Райхельс

Номер патента: 949439

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Лобова, Райхельс

МПК: G01N 23/20

Метки: возникающей, монокристалла, обработке, пленки, поликристаллической, толщины

...рентгеновских лучей Йотмонокристаллов МаС с различйойплотностью дислокаций р , где кри-,вые.1,2 и 3 относятся к излучениямМоК и рефлексу (600), СцКи рефлексу (400) и РеК, рефлексу(200) соответственно. П р и м е р. Из различных монокристаллов МаС 1 выращенных методомКиропулоса на воздухе, выкалывают поспайности (100 образцы размером 20 х 20 х 10 мм. С помощью травления на дислокации подбирают образцы с различной плотностью дислокаций Я Изменение величины Р от образца к образцу выбирают в диапазоне от 10 см до 10 см . На этих.монокристаллах измеряют значения интегрального коэффициента отражения рентгеновских лучей Й, Такие зависимости получают для излучений МоК 11, рефлекс (500) 1 СцКЯ 1 рефлекс (400). и РеК,урефлекс (200) .Из...

Номер патента: 819653

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Лобова, Подлесная, Райхельс, Смушков

МПК: G01N 23/20

Метки: изогнутого, мозаично-сти, монокристалла, степени

...чем вдвух точках,Точки выбирают на том расстоянии, длякоторого построена градуировочная зависимость, и определяют степень мозаичностипо градуировочной кривой,После выращивания монокристаллов привысоких температурах и остывании до комнатной температуры, наблюдаемая мозаичность кристалла часто обусловлена такимстатистическим распределением блоков мозаики по кристаллу, при котором соседниеблоки повернуты один относительно дру-гого в одну сторону, Измеренный характер 4изменения углов отражения рентгеновскнх лучей в точках кристалла, расположенных вдоль какого-либо направления, имеет впд монотонно изменяющейся кривой. Это обуславливает искривление кристаллографической плоскости как целого всей поверхности кристалла.На чертеже изображен...