G01N 23/20 — с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов; с помощью отраженного излучения

Номер патента: 494669

Опубликовано: 05.12.1975

Автор: Кармилов

МПК: G01N 23/20

Метки: радиоактивных, рентгенографирования

...излучения 4 и регистрирующему (например, цифропечатающему) прибору 11, например типа ПЛи ЭВМ 12 при помощи кабеля. Управляющий генератор 10 соединен с шаговым двигателем 7 и счетчиком импульсов 9.Устройство работает следующим образом.Излучение рентгеновской трубки 2, форма сигнала которого представлена на фиг. 2, а, через входную щель 3 попадает на исследуемый образец 1. Дифрагированное излучение образца 1 модулируется модулятором 5 и попадает в приемник излучения 4.Форма модуляции выбрана прямоугольной, что более удобно в цифровой технике. Фронты прямоугольных импульсов определяются управляющим генератором 10, временное распределение импульсов которого представлено на фиг. 2, г. Толщина и материал модулятора 5 выбраны с таким...

Номер патента: 494670

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Кононенко, Рябошапка, Эпик

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгеноструктурного

...каждого типа.Находят величины, пропорциональные числу чефектов каждого вида при решении соответствующих уравнений, связывающиеплотность дефектов каждого вида с измеренной максимальной разориентировкой исследуемых узлов через коэффициенты, определяющие вклад в размытие узла от раздельного воздействия дефектов, а полученные данные используют для исследования кинетики дефектности структуры в каждой из рассматриваемых плоскостей скольжения. При этом используется тот факт, что разные узлы обратной решетки кристалла, содержащие дислокации, расположенные в различных системах скольжения, размываются в обратном пространстве по разному в зависимости от типа и распределения дислокаций. Например, при хаотическом распределении винто-+ вых дислокаций...

Номер патента: 498537

Опубликовано: 05.01.1976

Авторы: Бабад-Захряпин, Махинько, Юшина

МПК: G01N 23/20

Метки: длинномерных, рентгенографирования

...защитная оболочка и,направляющая выполнены в виде цилиндрической оболочки с вырезом, внутри которой расположены скользящие опоры для изделия, соединенные со средствами для перемещения изделия, причем цилиндрическая оболочка установлена в юстировочном механизме. глами, а также привязку ус артной рентгеновской аппар 1 показана рентгеновская сна для регистрации дифр ы и механизма привода; на ский держатель длинно продольном разрезе.Рентгеновская камера иопользуется следующим образом.В зависимости от вида съемки платформа 3 с держателем разворачивается относительно основания для установки контролируемой трубы прямым или заданным острым углом к направлению первичного рентгеновского пучка и фиксируется в заданном положении. Выбирается...

Номер патента: 501342

Опубликовано: 30.01.1976

Авторы: Конторович, Маликова, Рыбакова, Щукин

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллитов, материалах, пористых, размера

...к тому же не всегда мождостаточно надежно. ф рениюммах.ляется емеэ 10ть ушире х раз ениямиет бы упрощение анализаеления размеровристых материалов,ка, строительные, сорбенты и т.д.что исходный машок, размер часет релаксацию микмеряют уширениеуказанного порошка,уширением рентгеого материала,Бель изобретения -рентгенограмм для опредкристаллитов в случае потаких как металлокерамиматериалы, каталиэаторьЭто достигается тем,териал превращают в поротиц которого обеспечиваронапряжений в них и изрентгеновской линии откоторое сравнивают сновской линии от исходи Способ реализуют следующим образом.Снимают рентгенограммы и измеряют ширину рентгеновской линии образцов или промышленных изделий пористого материала и порошка, полученного после...

