Патенты с меткой «схем»

Номер патента: 1762431

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Беляев, Израилев, Колесник, Савченко

МПК: H05K 13/02

Метки: загрузки, интегральных, кассеты, корпусов, оснований, преимущественно, схем

...кассеты, вдоль образующей имеет технологический выступ 25, необходимый в дальнейших технологических операциях и нарушающих равномерность расположения гнезд кассеты по окружности,Привод линейного перемещения каретки 17 состоит из шагового двигателя 26 (фиг.2), сообщающего ей возвратно-поступательное перемещение через муфту 27 и винтовую передачу 28. Исходные (конечные) положения каретки контролируются фото- датчиками 29, 30 при помощи флажка 31. На каретке.размещены флажки 32, 33 с лепестками по количеству гнезд вдоль образующей цилиндрической поверхности кассеты, 176243110 с ограничителем 40, установленным на каретке. Когда упор 39 совмещен с ограничителем 40, кассета, зафиксированная 15 взаимодействующие с фотодатчиком 34....

Номер патента: 1487759

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Крюков, Перов, Саночкин

МПК: H01L 21/8232

Метки: мдп-интегральных, структур, схем

...Рмци 51 .с и слоя нттт рида кремния .эце удалян)т, я используют в качествемежслойцой изоляции полцкремциеныхттИн первого уронця. Затем осаждаютвторой слой поликремция 9 (йттГ.А) 511 е 5 ирутот его и плазмохкмическкм травлением через маску двух слоев поликремния формируот области плавающего зат-вора 10 и управляющего затвора 11,причем травление проводят н цаправле".нки, перпеНдикулярном направлению поликремниевых шин перного уровня(фиг.5),Формирование областей истоков истоков 12 элементов памяти проводятпгмплацтаццей ионов мьпцьяка Б участкикремниеной подложки, нс:.срытые послесамосовмещенцаго транления первогои второго слоев полккремния, Ня заклсчительной стадии изготовленияструктур элемецтов памяти формируютторцовый оксид кремния 13...

Номер патента: 1764057

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Шепелев

МПК: G06F 11/26

Метки: логических, схем

...делителя 2 частотыпреобразуется в .множество сигналов некратных частот. Каждый из этих сигналовпоступает на соответствующий вход контролируемой схемы 5 и эталонной схемы 4. Первый 6 и второй 7 датчики тока вырабатываютсигналы, закон изменения которых соответствует изменениям тока в цепях эталоннойи контролируемой логических схем соответственно, Первый 8 и второй 9 фильтрынижних частот производят фильтрацию сигналов с целью исключения высокочастотных импульсных помех. Блок 10 вычитанияопределяет разность между сигналами, снимаемыми с датчиков тока, Полученная разность значений сигналов поступает навходы порогового элемента 11 и анализатора 12 спектра. При значении рассогласования, превышающем определенную 45величину, установленную...

Номер патента: 1772772

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Гаврилов, Покровский

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, кмоп, схем

...напряжении питания ниже критического ука 1772772занное условие соблюдаться не будет, Таким образом можно построить частотные характеристики (ЧХ) критических напряжений, Если в КМОП ИС утечки пренебрежимо малы, ЧХ будет падающей с уменьшением частоты. В противном случае ЧХ, начиная с некоторой частоты., выйдет на горизонтальный уровень, зависящий лишь от величины утечки, Обьясняетсл зто тем, что при снижении напряжения питанил, начиная с напряженил, зависящего только от величины утечки, а не от частоты, указанная утечка становится слишком сильной нагрузкой для МОП-транзистора с уменьшающимся током стока, вследствие чего транзистор перестает выполнять функции ключа,На чертеже приведена типовая зависимость ЧХ критического напряженил Екя...

