G01N 23/20 — с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения

Номер патента: 1474528

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Голуб, Кулак, Фомичев, Хаенко

МПК: G01N 23/20

Метки: быстрозакристаллизованных, вольфрам-молибденовых, охлаждения, скорости, сталей

...опрецеляемых скоростей. Оределяют отношение количества ОЦКи метастабильной-фазы в стали ипо его величине судят о скорости охлаждения данного образца. 1 табл. С увеличением скорости охлаждения интенсивность дифракционных линий, характеризующая количество фазы в стали, для ОЦК-фазы уменьшается, для-фазы увеличивается. Поскольку измерение абсолютных количеств этих фаз затруднительно и не гаран" тирует высокой точности, в качестве параметра, по которому судят о скорости охлаждения, выбрано отношение количества ОЦК- и-фаз, определяемое, например, по соотношению интен сивностей дифракционных линий этих .фаз. зависимостью отношен1474528 4отношение 1 /1= 0,45. С помощьюйооьлинейной интерполяции по таблице определяют скорость охлаждения...

Номер патента: 1476360

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Дроздова, Евграфов, Киселев, Полиэктов, Топильская

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр, рентгеновский

...излучения осуществляется путем поворота поворотной платформы 4 вокруг оси 12.При работе с монохроматором кронштейн 5 устанавливается в положение 1. К кожуху 7 рентгеновской трубки крепится корпус монохроматора 9 с установленным в нем кристаллом-монохроматором 1 О. Брэгговский угол 20 дифракции кристалла-монохроматора 10 устанавливается непосредственно путем разворота поворотной платформы 4. Так как ось 12 вращения поворотной платформы 4 совпадает с осью 16 вращения кристалла-монохроматора и проходит через точку пересечения фокусирующей окружности 14 с нулевой линией 15 гониометра, то при развороте поворотной платформы 4 угол 20 дифракции кристалла-монохроматора отсчитывается непосредственно по шкале поворотной платформы...

Номер патента: 1476361

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Герман, Каляндрук, Никифоров, Преварский

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературной, деформации, исследования, процессе, рентгенографического

...и соединяется с трубами 10, а жаропрочный стержень 6 с помощью стопора 7 крепится к сильфонному узлу 9, который закрывается крышкой 11, соединенной с механизмом 13 нагружения. Образец юстируется с помощью юстировочного устройства (не показано). С помощью микрометрического винта 15 и груза 14 устанавливается величина деформации и напряжения в образце. После этого производится съемка дифрактограмм и последующее нагревание с помощью нагревателя 17 и деформирование образца по программе исследований.Устройство изготовлено и установлено на дифрактометре ДРОН. На образцах конструкционных сплавов при температуре 20 и 750 С, в вакууме и атмосфере водорода, при нагрузке 15-16 кг/мм на излу. ненной к механизму 13 нагружения, Устройство позволяет...

Номер патента: 1479857

Опубликовано: 15.05.1989

Авторы: Воробьев, Копылова, Кривуша

МПК: G01N 23/20

Метки: искажений, кристаллической, решетки, статических

...при непрерывном вращении вокруг горизонтальной О и наклдняемой В осей в процессе рентгенов ской съемки с помощью дифрактометра типа ДРОН на приставке ГПдляисследования текстуры.Расчет суммарной интенсивности линии (110) по кривым тестурограммы 5 производят по Формуле 1 = --6; Жэьпо;, (1)(2) В выраженияхи (2) Ы, - угол наклона вокруг оси Ы, плоскости образца к плоскости первичного и отраженного лучей при съемке текстурограммы, Величины 6; соответствуют .углу наклона образца эа один его полный оборот вокруг наклоняемой оси В при рентгеновской съемке для К; меньше 35 . При О; больше 35 6; выбирается так, чтобы полностью перекрыть 1/4 поверхности полюсной фигуры, Величины Б; и Ь определяются по текстурным 35 кривым образцов и...

