23/20

Метки: вяжущих, свойств

...графикам, которые строили по данным, полученным на эталонах-образцах, для которых коэффициент качества был найден независимым методом, и найденным 45 по рентгенограммам интенсивностям линий СаО, СаБО, БдО, вычисляя значения отношений интенсивностей .Л СаО 3 СаБОДля расчетов К ис 50 пользовали также формулы, выражающие зависимость в аналитическом виде; К = 1,25 . + 0,853 (СаО)3 10 илиК = 1,833 . + 0,8..7 (СаБО )2При.съемке и обработке рентгенограмм пробы эолы от сжигания бурого угля интенсивность линий СаО, СаБ 04, БО составила Л(Са) - 70 мм, .7(СаБО ) - 47 мм, 3(Бз.О) - 130 мм, а отношения- 0 54ТТЙТо 7 3 (СаБ 04)У БТо,ТСогласно найденным значениям отношений коэффициенты качества К (для контроля по СаО) и К (для контроля по СаБО) равны...

Номер патента: 1430841

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Воробьев, Крупоткин, Финкель

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллической, параметров, решетки, твердых, тел

...предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к физикетвердого тела, в частности к устройствам для определения параметровкристаллической решетки, используемых 5при рентгеноструктурном анализе твердых тел в магнитном поле..Цель изобретения - увеличение точности определения параметров кристаллической решетки образца за счет увелияения допустимых углов дифракциипри вращении магнитного поля относительно горизонтальной оси, перпендикулярной отражающей поверхности об"разца. 15На чертеже изображена конструкцияустройства.Устройство содержит С-образныйсердечник 1 с обмотками 2, подсоединенными к блоку питания, держатель 20образца 3, помещаемый в отверстие,выполненное в центральной части сердечника 1, прижимную...

Номер патента: 1434337

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Задорожная, Костылев, Семериков, Славов, Хачпанян, Щипакина

МПК: G01N 23/20

Метки: белизны, покрытия, эмалевого

...образец из белой титановой эмали данной партии и рентгенографически определяют в нем соотношение фаз анатаза и рутила. Затем снимают рентгенограмму образца грунта. Еслиотношение интегральных интенсивностей дифракционных линий1 . ра йп = 3 3431считается кварцевым и определение белизны получаемого покрытия производятпри помощи линии 1 номограммы. В противном случае грунт считается кианитовым и определение белизны произво 50дят при помощи линии 11.Если белизна находится в областях 1-3, производят воздействие на технологические параметры (темп55 плавки и обжига, химический состав) с цепью псгадания н области 4-5 поиограммы. Затем по фотоэлектрическому прибору определяют КДО данной партии эмали и при помощи его контролируют белизну...

Номер патента: 1436035

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Бельтек, Охрименко

МПК: G01N 23/20

Метки: держатель, дифрактометра, монокристаллов, рентгеновского

...4. Это достигается при юстировке дифрактометрас помощью контрольного слитка монокристалла. Затем на держатель помещают слиток монокристалла 16,(фиг.2 и 31. Слиток монокристалла 16касается своей образующей фрикционныхроликов 4, образующая которых соэпадает с осью рентгеногониометра. Одновременно слиток монокристалла 16 давит на колеса 15 и посредством связей колесо 15 - ось 11 - рычаг 10,13 заставляет рычаги 1 О и .33 повернуться вокруг вала 2. В то же время, при повороте рычагов 10 и 13 вокруг ала 2, рычаги 12 и 14 поворачиваются вокруг осей 9 и опускаются вдоль оси 3 посредством связей рычаги 12 и 14 - ось 9 - упор 5 - ось 3. В то же время пружина б, которая подпружинивает упор 5, препятствует движению рычагов 12 и 14 вниз, что, в...

Номер патента: 1436036

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Абовьян, Акопян, Безирганян, Григорьян

МПК: G01N 23/20

Метки: параметров, поликристаллических, решетки

...поглощения рентгеновских лучей веществом, Естественная энергетическая ширина К-уровня главного края поглощения некоторых элементов, материалы из.которых могут быть использованы в качестве поглотителя (например, элементы с атомным номером Е 24), составляет несколько электронвольт,При дифракции соответствующее уг" ловуе разрешение составляет порядка 10 рад. Искажения углового положения провала интенсивности.на дифрагированном фоне, обусловленные геометричес-кими параметрами для конкретной рентгенооптической схемы (как и в обычных случаях регистрации детектором или фотометодом), могут быть учтены и занижены практически до уровня рсходимости падающего излучения (10-10 рад), Использование в качестверегистрирующего элемента...

