C30B 33/00 — Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой

Номер патента: 1082777

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Андреев, Титов, Шварцман

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, лития, танталата, травления

...фигур травления на поверхности кристал.лов танталата лития.Цель изобретения - получение контраст.ных фигур травления при контроле степенимонодоменности кристаллов,Поставленная цель достигается тем, что вкачестве органической кислоты используютщавелевую кислоту и обработку ведут при85 - 95 С в течение 13-17 мин при следующем соотношении компонентов смеси, об.%:Блавиковая кислота 31-35Насыщенный прикомнатной температуре растворщавелевой кислотыв азотной кислоте 65 - 69Введение щавелевой кислоты благоприятно изменяет кинетику травления, вследствиечего возрастает степень контрастности фигуртравлеиия. При микроскопическом наблюдении оЭистн разноименных доменов резко отлваиотвя, видны междоменные границы и отдельные хорошо ограниченные ямки....

Номер патента: 1082874

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Баграмян, Туманьян

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, молибдата, полировки, свинца, химической

...обработке кристаллов и может быть использовано для химической полировки монокристаллов иолибдата свинца.(РЬМоО) а также при обработке изделий из кристаллов РЬМо 04,.Известен способ химической полировки,кристаллов молибдата свинца,включающий погружение образца на2-8 г в раствор хромного ангидрида 1 Ов .концентрированной ортофосфориойкислоте с соотношением 1:3 при 40100 С. Согласно данному способу проводят полировку любых граней произвольно ограненного кристалла. 15Недостатки способа - большаяпродолжительность процесса полировки(или малая скорость растворения, вуказанном интервале температур,составляющая,-2 мкм/ч), высокая тем Опература полировки (до 100 С) - приотаких температурах манипуляции собразцом нежелательны, посколькумогут...

Номер патента: 1082875

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Восканян, Геворкян, Туманьян

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, молибдата, полировки, свинца, химической

...соляную кислоту (уд. вес.1,19 г/см) при отношении ее к ортофосфорной кислоте (уд.вес.1,7 г/см,)равном 1:2 (в об.ч.) и процесс ведут при комнатной температуре втечение 3-5 мин.Комнатная температура позволяетвести процесс химического полирования в стабильных условиях, что исключает растрескивание образцовмолибдата свИнца, которое возможнопри незначительных тепловых ударах.Высокая скорость нормального растворения (60-70 мкм/ч) позволяетоперативно вести процесс полировки,время пребывания образца в растворезависит от толщины удаляемого слояс поверхности кристалла,Концентрированная соляная кислота не может быть использована в качестве травителя для кристаллов РЬМоО из-за образования на поверхности образца белого,...

Номер патента: 1082876

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Генкина, Мусаев, Панков, Шитова

МПК: C30B 33/00

Метки: висмута, кристаллов, силиката

...В+ Р дозами 10"ион/смс .энергией 52-100 кэВ, при этом вимплантированном слое происходитструкторное разупорядочение, приводящее к образованию аморфного, слоя. ЗО Обработку производят для улучшенияакустических свойств кристаллов. Данные об изменении оптических характеристик,не приведены ГЗ 3., Однако для просветления кристалловизвестный способ непригоден в результате того, что дозы, которые в немиспользуются ( ф 10 "Ь ион/см), приводят к аморфизации поверхностногослоя. Образование аморфного слояне только не приводит к просветлению кристалла, но и снижает оптичес-.кое пропускание. Основные положения,просветляющей оптики требуют, чтобыглубина слоя, обеспечивающего прос 1 145 ветление, составляла - Л, что дости-,4гается выбором определенной...

