G01N 23/20 — с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения

Номер патента: 1173278

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Афанасьев, Имамов, Ле, Мухамеджанов, Челенков, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, приповерхностных, слоев, совершенства, структурного, тонких

...вторичной эмиссии ввиде газопроточной камеры, в которойрасположены держатель образца иэлектрод, держатель образца выполненв виде установленной на валу рамки,на которой расположен электрод, приэтом часть вала выведена из газопроточной камеры и снабжена устройствомдля его вращения,На фиг.1 схематически изображенопредлагаемое устройство, на фиг,2 -детектор вторичных излучений. Устройство содержит источник излучения 1, коллиматорные щели 2, кристалл-монохроматор 3, детектор вторичной эмиссии 4, установленный на гониометрической головке главного гониометра 5, и детекторы прошедшего б и дифрагированного 7 излучений.Детектор вторичной эмиссии (фиг,2) представляет собой цилиндрическую камеру 8 с крышкой 9, внутри которой расположена рамка...

Номер патента: 1177791

Опубликовано: 07.09.1985

Авторы: Кузнецов, Тиньков

МПК: G01N 23/20, G03B 42/04

Метки: измерений, кассета, рентгеноструктурных

...Подписное филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, а именно к устройствам для контроля крупногабаритных изделий методом рентгеноструктурного анализа. 5Целью изобретения являет:я повышение точности измерения,На фиг.1 схематично представлена кассета, общий вид; на фиг.2 узел 1 на Фиг.1.1 ОКассета состоит из двух коаксиально расположенных усеченных конусов 1 и 2,выполненных из светонепроницаемого рентгеноза 11 итного материала, например сталиВ основании 15 внутреннего конуса 2 выполнено отверстие ч, а на образующей поверхности конуса под прямым углом к его оси выполнены окна Е высотой Ь с перемычками 3,20Окна 0 с внутренней стороны конуса 2 закрыты тонким светонепроницаемым...

Номер патента: 1179178

Опубликовано: 15.09.1985

Авторы: Минин, Румак, Сакун, Сапожников, Тишкевич, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, рентгенографического, текстуры

...на уровне зубца держателя образца.1 11791Изобретение относится к рентгеновской аппаратуре для исследования текстуры поликристаллических материалов, металлов и сплавов методами построения полюсных фигур или сбора данных для расчета функций распределения ориентировок кристаллов.Целью изобретения является повышение точности и надежности исследования текстуры. 1 ОНа чертеже схематически изображена текстурная приставка.Приставка содержит корпус 1, в котором посредством втулок 2 смонтирована поворотная рама 3. На раме установлена каретка 4, которая с помощью электропривода 5 может совершать возвратно-поступательное перемещение по направляющим 6 относительно рамы 3. На каретке 4 установлен держатель образца 7 с возможностью вращения вокруг...

Номер патента: 591753

Опубликовано: 30.09.1985

Автор: Наумов

МПК: G01N 23/20, G01T 3/00

Метки: кристаллический, нейтронный, спектрометр

...детектора с помощью шарнираползуна, обеспечивающего его вращение вокруг собственной оси и возвратно- поступательное движение относительно консоли детектора.На фиг.1 .схематически представлен спектрометр, разрез; на фиг.2 - то же, план.Предложенный спектрометр содержит монохроматор 1, образец 2, основание 3 образца, анализатор 4, плечо 5 анализатора, детектор 6, консоль 7 детектора, плечо 8 детектора, противовес 9, шарнир-ползун 10.50Движения монохроматора 1 и основания Э образца кинематически связаны с выполнением условия отражения: если- угол поворота монохроматора, то 2 Це, - угол поворота основания образца.Относительно оси образца 2 осуществляются три независимые вращения: 53 гобразец поворачивается на уголконсоль 7 детектора - на...

