C30B 33/00 — Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой

Номер патента: 1663062

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Анистратенко, Концевой, Оксанич

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, хрупких

...фотоупругости измеряют внутренние механические напряжения и фиксируют, что в результате обработки они уменьшились от 1,0 до 0,3 МПа.П р и м е р 2. Процесс проводят как в примере 1, но меняют тип пластины и коорОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Завод чистых металлоСССР(57) Изобретение относится к способам о работки хрупких материалов, преимуще венно полупроводниковых пластин позволяет уменьшить внутренние меха ческие напряжения в них. К поверхнос кристалла прижимают острием зонд сплава серебра и платины. Усилие прижат создают не менее 1 сН, а выдержку в так условиях проводят в течение 0,1 - 5,0 Достигают уменьшения внутренних меха ческих напряжений до двух раз без вне ния термических изменений в...

Номер патента: 1663063

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Будина, Назарова, Сясина, Шишацкая

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: кристаллических, оптических

...спектра.Полученные превышения пропускания сведены в таблицу для иллюстрации полученной разницы для конкретных длин1663063 Козффициент спектрального пропускания, %, после обработки Длина волны, нм Окон из лейкосапфира предлагаемым способо предлагаемым .способом известнымспособом известнымспособом 75838 б919294 47 72 7 б 90 92 124145 25150 38180 63200 71250 81 44 59 7277 84 При изучении микрофотографий окон излейкосапфира и фтористого магния, полученных с помощью электроного микроскопа с увеличением 20000, видно, что приобработке известным способом полированная поверхность имеет ярко выраженныймикрорельеф с сетью царапин, обусловленных обработкой абразивом большей твердости по сравнению с самимобрабатываемым кристаллом. При обработке...

Номер патента: 1665879

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Духновский, Крысов, Кузнецов

МПК: C30B 33/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термообработки

...0 ь, трубки 6 с общим расходом охлаждающей 0 воды 80 л/мин. Герметичная емкость 10 у представляет собой сильон из полиэтилена и имеет объем 150 см, Нэ держатель 2 загружают кремниевую пластину 3; держатель 2 перемещают в реакционную камеру 1 0 и закрывают ее запорным устройством 12. Через трубки 6 подают охлаждающую воду, а через патрубок 8 подают смесь газов С 02 ( ) и Н 2 до давления 30 ати. Время процесса составляет 100 с, температура 1200 С. В конце процесса температура дистиллированной воды составляет 48 С. Расширение 3000 см воды при нагреве ее на 30 С со 3 ставляет приблизительно 30 см, т. е. мень1 бб 5879 3 ше объема герметичной емкости 10, что позволяет скомпенсировать изменение ее объема при нагреве или откачке внутреннего...

Номер патента: 1726573

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Береснев, Карлов, Мелентьев, Надгорный, Осипян, Пересада, Понятовский, Прохоров, Сисакян, Трушин

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, упрочнения, щелочно-галоидных

...к пределу упругости исходного кристалла при испытании на сжатие; Р - максимальное давление обжатия образцов.Кристаллы подвергают при комнатной температуре воздействию гидростатического давления до величины, при которой кристалл претерпевает фазовый переход первого рода, т.е, до величины, при которой исходная гранецентрированная решетка кристалла перестраивается в объемноцентрированная решетку. После достижения фазового превращения давление в камере сбрасывают до атмосферного. В процессе сбрасывания давления кристаллическая решетка упрочняемого материала перестраивается в исходную, т,е. происходит1726573 Формула изобретения Составитель В. БезбородоваТехред М.Моргентал Корректор О.Ципле Редактор А.Огар Заказ 1252 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1452223

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Андреев, Воеводин, Грибенюков, Зуев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00, G02F 1/35 ...

Метки: излучения, монокристалла, оптического, параметрического, преобразователя, частоты

...сечений моно- кристалла ЕпСеР 1, имеет азимутальный Угол Ч " 0 ипи90 , что экви- валентно у, Оф из-за физической неразличимости направлний х и у в кристалле 2 аСеР (это также следует иэ выражений для эффективной нелинейной восйриимчивости для трехчас"тотного параметрического взаимодействия).Пересечение плоскостей ( ОО) и(010) - на чертеже эти плоскостинредставленм сечениями кристаллаЕпСеР с контурами, обозначенными соответственно точками АВГМ ЕМ,Р и ГМ,СИ 3 - аредставляеФ собой отрезокоптической осн кристалла с, обозначенный отрезком РР, относительно которого проводился отсчет углов синхрониэма О . Разметка эквивалентных направлений синхронизма АА, А, и А и измерение угловых отклонений этих направлений относительно оси роста...