Номер патента: 1492248

Опубликовано: 07.07.1989

Автор: Шашилов

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, волокнистых, фазового

...вводят все необходи 25 мые. физические поправки и производятвычитание фона. Условие (6) проверяютв этом же угловом интервале на образцах янтаря и плавленной глюкозы,заведомо не имеющих, текстуры. От-30 ношение и для этих образцов равно0,998 для янтаря и 1,004 для глюкозы,Измерения неупорядоченного рассеяния проводят под углом 26, равным32 , при пятикратном наборе интенсивности с экспозицией 00 сДля проверки способа приготавливают два вида смесейПервый вид готовят смешиванием аморфной целлюлозыи хлопковой микрокристаллической40 целлюлозы, а второй - смешиваниемаморфной целлюлозы с микрокристаллической целлюлозой (МКЦ) из лиственной промышленной целлюлозы какнаиболее контрастной по отношению к45 хлопковой МКЦ....

Номер патента: 1497533

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Адищев, Верзилов, Воробьев, Потылицын

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, совершенства, структурного

...определения интегральной ширины профиля, как впрототипе, Так же замечено, что угловая ширина центрального минимума несколько уменьшается с уменьшениембрэгговского угла отражения.Чувствительность и точность способа будут определяться угловой шириной центрального минимума, статистическими ошибками измерений, разрешением детектора, а также методическими погрешностями (угловой расходимостью пучка заряженных частиц,многократным рассеянием и др.). Дляисключения методических ошибок исследуется профиль углового распределения от эталонного кристалла, который считается совершенным, имеет такие же размеры и располагается нэксперименте в той же геометрии, чтои исследуемый.ПКИ образуется по всей толщинекристалла, на пути пролета черезнего...

Номер патента: 1497534

Опубликовано: 30.07.1989

Автор: Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, рентгенографического, текстуры

...с червяком на валу шагового двигателя 8, а на другом - шестерней 19, взаимодействующей с шестерней 20, закрепленной на промежуточном валу 21 привода сканирования нли на валу электродвигателя 5 (не показано). Вал 17 вместе с промежуточной шестерней 16 или независимо внутри нее по шлицам может совершать перемещение в осевом направлении под действием, например, электромагнита 22.Приставка работает следующим образом.При выполнении текстурных исследований посредством электромагнита 22 червячное колесо 18 вводится в зацепление с червяком на валу шагового двигателя 8.В тех случаях, когда возникает необходимость в проведении иных исследований, например фазовый анализ, определение микраискажений, исследование текстуры с помощью обратных...

Номер патента: 1500923

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Надеждин, Огданский, Пархоменко, Чехун

МПК: G01N 23/20

Метки: веществах, изучения, процессов, термических

...пластиной кварца, вставляется во внешний цилиндр 1 составной герметичной ампулы в положение, при котором плоскость эталонного образца кварца располагается параллельно проходящему рентгеновскому лучу. С помощью юстировочного винта 18 и вращения всей герметичной ампулы вокруг собственной вертикальной оси плоскость эталонного образца выводится на ось гониометрического устройства рентгеновского аппарата. Далее эталонный образец пластины кварца устанавливается в отражающее положение для плоскости 1011 и на угле 2 6 = 26,64 при Сц о-излучении добиваются максимума показаний интенсиметра дифрактометра, На этом юстировка заканчиваетсяУстройство готово к проведению рентгенографических исследований по изучению структуры кристаллических материалов,...

Номер патента: 1509697

Опубликовано: 23.09.1989

Автор: Гирин

МПК: G01N 23/20

Метки: аксиальной, анализа, дифрактометрического, поликристаллических, рентгеновского, текстурой

...рентгеновского дифрактомет-, рического анализа использовали образец меди, полученный электролитическим осаждением из сернокислогооэлектролита при 20 С и плотности тока 3 А/дм . По данным текстурного анализа, 82 Х кристаллитов медного образца имели беспорядочную ориентировку, а 187. - аксиальную текстуру с осью (111) (максимальный угол рассеяния текстуры К м, составлял 25 ).Дифрактометрический анализ проводили на рентгеновском аппарате ДРОН,5 в РеК-излучении (напряжение на трубке составляло 20 кВ, анодный ток 10 мА), Образец устанавливали в держателе гониометра осью текстуры (111) под углом к гониометрической оси, равным ) = 90 - 25о65 , а детектор - под двойными брэгговскими углами 55,3 и 136,4 для отражения (111) и (222), образец...