Номер патента: 1089182

Опубликовано: 30.04.1984

Автор: Яблонский

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, ориентации

...дифрации и преломления падающего света (ЬЧ(Ед) или дифракции света люминесценции в плоскости кристалла наблюдается дифракционная кар тина в виде ярких световых фигур (преимущественно точек), количество и форма расположения которых определяются формой элементов дифракционной структуры, которая в свою очередь зависит от кристаллеческой структуры полупроводника или диэлектрика.Размер этих элементов 0,2 мкм сЬ 10 мкм определяется условиями возникновения дифракции. При ЬВ Ь ъ 10 мкм) возникает зеркальное отражение и фигуры дифракции не наблюдаются, а при в (ф- (в (0,2 мкм) не выполняются условия для дифракции и 15 может наблюдаться только рассеяние света, Величина диаметра сечения пучка света или возбуждающего излучения определяется из...

Номер патента: 1109485

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Павлык, Сухоребрый, Цал

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, натрия, хлорида

...Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная,4 П р и м е р 2. Опыт осуществляютаналогично примеру 1, нагрев образцахлорида натрия проводят до 450 С иоблучают в течение 45 мин,П р и м е р 3. Опыт осуществляютаналогично примеру 1, при этом нагрев проводят до 400 С и облучаюти -ечение 55 мин. В течение укаэанного времени, происходит полноевыделение водорода,После полного выделения водородаиэ обраэца 1 что определяется массспектрометрическим методом)в оптическом спектре поглощения отсутствуетсоответствующая О -полоса поглощения,обусловленная ионами водорода.Таким образом, предлагаемый спо соб позволяет очистить монокристаллыхлорида натрия от примеси водородабеэ разрушения кристаллическойрешетки...

Номер патента: 1116100

Опубликовано: 30.09.1984

Автор: Степанцов

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, сращивания

...бо"лее легкоплавкого из них с последующей выдержкой при этой температуре.П р и м е р 1. Иэ кристаллов фторидов лития и натрия. вырезают. эагоО 2товки в форме цилиндров диаметром 30 мм и высотой 25 мм, полируют их торцовые поверхности до 12 класса частоты, совмещают по торцам и нагревают в атмосфере азота со скоростью 100 град/мин до 860 С (0,99 температуры плавления фтористого лития), нагружая со скоростью 10 г/си с до давления 10 г/си (0,99 предела упругости фтористого лития). Производят выдержку под нагрузкой приданной температуре (860 С) в течение 1 с, затем разгружают со скоростью 1 О г/см с и охлаждают до комнатной температуры со скоростью 100 град/мин. Прочность композиции по границе раздела, измеренная методом четырехточечного...

Номер патента: 1117344

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Назарова, Остащенко

МПК: C30B 33/00

Метки: изменения, минералов, окраски

...муфельную печьи в течение 40 мин выдерживают при150 С, Образец приобретает зеленуюокраску. При выдержке 1 ч 30 минобразец полностью приобретает желтый цвет, При увеличении времени термообработки до 2 ч 20 мин происходитобесцвечивание образца. При увеличении температуры отжига свьппе 180 Сцвет образца изменяется от зеленогодо светло-салатного, а при температуре 220 С полностью обесцвечиваетсяв течение 10-15 мин,П р и м е р 3. Кристалл пренитаоблучают гамма-излучением дозой10 Мрад, после чего он приобретаеткоричневый цвет, затем помещают нмуфельную печь и выдерживают при180 С н течение 50 мин, Кристаллприобретает зеленую окраску. Увеличение температуры, при которой выдерхслнают образец в муфельной печи,до 200-220 С приводит к...

Номер патента: 1122762

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Демиденко, Дунаев, Рыжиков

МПК: C30B 33/00

Метки: оптического, основе, поликристаллического, соединений, щелочно-галоидных

...определяют для каждого соединения отдельно.Щелочно-галоидные блоки получают гаэофазным осаждением в вакууме, причем для их получения возможно применение сырья, степень очистки которого гораздо меньше, чем у сырья, из которого выращивают монокристаллы и изготавливают оптическую керамику из порошков. Переход из твердой или жидкой фазы в газообразную происходит без диссоциации щелочно-галоидных соединений, поэтому блоки получают стехиометрического состава. При этом происходит очистка материала как от легколетучих примесей, так как при данных температурах подложки предотвращается конденсация или захват летучих примесей конденсирующимся паром, так и от высококипящих, в т.ч. и от кислородсодержащих, При скоростях конденсации 0,0005 -...