Номер патента: 1773956

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Андрианова, Афанасьев, Ветров, Игнатенков, Рыжиков

МПК: C30B 29/12, C30B 29/20, C30B 33/00 ...

Метки: линз, оптических

...при изготовлении иэ них элементов Линзовой оптики. В оптически одноосных кристаллах, однако, существует единственное направление, при распространении вдоль которого луч света не разлагается на вышеуказанные компоненты. Это направление является осью кристалла, а заготовка оптической детали, плоскопараллельнэч пластинка, перпендикулярная этой оси, часто именуемая пластинкой 7.среза. Недостатком таких пластинок является то, что после придания поверхности пластины вогнуто-выпуклой формы лучи будут проходить вдоль направлений, отличных от оптической оси кристалла, что приведет к их разложению на компоненты и образованию двулучепреломления, тем большего, чем больше кривизна изготовляемых поверхностей, т.е, угол между направлением нормали к...

Номер патента: 1589695

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Бобырь, Долгополова, Кравченко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: галогенидов, металлов, монокристаллов, основе, сцинтилляционных, термообработки, щелочных

...поглощения кристалла Се 1(Т 1) 5 10 15 20 после отжига при 650 К представлен на фиг, 25 2 (кривая 3). Оптические и спектрометрические параметры детектора Сз(Т 1) и фосвича йа 1(Т 1) + Сз 1(Т 1) представлены в табл. 1, Ч 1. Как видно из представленных результатов, не все сложные активэторные центры окра ски разрушаются. При этом спектрометрические и оптические параметры детектора Сз(Т) и фосвича Ма 1(Т 1) + Сз 1(Т 1) улучшаются.Чтобы разрушить все сложные актива торные центры окраски, которые еще проявляются в спектрах поглощения и снижают конверсионную эффективность и энергетическое разрешение как детектора Сз 1(Т), так и фосвича йа 1(Т 1) + Сз(Т 1), кристалл 40 Сз 1(Т 1) помещают в печь, нагревают до 750 К со скоростью 0,2...

Номер патента: 1515796

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Вострецов, Нагорная, Овечкин, Пирогов

МПК: C30B 29/32, C30B 33/00

Метки: вольфрамата, кадмия, монокристаллов, термообработки

...в вакууме со скоростью 50-100 град/ч до 390-450 С и выдерживают в течение 2 - 5 ч, Затем проводят их термообработку в кислородсодержащей атмосфере, При этом нагрев ведут со скоростью 50-100 град/ч до 640 - 950 С, выдержку осуществляют в течение 10-15 ч, а охлаждение проводят со скоростью 30-50 град/ч. Достигают увеличения светового выхода кристаллов относительно светового выхода кристаллов Св(Т) до 437 ь.1 табл,МэВ) до обработки составляют 32 и 13%, а после обработки 43 и 10,30 соответственно. Достигают увеличения светового выхода кристалла относительно исходной величины на 33%, что значительно превышает результат(5 - 7), получаемый согласно прототипу,В таблице приведены значения светового выхода с отработанных кристаллов относительно...

Номер патента: 1649859

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Иванына, Коневский, Кривоносов, Литвинов

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: лейкосапфира, термообработки

...специальных требований к оборудов 4 нию, работающему при повышенных давлениях.П р и м е р. Полированные пластины (окна для деФекторов) из сапФира (диаметром 25 мм, высотой 50 мм) помещают в открытый молибденовый контейнер и загружают в печь с граФитовым нагревателем. Рабочее пространство печи откачивают до давления 1.10 Па и затем заполняют природным газом до давления 7.10 Па. Печь нагревают со скоростью 700 град/ч до температуры Т, В процессе подъема температуры давление в печи увеличи49859 6ционному упрочнению отжигаемого иэделия, Применение длительности изотермической выдержки больше предлагаемой(пример 1) малоэффективно и сопровождается увеличением изменениямассы отжигаемого кристалла (3),Уменьшение давления срсы отжига до2 10 ф...

Номер патента: 1526303

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Гальчинецкий, Рыжиков, Старжинский, Файнер

МПК: C30B 29/46, C30B 33/00

Метки: оптических, селенида, термообработки, цинка, элементов

...относится к обработке кристаллов, конкретно селенидд цинка, и позволяет уменьшить их коэффициент оптического поглощения в инфракрасной области, Иэ кристалла селенида цинка резкой, шлифовкой и полировкой получают оптический элемент, Элемент подвергают термообработке в атмосфере насыщенного пара еллура при 1000-1050" С в течение 40-44 ч, Достигают уменьшения коэффициента оптического поглощения по длине волны 10,6 мкм до 3,5 10 см . 1 табл,электропечь сопротивления. Температуру в печи доводят до 1000 С, оыдержиоаот при этой темературе 40 ч, здтел печь выключдют, После остыоднил печи до комнатной температуры ампулу вынимают, разбивают ее, извлекают оптические элементы и измеряют их коэффициенты поглощения, которые оказываотся равными...