Номер патента: 1511652

Опубликовано: 30.09.1989

Авторы: Райгородский, Суров

МПК: G01N 23/20

Метки: плотности, полюсной, текстурованных

...на предмет определения полюсной плотности Р по плоскости,оо 2параллельной оси текстуры, а затемо рассчитывают полюсную плотность Р с вдоль оси текстуры или находят ее из Е градуировочного графика зависимости о о 9 о 9 о Роо ехр(С Роо) = Роо ехр(С Роог)Составитель Е.СидохинТехред И.Верес Корректор Т,Малец Редактор М.Келемешч чччЗаказ 5896/47 Тираж 789 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 5 11 линейным прессованием с удельным давлением Р = 10 т/см.Использовался рентгеновский дифра ктометр ДРОН-ЗМ, СоК -излучение. Электрические режимы на рентгеновской трубке: Б...

Номер патента: 1516915

Опубликовано: 23.10.1989

Автор: Омельченко

МПК: G01N 23/20

Метки: приставка, рентгеновскому, спектрометру

...осью, В обойме корпуса 2 установлена с возможностью вращен;я док;,г гоонзонтальной оси платФор.э 3 кольсво формы, на которой ВО е дедова "енино д. в другом размещены первач тслозолируюая вставка 4, тепловой экран 5, вторая вставка б, в коюорой устаовле держатель 7 образца, з.:кл: е:ь между эпектродами Я, агреват,ле 9 и тормонарными35 эдем т. 10 Р, в . ржателе 7 выполнено гнездо для крепления кюветы 11 с жидкокристаллическим материалом.Б термоизолирующих вставках 4 и Ь и экране 5 выпднеы окна 12 дя прохождеи р=нт..овсх лучей, закрытье ре.генрозрачнн материалом 13. С внешней стороны корпуса 2 установлен радиатор 14 водяого охлаждения.45Приставка работает следующим обраэом,Кювету 11 с образцом помещают в держатель 7 кюветы,...

Номер патента: 1516916

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Баженова, Байдюк, Петров, Сидохин, Утенкова, Щербединский, Щукин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгеновского, фазового

...40расположены на фокусирующей окруж"ности 8, а эталон 12, детектор 16 имнимый фокус Р на фокусирующейокружности 19, реализуют две симметричные схемы фокусировки по ЗеемануБолину. Устройство может содержатьтакже защитный корпус 20,Устройство для рентгеновского фазового анализа работает следующимобразом, 50Рентгеновское излучение из фокуса Р анрда 2 рентгеновской трубкимонохроматизируется мохроматором 4и в виде двух монохроматических пучков вьисодит через окна 6 и 7, падает .55на эталон 12 и образец 10, дифрагируется на них и направляется на позиционно-чувствительный детектор 16,сигналы которого обрабатываются блоком 47. Посредством приводов 15 и 4 эталон 12 и образец 10 можно настроить на другие углы дифракции.Использование двух...

Номер патента: 1516917

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Долгова, Зверев, Шкуратов

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгенографического

...24. Устройство работает слгдуюьцм образом. 50В камеру-реактор 1 ца держатель 2 образца помещают образец 3, камера- реактор закрывается крышкой 4, удерживаемой зажимами 5, через трубку 6 в камеру подают жидкий ргяггнт Рключа ют устройство 7 подачи теплоносителя, подавая теплоцоситель в термоэлемент 8, Датчиками, помещеццыми в кожухи 9, контролируют температуру в камере,жена средствами .регулирования и поддержания заданных Физико-химическихпараметров системы в ходе процесса.Благодаря размещению образца 3 наустройстве с телескопическим выдвижением деражателя 2 обеспечиваетсявозможность беэ нарушения процессапериодически подавать образец 3 досоприкосновения с бериллиевым окном11 и производить рентгенографирование в этом положении. 1 ил.1 а...