Номер патента: 522458

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Имамов, Ковальчук, Ковьев, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр, трехкристальный

...на первьй кристалл 1, который поворотом вокрут своей оси вращения О, а также поворо том источника 4 рентгеновского излучения на 2 У выводится в отражающее положение так, что отраженньй от нее луч идет вдоль направляющей 8 и регистрируется счетчиком 6, Затем поворачивают с помощью механизма совместного поворота источника рентгеновского излучения и первого кристалла-монохроматора луч, отраженньй этим кристаллом так, чтобы он проходил через2ось О второго кристалла-монохроматора 2, расположенную на направляющей 9, После этого второи кристалл-монохроматоп 2 поворотом вокруггоси 0 (около значения М Б ) устанавливается в отражающее положение, при этом отраженный от него луч фиксируется счетчиком излучения 6,3,6находящимся на оси 0исследуемого...

Номер патента: 445364

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Ефанов, Комяк, Лютцау, Рабодзей

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллов, топограмм

...кристалла ц положение соответствующего цм акта заиси ца детекторе. Причем в зависимости от требований к съемке матрица параллельных капилляров может быть установлена как перед исследуемым кристаллом, так и перед детектором.На чертеже схематически изображен один из вариантов исполнения предлагаемого устройства.Источник излучения 1 выполнен в в",де растровой рентгеновской трубки с анодом 2, нанесенным непосредственно на выходное окно из бериллия.Непосредственно у выходного окна источника излучения расположен коллиматор 3 в виде двумерной матрицы параллельных капилляров, вплотную к которому размещен исследуемый кристалл 4. 32 ис. следуемым кристаллом перед детектором 5 размещен другой коллиматор 6, выполненный также в виде двумерной...

Номер патента: 525875

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Зеге, Мотора, Сенюта, Соловейчик, Финкельштейн

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометра, образца, рентгеновского, столик

...выполнен в виде клинового механизма,содержащего, по крайней. мере, два клиновыхзвена с установленным между ними толкателем, причем, по крайней мере, одно иззвеньев выполнено с возможностью регулирования угла между направлением перемещения толкателя и нормалью к рабочей поверхности клина.На фиг. 1 показано предлагаемое устройство, общий вид; на фиг. 2 - то же, сечение по А-А.На основании 1 закреплен держатель 2,несущий задающий микрометрический механизм 3, который с помощью планки 4 связан с клином 5. На этом же основанииустановлен поворотный корпус 6 с клином7, связанным с клином 5 толкателем 8.На оси 9 установлен столик кристаллодержателя 10 с неподвижно закрепленной нанем призмой 11, которая в рабочем положении взаимодействует...

Номер патента: 526811

Опубликовано: 30.08.1976

Автор: Кринари

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгеновского, силикатов, слоистых, фазового

...поверхностью, образованной нормалями к плоским сеткам ЙИ;и - число натурального ряда.Теоретические значения улл могут быть вычислены исходя из идеализированных структурных моделей изучаемых фаз с помощью обычных приемов геометрической кристаллографии, Точечность -+ 2 оказывается при этом вполне достаточной, что позволяет проводить вычисления прафичеоки на сетке Вульфа.В-третьих, полуширина дифракционных максимумов, зарегистрированных в координатах интенсивность - угол у неподвижным счетчиком квантов различна для рефлексов, относящихся к разным, системам кристаллитов, и примерно одинакона для рефлексов, относящихся к одной системе кристаллитов, поскольку степень ориентированности частиц каждой системы определяется их формой и...

Номер патента: 534677

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структуры

...в положении Брэгг-дифракции.Дифрагированные им лучи регистрируются4 Ьсчетчиком излучения 5. Часть рентгеновского излучения, поглощенная кристаллом, вызывает фотоэмиссию электронов, которые выходят из кристалла с определенной кинетичесЯкой энергией,Процесс поглощения рентгеновского кван( Ста энергией п - ( Я - постоянная Планка, с - скорость света, Л - длина волныпадающего излучения) носит локальный характер. Образовавшиеся фотоэлектроны, распространяющиеся по поверхности кристалла,по мере своего движения взаимодействуют сэлектронами атомов решетки кристалла. Врезультате неупругого рассеяния часть элект 9 ронов полностью теряет свою кинетическую энергию и поглощается. Покидают кристалл только электроны, вылетающие с определенной...