Номер патента: 1441280

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Клемпнер, Мокроусов, Шамшин

МПК: G01N 23/20

Метки: датчика, двулучевого, настройки

...удовлетворяющее соотношению В = (0,40 -0,46)Ь;устанавливают детектор излучения надлентой конвейера на высоте Н, удовлетворяющей соотношению аН = (1 0 - 2 2)АяксиУ УВизменяют наклон коллиматора второго источника в плоскости расположения осей детектора и обоих источников до положения, при котором скорость счета излучения от второго источника, рассеянного пустой лентой конвейера, максимальна, и Фиксируют это положе" ние; измеряют скорость счета,от второго источника при минимальной и максимальной толщинах слоя угля на ленте конвейера) устанавливают первый источ1441280 ник соосно с детектором излучения иизмеряют скорость счета гамма-излучения от этого источника при минимальной и максимальной толщинах слоя угля,например, закрыв коллиматор...

Номер патента: 1441281

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Волков, Головкин

МПК: G01N 23/20

Метки: двухкомпонентной, равновесного, системе, состава, фазы

...для удобства сопор а(К)хКц - рТ РКщаТкдП р и м е р. Берут 5,9112 г Ч Оэ и 0,0883 и Иа СО, что соответствует 2,5 мол.7, Иа О, тщательно перетирают6их и отжигают при 500 С в течение 100 ч с дополнительным трехкратным перетиранием и получают таким обра" зом образец Р. Аналогичным путем получают образец Я из 5,6080 г 7 О и 0,2650 г Ма СО, соответствующий 7,5 мол.7, БаО, Снимают с помощью рентгеновской установки "ДРОН" с использованием СиК,излучения диФрактограммы отожженных образцов Р и Я, Выбирают на них дифракционные максимумы диванадия пентаоксида (фаза А), отвечающие углам отражения В=10,18 и 0 = 10,89 и неизвестной Фазы х), отвечающие углам отражения 6 =6,16 и 0=14,63 и измеряют их приведенные интенсивности.Результаты измерений...

Номер патента: 663216

Опубликовано: 07.12.1988

Автор: Захаров

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, облучаемых, образцов, рентгеновского

..." каййя пучка быстрых частиц, его криИзлучейия и рентгеновских лучей, нап- оСтат снабжен колпаком, герметичноример из тоикого бериллия, неприемле". - закрывающий держатель образца а35Умо из-за малости пробега ионизирую- внутри каждого корпуса смонтированщих частиц, которые не пробивают эти. механизм установки и снятия колпака,"окн:,"На чертеже изображено предлагаемоеИзвесген также рентгеновский диф- устройство,рактометр для исследования"матерна-устройство для рентгеновского ис 40лов, подвергнутых деформации и облу" следования облученных образцов состоитчению при низких температурах,"-содер" из геллйевого криостата 1 с держатежащий рентгеновскую трубку, гониометр, "лем образца 2, закрепленным на егоакууйную камеру, детектор...

Номер патента: 1453277

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Петьков, Подорожный, Ципин

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературная, дифрактометру, камера-приставка, рентгеновскому

...используется гальваномагнитнорекомбинационний преобразователь,.типаГРИ, Возможно использование такжемагнитодиодов и преобразователейХолла.Выход избирательного усилителясоединен с входом детектора 40, авыход детектора - с входом интегратора 41. Выход интегратора 41 подключен к входу автоматического устройства афпг регулирования температу"ры образца, к которому присоединеннагреватель 5.Резисторы 31 - 33, генератор 34,дифференциальный усилитель 35, детектор 36, избирательный усилитель37, детектор 40 и интегратор, 41 расположены и блоке измерения температу.ры образца, расположенном отдельновне камеры высокотемпературной ка-меры-приставки.Генератор.34, дифференциальныйусилитель 35, детектор 36 и избирательный усилитель 37 собраны на...