Номер патента: 1182357

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Гусев, Иванченко, Новоставский, Петьков

МПК: G01N 23/20

Метки: камера, крупнозернистых, рентгеновская, съемки

...из кронштейна 41, закрепленного на корпусе 4, ролика 42,подвижно закрепленного на пальцекронштейна 41, выполненного в видерычага, и кулачка 43, закрепленногона вертикальном валу 40 с возможностью радиального смещения центра егопрофиля для изменения угла колебания кронштейна 41 с роликом 42, которое приводит к изменению амплитудыколебания образца 10,Червячный редуктор привода 2, состоящий из колеса 44 и червяка 45,приводится в движение двигателем 46.Рентгеновская камера для съемкикрупнозернистых материалов работаетследующим образом.Исследуемый образец 10 устанавливают в держатель 22 образца заподлицо с его торцовой поверхностью, которая совпадает с вертикальной осью0 . Включением двигателя 46 привода2 осуществляют...

Номер патента: 1185201

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Киселев, Кузьмичев

МПК: G01N 23/20

Метки: вызвавших, металлических, напряжений, переменных, разрушение, уровня

...быть использовано при исследовании отказавшейи аварийной техники в условиях исследовательского института, заводскихлабораторий и ремонтных предприятийдля определения причин разрушениядеталей машинЦель изобретения - повышение точности и расширение технических возможностей способа.На чертеже представлен градуировочный график для алюминиевого спла"ва Д 16 Т,П р и м е р. Исследованию подвергалась деталь из алюминиевого сплаваД 16 Т,раэруые: ная в условиях эксплуатации, на предмет определения уровняпервые ч;ъх напряжений, действовавФщх на ".ее во время работы и вызвавцк х р;. 1 тюлине,В результате фрактографическогоанализа излома и условий эксплуатации установлено, что разрушение произошло от переменного изгиба. Длл 25построения г...

Номер патента: 1190244

Опубликовано: 07.11.1985

Авторы: Бахтиарова, Боричев, Горбачева, Смирнов, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: гониометру, приставка, рентгеновскому

...6 на втулке, обеспечивающий вращение втулки 5 вокруг горизонтальной оси, перпендикулярной к вертикальной оси. приставки. К фланцу 7 жестко прикреплены стержни 10 параллельно оси втулки, а на их противоположных концах закреплена платформа 11. На последней монтируется устройство 12 типа гониометрической головки, обеспечивающее пространственную ориентацию и перемещение в трех направлениях держателя 13 образца, который введен внутрь втулки 5. Устройство 12 состоит иэ двух дуг, установленных во взаимно перпендикулярных плоскостях, и привода перемещения держателя в двух направлениях, перпендикулярных оси втулки, и вдоль этой оси. Держатель 13, несущий образец, выполнен съемным, а его форма и размеры варьируютсяв зависимости от размеров...

Номер патента: 1201741

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Гринман, Насыров, Рабинович, Халяпина

МПК: G01N 23/20

Метки: вращающейся, качества, печи, показателя, спека, шихты, шламовой

...шума Е= 075 Е = 108Е = 1,24, показатели качества спека 25 1 соответственно равны1К = 1+ЕХР 1-0,75(1203-1000) . 10- 7= 0,92 В соответствии с установленнымиинтервалами значений в первом случаеспек относится к категории "Слабый"во втором и третьем - "Нормальный".Таким образом, показано, чтоучет изменения физической структуры спека в зоне спекания по изменению величины относительной интегральной интенсивности шума позволил отличить спеки, соответствующие моментам времени с одинаковыми измеренными значениями температуры, в то время как, основываясь на измерении только одной температуры материала, эти спеки были бы признаны идентичными в отношении их качества и отнесены к лишь одной из принятых категорий качества.г896 Подписное Филиал...

Номер патента: 1203414

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Гоганов, Лукьянченко

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, вещества, диспергирующий, рентгеноспектрального, состава, элемент, элементного

Номер патента: 1221558

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Колеров, Логвинов, Скрябин, Юшин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, массивных, неразрушающего, объектов, поликристаллических, послойного, рентгеноструктурного

...дифракционнойлинии подложки,Доводят поверхность подложки до13-14-го классов чистоты (Б=0,040,08 мкм) и рентгенографируют приоуглах наклона 2-3 , причем в ходесъемки держатель образцов остается5101520 неподвижным относительно оси гониометра, а детектор излучения перемещается в рабочем интервале двойных угловотражения,При съемке используют юстировочныещели (0,05 мм), для которых величинаЮ горизонтальной расходимости пучкаосоставляет 0,13 . Значения а, находятся в интервале+и/2 сагсс 1 (ь 9/о) - 1 Г,9 где ч, - угол полного внешнего отражения рентгеновских лучей,равный для меди 0,48 ; ь 9 - точностьрегистрации углов на гониометреГУР, составляющая +0,005 , 3 - декремент показателя преломления (длямеди в выбранном излучении 35,5 10 ).Таким...