Номер патента: 537288

Опубликовано: 30.11.1976

Авторы: Дерявко, Егоров, Ланин, Таубин

МПК: G01N 23/20

Метки: твердых, тел, теплопроводности

...Брахнина Техред М. Семенов Редактор Е. Караулова ЦНИИПИ Заказ 2694/14 Изд,1831 Тирагк 1029 Подписное Типография, пр, Сапунова, 2 напряжениями на поверхности образцабрегговскими углами:Е с 1 дО (Нг - Ф)1 - , а з 1 пг где О" и О - орегговские углы при перпендикулярной съемке к поверхности образца и при съемке под углом ф соответственно;коэффициентом термичсского расширения и брегговскими углами:(4) где дт, и Йт, - периоды решетки при температурах Т и Тг соответственно.Если Т 1=20 С, то (4) преобразуется вгт 120а: . (4 а)с 120 Т - 20Так как 2 Нз 1 пО=аХ, то= ТВ (5) необходимо ввести поправку на сдвиг брегговского угла от возникающих на поверхности напряжений, а именно:оРешая совместно уравнения (1) - (6) и при условии, что р=0,25 и...

Номер патента: 537289

Опубликовано: 30.11.1976

Авторы: Епифанов, Петьков, Тарнавский

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературная, дифрактометру, камера-приставка, рентгеновскому

...и фиксирующая (вертикальная) поверх.ности, выполненные на рабочем торце тонко 30 стенной стойки П-образного сечения, располо 537289жены, например, под прямым углом и обеспечивают линейный контакт с исследуемым образцом. Второй конец стойки 2 закреплен неподвижно с необходимой электроизоляцией навакуумном корпусе 3 камеры-приставки. Прижим образца к фиксирующей плоскости стойки осуществляется рабочим плечом 4 рычага5, шарнирно закрепленного преимущественно,вне блока экранов 6, а усилие прижима образца к фиксирующей поверхности стойки 10обеспечивается массой рычага и/или дополнительным грузом 7, расположенным на второмплече 8 рычага,Такое устройство механизма прижима позволяет одновременно создать стабильные условия измерения...

Номер патента: 542128

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Бойко, Харченко

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, кристаллов, рентгенографического, структуры

...изобретения поясняет чертеж.10 Пучок рентгеновских лучей 1, ограниченныйщелью 2 до заданной ширины, направляют в торец образца под утлом Вульфа - Брэгга к отражающим плоскостям, которые параллельны поверхности образца 3, Отражающее положение образца, которое 15 соответствует выходу дифрагированных лучей 4из образца 3, проверяют счетчиком излученияс регистрирующим устройством, Рассеянные в направлении дифрагированного пучка лучи 4 регистрируют на фотопластинке 5, которую располагают 20 вблизи от поверхности исследуемого образца 3. Нафотопластинке получают топограмму с изображением дефектов структуры, находящихся в слое, параллельном поверхности образца, толщина которого определяется заданной шириной рентгеновского 25...

Номер патента: 545906

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Гоганов, Дмитриев, Евграфов, Комяк, Талалай, Хейкер

МПК: G01N 23/20

Метки: анализатор, многоканальный, рентгеновский

...дифрактометра источником рентгеновского излучения может быть рентгеновская трубка с колл иматором, а диспергирующим элементом - исследуемый образец, например поли- кристалл, установленный по касательной к фокальной окружности 5. В случае использования анализатора в качестве рентгеновского спектрометра источником рентгеновского излучения 1 может быть исследуемый образец, испускающий первичное излучение пли вторичное (флуоресцентное) излучение при его облучении от рентгеновской трубки, а диспергирующим элементом 2 - дифракционная вогнутая решетка с радиусом кривизны, равным радиусу фокальной окружности.Детектирующее устройство 3 представляет собою выполненный в едином корпусе счетчик, изогнутый по фокальной окружности 5 и...