Номер патента: 1516918

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Родин, Рыжак

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгенографии

...потокаи термопдры выполнены под углом коси камеры-реактора 1, обеспечивающим упор штока 8 в центрировочныйконус в противоположной торцовой части камеры-реактора 1, Для рентгенографии материалов в виде плоских образцов убирают камеру-реактор 1 и наее место устанавливают плоский образец, прижимая его с помощью штока 8и пружины 9 непосредственно к поверхности базовых плоскостей держателя 7.,4 ил. чи газовой смеси и на выходе - схромдтографом.Устройство работает следующимобразом,Держатель 7 плоских неподвижных образцов устанавливают на гонио"метр рентгеновского дифрактометра,На стойке держателя закрепляют кронштейн 10 со штоком 8 и пружиной 9.Затем производят юстировку держа-.теля, При этом для установки монокристалла кварца на базовые...

Номер патента: 1516919

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Аристов, Гущин, Коган, Солодкина, Шехтман, Шулаков

МПК: G01N 23/20

Метки: аппарат, исследований, микрофокусный, рентгеноструктурных

...плотный прижим рентгеновской пленки 6 к задней торцовой поверхности 7 магнитопровода 8 магнитной линзы 4, Конфигурация и размеры внутреннего канала 9 магнитопровода 8 обеспечивают свободное прохождение дифрагированных назад кристаллом 2 лучей на рентгеновскую пленку Ь, Ось внутреннего канала 9 магнитопровода 8 является осью магнитной линзы 4, Окружность пересечения поверхности внутреннего канала 9 магнитопровода 8 с его задней торцовой поверхностью 7 одновременно является входным окном, ограничивающим голе 40 засветки рентгеновской пленки 6.Микрофокусный аппарат работает следующим образом.В процессе экспонирования рентгеновской пленки 6 на ней формируется 45 четкое теневое изображение окружности на выходе внутреннего канала 9...

Номер патента: 1520410

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Горбачева, Дударев, Сидохин, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: напряжений, рентгенографического

...стального кольцевого оЬразца, Измерения производилина внутренней и внешней цилиндричес"ких поверхностях и на торце в КСгизлучении на дифрактометре ДРОН-УИ 1,"1 Т"Е В щв е ее аеатеаВ Е а (до выполнения эталонной зоны) 2,8766 2,8799 2,8796 2,87 Я а (после выполненияэталонной зоны уточки М ) 2,8766 2,8781 28773 2)8769 а (на торце околоМ,иИ) 2,8773Д кг/мм 2 -71 +27д 6 кг/мм 2 -60 Ь 6 кг/мм 2 28771 +7 +12 +17 снимая дифракционные кривые отражения (211) с углом дифракции 26 - 15 Представленные результаты свидетельствуют о том, что в точке М, после выполнения вырезов напряжения полностью снимаются, и полученные значения а=ао могут использоваться для нахождения напряжений в кольцевом образце до его разрезания.Для нахождения...

Номер патента: 1520411

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Дукатс, Курземниекс, Парфеев

МПК: G01N 23/20

Метки: исследованиях, образцов, растяжения, рентгенографических, эластичных

...16в диске 8 и закреплены на рамке 13с помощью крьаек 1 ч, На свободномторце втулки 19 с возможностью вращения беэ осевого перемещения (например, на штифтах) размещена гайка 20,взаимодействующая с винтом 2.1, который размещен внутри втулки 19 и снабжен тензодатчиками 22.Устройство работает следующим образом.Перед испытанием стойку 6 со смонтированным на ней приспособлениемснимают с ползуна 3, освобождая винт7. Вращением гайки 20 приближают рамку 13 к диску 8. На поверхность выступа 15 на диске укладывают образец17, концы 13 образца 17 пропускаютчерез прорези 16 в диске и спомощьюприжимных крышек 14 крепят на сторонах рамки 13, причем в случае испытаний на одноосное растяжение используют только два зажима. После установки образца 17...