Номер патента: 1816814

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Ильинская, Минаков, Хахин, Хворостухин

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллографической, монокристаллов, ориентации

...изменения шероховатости в круговую диаграмму изменения относительной микротвердости (фиг. 2) осуществляют по формуле: где Н - относительная микротвердость, ед.;Йа - шероховатость поверхности, мкм.Поскольку полученная круговая диаграмма изменения относительной микро- твердости подобна круговой диаграмме изменения микротвердости, полученной экспериментальным путем по известному способу, то по ней также можно определять кристаллографическую ориентацию иэделия из монокристалла,П р и м е р. Образцы из монокристаллического никелевого сплава имели цилиндрическую форму, причем заранее известно, что ось образцов совпадала с кристаллографической ориентацией 001. Наружная цилиндрическая поверхность образцов была подвергнута чистовой токарной...

Номер патента: 1455786

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Ковтун, Полторацкий, Проценко

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, нарушенного, поверхности, слоя, толщины

...слоя. В качестве активного газа исг.альзуют газ из элементан, не нходягпих н состав .кристалла и потока, В процессе травления осушествляю; контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За талпгиФ ну нарушенного слоя принимают толщину удаленного слоя, при каторгам концентрация составляет 107. ат первоначальной. Достигают точности апре- Саделения до 1 О А,Затем н камере откачивают вакуум и проводят травление кристалла патокам ионов аргсна с энергией 0,7 кэВ и плотностью тока 10 А см, В процессе травления осуществляют массспектрометрический контроль концрнрации кислорода нг поверхности кристалла и измеряют толцину удаленнго слоя, При тотнпине удаленного слоя, равной 80 А,...

Номер патента: 1535087

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Абрамова, Герасимчук, Епифанов, Радкевич, Суздаль

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов

...нитью выносится вверх и попадает в межэлектродное20 пространство датчика 8, При этом нить 2,касаясь кристалла, получает начальное отклонение и перемещается ближе к электроду 21 датчика 8. Измерители 11 и 12фиксируют уменьшение измеряемых сопро 25 тивлений, сумматор 13 и измеритель 14 -соотношения сопротивлений, Эти режимыявляются рабочими для всего процесса резания,При резке цилиндрического монокри 30 сталла в поперечном направлении, т,е. вслучае переменной высоты контакта нити скристаллом, количество материала, разрезаемого кристалла, выносимого нитью, увеличивается до выхода на диаметр, а затем35 постепенно уменьшается. При увеличенииколичества выносимого материала концентрация его в рабочем растворе увеличивается, что приводит к...

Номер патента: 1736214

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Квятковский, Коневский, Кривоносов, Литвинов, Шкадаревич

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: активированных, корунда, монокристаллов, них, термообработки

1. СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ АКТИВИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА И ИЗДЕЛИЙ ИЗ НИХ путем отжига пpи темпеpатуpе не менее 1750oС в атмосфеpе кислоpода и водоpода, отличающийся тем, что, с целью повышения лучевой пpочности монокpисталлов и изделий из лейкосапфиpа, pубина и тикоpа, отжигают монокpисталлы с концентpацией активатоpа не более 0,2 вес. % сначала в окислительной атмосфеpе с паpциальным давлением кислоpода 103 - 105 Па, а затем в водоpоде.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг в окислительной сpеде пpоводят в течение вpемени t1 = x2/8D(с), а в водоpоде в течение не менее 5 ч, где X - минимальный pазмеp монокpисталлов (см), D = 2

Номер патента: 713016

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Иванов, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00, G01T 1/20 ...

Метки: плоских, сцинтилляционных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛОСКИХ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ ИЗДЕЛИЙ из монокристаллов иодидов щелочных металлов путем разрезания заготовки, отличающийся тем, что, с целью обеспечения однородности изделий с площадью существенно большей любого сечения исходной заготовки, разрезание осуществляют аксиально боковой поверхности цилиндрической заготовки в один слой или в несколько слоев по спирали с толщиной h, после чего полученный слой или слои подвергают нагреву со скоростью 10 20oС/ч до 350 450oС, выдерживают 3 5 ч при температуре и разворачивают в плоскую пластину с последующим охлаждением до комнатной температуры со скоростью 20 30oС/ч, причем толщина слоя h, радиус изгиба rи степени деформации соответствует...