Номер патента: 1772783

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Бухаров, Гордиенко, Усик

МПК: G05B 23/02

Метки: автоматики, диагностирования, дискретных, схем, троированных

...ее работы и состоянии на данном такте. Он может быть выполнен, например, на интегральных схемах типа К 155 РУ 5 (4),Блок 14 индикации предназначен для отображения результатов диагностирования при считывании информации из матричного запоминающего блока 13. Он мажет быть выполнен на светодиодах, загорание которых происходит при срабатывании соответствующих дискретных элементов, например триггеров.На фиг, 1 тактовые выходы распределителя управляющих импульсов 1 соединены с соответствующими управляюьцими входами коммутатора 2, инФормационный вход которого соединен с выходом источника питания 3, а выходы являются выходами устройства для подключения к выходам состояния трех дискретных схем электроавтоматики 5 и соединены с соответствующими...

Номер патента: 1780869

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Афанасьев

МПК: B07C 5/28, B65H 3/24

Метки: интегральных, параметров, схем

...термодатчик16, барабан 15; измерительный бок 17 и .блок термонагревания 18, далее"ймеетсяприспособление 19 для сортировки и приема интегральных схем 3.Устройство работает следующим образом,В пейалы 2 загружаются йнтегральнь 1 есхемы 3. Пеналы устанавливаются вячейку 30магазина 1, Магазин подводит при помощипривода 4 на загрузочную позицию, которую:определяет датчик 5, ячейку"с заполненным пеналом, По направляющим 6, 11интегральная схема 3 подается на нижнюю 35заслонку 9 отсекателя 7. При помощи привода 10 отсекатель 7 совершает прямой ход,8 результате нижняя заслонка 9 открывается, э верхняя заслонка 9 прижимает следующую интегральную схему 3 к 40направляющей 11. Нижняя интегральнаясхема 3 освобождается и попадает в каналбарабана 15,...

Номер патента: 1780870

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Афанасьев

МПК: B07C 5/38, B65H 3/24

Метки: интегральных, параметров, схем

...состоящая из теплоизолирующего корпуса 7, в которомсмонтированы барабан 8 с направляющимипазамидля интегральных схем 3, которыйсопряжен с металлическим корпусом 9, имеющим винтовую канавку, которая служитдля разделения йнтегральных схем 3, барабан 8 снабжен приводом 10, измерительныйблок 11, находящийся под барабаном 8, на-.правляющие 12, термонагреватель 13 и терМодатчик 14, под камерой находитсяприспособление 15 для сортировки и приема интегральных схем 3.Устройство работает следующим образом.8 пеналы 2 загружаются ийтегральныесхемы 3. Пеналы устанавливаются в ячейку. магазина 1. Магазин подводит при помощипривода 4 на загрузочную позицию, кото: рую определяет датчик 5, ячейку с заполненным пеналом. По направляющим...

Номер патента: 1781733

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Жора, Тучинский, Шеревеня

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральных, сборки, схем

...няют свои геометрические размеры, т.е. титана и никеля с.толщинамйсоответственимеетместоусад полимера. Этоприводит . но 100 - 300 А и 0,3 - 0,6 мкм с последующим к появлению внутренних напряжений в пол горячим облуживанйем, Это обеспечиваетимериыхэлементах, кихдеформациии, как ся тем, что, как показывают эксперименследствие, к смещению выводов гибких но- тальные данные, прочность паяных сителей. Смещение вызывает изменение га- микросоединений (30 - 65 г) оказывается баритно-присоединительных размеров изначительно большей прочности соединеухудшаетсовмещаемость выводов носителя 30 ний этих же выводов, полученных методом с контактными площадками при сборке и ультразвуковойсварки(5 - 25 г), Важнаотме. монтаже. В результате существенно...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...