Номер патента: 1127920

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Бик, Ильин, Клауч, Кущева

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов

...заготовокили получения на поверхности дефектов в виде трещин и сколов. На практике при обработке плоскостей кристалла необходимо заранее установить, возможно :ли резание по этой плоскости. Кроме того, часто возникает задача обработки плоскости в кристалле произвольной формы,3 112Целью изобретения является повышение качества обработки хрупких металлических монокристаллов с объемно центрированной кубической решет- кой.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу обработки моно- кристаллов с ориентированием монокристалла и резание по заданной плоскости в заданном направлении резание про О водят по плоскости, наклоненной к плоскости 110) или 111, на угол менее или равный 15.Кроме того, резание по плоскости, наклоненной к...

Номер патента: 1142532

Опубликовано: 28.02.1985

Автор: Багай

МПК: C30B 29/02, C30B 33/00

Метки: висмута, монокристаллов, полировки, травитель

...дислокационной структуры,Поставленная цель достигается тем, что травитель для полировки монокристаллов висмута, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты, содержит компоненты при следующем соотношении, об.ч.:Азотная кислота(ледяная)Плавиковая .кислота (50%-ная) 0,02-0, 16 20253040 П р и м е р 1. Монокристалл висмута, имеющий Форму цилиндра, плоский торец которого имеет ориентацию 111, а с противоположной стороны ограничен полусферой, в которой сколом обнажена плоскость (111), обрабатывают в травителе, содержащем азотную кислоту (плотность 1,36), уксусную кислоту (ледяную) и плагиковую кислоту (50%-ную), взятые в соотношении (об,ч.) соответственно 4,00:8,00:0,04. Обработку ведут при встряхивании слитка и температуре травителя...

Номер патента: 1111515

Опубликовано: 30.04.1985

Авторы: Атабекян, Винецкий, Геворкян, Езоян, Ерицян

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: корунда, монокристаллов

...эл/см температура 1073 К) зачастую приводят к возникновению дефектов в виде дислокационных петель из междоузельных катионов.Целью изобретения является повышение прозрачности монокристаллов вультрафиолетовой области спектра.Поставленная цель достигается тем,что в известном способе обработкимонокриста лов корунда, К -А 1 п 03включающем облучение их потокомэлектронов, обработку ведут потокомэлектронов с энергией 2 ф 10б5 10 эВ дозой 10 - 10 эл/см .Повышение прозрачности достигается благодаря тому, что при облучениикристалла малыми дозами высокоэнергетичных электронов происходит разрушение или изменение зарядового состояния структурных дефектов. Структурные дефекты, например вакансиии междоуэельные ионы, возникают впроцессе выращивания...

Номер патента: 1154383

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Бугай, Выдай, Загарий, Цирлин

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: гамма-излучения, детекторов, мягкого, рентгеновского, термообработки

...высокое значение параметра пик/допина.Цель изобретения - увеличение параметра пик/долина детекторов рентгеновского и мягкого гамма-излученияи сокращение продолжительности термообработки.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу термообработкидетекторов рентгеновского и мягкогогамма-излучения на основе монокристаллов иодистого натрия, активированных таллием, включающему отбор детекторов по задаваемому параметру, ихнагрев до температуры термообработки,выдержку и охлаждение, отбор ведут- гпо концентрации активатора (3-4)10(2-3) 10 мас.7., нагрев - до 80-90 С,а выдержку осуществляют в течение4-5 ч.Сущность способа заключается в том,что при концентрации активатора в основе детектора (3-4) 10 мас.Е наблюдается низкое значение...