Номер патента: 1223103

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Горшков, Лязгин

МПК: G01N 23/20

Метки: гамма-гамма-метода, композиционного, радиометрического, свойств

...коэффициенты затухания для каждого угла падения гамма-излучения.При пропитке бетона, представляющего собою пористую структуру, происходит заполнение пор полимерными материалами (стирол, эпоксистирол, метилметакрилат и т.п.). Таким образом, определение глубины пропитки есть определение границы между более плотным и менее плотным бетонами. На фиг. 2 приведены зависимости Б/И от 11 для различных глубин Н пропитки бетона. Чем на большую глубину пропитан бетон, тем % больше. Однако с увеличением глубины пропитки Н более 5-6 см имеются совпадения значений коэффициента затухания 3 с предыдущим его значением, что видно иэ типичных зависимостей Ъ от Н (фиг. 3). Для устранения неоднозначностей в определении глубины пропитки измерение...

Номер патента: 1223104

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Белоцкая, Охрименко, Тихонов, Харькова

МПК: G01N 23/20

Метки: кососимметричных, рентгеновской, съемок, топографии, трансмиссионный

...от системы плоскостей .(202) так, что плоскость дифракции (плоскость, содержащая прямой В и дифрагированный Влучи) составляет с нормальюо к поверхности кристалла угол Ф =30 производят предварительную ориентировку кристалла, при которой нормаль его поверхности И (111) и нормаль отражающей плоскости и устанав- ливают в плоскость, содержащую ось гониометра и перпендикулярную штриху фокуса (полюсная фигура кристалла с нанесенными на ней положением плоскости дифракции (и- , В, В)702 ф относительно нормали поверхности кристалла Б) и выводят плоскость (202) в брэгговское положение тремя последовательными поворотами крисг талла, один из которых 4= - осу 2 ществляют вокруг нормали поверхности кристалла Б, при этом иустанавливают...

Номер патента: 1223105

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Колеров, Логвинов, Скрябин, Юшин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, камера, поликристаллов, рентгеноструктурного

...крышкой 13, Рентгеновскаяпленка 14 прижимается двумя половинками прижима 15 к вертикальным буртикам крышек кассеты, Ось поворотакассеты 16 жестко соединена с основанием через пластины 17 и 18 ивставки 19 и 20, на ней же фиксируется лимб 21 прижимом 22, стрелка.23 закреплена на верхней крышкекассеты. Диафрагмы 24 и 25, формирующие первичный пучок, установленыв горизонтальном отверстии оси поворота кассеты. В пазах плиты и основания расположена штанга 26 с цапфой27 и крестовиной 28, вертикальнаяось цапфы совпадает с осью держателя образцов, а вертикальная ось крестовины с осью поворота кассеты. 50Для контроля линейного перемещениядержателя образцов предусмотрена линейка 29, установленная на основании, нониус 30; связанный с...

Номер патента: 1224686

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Бабенко, Бешенков, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: изучения, кинетики, материалах, превращений, фазовых

...дифракционных кривых. После изучения структурных превращений при выбранных температурах устанавливают зависимость структурных изменений от времени изотермической выдержки.Предлагаемый способ изучения кинетики Фазовых превращений был применен в высокотемпературной рентгеновской камере, установленной на рентгеновском дифрактометре и содержащей стакан с подающим и приемным барабанами и механизмом перемотки образца.В качестве примера осуществления предлагаемого способа приводятся результаты изучения диаграммы иэотермического превращения аустенита в Феррит и цементит стали ЗОХ 13.На фиг. 1 показано изменение вида дифрактометрических кривых; на Фиг. 2 - диаграмма изотермического превращения аустенита.В нагревательном элементе обраоч эец...