Номер патента: 1520412

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Ватолин, Денисов, Керн, Лисин, Литвинов, Пастухов

МПК: G01N 11/00, G01N 23/20

Метки: вязкости, жидкости

...ую д =1,Ь - 1 , На фиг.1 приведены первые максимумы для жидкого И, принятого за эталон, и сплава И-Се (65 а т,4 М 1) при 1 00 С, Е -Ег=Ц 000 имп/с, Б,=3,09 АЫг= =3,0 М, Таким оЬразом, получают набор дифракционных кривых (Б = =0,16 А- 4,6 А ), для которых выравнены величины первых максимумов, т.е.Е (8) =Е ,(8,)==Е,(Б,)=Е,(Б;). Затем от первого максимума (при измерениях вязкости расплавов целесообразно использовать первый пик, так как его интенсивность максимальна по сравнению с остальными пиками дайной дифракционной кривой, а ошибка в значениях его интенсивности минимальна и не превышает 0,64) кривой 1 (жидкий никель - эталон) прямой 3, параллельной оси абсцисс, отсекают Фигуру АВ,С величина основания которой12 1 фгде Бги 8- аЬсциссы...

Номер патента: 1530979

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Журтов, Шебзухов

МПК: G01N 23/20

Метки: коэффициента, металлических, монокристаллов, поверхностной, свободной, температурного, энергии

...через интенсивности дифракционного рефлекса брэгговского отражения 1(Е, Т) и 1 (Е, Т)Е 1 Ь 1Линейный коэффициент Ктеплового расширения по нормали к плоскости поверхности монокристалла можно также определить экспериментально из вы- ражения энергетическое смещениебрэгговского пика Е приизменении ЬТ температурыисследуемого образца;число атомов на единицеповерхности;координационное число вобъеме;число недостающих ближайших соседей у атома наповерхности; 1(Т,)и 1(Т) - интенсивности брэгговскогорассеяния от поверхности,1(Т) и1(Т) - интенсивности брэгговскогорассеяния от внутреннего40слоя монокристалла при температурах Т и Т,Ь Е - энергетическое смещениебрэгговского пика при изменении температуры монокристалла на дТ;е,а,-...

Номер патента: 1532856

Опубликовано: 30.12.1989

Авторы: Гаврилов, Золотоябко, Иолин, Косарев, Кувалдин, Райтман

МПК: G01N 23/20

Метки: деформаций, монокристаллических, пластин

...шлифованными боковымиповерхностями-, одна из которых под вергнута финишной химико-механической полировке, устанавливают на предметный стол установки так, чтобыона заняла относительно источника 1излучения отражающее положение(в геометрии Лауэ), На полированнуюповерхность пластины устанавливаютс помощью вязкой жидкости, напримерэпоксидной смолы без отвердителя,кварцевый пьезоэлектрический возбудитель колебаний на чертеже не показан). Пластину 5 облучают коллимированным пучком рентгеновскогоили нейтронного излучения, например, имеющим поперечное сечение0,052 мм, измеряют. приемником 4интенсивность отраженного излучения, затем с помощью возбудителяколебаний возбуждают в пластине поперечную ультразвуковую акустическую волну на частоте,...

Номер патента: 1536284

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Аристов, Шабельников

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометрии, пленок, рентгеновской, тонких

...Ы согласновыражениюЪ=Г+ЫЯ+1,/2), (1)Так как апертура коллиматора Сол 55 лера определяется его конструктивными параметрами - базой 1., и расстоянием между пластинами Ь 9=2 Ъ/1.), то для типичных условий эксперимента величина второго слагаемого в (1) непревышает (0,3-0,5)Е и ширина пучкаЪ определяется, в основном, первымслагаемым, Таким образом, уменьшениемало сказывается на величине Яци при улучшении коллимации, приводящей к повышению пиковой интенсивностилиний с сохранением уровня фона, интенсивность которого для известныхисточников определяется облучаемойплощадью 8 , достигается улучшениеотношения интенсивностей линий к фонуП р и м е р, Способ реализуют приследующих условиях. В качестве источника излучения используют трубку2,ОБСВс...