Номер патента: 1790731

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Беликов, Крайнов, Назаров, Федяков, Хорошев

МПК: F27B 9/06, F27D 11/02

Метки: инфракрасная, пайки, печатных, печь, платах, схем, электронных

...запрессована в тонкие изолирующие слои термоупорного миканита, изготовляемого из отходов слюдяного производства,Данный нагреватель, имея тОлщинуоколо 3 мм, не требует ника юй дополнительной изоляции, а также - использования вторичного излучателя, что не только упрощает и удешевляет конструкцию нагревателя, но и уменьшает время его прогрева,Удаление вредных летучих компонентов, образуемых при пдйке, из нагревательной камеры 1 происколт рез выходное отверстие 13 благоддря тяге. образуемой в щелевидном пдтрубке 7,Цель достигается также и тем, что в конструкции предлагается использовать однунагревательную камеру, лишенную разделяющих зоны изолирующих и отражающихстенок, а плоские нагреватели располагать 5на реечном каркасе внутри...

Номер патента: 1791853

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Брагин, Дяконенко, Зубарева, Косова, Мерченко

МПК: H01B 3/08

Метки: диэлектрическая, изоляции, маркировочных, межслойной, паста, слоев, схем, толстопленочных

...90+5 мин.Контроль электрофизических характеристик изоляции осуществляли на тест- платах с 2-уровневой проводниковой разводкой, выполненной из проводниковых паст Пи П - 0704 по ТУ 6-09-4780-84.Межслойная изоляция изготавливалась путем четырехкратного нанесения и вжигания диэлектрических паст,Составы паст и основные свойства межслой ной изоляции представлены в таблице. Данные таблицы свидетельствуют о том, что оптимальный состав имеют пасты 6 - 8. обес1791355 ро ние таблиц йни НалСиниь О тсутстезу-КГ ют печивающие возможность формирования маркировочных и изоляционных слоев при высоких (850-870 С) температурах с низкой удельной емкостью (63 - 74 пФ/см ).гИспользование диэлектрической пасты 5 предлагаемого состава позволит повысить...

Номер патента: 1795527

Опубликовано: 15.02.1993

Автор: Добродеев

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, интегральных, схем

...При ши рине пазов меньше 20 увеличивается ве-. роятность непопадания вывода в паз и его эакусывание; больше 30 ф 6 между пазом и выводом остаются зазоры, в которые вытекает пресс-композиция, образуя на выводах 15 трудно удалимцй облай, Указанные осо"енности предложения представляют собой его отличия от прототипа и обуславливают новизну предложения. Эти отличия являются сущсств".иными, поскольку именно они 20 обуславливают достижение положительного эффекта, отраженного в цели изобретения и отсутствуют в других известных технических решениях.На Фиг.1 показана формообразующая 25 полость ни.кней части пресс-формы, с уложенной в нее рамкой, и положение в пазе; на Фиг.2 - рабочая полость пресс-формы с рамкой в сом ну. ом виде и...

Номер патента: 1798743

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Козлов

МПК: G01R 31/28

Метки: больших, интегральных, схем, функционального

...импульсов), В качестве контактного блока 12 использовано стандартное подключающее устройство типа УК.Вычислительный блок 13 предназначен для долговременного. хранения информации -программы контроля в памяти ЭВМ 18, передачи этой информации через блок 17 согласования в блок 10 тестовых последовательностей, блок 11 синхронизации, блок 9 памяти. В качестве вычислительного блока 13 применен вычислительный комплекс Электроника МС 0102". Выходная шина 14 служит для подключения средств записи и хранения информации (на чертеже не показана). Работа устройства для контроля БИС по группе выводов происходит следующим образом.В контактный блок 12 помещается контролируемая БИС. Перед началом работы из вычислительного блока 13 осуществляется...

Номер патента: 1798939

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Иванов, Лазаренко, Лопатин, Сидоренко

МПК: H05K 1/18

Метки: dip, интегральных, контактное, корпусом, подключения, схем

...более 2:1, а другая часть пластины имеет площадь части, присоединяемой к гибкой пластике-держателю, большую не менее чем в 5 раз площади торца, контактирующего к выводу микросхемы, что повышает надежность контактирования, 2 ил,стягиваются, В собранном КУ с одной стороны диэлектрического основания (из трех пластин) размещаются части контактных элементов, которые контактируют к выводам микросхемы, с другой - части КЭ, которые подключаются к согласующему устройству, Контактные элементы могут быть подпружинены дополнительными плоскими пружинами, если необходимо увеличить силие и ижатия,у р1 В конкретном исполнении КУ гибкиеины контактных элементов выполнены али 65 Г толщиной 0,2 мм, шириной 1,9 закалены до 48 - 52 НРС. Контакты выены из...

Номер патента: 1800379

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Чернов

МПК: G01R 23/00

Метки: проверки, распознавания, сети, схем, частоты, электрических

...конец соединен с вторым щупом 15 и неоновой лампой 2 индикатора 1 фазы, индикатор 5 напряжения выполнен на лампе 16 накаливания.Устройство представляет собой цилиндрической формы корпус 17 (см. фиг.2) диаметром 37 мм и длиной 220 мм со щупом 15 (см. фиг,1 и 2), окном 18 для наблюдения за индикаторами, кнопкой 13 и окном звукоизлучателя 19. Корпус 17 соединен изолированным проводником 20 с корпусом 21 щупа 14. Электрическая схема устройства помещена в корпусе 17.Устройство работает следующим образом,При прозвонке цепей стрелочный индикатор 8 узла 6 прозвонки указывает наличие цепи при подключенных к измеряемой цепи щупах 14 и 15 и нажатой кнопке 13.Для определения фазного провода сети касаются пальцем контакта 4 индикатора 1 фазы, а...

Номер патента: 1609399

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 21/8232

Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем

...и разводку. Область поликремниевых резисторов при этом закрытаслоем фоторезиста,Далее известными методами формируют области истоков, стоков и- и р-канальных40 .транзисторов, межслойную изоляци о, омические контакть и алюминиевую разводку,П р и м е р 2. Процесс проводят попримеру 1 до операции вскрытия резистивных участков поликремния резисторов45 включительно.Далее удаляют фотомаску в смеси Ка-ро и формируют фоторезистивную маску.для . формирования электродов затворов имежсоединений. Проводят плазмохимиче 50 ское травление слоев нитрида кремния ипервого слоя поликристаллического кремния, Область поликремниевых резисторовпри этом закрыта слоем фоторезиста. Послеудаления фотомаски создают новую для55 проведения ионной имплантации...

Номер патента: 1499604

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Газизов, Иванковский, Красин, Луцкий, Стасюк

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, многоуровневой, разводкой, рельефа, сглаживания, схем

...с планарных участков .структуры нелегированного поликремния, в 25 результате чего образуются сглаженныепристеночные области ЯО 7 элементов первого уровня разводки (фиг,4). Далее стравливают окисел с поверхности подложки и с поверхности элементов первого уров ня разводки. При этом между легированнымполикремнием и нелегированным поли- кремнием пристеночных областей остается окисел 8 (фиг.5). Формируют на поверхности подложки и поликремниевых элементов 35 первого уровня разводки изолирующийслой 9 (фиг.6). Наносят на поверхность подложки слои 10 проводящего материала, затем маску 11 с рисунком второго уровня разводки, травят проводящий материал в 40 областях, не защищенных маской (фиг.7).Примеры реализации способа.П р и м е р 1. На...

Номер патента: 1389603

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, создания, схем

...вторую термообработку. После чего удаляют второй слой кремния,ного давления при давлении 66 Па в среде азота, При этом на участках монокремния и поликристаллического кремния образуется смесь моносилицида титана и дисилицида титана, а на областях двуокиси кремния образования силицидов не происходит.Травление слоев кремния и молибдена проводят в плазме фторосодержащих соединений СР 4 в течение 4 мин, при этом слой непрореагировавшего титана не травится,Далее травят непрореагировавший в процессе термообработки слой титана. Травление проводят в смеси "Каро" (горячая серная кислота с перекисью водорода, соотношение Н 2504: Н 202 = 7:3, температура 433 К) в течение 1 мин, Слой силицида при этом не травится. Сопротивление его составляет 6...