Номер патента: 1224687

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Беликова, Мазалов, Окотруб, Юматов

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр, ультрадлинноволновый

...нескольких торо н регупируется газовым натекателем.Предлагаемая конструкция ультрадлиннонолнового рентгеновского спектрометра позволяет расширить Функциональные возможности прибора и одновременно повысить его разрешение и светосилу.Расширение Функциональных возможностей прибора дает возможность изучать спектры веществ н газовой или парообразной Фазе, помимо исследования веществ н твердой Фазе.Спектры молекул в газовой Фазе, когда устранено межмолекулярное взаимодейстгче, разрешаются гораздо лучше, чем спектры того же вещества в твердой Фазе (примерно на 0,5 эВ). Лучше разрешенные спектры молекул в газовой Фазе в сочетании с высокоразрешающими кристаллами-анализаторами определяют высокое разрешение самого спектрометра.Увеличение...

Номер патента: 1226208

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Андриевская, Киселев, Клещинский, Лунев, Розенберг

МПК: G01N 23/20

Метки: анионов, кристаллах, положения, рутила, структурой, типа

...титана. Интенсивности рефлексов измеряются на дифрактометре 2 О ДРОК,0 в СцК -излучении. Полученные результаты сведены в таблицу. Изобретение относится к методам расшифровки структуры кристаллов.Целью изобретения является повышение экспрессности и точности определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила,имеет вид: Материал Интенсивность (имп) 1 ло 1 ссс 1 ясо сп 5546 17813 0,3113 0,295 0,3819 0,300 ТО 7874 20615 Погрешность в определении координаты составляет 0,57. Использование предлагаемого способа сокращает время эксперимента 35 и позволяет уменьшить погрешность определения координаты. Формула изобретения4 О Способ определения положения анионов в кристаллах со структуройСоставитель Т. ВладимироваРедактор...

Номер патента: 1226209

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Афанасьев, Имамов, Пашаев, Половинкина

МПК: G01N 23/20

Метки: выявления, дефектов, кристаллов, рентгенографический, структуры

...1). Падающий пучок от острофокусного источника коллимируется горизонтальной Я и вертикальной Я-гщелями. Вследствие конечного размера вертикальной щели 5, и малогоугла падения 9 на кристалле засвечивается полоска дВ , длина которойопрецеляется размером щели Е. ивеличиной угла падения , , а ширина полоски АВ определяется размеромгоризонтальной щели Е , Дифрагиро 1 О ванный пучок выходит с ВходнОЙ поверхности кристалла и фиксируетсяна фотопленке в виде штриха АВ( фиг. 2), Таким образом, по предлагаемому способу рентгеновской типографии реализуется брэгговская дифракция от лауэвских плоскостей,отклоненных на малый угол от нормалик поверхности кристалла.При дифракционном отражении рентщ геновских лучей в стандартной брэгговской дифракции...

Номер патента: 1226210

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Денисов, Зельцер, Ковальчук, Сеничкина, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры

...О перемещения крчсталла в более узком интервале углов. Управление гониометром 29 осуществляется с помощью устройства 26 ввода перемещений за пределами вакуумного объема камеры 27 55 без нарушения вакуумных условий в последней. Средства откачки (не обозначены) рассчитаны на поддержание давления в камере 27 не хуже 10 мм рт.ст.Загрузочно-шлюзовое устройство 3 содержит шлюзовую камеру 40, загрузочно-передающий манипулятор 41, устройство 42 перемещения указанного манипулятора, высоковакуумный затвор 43.Устройство работает следующим образом.Сформированный устройством 1 рент. геновский пучок попадает в измерительное устройство 2 на кристалл- анализатор 28, который при очень точном контроле за углом поворачивается, проходя через положение,...