Номер патента: 1543313

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Айвазьян, Безирганян, Заргарян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, рентгенографический, сверхрешеток, совершенства, структурного

...направляющие косинусыТдпадающей и дифрагированной волн;К - волновое число;х - модуль действительнойгЪчасти Фурье компонентыполяризуемости.В случае сверхрешетки каждому сателлиту в первом приближении соответствуют свои значения м,и х6 О рТон ТЬ 1 Ье = 24 Уп 2", Нх",. ОЕсли рассматривается симметричная схема дифракции, то также можно положить.= у, и );= ., т,е, экстинкционная длина практически не зависит от углов падения и отражения. Минимальная длина экстинкции определяется максимальным значением х , т.е. при нулевом или одном из первых сателлитов, и составляет такую же величину, что и в случае идеального кристалла - несколько микрон.При резко асимметричной схеме дифракцииУю 1 ф Хоф 03 мс 10Учитывая, что с увеличением номера сателлита...

Номер патента: 1389435

Опубликовано: 30.04.1990

Авторы: Бондарец, Зеленов, Лейкин, Мингазин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристалла, неоднородностей, объеме, распределения, структурных

...уравнений (2) - (5)Второй вариант, когда приемная 5щель удалена от поверхности ББ нарасстояние, большее расстояния междуэтой поверхностью и точкой ЬРасстояние Х между приемной щелью и поверхностью БУ в этом случае опреде Оляется соотношением (6), где Хописывается формулой (15). Ширина Еприемной щели должна, быть одновременно не более Е, и длины отрезка,параллельного поверхности ББ и соединяющего прямые ПЬ и РЬ за ихпересечением в точке Ь, либо не менее расстояния между границами ПЬпучка 21 и П Ь пучка 21 в, плоскостиприемной щели, Второй случай расположения приемной щели описывается системой уравнения (3) (6) - (8),Третий случай, когда приемная щельрасположена в окрестности плоскости наложения друг на друга пучков 2521 и 21,...

Номер патента: 1562803

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Алавердова, Бабенко, Дудкин, Коваль, Михайлов

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, пленок, рентгеноструктурного, тонких

...гониометра, а также угловую ширину пучка в антибрегговском направлении. Затем с помощью щелевой системы Формируют пучок, .имеющий прямоугольную форму сечения, при этом большая сторона прямоугольника параллельна поверхности образца и составляет угол Ы с экваториальной плоскостью,Затем устанавливают в держатель гониометра массивный эталон под углом М к экваториальной плоскости и 40 производят его юстировку, Установив угол падения пучка Ч и произведя серию съемок от эталона при различиой ширине пучка в брегговской плоскости, находят ЬЦ и уста на вли дают угловую ширину пучка в брегговской плоскости для съемок тонкопленочного образца, который затем помещают в держатель, после чего приступают к съемке.П р и м е р. Производится анализ...

Номер патента: 1562804

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Асланян, Безирганян, Мартиросян, Симонян

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллов, рентгеновской, топографии

...9 овЫ 9 лАгде 8, и В - углы наклонов левойи боковой поверхностейОА и О+Псоответственно. При одинаковых наклонах боковые поверхности Ь, и Дравны. Этот способ позволяет получить маят" никовые полосы от достаточно толстых клиновидных кристаллов, от которых можно получить и эффект Бормана.Когда в толстых кристаллах (фиг.8) первичная волна падает ближе к боковой поверхности, из верхней части кристалла в направлении отражения выходят ворны с волновыми векторами Ки К ь и образуют маятниковые по"Илосы, а от основания в результате эффекта Боомана выходят волны второФ, Уго поля К и К. На Фиг. 9 привеР 2.дена схема распределения интенсивности в зависимости от расстояния линии падения первичной волны до боковой поверхности призмы, показанной на...

Номер патента: 1562805

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Киселев, Нигметова, Швецов

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, жидкостей, кювета, рентгеноструктурного

...возможность герметизации первой полости спомощью прижимного кольца 9 и резино- З 0вого уплотнения 10,Кювету используют следующим образом.При исследовании жидкой ртути полость 2 заполняют (примерно на 903от ее объема) ртутью, закрывают крышкой 4, выполненной из вакуумплотнойбериллиевой пластинки, и герметизируют с помощью уплотнительной прокладки 10 и прижимного кольца 9. Кюветуустанавливают в вертикальном положе- ,нии (т.е так, чтобы облучаемая черезкрышку поверхность ртути лежала ввертикальной плоскости) на предварительно отъюстированный гониометрГУРс помощью отъюстированной приставки ГП. При этом ось гониометраоказывается в плоскости, разделяющейисследуемую жидкость (ртуть) и бериллиевую крышку кюветы.5 ОПри установившейся...