Номер патента: 1003695

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Мухин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, резисторов, схем

...резистивные элементы шириной 32 мкм и длиной 180 мкм, Далее формируют фоторезистивную маску с использованием фоторезиста Ф П(с шириной окна 12 мкм, длиной 120 мкм), защищающую участки слоя поликристаллического кремния, прилегающие к боковым границам прямоугольных резистивных.элементов, и через фоторезистивную маску проводят ионную имплантацию богоа с энергией 40 кэВ и дозой 200 мкКул/см,Термообработку проводят при 1000 С в среде сухого кислорода в течение 30 мин и при 950 С в среде сухого и влажного кислорода в течение ЗО мин для отжига слоя поликристаллического кремния, активации примеси и формирования на поликремниевых элементах слоя защитной термической 30 г,В слое 50 г путем фотолитографии и травления вскрывают контактные...

Номер патента: 1098456

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, схем

...областях, легированных имплантацией сквозь нитридную маску за счет того, что бор с энергией 30-40 кэВ практически не проходит через маску 0,23-0,35 мкм (средний про 40 45 5 О 55 бег 0,1 - 0,14 мкм), а бор с энергией 100 - 150 кэ В (средний пробег 0,32 - 0,45 мкм) почти не задерживается этим маскирующим слоем.Имплантация через сквозные окна в первой и вто 2 оой масках бором с дозой 300- 600 мкКл/см позволяет полУчить области с уровнем легирования более 5.10 1/см, причем повышение дозы более 600 мкКл/см нерационально в связи с резким повышением времени легирования и повышением дефектности имплантированных слоев, Имплантация бора через окна второй маски сквозь первую маску с дозой 100 - 200 мкКл/см позволяет получить оптимальные для...

Номер патента: 1106350

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01L 21/265

Метки: затвором, интегральных, к-моп, поликремниевым, самосовмещенным, создания, схем

...исГла; с,ИЕЙ,)В: )сНОЙ ГХГМПЛЭТЭЦ(1 Еи ЕО(.-ссЕЪ)я сГ)БЬ(1)Е 1 ИР ВО ПрС .СЗВОГИГИГ)СТ;: Г,ЛИНЫ КЗНЗГЗ П-типа ИЛ, П ):,с , -г(ОЛ,ЗОВЗ 1,;1, ;,;1 Е.ВЕ МсХ(У 1)0;Н:;ВОГ,)" Г.-ан с,.г н Г саЧОМ ГггС( ба; ПОСКО" С"окав- И ;Г с ):.;, , с" :. ОЛО;ИНЗ ДИЗЛЕктриков НЭД Э(ИМИ,)ГласЯ 1 И В ОтлИчИЕ От протОтИПа ОЭЗГ)0 С". -,(- сн ЭЧИтЕЛЬНО (На тОЛГЦИНУ За ВОГ 1 ЧОГ.,;ИЗЛ К: ОИКЭ, ЧТО СОСТЭВЛЯЕТ "Ос 1" ОЗВОЛЯЕ. гОВ:.- СИТЬ бЫСТродЕЙГТВИЕ Ис) ЕГОЭЛЬНЫХ С;(ЕГИ ЗЭ Савт СНИЖЕНИЯ СОПРО- твл,аНИЯ ППЛИКРЕМНИЕВЫХ ЗатВОРОВ, ЛЕГИОУЕМ-,Х Дйфф Зйай фОСфОРсаа ДО УРОВНЯ ЯЗ ; П-)С ОГИ/Г, 1.-; ИЗВЕСТНОМ СПОСОбЕ ПРОИС- ходит к;пенсэция фосфора в Голикремниевых .".Этвооах р-канальных тра нзис"Оров+ООРОМ ВРИЕ:ИРОВ" н И Р-ИСТОКОВ, СОКОВ ИОЧ ЧО ИМГГГЭ-ТЗ.1 Г 011 РЗ...