Номер патента: 1168635

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Билоголовка, Волощук, Кустов, Мазуркевич, Пешехонова, Щербина

МПК: C30B 33/00, H01L 21/00

Метки: жидкофазной, кассета, поверхности, подложек

...10 в межоперационный период.На фиг. 1 изображена кассета для жидкофаэной обработки поверхности подложек, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху. 15Кассета состоит иэ корпуса, содержащего основание и фиксатор подложек, которые при помощи направляющей стойки 1, гайки 2 и шпилек 3 жестко соединены между собой. Осно ванне кассеты образовано тремя параллельно расположенными распределяющими трубками 4, которые посредством несущей трубки 5 соединены с направляющей стойкой 1. В последней имеет ся осевое отверстие для подачи газа, сообщающееся посредством несущей трубки 5 с полостью распределяющих трубок 4, в которых прорезаны попе,речные пазы для размещения подложек, 30 причем глубина пазов больше толщины стенок распределяюидх трубок, что...

Номер патента: 1172946

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Багдасаров, Затуловский, Мунчаев, Цивинский

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: кристаллов, налета, поверхности, профилированных, сапфира, удаления

...- 0,2 ч приводит к растворению осевших из пара металлов, 20основных и атмосферных окислов,Прополаскивание в концентрированном растворе ИНОН при комнатнойтемпературе 0,5 - 0,7 ч способствуетрастворению кислотных и атмосферныхокисловОтжиг на воздухе при 800-1000 С соответственно в течение 1,5-0,5 ч приво"дит к возгонке летучих соединений,которые, в частности, могут образоваться при взаимодействии налетас воздухом.Химический состав налета практически не исследован, однозначно определить химические и физические про- З 5цессы, происходящие при этих обработках, в наст.вящее время не представляется возможным.Вне указанных режимов обработкане приводит к получению поверхности 40нужного качества, Увеличение темпе 6 гратуры травления выше 80 С,...

Номер патента: 1175977

Опубликовано: 30.08.1985

Автор: Багай

МПК: C30B 29/02, C30B 33/00

Метки: висмута, кристаллов, травления

...вершины трещин в кристаллах висмута.Необходимо обеспечить возможность проведения металлографических исследований процесса разрушения кристал 40 лов путем изучения дислокационной структуры вершины трещин в кристаллах висмута.Целью изобретения является увеличение четкости изображения дислокационных ямок травления в вершинах трещин кристаллов висмута.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу травления кристаллов висмута в растворе, содержащем об.ч.:Азотная кислота(50%-ная) 0,02-0,16при заданной температуре и времени, травление ведут при (-5) - (+4) С в течение 30-40 мин,Травление при температуре менее -5 С и времени более.40 мин не приводйт к выявлению на вершинах трещин в кристаллах ямок травления.оПри температуре...

Номер патента: 1075600

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Давтян, Налбандян, Шархатунян

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: калия, монокристаллов, пентабората, травления, химического

...травление ме 34 3ханически либо химически полирован -ных пластин.,ЬЩз. МнокристаллыЬд 10 з полируют-.з ВИ, затем опускают в воду при 75 С на 3,5 с. Получалась дислокационная картина травления монокристаллов 1.д 10. Однакоприведенные составы полирующихрастворов не полируют кристаллпецтабората калия и не дают четкойизбирательной картины травления.Известен также способ выявлениядислокационной структуры, заключающийся в полировке монокристалла 25Ьд 10 в НьО + ННОЕ + К.СгО, затемв химическом травлении в НО ++ МаОН.Однако при действии указанныхсоставов полирующего и травильногорастворов на гранях монокристаллапентабората калия не наблюдаетсяэффекта полировки и травления. Кнастоящему времени составы полирую "щего и травильного...