Номер патента: 1226211

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Безирганян, Нариманян, Ростомян

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр

...соберут 10 ся в одной точке К, которая находится на окружности с центром 0 ирадиусом г,Пусть пучок с угловой расходимостью 2 о падает на кристалл-анализа 15 тор, находящийся в положении МоМооа центральный луч РО, направленныйк оси вращения, падает на кристаллпод углом максимального отражения 9для исследуемой длины волны Э,20 После нечетного числа и отраженийэтот луч выходит иэ точки Во подуглом 29 относительно оси Х. Чтобылуч, распространяющийся в направлении РА, можно было привести в положение максимального отражения, необходимо повернуть кристалл-анализатор против хода часовой стрелки наугол 3 . Тогда луч РА, падающий наММ в точке А, выйдет из анализато 30 ра от точки 8 под углом 2 д +3. Координатыиточки пересечения...

Номер патента: 1233019

Опубликовано: 23.05.1986

Авторы: Евграфов, Киселев, Чежин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, рентгеновского

...углов относительного поворота. Держатель образца смонтирован на оси гониометра 6 и выполнен в виде 3 роликов с параллельными осями, перпендикулярными оси гониометра б. Ролики 7 и 8 шарнирно соединены между собой и поднружинены друг к другу посредстном пружины 9, а ролик 10 является опорным и установлен так, что его образующая в верхней точке находится выше плоскости стола 1. В столевыполнено углубление 11 цилиндрической Формы, соосное с осью гониометра 6, и в нем смонтировано на опорных подшипниках плоское кольцо 12, которое может поворачиваться вокруг оси гониометра 6 посредством прннода 13, например червячного, На верхней плоскости кольца 2 жестко закреплен тор 14, выполненный из эластичного ниометра 6 и оси 17 выведен н отражающее...

Номер патента: 1095786

Опубликовано: 30.05.1986

Автор: Захаров

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, криогенная, облучения, облученных, образцов, ренгеновского

...вертикальном направлении, устройство 13 40 передвижения криостата в этом нанравлении относительно фланца, печь 14 для отжига образцов, кассету 15 для хранения образца при гелиевой температуре. 45В транспортном состоянии криостат с помощью устройства 13 по направляющим 12 поднят в крайнее верхнее положение. Вакуумная задвижка 2 закрыта, причем ее тепловая изоляция сое-. 50 динена с тепловой изоляцией 5 горловины, образуя заслон потоку тепла к образцу. Шток 9 поднят, а захват 1 О раэжат и находится в свободном состоянии сверху образца 11, который помещен в кассету 15 с пружинными захватами для хранения при гелиевой температуре. В таком положении образец внутри криостата транспортируют к ускорителю, где установлен криостат...

Номер патента: 1242784

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Горбачева, Минин, Утенкова, Щербединский

МПК: G01N 23/20

Метки: исследований, легкоплавкого, образца, подготовки, рентгеноструктурных

...которого вызывают посредством затравки 9,подводимой с открытой стороны рамки 1.Выступ 3 имеет высоту, меньшую высоты рамки 1, Он может занимать частьширины рамки 1 или проходить по всейее ширине,Примером использования устройства может служить его применение приисследовании дислокаций, образуюшихся при кристаллизапии и пластическойдеформации монокристаллов галлия,имеющего низкую точку плавленияо(29,8 С) и низкие прочностные и упругие свойства (предел текучести около 10 г/ьм и модуль упругости 0,710 дн/см)Для изготовления монокристалловна нлоскую поверхность водяного термостата б устанавливают нижнюю крышку 5, выполненную из тонкой (0,020;05 мм) фторопластовой ленты, нанее помещают П-образную рамку 1 из 15 20 25 30 оргстекла толщиной 1 мм,...

Номер патента: 1245966

Опубликовано: 23.07.1986

Авторы: Беляевская, Ингал, Комяк, Мясников

МПК: G01N 23/20

Метки: гинье, дифрактометр, исследования, поликристаллических, рентгеновский, схеме

...расположение элементов блок-схемы при съемке на похождение и на отражение; на фиг. 4 - рентгенооптическая схема съемки нескольких образцов с помощью двухкоординатного детектора телевизионного типа.Дифрактометр (фиг. 1) содержит источник 1 рентгеновского излучения, монохроматор 2 и гониометр 3, расположенные на фокусирующей окружности радиуса Я. На гониометре 3 радиуса г расположены держатель образца 4 и детектор 5. Первичный пучок ограничивается щелями 6. Детектор связан с устройством 7 обработки информации. С увеличением длины волны рентРабота дифрактометра поясняется фиг. 3, на которой показан ход лучей при с ьемке на просвет (буквы с индексом 1) и на отражение (буквы с индексом 2). При съемках на просвет пуцок рентгеновских...