Номер патента: 1575849

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/8232

Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем

...маски из нитрида кремния с окнами на резистивных участках резисторов, Удаляют маску иэ фотореэиста в смеси Каро (смесь серной кислоты и перекиси водорода, Вновь формируют маску из фоторезиста ФПТ.Для экспонирования используют темнопольный шаблон со светлым окном, содержащим темные фигуры поликремниевых резисторов, торцы которых выходят за пределы окон в нитриде кремния, вскрытых на предыдущей операции фотолитографии, Проводят плазмохимическое травление нитрида кремния и поликремния в плазме СГ 4, формируя области резисторов, оставляя нитрид кремния на контактных участках резисторов (фиг,2), Удаляют маску из фоторезиста и формируют фоторезистивную маску для проведения имплантации ионов фосфора в резистивные области...

Номер патента: 1595277

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Ивановский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, создания, схем

...напыления 250 С.Проводят гравировку и травлениеслоев аморфного кремния методом ПХТи титана жидкостным травлением дляформирования рисунка межсоединений, 25При этом аморфный кремний и титанудаляют с областей тонкого диэлектрика т.е. затворы остаются поликремниевые, и при термообработке на нихсилицид не образуется, Кроме того,кремний и металл Удаляют с областейформирования омических контактов кполикристаллическому кремнию. Проводят термообработку при 850 С.в течение 10 мин в реакторе пониженногодавления в среде азота. При этомпроисходит уменьшение сопротивленияшин межсоединений за счет диффузииаморфного кремния и поликристалличес"кого кремния в слой титана и образования фазы дисилицида титана сте"хиометрического состава....

Номер патента: 1075852

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Куценко, Мухин, Таланцев

МПК: H01C 17/26

Метки: делитель, интегральных, резистивный, схем

...резистивных элементов. ние относится к электроннойет быть использовано в техн ления прецизионных поли- резисторов, в частности, делителей для интегральных кристаллического кремний с я тем, что, с цельювоспроизведения отнолений резисторов .в делития диапазонаивления в низкоомной он расположенными на изке под резистивными элех боковых сторон дополнми поликристаллическоге сопротивление которыпорядок, больше удельния резистивных элементо На чертеже схематично показан резистивный делитель для интегральных схем,вид сверху.Резистивный делитель содержит изолирующую подложку 1, покрытую слоем двуокиси кремния (не показана), на которойрасположен слой 2 поликристаллическогокремния толщиной 0,5 мкм, резистивныеэлементы 3, контактные элементы 4,...

Номер патента: 1808147

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Виноградов, Жуков, Зеленова

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, монолитных, схем

...получаются загонкой бора при температуре 1000 С в течение 30 мин и последующей разгонкой при температуре 1200"С в течение 1,5 часов, Поверхностное сопротивление слоя 30 - 40 Ом/Д.Слой и-типа (7) получается эпитаксиальным осаждением кремния, легированного фосфором, на подложку (3) с диффузионными слоями (1,2,3,4.5,6), Удельное сопротивление слоя (7) 0,7-1,0 Ом см, толщина 6-8 мкм,В эпитаксиальном слое (7) над областями (1), (4) и. (5) создаются области р-типа (8), (9) и (10), а также область (11) ионным легированием бором с дозой 0.5-1,0 мкК /см и2 энергией 100 кэВ, Затем проводится отжиг при температуре 1200 С в течение 2 часов в сухом кислороде, В процессе отжига происходит встречная диффузия бора из погруженных р областей (1), (4), (5)...