Номер патента: 1562806

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Богданов, Зырянов

МПК: G01N 23/20

Метки: разновидностей, хризотил-асбеста

...значение.40При прокаливании нормального хризотил-асбеста в течение 50-70 мининтенсивность рефлексов Форстеритамаксимальна и не увеличивается в течение времени, Следовательно, оптимальным временем прокаливания является время 50-70 мин. При прокаливании в течение времени больше 70 мин,на дифрактограммах ломкого хризотиласбеста возможно появление рефлексов Форстерита, при прокаливаниив течение времени меньшем, чем 50 мин,различия в дифрактограммах ломкогои нормального хризотил-асбеста проявляются нечетко,о 55Температура прокаливания 640-660 Сявляется оптимальной, поскольку припрокаливании при меньших температурах характер дифрактограмм нормального и ломкого .хризотил-асбестоводинаков (Фиг, 2), а при болеевысоких температурах на...

Номер патента: 1562807

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Агафонов, Демкин, Кац, Петьков

МПК: G01N 23/20

Метки: автоматический, дифрактометр

...валов. Весь шаг ьв представляслуцае, когда период импуль овериод импульсов сос- ется последовательностью микрошаговтавляет 5-30 мкс. Коэффициент деле Абм, равных дискретности преобразования делителя 11 частоты выбирается телей 3 5 у - д,й 3 и 5 гол-ко т,е. минимальтаким, цтобы его выходные импульсы ному контролируемому интервалу повоимвли цастоту, равн."ю частоте прие- рота вала. При этом каждый микрошагмистости шаговых двигателей приводов А Ом должен отрабатываться за время4 и 6, что обеспечивает максимально. 20 микроэкспозиции с м, определяемоедопустимую скорость вращения рентгеновской трубки 15 и детектора 16,= ф- т.е. с, =эустановленных на выходных валах при Ом мкэИсходя из этой зависимости, передмистости шаговых двигателей от 100...

Номер патента: 1564524

Опубликовано: 15.05.1990

Автор: Омельченко

МПК: G01N 23/20

Метки: жидких, кристаллов, параметров

...полученного набора интенсивностей 1(9 + 0,Я, Х) рассеяния рентгеновских лучей в окрестности узла обратной решетки и в узле обратной решетки определяют интенсивность 1(Чуе Ч) Ч) в системе координат Ч)в Ч Ч 2 пользУЯсь для перехода следующими соотношениями между установочными углами 9,Ц, Х и координатами Чд, Ч , Ч обРатного пРостРанства.4 . Ы Ч = - ядп(9 + -)х Х 2 Ых соя (Я -) соя Х2Ч = - Я 1 п(0 + -)яж(Я - -)4 . Ы ФТ24 лЯ 1"( ВВ+ 2)"О к соя(И - ") я 1.п Х,2 Рассчитывают параметры жидких кристаллов: межслоевые Ы расстояния, корреляционные длины , , 1 и ихфтемпературные зависимости. С целью более точного определения параметров жидких кристаллов рассчитывают В (Ч) поперечное сечение рассеяния рентгеновских лучей в окрестности узла обратной...

Номер патента: 1571485

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Минина, Прохорова, Румак, Сакун, Сапожников, Тишкевич, Утенкова, Щербединский

МПК: G01N 23/20

Метки: приставка, рентгендифрактометру

...осуществляют сканирование путем возвратно-поступательного перемещения корпуса 1 по направляющим 9, а при исследовании образцов типа проволок сканирование осуществляют с помощью электропривода 11 возвратными пово 35 ротами корпуса 1 относительно основания 15.Предлагаемая приставка обладает расширением методическими возможностями и, как следствие, большим удобством и производительностью в работе. Так, например, для выведения плоскости образца на ось гониометра перемещения корпуса 1 приставки удобно осуществлять с помощью привода 11, а с помощью привода 12.удобно производить не только вращательные, но и колебательные движения корпуса 1 вокруг вертикальной оси, что необходимо при исследовании проволочных образцов. Широкие возможности для...