Номер патента: 545907

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Завилинский, Исьянов, Петьков

МПК: G01N 23/20

Метки: высокотемпературная, дифрактометру, камераприставка, рентгеновскому

...держателя.Цель изобретения - продлить срок службы термопары при колебаниях держдтеля и уменьшить габариты держателя.С этой целью стойка и рычаг предлагаемой камеры-пристаькп выполнены в виде коаксиально расположенных трубок с торцо.выми выступами на каждой, причем одна из стоек установлена шарнирно в другой, а термопара расположена во внутренней трубке.На чертеже изображен разрез камеры, Основание 1 с окнами 2 для рентгеновских и оптических лучей крепят к гониомет. ру через опорный вал 3 механизма продоль. но-поперечного перемещения 4. Образец 5 устанавливают в держателе, состоящем из двух коаксиальных трубок б и 7 с торцовыми выступами 8 и 9 соответственно, между которыми крепится образец 5. Возможность крепления обеспечивается...

Номер патента: 545908

Опубликовано: 05.02.1977

Автор: Нитц

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристалле, первого, перехода, регистрации, рода, фазового

...рассеяния на каждот зародыше уширена, поэтому диапазон длин волн нейтронов, испытывающих дифракцию на зародышах цовой фазы, значительно больше, чем ца толстых доменах матричной фазы. Вследствие этого в случае достаточно большого числа центров зародышеобразования (дислокаций, примесей, границ доменов) ца пути первичного пучка в точке фазового перехода отношение интенсивности нейтронов, рассеянных на доменах новой фазы к интенсивности рассеяния на доменах матрич545908 Формула изобретения Составитель К. КононовТехред В. Рыбакова Корректор И, Симкина Редактор С, Титова Заказ 124/295 Изд, М 435 Тирак 1054 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Тип,...

Номер патента: 564581

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Бойко

МПК: G01N 23/20

Метки: исследований, низкотемпературных, рентгеноструктурных

...трубок5, которые расположены симметрично относительно хладопровода, сосуд 1 соединен с основанием 6, закрепляемым на гониометрической головке или столике рентгеновского дифрактометра. В крышку сосуда1 впаяна трубка 7 для заливки хладагента и через уплотнение введен датчик 30уровня 8 хладагента,На пенопластовой теплоизоляции криостата установлены накладки с нагревателями 9, предотвращающими обмерзание теплоизоляции вблизи мест выхода из криостата паров хладагента. Часть пенопластовой теплоизоляции изготовлена в видесъемного конуса 10, который удаляют присъемке на прохождение.Держатель образца соединен с ппиводом 40поворота и представляет собой обойму, вкоторой установлена червячная передача,Шестерня 11 этой передачи имеет сквозной...

Номер патента: 568392

Опубликовано: 05.08.1977

Автор: Сикстен

МПК: G01N 23/20

Метки: гониометр, рентгеновский

...регулируюцпим временные интервалы в соответствии с характеристиками иследуемой структуры, причем выход блока подавления импульсов присоединен к системе перемещения фотокассеты. ретение относится к рентгеновски трам, используемым для определепоказан предложеннын гониом виде; на фиг, 2 кулачковое атор импульсов, блок подавле568392 Филиал г. Ужго П "Патент",д, ул. Проектная,ноотстояших импульсов, разделенных увеличенным временным интервалом, Число подавленных импульсов меняется блоком взависимости от природы исследуемого кристалла, Соответствующая регулировка подавляющего блока осуществляется вручную перед началом записи. После селективного подавления оставшиеся импульсы поступают к системе привода 10 шагового двигателя, который чеоез...

Номер патента: 569919

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Узморский, Хулелидзе

МПК: G01N 23/20

Метки: коэффициента, лучей, массового, поглощения, рентгеновских

...массового -коэффициента поглощениярентген 6 вскихпучей, заключающийся в измерении поглощения рентгеновского излучения, прошедщего через с.ой исследуемого вещества, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цепью упрощения процесса измерения, изготовляют образец с двумя смежными плоскими гранями, на одну, из указанных граней направ ляют рентгеновский пучок таким образом, чтобы дифрагированный пучок выходил иэ другой грани образца, перемещают образец в направлении, предпочтительно параллельном либо направлению падающего, либо дифрагированного пучка, и ре"истрируют изменение интенсивности дифрагированного пуъка. 35 2, Способ по п. 1, о т и и ч а ющ и й с я тем, что угол между гранямиобразца равен (180-29), где 6-брегговский угол дифракции,и...

Номер патента: 575549

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Беляева, Гевелинг

МПК: G01N 23/20

Метки: луча, образцу, рентгеновского, сканирования

...1 отличается от ципиидрической,Показанное на фиг. 4 устройство аналогично изображенному на фиг. 3, но отличается тем, что беговая дорожка образованаицилиндрической поверхностью, а ось А-Асмещена относительно оси Б-Б.Перед работой, устройства для сканирования исследуемый образец 4 закрепляетсяна торцовой поверхности втулки 3, обращенной к источнику рентгеновского излучения.Втулка-купачок 1 вращается вместе с валом2. Втулка 3 перекатывается по беговой дорожке втулки-кулачка 1 под действием сиптрения, возникающих в месте контакта втулки 3 и беговой дорожки. Поскопы.у рабочаяповерхность является поверхностью кулачка,при перекатывании точки втулки 3 описываютозамкнутый спиральный путь в пространстве(путь оано течки поверхности образца...

Номер патента: 584226

Опубликовано: 15.12.1977

Авторы: Левенец, Цапленков

МПК: G01N 1/28, G01N 23/20

Метки: гидрата, кальция, материалах, обнаружения, окиси, строительных

...камня (или бе порошкообразном состоянии смачивают с и помещают в кювету в объеме, нескол вышающем объем кюветы, Затем образе суют в кювете при давлении 10 -10 н4 5 При сжатии образца спирт вьщеляется на поверхность (при заполнении всего объема кюветы) и.выносит нз объема образца наиболее мелкие кристаллы, которыми являются (в основ. ном) на ранних этапах гидратации кристаллы Са(ОН). Происходит обогащение верхнего слоя образца наиболее мелкой фракцией. Основная интенсивность линий рентгенограмм происходит от верхнего слоя образца, Обогащение верхнего слоя той или иной фазой вызывает резкое повышение интенсивности литп 1 й этой фазы на ре генограмме, например, интенсивность линии О=4,9 возрастет в 8 - 10 раз.Таким образом, при содержлши...

Номер патента: 584234

Опубликовано: 15.12.1977

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, параметров, реализации, решетки

...эталонный кристалл 2. От второго источника 3 рентгеновские лучи также попадают на эталонный кристалл. Отраженные лучи с углом раствора 2 фокусируются на исследуемый монокристалл 4 (например,;на эпитаксиальную пленку), угол дифракции которогоив не равен углу дифракции эталонного кристалла в Ф в . Вращение исследуемого кристалла вокруг вертикальной оси приводит к последовательному отражению лучей 1 и 11. Через прорези 5 в эталонном монокристалле можно пропустить вторичные кванты и фотоэлектроны, возбуждаемые в исследуемом кристалле, в регистрирующую систему 6 (вторично-электронный умножитель, электронный спектрометр, рентгеновский датчик). Вся система находится в вакуумной камере (не показана) и источники излучения 1 и 3 установлены...