Номер патента: 1805706

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Добровинская, Занятнов, Звягинцева, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: залечивания, монокристаллических, образцах, трещин

...перемещения - прямолинейного. Движение нагревателей с обеих сторон трещины обеспечивает создание деформационного усилия для осуществления пластического течения непосредственно в зоне трещины,Скорость перемещения нагревателей определяет величину деформирующих усилий, возникающих в области пластической деформации между нагревателями, при этом нагреватели в материале передвигаются с "натягом", приводящим к деформации материала вокруг нагревателей. При скоро-.сти меньшей 10 мм/ч не обеспечивается пластическое течение между расплавленными зонами, и трещина не залечивается, а при скорости большей 80 мм/ч резко падают прочностные характеристики нагревателей. Нагреватель разрушается, и процесс эалечивания трещины прекращается, а...

Номер патента: 1651602

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Горбунов, Классен, Махонин

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: кристаллов, оптических, щелочногалоидных, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ, включающий механическую обработку исходного образца до формы, близкой к требуемой, и прессование его при повышенной температуре между пуансонами соответствующей формы, чистота поверхности которых соответствует требованиям к чистоте поверхности элемента, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптического качества, увеличения производительности и выхода годных элементов, исходный образец берут в виде монокристалла, после механической обработки проводят снятие механически упрочненного слоя химическим травлением и прессование ведут до степени 1,5-5,0% со скоростью 0,02-0,10 мм/мин.

Номер патента: 1271155

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Лобанов, Максимова, Смольская

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: kcl-tl, tlva99+, кристаллах, лазерноактивных, окраски, создания, центров

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНОАКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ Tl Va+ В КРИСТАЛЛАХ KCl-Tl, включающий облучение кристаллов ионизирующим излучателем при комнатной температуре и облучение светом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии создания Tl0 Va+ центров, в качестве ионизирующего излучения используют гамма-излучение, и в качестве источника света кристаллы CsI Tl, которые предварительно приводят в оптический контакт с кристаллами KCl T и одновременно с ними облучают гамма-излучением.

Номер патента: 1345684

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Нейман, Никитин, Ракович, Соколовский, Усоскин, Федорова, Шафаростов

МПК: C30B 29/28, C30B 31/02, C30B 33/00 ...

Метки: лазерный, монокристаллический, стержень

1. Монокристаллический лазерный стержень из сложного окисла с активирующей добавкой, содержащий в поверхностном слое ионы металла, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости стержня к УФ-излучению, в качестве ионов поверхностный слой содержит ионы редкоземельных элементов или индия, или никеля, или кобальта.2. Способ получения монокристаллического лазерного стержня из сложного окисла с активирующей добавкой, включающий нагрев стержня в порошке оксида металла до заданной температуры с последующим охлаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости стержня к УФ-излучению, в качестве оксида металла берут оксид редкоземельного элемента или оксид индия, или оксид никеля, или оксид кобальта с размером зерен 1 20...

Номер патента: 1443496

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Проворов, Симин, Цирульник

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: f-2-центров, кристаллах, лазерноактивных, лития, создания, фторида

Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.

Номер патента: 1522654

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Борздов, Букин, Козлова, Пальянов, Ран, Хохряков, Шарапов

МПК: C01B 31/06, C30B 33/00

Метки: алмаза

Способ обработки алмаза, включающий контактирование его при 600-1800oC с шаблоном, выполненным из материала, растворяющего углерод при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения четкости рисунка на алмазе, наносимого с помощью шаблона, упрощения процесса и расширения области применения, процесс ведут в закрытом объеме в присутствии графита, который берут в количестве 0,26-500 г/дм3.

Номер патента: 1450438

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Арзуманян, Журавлева, Нестерова, Павлов, Циглер

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: монокристаллов, полирования, состав

Состав для полирования монокристаллов, включающий этиленгликоль и неорганическую кислоту, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности полирования монокристаллов -йодноватой кислоты с высоким классом чистоты поверхности, в качестве неорганической кислоты он содержит 24,5-25,7%-ную азотную кислоту, а дополнительно включает раствор насыщенной йодноватой кислоты и алмазный микропорошок при следующем количественном соотношении ингредиентов, %:Этиленгликоль - 9-1124,5-25,7%-ная азотная кислота - 65,5-69,5Раствор насыщенной йодноватой кислоты - 6-8Алмазный микропорошок - Остальное

Номер патента: 1319645

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Исянова, Лобанов, Максимова, Цирульник

МПК: C30B 17/00, C30B 29/42, C30B 33/00 ...

Метки: монокристаллов, натрия, фтористого

Способ получения монокристаллов фтористого натрия, содержащих лазерноактивные -центры окраски, включающий вытягивание исходного вещества с добавкой гидроокиси натрия на вращающуюся затравку, остающуюся в расплаве, и облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности монокристаллов и термической устойчивости -центров, в расплав дополнительно вводят азотнокислый натрий и фторид кальция при следующем содержании компонентов, мас.%: