Патенты с меткой «схем»

Номер патента: 1489496

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Амирханов, Земский, Илющенко, Мельникова, Моисеева, Черемхина

МПК: H01L 21/331

Метки: интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий последовательное нанесение на поверхность полупроводниковой подложки первого слоя поликристаллического кремния, первого слоя окисла кремния, проведение первой фотолитографии с травлением первых слоев окисла кремния и поликристаллического кремния, формирование второго слоя окисла кремния, реактивное ионное травление второго слоя окисла кремния, нанесение второго слоя поликристаллического кремния, проведение второй фотолитографии с удалением второго слоя поликристаллического кремния, формирование активных областей и контактов к ним, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и быстродействия интегральных схем, после нанесения первого слоя окисла кремния наносят слой нитрида...

Номер патента: 1431658

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Гладков, Махаев, Пытьев

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: интегральных, кассета, преимущественно, спутников, схем, технологических

КАССЕТА ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СПУТНИКОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержащая корпус с направляющими выступами, пружинные фиксаторы, расположенные в боковых стенках корпуса на одном из его концов, и упор, расположенный в корпусе с возможностью перемещения по его направляющим выступам, отличающаяся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей и удобства обслуживания, она снабжена дополнительными фиксаторами, установленными в боковых стенках свободного конца корпуса, а упор выполнен в виде w-образного упорного съемного элемента, установленного между основными и дополнительными пружинными фиксаторами.

Номер патента: 1582902

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Бурмистров, Елагин, Казаков, Кулагина, Обиденко, Остроумов

МПК: H01J 9/42

Метки: интегральных, схем, электротермотренировки

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕРМОТРЕНИРОВКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержащее камеру с входными и выходными патрубками для подачи и отвода теплоносителя, электровводы, соединенные с разъемами для подключения интегральных схем, блок питания интегральных схем, блок подачи входных сигналов к интегральным схемам, выходы которого соединены с электровводами, управляемый блок аварийной защиты, отличающееся тем, что, с целью увеличения производительности и уменьшения габаритов, в него введен блок циклической коммутации, входы которого соединены с выходом источника питания интегральных схем, а выходы соединены с электровводами, каждый из которых соединен с входом соответствующего интегрирующего звена, выход которого соединен с анодом диода, а катод диода...

Номер патента: 1780458

Опубликовано: 20.09.1995

Автор: Кипарисов

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлических, многослойных, осаждения, покрытий, селективного, схем

СПОСОБ СЕЛЕКТИВНОГО ОСАЖДЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ на полупроводниковых пластинах из материалов группы AIII BIV, включающий химическую чистку и обработку пластин, нанесение на лицевую поверхность фоторезиста, формирование путем фотолитографии контактной маски, последовательное осаждение на вскрытый рисунок интегральных схем многослойной композиции металлов из водного раствора, содержащего палладий, и слоя золота, удаление маски, отличающийся тем, что с целью обеспечения качества металлизации рисунка с минимальными размерами элементов порядка микрона и увеличения толщины слоев, первый слой многослойной композиции выполнен из аморфного сплава...

Номер патента: 1790316

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Ачкасов, Глазнев, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем

...(2 - 15 с) оксида кремния необходимо проводить се- травление оксида кремния в контактных оклективно, получая на легированных донор нах, образование которого возможно при ной примесью активных областях и выполнении технологических операций (наполикремнии слой оксида кремния толщи- . пример, удаление фоторезиста), следующих ной около 0,3 мкм, а на легированных актив- за операцией травления изоляции второго ных областях - 0,05 - 0,08 мкм, чтобы уровня поликремния.Дополнительноетрэвисключить маскирование ионов бора при ление производят в травителе на основеплавиковой кислоты. Так как время травления мало, то ухудшения изолирующихсвойств межслойного диэлектрика практически не происходит,Формирование буферных областей второго уровня...

Номер патента: 1780469

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Крячков, Куваев, Носухин, Царева

МПК: H01L 23/18

Метки: герметизации, интегральных, пластмасса, полупроводниковых, приборов, схем, термореактивная

ТЕРМОРЕАКТИВНАЯ ПЛАСТМАССА ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающая эпоксидную смолу, отвердитель, смазку и кварцевый песок в качестве наполнителя, отличающаяся тем, что, с целью повышения теплопроводности и электросопротивления, наполнитель дополнительно содержит порошок синтетического алмаза при следующем соотношении компонентов, об. ч.Кварцевый песок 5Алмазный порошок 1 106при этом кварцевый песок и алмазный порошок равномерно распределены по объему пластмассы, а объем наполнителя в пластмассе составляет 20 80% ее объема.

Номер патента: 1632352

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Карлов, Кузнецов, Пахомов, Тейерман

МПК: H05K 3/00

Метки: гибких, печатных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБКИХ ПЕЧАТНЫХ СХЕМ, включающий формирование заготовки путем обрезки по контуру фольгированной диэлектрической пленки, выравнивание заготовки путем ее натяжения, формирование печатного рисунка и отверстий для межслойных переходов и разделение заготовки на печатные схемы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества схем и точности их изготовления, обрезку и выравнивание заготовки осуществляют одновременно штамповкой фольгированной диэлектрической пленки с образованием кольцевой пуклевки на минимальном расстоянии от краев заготовки не менее 1,5 мм, причем отношение ширины пуклевки к диаметру кольца пуклевки составляет 0,020-0,026.

Номер патента: 1577617

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Барсукова, Кастрюлев, Розес, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, изоляции, интегральных, межсоединений, межуровневой, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕЖУРОВНЕВОЙ ИЗОЛЯЦИИ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование первого уровня межсоединений, нанесение пленки полиимида, создание межуровневых контактов и межсоединений второго уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности межуровневой изоляции межсоединений, перед нанесением полимида в него вводят бензимидазол в количестве 0,2-0,4% и проводят термообработку при 80-100oС.

Номер патента: 1547611

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, интегральных, межсоединений, многоуровневых, схем, формирования

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий создание первого уровня межсоединений, нанесение межуровневого изолирующего покрытия и вскрытие в нем межуровневых контактных окон, нанесение второго уровня межсоединений, состоящего из слоев титана-вольфрама и алюминия, легированного кремнием, фотолитографическую обработку по второму уровню межсоединений с последовательным травлением алюминия и титана-вольфрама, формирование последующих уровней межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений, перед нанесением второго и последующих уровней межсоединений проводят обработку поверхности ионным или ионно-химическим травлением или травлением в...

Номер патента: 1616439

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, межсоединений, многоуровневых, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование топологии первого уровня межсоединений, нанесение первого кислородсодержащего диэлектрического покрытия, нанесение органического планаризующего слоя, травление органического и диэлектрического слоев, удаление остаточного органического слоя, нанесение второго диэлектрического изолирующего покрытия, вскрытие межуровневых контактов и формирование вышележащего уровня межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений за счет повышения степени планаризации, снижения разнотолщинности диэлектрического покрытия на шинах межсоединений с различной шириной, травление органического и первого диэлектрического...

Номер патента: 1581142

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/82

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, потенциального, различную, схем, шоттки

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий создание в полупроводниковой подложке активных и пассивных элементов интегральной схемы, маскированных диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон к невыпрямляющим контактам и высокобарьерным диодам Шоттки, формирование на поверхности подложки во вскрытых окнах силицида платины, формирование фоторезистивной маски с окнами под низкобарьерные диоды Шоттки, вскрытие в окнах фоторезистивной маски поверхности полупроводниковой подложки, удаление фоторезистивной маски, нанесение барьерной и токопроводящей пленок и фотолитографию по ним для создания рисунка разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности...