Номер патента: 596867

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Зубенко, Степанищев

МПК: G01N 23/20

Метки: головка, гониометрическая

...Механизм поворотов установленв отверстии пробки.На фиг. 1 показана предложеннаягониометрическая головка в разрезевна фиг, 2 - схема юстировки,Гониометрическаяголовка содержитстержни 1 н,2,.установленные в основании 3 .так, что оси стержня 1 иоснования 3 в исходном положении совпадают; а ось стержня 2 составляетс ними острый угол. Положение стержня 1 в стержне 2 фиксировано стовюфилиал ПП г. Ужгоро иг ром 4. Положение стержня 2 в основании 3 фиксировано самоцентрирующимся хомутом 5, который затягивают между основанием 3 и упорной гайкой 6. Кристаллодержатель 7 установлен на.стержне 1Работа головки поясняется стерео" графическими проекциями, приведенными на фиг, 2. Для совмещения произвольного направления кристалла 8 с осью основания 3...

Номер патента: 409554

Опубликовано: 30.05.1978

Авторы: Васильев, Вертебный, Клемпнер, Рудановский

МПК: G01N 23/20

Метки: бинарных, квазибинарных, смесей, состава

...определенных пределах значений 1):1 = сопз 11(1),При увеличении толщины слоя происходят ослабление плотности потока гамма-квантов в точке Л за счет самопоглощения излучения (увеличение, в среднем, г, и г) и удаления рассеивающих объемов от источника (увеличение, в среднем Я) и одновременное увеличение плотности потока за счет роста общего числа центров рассеяния (электронов) и приближения излучающих рассеянное излучение элементов объема до к точке Л (уменьшение, в среднем Я),При использовании показанной на фиг. 1 геометрии и специальном выборе расстояния Л источник-детектор на кривой 1 = 1(1) возникает плато (фиг. 2), в пределах которого скорость счета практически не зависит от толщины слоя.Оптимальное расстояние Листочник-детектор...

Номер патента: 609079

Опубликовано: 30.05.1978

Авторы: Киселева, Милютин, Турянский

МПК: G01N 23/20

Метки: плотности, поверхностного, слоя, твердых, тел

...сканирования 7 в направлениях, указанных на чертеже стрелкой, рентгеновский пучок попадает либо непосредственно на кристалл-анализатор, либо предварительно отражаясь от поверхности образца 6.Регистрация интенсивностей прямого и отраженного пучков до отражения от кристалла-анализатора осуществляется счетчиком излучения 9, Для уменьшения влияния рассеянного излучения перед счетчиком 9 установлена ограничивающая щель 8.Кристалл-анализатор 10 установлен ассиметрично относительно оси вращения Огю д и жестко закреплен на скамье 12 счетчика излучения 11, регистрирующего отражения от кристалла-анализатора пучка (см, фиг. 2), Такая установка, во-первых, обеспечивает перекрытие большего диапазона углов отражения от контролируемой...

Номер патента: 615400

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Зубенко, Степанищев

МПК: G01N 23/20

Метки: головка, гониометрическая

...стержня установлен кристаллодержатель.На чертеже представлен один из вариантов выполнения гониометрической головки.Гони ометрическая головка содержит кристаллодержатель 1, установленный в посадочном стержне 2 при помощй механизма Э, позволяющего перемещать кристаллодержатель 1 вдоль оси посадочного стержня 2. Посадочный стержень 2 установлен на платформе 4, которая может перемещаться по направляющей 5 и расположена на механизме 6 поворота вокруг оси 7 с приводным винтом 8. Механизм 6 поворота, в свою очередь, установлен на направляющей 9 с приводным винтом 10, которая является частью на механизме 11 центровки, например типа ласточкин хвост. Вся конструкция расположена на механизме поворота (на чертеже не показан) вокруг вертикальной оси...

Номер патента: 623144

Опубликовано: 05.09.1978

Автор: Бутаев

МПК: G01N 23/20

Метки: биологических, исследования, объектов

...Тираж 1112 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытый 113035, Москва, Ж, Рвяшсквя наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 На чертеже показана оптическая схема устройства, реализующего способ.Устройство включает в себя освети,тель 1, фосфороскоп, состоящий из двух модулируюших дисков 2,3 со смещенными относительно оси отверстиями, предметные стекла 4,5, оптико-фокусируюшую систему 6 и приемно-передающую трубку 7 с фотокатодом 8. Кроме того, устройство содержит усилитель 9, сигнал с которого подается на видеоконтрольное устройство 10 10 и далее на фиксирующее устройство, например кинокамеру 11.Способ осуществляется следующим образом.Исследуемый биологический...

