Способ определения однородности изгиба по высоте монокристаллических пластин
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 935758
Авторы: Безирганян, Папоян
Текст
рректор М.Демчик аз 4196/42 Тираж 887 ВНИИПИ Государственного комит по делам изобретений и отк 113035, Москва, Ж, Раушская набПодписСССРийд. 4/5 лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,5 9357 диуса изгиба образца Ьй = й - й на расстоянии ЬЬ, разделяющей зти точки, что позволяет при помощи параметра К = ЬК/ЬЬ оценить степень однородности изгиба, по высоте образца. %П р и м е р. На топограмме определяют радиусы изгиба у точек, для которых интерференционные порядки МП соответственно равны и= и о +1; и= ио + 2. Так как в экспеРименте 1 В ир согласно (2) равен 24, то и=25, а и26. Имея в виду также, что в формуле (4)8= 24; 0 = Я,63; Хи =2,04 х 10 ; 1 0,25; й = 820 мкм, а вместо С взято его среднее значе ние С = (1 + соя 26)/2, равное лф 0,966, определяют радиусы изгиба у этих точек: В11,8 м, В.и = 8,1 м, которое хорошо совпадают с результатами, полученными известным способом рф (2). Учитывая, что расстояние между исследуемыми точками на поверхности кристалла равно ЬЬ = 2 мм, для параметра К получают значение К = Ьй/ЬЬ=1,85 м/мм. 2Применение предложенного способа позволяет исключить аппаратуру для тонкого переноса и поворота образца и системы щелей вместе с характерными ошибками, связанными с ними. Все зв это существенно упрощает методику определения степени однородности из 58 6гиба по высоте образца и обеспечива" ет высокую степень точности измерений, так как МП весьма чувствитель" ны к слабым деформациям. формула изобретенияСпособ определения однородностиизгиба по высоте монокристаллическихпластин, заключающийся в том, что наисследуемый монокристалл под угломВульфа-Брегга направляют ленточныйпучок рентгеновского излучения ирегистрируют дифрагированное по Лауэизлучение, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью упрощения средствреализации, дифрагированное излучение регистрируют в виде секционнойтопограммы, а об однородности изгиба судят по форме и расположениюмаятниковых полос в секционной топо-;грамме.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРй 391452, кл. С 01 И 23/20, 19712. Кушнир В.И., Суворов З.В.,Мухин К.Р. К вопросу о лауэвскойдифракции рентгеновских лучей однородно-изогнутым кристаллом. ФТТ, 22,Ю 7, с. 2135-2143, июль 1980 (прототип).
СмотретьЗаявка
2995361, 21.10.1980
ЕРЕВАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
БЕЗИРГАНЯН ПЕТРОС АКОПОВИЧ, ПАПОЯН АРГАМ АРИСТАКЕСОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 23/20
Метки: высоте, изгиба, монокристаллических, однородности, пластин
Опубликовано: 15.06.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-935758-sposob-opredeleniya-odnorodnosti-izgiba-po-vysote-monokristallicheskikh-plastin.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения однородности изгиба по высоте монокристаллических пластин</a>