Номер патента: 1195862

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Манжа, Патюков, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование n+ скрытых слоев, наращивание эпитаксиальной пленки, создание противоканальных p+-областей, диэлектрической изоляции, формирование активных областей структур в эпитаксиальной пленке, осаждение пленки поликристаллического кремния для изготовления резисторов, ее легирование, формирование резистивных областей, формирование диэлектрической пленки, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости резисторов, степени интеграции и быстродействия интегральных схем, после легирования пленки поликристаллического кремния проводят ее термический отжиг и формирование участков пленки поликристаллического кремния над...

Номер патента: 760837

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Власов, Кокин, Манжа, Чистяков, Шварц

МПК: H01L 21/20

Метки: интегральных, полупроводниковых, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование областей скрытого слоя противоположного типа проводимости подложке, маскирование подложки диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон, эпитаксиальное наращивание, диффузию примеси одного типа проводимости с подложкой для формирования базовых областей, диффузию примеси привоположного типа проводимости по отношению к подложке для формирования эмиттера, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров элементов, сокращения технологического цикла и повышения процента выхода годных, вскрытие окон в диэлектрической пленке проводят по периметру скрытого слоя и внутри его, а диффузию примеси для формирования базовых областей...

Номер патента: 824824

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Назарьян, Одиноков, Чистяков

МПК: H01L 21/82

Метки: изоляцией, интегральных, комбинированной, конструкция, схем

1. Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией, содержащая транзисторы и резисторы, изготовленные в областях, изолированных локальными областями, легированными примесью противоположной скрытому и эпитаксиальному слоям типом проводимости, и диэлектриком, отличающаяся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных схем, боковая диэлектрическая изоляция транзисторных структур состоит из двух слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный слой и касающихся локальной области, между которыми расположен эпитаксиальный слой с легированной областью резисторной структуры.2. Способ изготовления интегральных схем с комбинированной изоляцией по п.1, включающий операции формирования диэлектрической изоляции,...

Номер патента: 705934

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сергеев, Стадник, Шварц

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование жесткой маски, создание рабочих областей структуры в объеме полупроводниковой подложки, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности интегральной схемы, вскрывают базовые окна, наращивают поликристаллический кремний (Si*), легированный примесью противоположного типа проводимости эпитаксиальной пленке, маскируют Si* диэлектрической пленкой, которая не травится в травителях два SiO2 и Si3N4, создают базовые области диффузией из поликристаллического кремния, методом фотолитографии удаляют диэлектрическую пленку и поликристаллический кремний везде, за исключением участков, где...

Номер патента: 1060066

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Попов, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, интегральных, схем

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции формирования сплошного скрытого слоя, наращивания эпитакисального слоя, формирования окисла кремния, фотолитографии, травления, формирования диэлектрической изоляции, диффузии и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных интегральных схем, после формирования окисла кремния производят нанесение поликристаллического кремния и под защитой фоторезиста производят травление поликристаллического кремния, окисла кремния, эпитаксиального слоя, сплошного скрытого слоя и подложки на глубине ниже границы области объемного заряда данной части p-n-перехода: n+-скрытый слой - подложка, после...

Номер патента: 1111634

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение слоя поликристаллического кремния, удаление его с изолируемых областей и канавок, окисление поликристаллического кремния в канавках, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем за счет улучшения планарности, на маскирующих пленках дополнительно осаждают пленку фосфоро- или боросиликатного...

Номер патента: 1814432

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/265

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, схем, шоттки

...получить максимальный эффектувеличения высоты потенциального барьера высокобарьерных диодов Шоттки при минимальных токах утечки обратной ветви. Известно, что в процессе образования дисилицида титана на 1 нм . толщины слоя титана расходуется 2,27 нм толщины кремния. Таким образом, на взаимодействие, например, 45 нм титана расходуется 103 нм слоя кремния, что требует применения ионной имплантации бором с энергией 30 кэВ.Реализация самосовмещенной технологии формирования дисилицида титана с помощью одностадийной импульсной фотонной обработки в указанных режимах позволяет получать величины максимального логического перепада при минимальном 2 уровне легирования акцепторной примесью за счет большей степени электроактивации,. более...

