Цванкин

Номер патента: 1543363

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Калинин, Пивоваров, Цванкин

МПК: G01V 1/00, G01V 1/42

Метки: межскважинного, просвечивания, сейсмоакустического

...образом, для выделения неоднородной волны 7 необходиморасполагать сейсмограммой (если приемная установка состоит из одного приемника) или набором сейсмограмм (еслиприемная установка состоит иэ группыприемников), соответствующих различным положениям излучателя вблизи гра"ницы в интервале Ь Л, . В то же времяРасстояние приемника (или приемнойгруппы) от границы для выделения неоднородной волны не имеет значения,Важно лишь то, чтобы приемная установка находилась по другую сторонуграницы в низкоскоростной среде.При г)Л что всегда практически выполняется, поскольку расстояниемежду скважинами значительно большедлины волны, соответствующей частотемаксимума в спектре излучения, времявступления неоднородной волны 7 определяется как г=г/Ь, Так...

Номер патента: 1064324

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Абдинасыров, Генин, Козлова, Цванкин

МПК: H01C 7/10

Метки: варисторов, композиция, резистивная

...прохождении тока в двух .направлениях: в одном 1,1) ток проходит вдоль плоскости пластины перпендикулярно направлению деформации, а в другом 1 Ц- вдоль направления деформации, т.е. перпендикулярно поверхности пластины. Экспериментально установлено, что частицы графита ориентированы Таким образом, что кристаллографические плбскости 002) расположены преиму- щественно перпендикулярно направлению силы сжатия с различной степенью дисперсии. Дисперсию ориентаций частичек графита характеризуют углом К между средним положением, параллельным направлению сжатия, и максимальным отклонением нормали к плоскостям 002) от среднего поло жения. Угол К определяют с помощью рефлекса 002 на рентгенограммах, снятых с первичным рентгеновским пучком,...

Номер патента: 935757

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Бабчиницер, Генин, Дунаев, Коршак, Перфилов, Русаков, Седых, Цванкин

МПК: G01N 23/20

Метки: многофазных

...изобретения - повышение надежности контроля иэделий из поли"гексаметиленсебацинамида.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу включающему облучение объекта пучком рентгеновских лучей, регистрацию дифракционной картины и измерение углового положения дифракционных максиму-:мов составляющих фаз, отлитое изделие выдерживают при комнатной температуре, не производя термическойобработки, регистрируют дифракционную картину в интервале углов дифракции 15-25 С и отбирают в качествегодных для термообработки изделия,обнаруживающие один дифракционныймаксимум с центром при 21,3Сущность предлагаемого способаконтроля состоит в следующем.Изделие из полигексаметиленсебацинамида, отлитое под давлением ипрошедшее дефектоскопический контроль,...