Номер патента: 1245967

Опубликовано: 23.07.1986

Авторы: Биктимирова, Вахитов, Новоселов, Садыков

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, препарата, приготовления, рентгеноструктурного, углеродного

...для эффективного ориентирования частиц углеродного материала, т. е. для получения интенсивного и четко выраженного максимума отражения (100). Экспериментально установлено, что ориентирование частиц образца при напряженности магнитного поля выше 1000 Гс позволяет получить четкую дифракционную линию (100) углеродного материала, причем чем выше напряженность магнитного поля, тем выше интенсивность линии (100).Пример. Определение коэффициентов термического расширения (я) и размеров кристаллитов (1) по оси а коксов Ферганскогои Ново-Уфимского НПЗ, прокаленных при 1800 С.Используя ди фракционное отражение (100), исследуют пять образцов каждого кокса в области температур 800 - 1800 С. Исследуемые коксы в виде порошка в смеси с...

Номер патента: 1245968

Опубликовано: 23.07.1986

Автор: Лидер

МПК: G01N 23/20

Метки: кривизны, монокристаллических, пластин, радиуса

...края, надежно разрешались, необходимо, чтобы угловой интервал между ними был много больше полуширины кривой качания идеального образца:з 1 пФ - -э)п 2 О,ХиДля определения радиуса кривизны образца в случае дифракции на прохождение перед счетчиком устанавливаются две щели, Первая (неподвижная) пропускает дифрагированный пучок, идущий от края образца, вторая (подвижная) - от выбранной области образца, В случае дифракции на отражение на пучок, дифрагирова нный на краю образца, накладывается пучок, дифрагированный от области, прилегаюгцей к краю образца, Поэтому для экранирования этой области щель устанавливают перед образцом. Делаются две последовательные записи кривых качания образца, которыеФормула изобретения зпФ - з 1 п 20,х10 5 20 25 30...

Номер патента: 1249414

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Дроздова, Евграфов, Назарьян, Полиэктов, Чирков

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллической, неразрушающий, подложке, покрытия, толщины

...РЕПЕ Е ,Ияиулт 011 ис 1СуЩИОств с 1 особ; :,;-" кл ед(7 ОЩе М,ЦРИ ДИЪРаКЦИ 11 РЕт ГГОС :.1 ей от какОЙ - либо се зии 1"кристалличсскоЙ под.ожки в т.ИИ ПОК 1 тт,. 01;( т тяжести диф 1 акцио;н,ИЗМЕ.Е.НИЕ .О, т ОВ 01 ЗВСЛЕДС т В 1 Е .0 О, :, та. - .-: т,.тДИФРаКЦИ ПЛОСтОС "7: РИ( ,:Г1;ОДЛОЖКИМЕЩННЫ . т( т 10(.т 1,т.-,;НОСТИ, тта ИЗМЕЕПИ( ВтИ , - , г .т.брЗГГВСКОГО тГЛНлибо сеоии Г.тогко"-:.Й 11( -1 РЫТИЕМ ОТ ИЗМЕНЕНтот 0Говского угл дт,ит;р,.-.(.;д.11 ЛОСКОСТСЙ "Пт( ТО;"т од( 11,"т,МЕтОдИКа ИЗМЕРЕН,я -.;:.1 - ,т.;,; т; - ; В предлагаемом -, тос;:е 1 ИЮ брЗГОБСК 01 " а т, 111 -цени 5 крист,-;.555,(усирукщей зкрт";10и ГОЛЩИНЕ ПОКРЫТ.Я П: - .(С.РИСтаЛЛИтЕ КУО ;,О-.-:ЧЕТНЫЕ СООТНОЕт 5,-;5ТОЛЩИНЫ ( .;10 КрЫТ;.я На т(0;КОЙ пОДлОжке разлитт"...