Номер патента: 1308653

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Клот, Леман, Липпитц, Пурпс, Хейдборн

МПК: C30B 33/00

Метки: возникающих, отходов, переработки, полупроводниковых, приборов, производстве

...8653 2арсина и фосфина при помощи очистительной системы отработавшего газа,состоящей из установки 13 обратнойпромывки с водой и газоочистителя14, наполненного раствором гипохлорита натрия, и направляется в вентиляционную установку -15.Контроль ядовитых газов в отходящем воздухе производится при помощи10 трубок Дрегсра для арсина и фосфина.После кратковременного пропуска промывочной жидкости клапаны 8 - 11 зак"рывают. Отложения удаляются в прифланцованных частях установки припомощи инструмента, например сверла,с последующим полосканием водой, которая подводится через гибкий шлангпри открытом вентиле 16,После интенсивного продувания азо 20 том очистительная камера открывается, и прифланцованные, очищенныечасти установки после...

Номер патента: 1411357

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Битюцкая, Бормонтов, Минасянц, Сыноров

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, ориентирования

...методом направленной кристаллиза ии из расплава, диаметром 1 см и длинойсм раскалывают на несколько частей по лоскостям спайности. Каждый из полученых образцов имеет от одной до трех непааллельных плоскостей скола, на каждой из оторых имеются риски. На отколотых часях монокристаллов сошлифовывают и отолировывают медве площадки, перпендикуярные рискам на сколе. Окончательную поировку шлифов осуществляют пастой АМ ,5/О, Размеры шлифов Зх 5 мм. Затем осуествляют травление шлифов травителем, одержащим 10 мл 69,8%-ной азотной кисоты и 50 мл 45%-ной фтористоводородной ислоты (картина травления изображена на иг. 1) и травителем, содержащим 40 мл 9,8%-ной азотной кислоты и 10 мл 45%-ной тористоводородной кислоты (картина трав- ения...

Номер патента: 1583478

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Большакова, Елкин, Козлов, Масленников, Сорокина

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: кристаллов, лития, танталата, травления

...1. представлена структураполидоменного образца, выявленнаяс помощью известного и предлагаемогспособов; на фиг,2 - поверхности крталла танталата лития, подвергнутогтравлению предлагаемым способом втечение 5; 7 и 10 с; на фиг.3структура монодоменного и полидоменго образцов,Гранулированный едкий кали в колчестве 7 г засыпают в керамический ится к обралата лития астности к и доменной етодами опти кроскопии.ить и сокра нокристаллы едкого кали5-7 с.нижена до роводится расплава, получитьЦов в течение 5 с (фиг.2 а), 7 с (фиг.2 б) и 10 с (фиг.2 в) в расплаве дкого кали.П р и м е р 3. Полидоменный (фиг,Зб) и монодоменный (фиг.За) образцы, изготовленные из монокристалла танталата лития, одновременно Оодвергают травлению в расплаве едкого кали при...

Номер патента: 1583479

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Педько, Сорокина

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: лития, монокристаллов, ниобата, травления

...существенно понизитьтемпературу травления, сократитьего время и получить четкие Фигурытравления. Монокристаллы ниобаталития обрабатывают расплавом КОНс добавкой ИаОН в количестве 35 мас.Епри 150+0,2 С в течение 5 - 7 с. Пос -ле травления образцы опускают встаканчик с кипящей дистиллирован -ной водой, через 1 мин стаканчикоснимают с плитки и охлаждают до 30 С.Затем образцы обтирают и исследуютпод микроскопом. Способ позволяетполучить большую инФормацию о реной структуре, а также выявить до -менные структуры отрицательного иположительного дисков поляризации, 1583479травления ведет к потере контрастности или искажеиию картины травления.На снимке видны домены обоих знаков Использование предлагаемого способа по сравнению с известным позволяет...