Номер патента: 1456857

Опубликовано: 07.02.1989

Автор: Лидер

МПК: G01N 23/20

Метки: двухкристальной, рентгеновской, топографии

...пучки ввиду того, что последний не попадает на фотопластинку,Если фотопластинку располагают параллельно выходной поверхности образца, в горизонтальной плоскости (плоскости дифракции) может возникнуть размытие изображения за счет того, прямой пучок не перпендикулярен фотоэмульсии. Величина такого размытия Г определяется из соотношения= Д с 8(ц. ) а з 1 п(8+с ) ъ П з 1 п(8- ) з 3.п(6+ 4,),Составитель Т.Владимирова Редактор В.Петраш Техред А.Кравчук Корректор Л.Патайте тЗаказ 7546/42 .Тираж 788 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 14568 метода) за счет сокращения...

Номер патента: 1467472

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Ошкадеров, Петьков, Приходько, Телевич

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературная, камера, рентгеновская

...с осью каме ры, и компенсацией его удлинения,возникающего за счет термического расширения образца На основании 1 и (крысихе 3 размещены электрические выводы для подвода к образцу через гал,лиевые ванны 18 и плавающие контакты21 и 22 переменного напряжения, например 0"5 В (выводы не показаны). Составные части камеры собраны черезгерметичные уплотнения из вакуумной резины.Детектор 6 в обойме 7 через сильФонное уплотнение 23 введен внутрькамеры 2, Детектор содержит волокон-но-оптическую пластину 24, на вогнутуюсферическую поверхность которой нанесен осаждением рентгеночувствительный слой, образующий экран - преобразователь 25 дифрагированного рентГеновского излучения в Видимый свет.От теплового излучения образца экранпреобразователь...

Номер патента: 1469401

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Инденбом, Точилин, Циглер

МПК: G01N 23/20

Метки: дефектов, исследования, кристаллов, электронно-оптического

...дифрагированных пучков идиффузного фона с глубиной модуляции о. Полученное электронно-оптическое иэображение преобразуют ввидеосигнал, который подвергают синхронному усилению и детектированиюна частоте модуляции сигнала управления объективной линзы 3. Полученный сигнал обычным путем преобразуютв изображение структуры образца, которое регистрируют, например, на фотопленкеП р и м е р. Исследования проводились на электронном микроскопе сускоряющим напряжением 100 кэВ наообразце кремния толщиной 200 А припросвечивании вдоль кристаллографического направления 1113. Диафрагмирование осуществлялось с использованием кольцевой диафрагмы с внутренним диаметром отверстия 0,2 Ьи наружным диаметром отверстия 17 Ь,где Ь - параметр обратной...

Номер патента: 1469402

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Бабенко, Бражевский, Григорьев, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: восстановления, концентрата, молибденового, степени

...Основным технологическим критерием оценки качества металлизованного молибденосодержащего концентрата - легирующего материала является остаточное со 50 держание кислорода в продукте, т.е, степень его восстановления. Наличие повышенного содержания кисльрода в металлизованном молибденсодержащем концентрате (более 157) ограничивает сортамент сталей, выплавляемых с его применением.В промышленных условиях процесс восстановления молибденового концентрата организован в шахтных печах непрерь 1 вного действия с постепенным перемещением брикетированной шихты в зоне высоких температур . При повышенной скорости продвижения емкостей с брикетами но высоте муфеля имеют место значительные потери молибдена в виде возгонов оксидных соединений...

Номер патента: 1469403

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Григорьян, Месропян, Нариманян, Ростомян

МПК: G01N 23/20

Метки: асимметрично, монохроматор, отражающий

...быт енено в оптических устроиства спользующих рентгеновские лучи.Цель изобретения - получение пуча с различной .асимметричностью отражения вдоль его сечения.На чертеже изображен асимметричноотражающий монохроматор,На чертеже обозначены отражающая атомная плоскость 1 монохроматора отражающая поверхность 2 монохроматора, падающий лентообразныйпучок 3, линейная образующая 4 однополостного гиперболоида, отраженныйпучок 5, основания 6 монохроматора,линия 7 пересечения плоскости, перпендикулярной к отражающей плоскости1 и проходящей через мнимую ось гиоида, с отражающей поверхно 2, О - точка пересечения линий 9403 Авскии Корректор А.Обр 35249Государственного113035,ЗакаВНИИПИ 8 Подписноеоткрытиям при ГКНТд. 4/5 митета по изобретениям сква,...