Номер патента: 1249415

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Габриелян, Демирчян

МПК: G01N 23/20

Метки: изменения, межплоскостных, монокристаллах, относительного, расстояний

...- Гол Ясльс 5 д 1;3и . - расстояние ме 3 Гду моцокрисд:1,дм: и талш:1 цд первого мацок 13 и - стдплд в сенс 3 ц 13115 соатвстст ишем ме - су 13 дзрь 13 д 11 цтерфс реп "иоц.1 ьх ли 1 Й иптерфереццианцые .1 и:1 ии пртерпе 13 дя; разрыл, Измерив та 3 шину , с и расс". ояцие ; .в .", па формуле (11 мов;на о 1 ределит 1. относительное изменение межпласкастных расстояци 13,5, Л. 1 ил.сИзобретение относитс к рант: ецоицтерферометрическим 3 с",)л даава:тия,труктурного совершенства вО Окрис: аллов,Цель изобретения - повъш .Яе :оч " ности измерений,На чертеже 1/оказана схем ре,=лиэа 1 еии спосо а,ЦЛОСКЕ 11 Е тдО,вас т ГЕО,)КО - ,;1 сзПУЧЕНИЯ ЦалотацттяЮТ НаЛОЦ)спи ГН 5 3 ТОЛЩИНОЙ Г, С КГ)С 1ВНУТ-/Е;с:. тс; С .ЕЗ )3,;И С МЕЖПЛОСКОСТЦЫМ РаС...

Номер патента: 1255906

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Гуреев, Даценко, Кисловский, Кладько, Низкова, Прокопенко, Скороход, Хрупа

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, совершенства, структурного

...исследуемого кристалла, позволяет использовать немонохромати 906 4участвует в Формировании дпфрагированных пучков с интенсивностями 1э 1и 1соответственно в эталонном иисследуемых образцах, а также неизвестную аппаратурную функциюи, которая оказывается практически одинаковой в эталонном и исследуемом образцах. Измерить для каждой 1 величину 11 в первичном пучке гри наличии падающего полихроматическогопучка с расходимостью к 8, значительно превышающей область углов интерференции исследуемого кристалла,не представляется возможным,Использование в качестве падающего первичного пучка рентгеновскихлучей немонохроматизированного излучения непосредственно от источникасущественно упрощает схему измерений. В этом случае полностью...

Номер патента: 1257483

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Зайцев, Носков, Ференц, Ханонкин

МПК: G01N 23/20

Метки: монохроматор, рентгеновский, фокусирующий

...резями 6 шириной, равной толщине пакета пластин. Изгибающее устройство выполнено по принципу пантографа и состоит из пары опорных 7 и пары ведущих 8 рычагов. Опоры 5 жестко закреплены на ведущих рычагах так, что оси стаканов опор совпадают с осями 9 шарнирного соединения опорных 7 и ведущих 8 рычагов. Ось 10 опорных рычагов 7 закреплена неподвижно, а ось 11 ведущих рычагов 8 установлена с возможностью перемещения относитель но оси 10 при приложении к ней знакопеременного усилия.Устройство работает следующим образом. 57483 2 жаются, деформируя (изгибая) пакетпластин, поскольку последний с двухсторон ограничен прорезями 6. Опоры5 поворачиваются на одинаковый уголотносительно исходного состояния иоказывают давление на торцы пластины2, при...

Номер патента: 1260783

Опубликовано: 30.09.1986

Автор: Турянский

МПК: G01B 15/04, G01N 23/20

Метки: градуировочная, мера, рентгеновских, рефлектометров

...достаточно простыми средствами, и состоящими в нагреве рабочей поверхности потоком ультрафиолетового излучения до температуры 0,15-0,30 Тпл К, где Тпл К - температура плавления ниобата лития. В результате воздействия ультрафиолетового (УФ) излучения на поверхность монокристалла ниобата лития при указанных условиях облучения происходит монотонное снижение коэффициента зеркального отражения рентгеновских ,пучей приблизительно линейно от величины УФ-экспозиции, Наведенные изменения рельефа поверхности и связанные с ними значения коэффициента отражения сохраняются после повторного Нагрева поверхности градуировочной меры (без УФ-облучения) до 450 К, при экспонировании в потоке рентгеновского излучения с энергией 8 экВ7 ги плотностью 10...