Номер патента: 1365756

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Доливо-Добровольская, Коломенский, Перелыгин, Стеценко

МПК: C30B 33/00

Метки: кубической, монокристаллов, симметрии

...фф дает либо с направлением (111)(табл.1) либо с направлением (011)(табл.2),эти направления соответствуют осям выращивания промышленных монокристал. - лов Криста лы устанавливают на станке для юстировки и резки (4) и юстируют по отражениям от гребней, боковую грань (011) совмещают с 0 на горизонтальном лимбе, Верх и них кристалла разрезают по плоскостям (211) с коррдинатами: долгота у = 90, широта= 1928, боковые стороны раз3 365756 4резают по плоскостям (011) с коорди- . тами: долгота с= 99 о 28, широтанатами; долгота= 6600,:широта= 6446.ое 90 00 ,ф о р м у л а из о б р е т е н и яАналогично отъюстировывают и раз- Способ обработки монокристалло5врезыот кристаллы, удлиненные по оси кубической симметрии, включающий рас(011), координаты...

Номер патента: 1587083

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Гилярова, Головко, Корзинкин, Мытарев, Оксентьевич, Рогачев, Фомин

МПК: C30B 25/02, C30B 33/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термической

...газов, а также - в вытяжную вентиляцию, имеющую связь с чистой зоной 16, Г 1 о окончании загрузки производят стыковку реактора 2 с коышкой 8, при этом подключают подачу инертного газа через патрубок 15, Плотное прилегание плоского шлифа между реактором 2 и крышкой 8 обеспечивают при помощи сильфона 11 и прижимных пружин 14, После продувки реактора 2 с загрукенными пластинами 5.инертным газом нагреватель 1 выводят в зависимости от процесса на необходимую рабочую температуру, контролируемую термопарой 18. Включают подачу ПГС (в случае пирогенного окисления - пары, образованные сгоранием водорода в кислороде с добавлением хлористого водорода, в случае диффузии, например РРС 1 э - инертным носителем).На нагрузочном конце реактора 2...

Номер патента: 1590485

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Балякин, Борисенко, Ерофеев, Кистерев

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

...кристаллов и пбростить технологию процесса. КС, КВг, выколотые по плоскоакрепляют в тефлоновом держаещают в жидкость (керосин) на 0,1 - 2;0 мм от торца волновода, ют ультразвуком в режил)е кавилитудой колебаний 5 - 20 мкм в 0 мин при комнатной темпера- проводят деформацию сжатием ению с 100до величины отноеформации 60-80%. 1 табл. щую 5 мкм, контролируют элек ческим датчиком. Время обрабо Температуру поддерживают на у натной.Обработанный образец вы зажима и деформируют сжатием лению с 100до значения отн деформации 80%,В таблице представлены характеристики предлагаемого способа,Использование предлагаемого способа упрочнения кристаллов КВг и КС), включающего одноосную деформацию сжатием по направлению с 100 до значений относительной...

Номер патента: 1594221

Опубликовано: 23.09.1990

Автор: Степанцов

МПК: C30B 29/16, C30B 33/00

Метки: кристаллический, материал, оптический

...полученного кристаллического оптического материала в плоскости оптичес1594221 Составитель В.БезбородоваРедактор Н.Рогулич Техред АКравчук Корректор С,Черни Заказ 2814 Тйраж 348 Подписное 5 НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 13035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5П,.оизводственно"издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 ких осей под углом 30 о к границе сращивания направляют. луч света, наблюдают его расщепление на границе сращивания на обыкновенный и необыкно 5венный лучи и измеряют угол расщеплеония, который оказывается равным 38Ма монокристалле кальцита максимальный угол расщепления равен б 4оП р и м е р 3 Два оптически одноосных кристалла сапфира...

Номер патента: 1594222

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Груздев, Карпеев, Купрюнин, Мелкумянц, Раков, Федоров

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: состав, травления

...нагревают до 133 С, поме.- щают в образовавшийся расплав подложки ниобата и танталата лития и травят при этой температуре. Количество исходных компонентов для приготовления травителя и температуру травления определяют из фазовой диаграммы системы КР-НР при концентрациях КР 61 мас,Ж и НР 39 мас.й. зовано для химической обработки подложек ниобата и танталата лития. Цельизобретения - повышение скороститравления, Состав для травления монокристаллических подложек ниобата итанталата лития представляет собойрасплав компонентов, взятых в количестве, соответствующем на фазовойдиаграмме НР-КР, где И-щелочной металл и/или аммоний, соотношению,мас.7: МР 48-89, КР 11-52. Скоростьтравления повьшается в несколько разпо сравнению с прототипом. 1 табл....