Номер патента: 952051

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Ишков, Кокин, Лукасевич, Манжа, Сулимин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий операции окисления, формирования скрытых слоев, наращивания эпитаксиальной пленки, диэлектрических слоев, создания изолирующих и базовых областей транзисторных структур, вытравливания в диэлектрике эмиттерных и коллекторных окон, наращивания легированной пленки кремния, термического отжига для перераспределения примеси, обтравливания легированной пленки кремния, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных интегральных схем и повышения их надежности, после создания базовых областей формируют дополнительное маскирующее покрытие, устойчивое к травителю для пленки кремния, а обтравливание легированной пленки кремния осуществляют при формировании металлизации.

Номер патента: 1340500

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Даниелян, Евдокимов, Зайдлин, Манжа, Фишель

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и в исходной подложке канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение двуокиси кремния, удаление двуокиси кремния с изолирующих областей и частично с канавок, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления изоляции элементов за счет снижения требований к профилю канавок и повышения выхода годных интегральных схем путем устранения пустот в канавках, осаждение двуокиси...

Номер патента: 1797407

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Василевич, Довнар, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межэлементные, соединения, схем

...0,3 мкм.Содержание фосфора в ФСС, определенное при помощи рентгенофлуоресцентного анализа, составляло 3,5 мас,. Псаждение плазмохимического нитрида кремния осуще ствлялось на установке Ладас горизонтальным трубчатым реактором и горячими стенками при температуре 300+3 С и вводом мощности сзади при частоте 40 кГц, Плотность мощности при осаждении составила 50 мВт/см, суммарный поток газовой смеси не превышал 2500 см /мин. Использовалась следующая парогазовая смесь: 31 Н 4-КНз-й 2. Давление 110-130 Па. Межэлементные соединения согласно прототипу реализовали при помощи литографии и сухого травления двухслойной структуры для формирования областей для присоединения выводов. Предлагаемые межэлементные соединения интегральных схем реализовали...

Номер патента: 1421186

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Евдокимов, Манжа, Мухин, Патюков

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, моп-транзисторов, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке p-областей, противоканальных областей и диэлектрической изоляции, осаждение первого слоя поликремния, формирование первого слоя оксида кремния и маски из него с окнами для затворных областей, вытравливание первого слоя поликремния через окна маски до подложки, формирование второго слоя оксида кремния на торцах первого слоя поликремния в окнах маски, формирование подзатворного слоя оксида кремния, осаждение второго слоя поликремния, формирование областей истока, стока, затвора и электродов к ним, формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки МОП-транзисторов и уменьшения количества...

Номер патента: 1814434

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Бычок, Макарова, Нижникова, Становский, Терехов

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем

...контактных окон. Использование в качестве плазмообразующего газа СНРз или СР 4 + Н 2 порождает трудности, связанные с низкой скоростью травления диэлектрика и наличием полимерной пленки на дне контактного окна, Нижняя граница времени травления выбрана с учетом необходимости вытравливания максимальной толщины межуровневого диэлектрика. Верхняя граница выбрана с целью предотвращения образования полимерной пленки на дне контактного окна. Экспериментально установлено, что при перетраве диэлектрика, находящегося на поверхности пленки на основе алюминия, в1814434 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ течение времени более 75;4 от времени травления пленки происходит образование полимера на дне контактных окон, для удаления которого требуются спецобработки. Выбор...