Номер патента: 642638

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Аристов, Копецкий, Швиндлерман

МПК: G01N 23/20

Метки: внутренней, границы, движения, поступательного, раздела, скорости, твердом, теле

...осуществления способа; на фиг.2 - изменениеинтенсивности пучка лучей в зависимости от перемещения кристалла,На образец, состоящий иэ двухкристаллов 1, 2, разделенных границей 3, направляют пучок 4 рентгеновских лучей небольшого сечения с однородным распределением интенсивности,который облучает одновременно участки642638 Фиг. 2 Составитель Е.СидохинТехред З.Фанта Корректор В.Кривошапко Редактор И.Марголис Тираж ЫЮ Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д.4/5Заказ 7748/42 Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул. Проектная, 4 обоих кристаллов, примыкающие к границе. Пучок рентгеновских лучей, дифрагированных одним из кристаллов, регистрируется счетчиком, установленным по...

Номер патента: 498889

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Маликова, Семерчан

МПК: G01N 23/20

Метки: алмаза, алмазоподобных, качества

...выделением кристаллитов алмаза или алмазоподобных материалов из изделий, например, с помощью химического удаления связующего вещества.Используют дополнительный эталон, полученный путем обработки исходного порошка алмаза или алмазоподобного материала при тех же температурах и давлениях, которые применяют при изготовлении изделиИ, но без связующего вещества.Способ осуществляют следующим об 10 н 2 25 разом,Одно из которое выб механически рушают и пр образцы алм а Изобретение относится к способам контроля качества инструментов и аппаратов высокого давления, изготовленных из синтетических алмазов и алмазоподобных материалов типа карбонада, балласа, кубического нитрида бора, алмазных композиций и др,Известен способ нераэрушающего контроля...

Номер патента: 667878

Опубликовано: 15.06.1979

Авторы: Налбандян, Погосов, Шабоян, Эйрамджян

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, работы, рентгеновской, топографии

...уста новлены на платформе, подвижной отно, сительно держателя исследуемого кристалла и средств визуализаЦий; "Кроме того, одна из трубок используется в импульсном режиме, 15На фиг.1 показана принципиальнаясхема предлагаемого устройства; нафиг.2 - относительное размещениедвух рентгеновских трубок; на фиг.Зтопограмма, полученная с помощью 20предлагаемого устройства,Устройство содержит острофокусныерентгеновские трубки 1, 2, выходныеокна 3 которых расположены на однойпрямой, на которой находятся и фокусы 25трубок, коллиматор 4, исследуемыйкристалл 5 на держателе, щель 6;видикон 7, предварительный усилйтель8 и приемно-регистрирующее телеустройство 9. Из колЛйматора 4 выходитсовмещенный пучок 10 обеих трубок,а на видикон 7 попадает...

Номер патента: 682802

Опубликовано: 30.08.1979

Авторы: Буренков, Гитгарц, Жибарева, Иванова, Ивашин, Толстой

МПК: G01N 23/20

Метки: бериллиевой, бронзы, термической

...способ оценки структурного со стояния и качества термообработки сплавов, основанный на измерении твердости и микротвсрдости образцов и изделий 1.Известен рентгенографический способ оценки структурного состояния дисперсион О но-твердеющих сплавов, основанный на изучении ширины (уширения) дифракционных линий 2.Наиболсс близким к изобретению является способ контроля термической обработки 15 изделий из бсриллисвой бронзы, состоящий в том, по образец облучают рентгеновскими лучами, снимают дифрактограмму, определяют период решетки и сопоставляют с эталонными значениями 3.20Недостатком этого способа является невозможность оценить с достаточной степенью точности структурное состояние и условия старения сплавов медь - бериллий...