Номер патента: 1604873

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Криштопов, Куличенко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

...увеличения предела текуче- сти в 3 - 5 раз. 2 табл. сти электрического поля Е. Определяют по ней, что пороговая величина Епор электрического поля, при которой эта зависимость начинает отклоняться от линейности, равна 25 кВ/см. Измеряют по дислокационным ямкам травления скорости перемещения краевых дислокационных диполей Ч при напряженности электрического поля 140 кВ/см и устанавливают, что она равна 1 мм/с. Берут кристалл КС в виде пластины толщиной Ь, равной 2 мм. Определяют для него минимальную 1 мин и максимальную 1 макс длительность воздействия электрическим полем напряженностью 140 КВ/СМ, раВНуЮ СООтВЕтСтВЕННО тмин ==,23 с.Воздействуют на кристалл постоянным электрическим полем напряженностью 140 кВ/см в течение 5 с. Для...

Номер патента: 1612000

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Иванцов, Николаев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: монокристаллов, натрия, нитрита, травитель

...1 - 2 с и высушиваются в потоке теплого воздуха от тепловентилятора, Поверхности обработанных образцов исследуют в оптическом микроскопе МБИУ 4,2 и электронном просвечивающе. микроскопе УЭМ, Исследования показали, что дислокационные ямки травления выявляются после обработки травителем лишь на поверхностях 301). При лроведении нескольких поочередных травлений основания призматических образцов шлифуются на мелкой наждачной бумаге и полируются на слегка влажной фильтровальной бумаге.Глубина ямок травления, оцененная поневому контрасту в электронном микроопе, составляет в среднем 2,5-3,0 мкм.Кристаллографическая ориентация поверхностикристалла Результаты обработки Состав т авителя,мас,Этиловый спирт15 Эффективное травление выходов...

Номер патента: 1638221

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Анисимов, Жеков, Кислецов, Мурина, Попов, Федоров

МПК: C30B 29/28, C30B 33/00

Метки: гранатов, монокристаллов

...Проведение отжига с темпера.турой более 400 С нецелесообразно,из-з а сложности высокотемпературныхпечей, Проведение отжига при температуре порядка 1000 С и более приводитк выпаданию фазы УА 10 э и т.д., кдиффузии атомов, что в свою очередьприводит к образованию точечных дефектов типа Г-центров, 0-вакансий ит.д,Длительность импульса лазерногоизлучения, которым проводят обработ -ку, равна 10 -1 О с и определяетсяэкспериментально, 40Уменьшение длительности импульсаприводит к тому, что времени для перехода частицы в новое кристаллическоесостояние становится недостаточно,то есть она находится при высокой 45температуре мало времени.Увеличение длительности, импульса приводит к уменьшению энергии вотдельном "пичке" лазерного импульсаи данной...

Номер патента: 1316323

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Войтович, Калинов, Михнов, Овсейчук

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: активной, кристаллов, лития, среды, фторида

...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 13Изобретение относится к кванто" вой электронике и может быть использовано для создания активных элементов лазеров с перестраиваемым по частоте спектром излучения.Целью изобретения является расширение диапазона генерируемого лазером излучения на область 520-580 нм.П ри и е р. Оптически обработанный кристалл фторида лития (толщина 2 им, площадь отполированной грани 10 10 ииф) помещают во влагонепроницаемую оболочку (чтобы избежать воздействия на кристалл конденсирующейся при охлаждении из воздуха влаги). После этого кристалл охлаждают в термосе с сухим льдом. Применение в качестве охладителя сухого льда позволяет достигнуть температуры кристаллиэации углекислоты...