Номер патента: 1799203

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Буляк, Довнар, Кастрицкий, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 23/48

Метки: интегральных, межэлементных, соединений, схем

...перекрыло покрытие из ФСС на 0,1-6,0 мкм.Приборы собирали в пластмассовые корпуса и проводили ускоренные испытания попарно 8 групп по 15 приборов на безотказность (при температуре 120 С, влажности 950 ). На специальных тестовых структурах методом поляризационного сопротивления системы электрод - раствор определялась скорость коррозии межэлементных соединений,Испытательной средой служил раствор ортофосфорной кислоты. Дополнительно провели сравнительные испытания пластин со сформированным защитным покрытием (16 групп пластин по 5 шт.) путем обработки в автоклаве под давлением 1,2 атм при повышенной температуре и влажности, Контроль на наличие следов коррозии проводили при помощи микроскопа 1 епа(ееЬ.Рассчитывалось отношение скорости...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Номер патента: 1819070

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Балабуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, поликремниевым, резистором, схем

...удаляют эту маску и формируют маску с отверстием+над областью контакта к и -скрытому слою, внедряют примесь и-типа в область контакта к и -скрытому слою и проводят разгонку примеси р-типа в области охранного кольца до смыкания ее с подложкой и примеси и-типа в области контакта к и+-скрытому слою до смыкания ее с и -скрытым слоем. Окислением полученной структуры при 1000 С в атмосфере водяного пара формируют изолирующий диэлектрический слой из двуокиси кремния толщиной 0,05 мкм, Осаждением из газовой фазы выращивают на изолирующем диэлектрическом слое слой поликристаллического кремния толщиной5 1819070 бПри внедрении ионов бора с энергией100 кэВ в двуокись кремния Крр=0,247 мкм,ЬК.рр =0,053 мкм, Следовательно условие:11 пас 1 рр+...

Номер патента: 965239

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Больших, Диковский, Каусова

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, кремниевых, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающий создание контактных окон в диэлектрике с помощью фотогравировки, очистку поверхности сильнолегированного кремния в окнах травлением в травителях, содержащих плавиковую кислоту, и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости электрических параметров приборов и повышения выхода годных структур, перед очисткой поверхность кремния в окнах дополнительно окисляют в атмосфере увлажненного кислорода при температуре 873 973К в течение 10 30 мин и очистку травлением поверхности кремния в окнах проводят при освещенности 1 10 лк.

Номер патента: 1025286

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, моп, схем

Способ изготовления МОП интегральных схем, включающий окисление кремниевой пластины, создание легированных областей истока и стока, нанесение контактов электродов на затворный диэлектрик и проводящих покрытий контактных дорожек, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции МОП интегральных схем на кремниевой пластине путем повышения порогового напряжения паразитных транзисторов и упрощения технологии, после нанесения контактов к истоку и стоку и электродов на затворный диэлектрик, проводят обучение структуры ионами водорода дозами 1016-1018 см-2 с энергией от 50 эВ, соответствующей глубина пробега ионов Rр такой, что Rр...

Номер патента: 1819053

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Мамонтов, Чернов

МПК: H01L 21/263

Метки: n-n-ni-слоях, арсенида, галлия, интегральных, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на n-n--ni-слоях арсенида галлия, включающий создание омических контактов и/или контактов с барьером Шоттки, формирование активных областей структуры, покрытие защитной маской активных областей, удаление незащищенных участков n-слоя травлением, ионное легирование на глубину n--слоя ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров и повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и интегральных схем путем повышения термической стабильности межэлементной изоляции, в качестве активных заряженных частиц используют дейтроны, при этом...

Номер патента: 1213895

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Леонтьев, Шулико

МПК: H01H 29/00

Метки: бездуговой, коммутации, коммутационное, схем

Коммутационное устройство для схем бездуговой коммутации, состоящее из корпуса в виде обратного усеченного конуса с жидким проводником, на внутренней поверхности которого расположены контакты, и элемента подъема жидкого проводника, соединенного связью с приводом, отличающееся тем, что, с целью улучшения условий коммутации и уменьшения габаритов, элемент подъема жидкого проводника выполнен в виде поршня, верхняя часть которого в виде обратного усеченного конуса, имеющего одинаковый с корпусом угол конусности, сопряжена с нижней цилиндрической частью, а нижняя часть корпуса снабжена цилиндрической полостью, причем между элементом подъема жидкого проводника и корпусом имеется зазор.