Номер патента: 1809398

Опубликовано: 15.04.1993

Автор: Козлов

МПК: G01R 31/28

Метки: больших, интегральных, схем, функционального

...контроля.Вычислительный блок 24 служит для долговременного хранения информации - программ контроля в ОЗУ ЭВМ 26, передачи этой информации через блок 25 согласования (интерфейс) в блок 20 тестовых последовательностей, блок 21 синхронизации, а также для обработки результата контроля, поступающего с выхода блока 22 памяти. В качестве вычислительного блока 24 применен вычислительный комплекс "Электроника МС 0102",Работа устройства при контроле БИС по одному выводу происходит следующим образом,В контактный блок 18 помещается контролируемая БИС. Перед началом работы из вычислительного блока 24 производится запись информации в блок 20 тестовых последовательностей и в блок 21 синхронизации. В блок 21 синхронизации заносится информация о...

Номер патента: 1812646

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Нестеренко, Серянов, Таушканов

МПК: H05K 3/22

Метки: гибридных, защитных, интегральных, лазерно-электрохимической, плат, покрытий, реставрации, схем

...можно оценить по величине коэффициента лазерного ускорения Ку злектрохимической реакции, представляющего собой отношение "лазерной" плотности тока осаждения металла к "темновой", Из хода кривой 1140 45 50 5 10 15 20 25 30 Ку-Е можно заключить, что наибольшая эффективность лазерного электроосаждения золота с использованием заявленного устройства наблюдается при потенциале Е= -0,89 В второго локального максимума КУ=151 кривой Ку-Е при скорости "лазерного" осаждения золота 12,12, мкм/мин и "темнового" осаждения золота 0,08 мкм/мин, (Первый локальный максимум Ку=195 на кривой 1 И отвечает режиму селективного осаждения золота. непригодному для реставрации ГИС из-за слишком малой скорости "лазерного" осаждения, составляющей 0,078...

Номер патента: 1671070

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Огурцов, Прохоцкий, Савенок, Тарасова

МПК: H01L 21/02, H01L 21/265

Метки: интегральных, схем

...повреждения транзистора при использовании -обработки, так как одной из причин выхода транзистора из строя является появление последова" тельного сопротивления из-за компен сации кремния радиационными дефектами в коллекторной области.В предлагаемом способе стабилизирующий отжиг преДлагается проводить при 180-220 С. Температура (220 С) 11 ОУОна верхнем пределе опведепф на экспериментально и соответств,ет началустадии отжита радиационных дефектов,5которые ответственны за бысгруюкомпонентуизменения Ьг 1 прп попивг,зирующем излучении, те 1 пн ературы ниже180 С не обЕспечивают стабилиэацййпараметров схемы, Так как и ряде случаев после изготовления кристалловИС их необходимо нагревать лс ЗОО 350 С (например, при посадке крнсталлов в корпус на...

Номер патента: 1824354

Опубликовано: 30.06.1993

Автор: Макаренко

МПК: B65B 35/56

Метки: интегральных, кассету, перегрузки, схем, штампа

...устройства для того, чтобы обеспечить их сопряжение с ребрами установленной кассеты (фиг, 3) с последующим размещением в ней выводов ИС 9, Позицией 10 вынесен шарнир накопителя-кантователя 3.Работа устройства осуществляется следующим образом.ИС 9 после выхода иэ комбинированного штампа, производящего вырубку выводной рамки и гибку выводов, поступают в распределитель 1, причем выводы ИС ориентированы вверх. Каждая ИС перемещает 1824354ся по определенному каналу между двумя соседними перегородками 2 распределителя 1, Движение ИС происходит под действием собственного веса. т,к. устройство для перегрузки расположено наклонно. Количе ство каналов распределителя 1 соответствует или кратно количеству каналов в кассете 7. Т.к. перегородки 4...

Номер патента: 1827652

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Козлов, Кураченко, Наумов, Прохоренко, Чуварыгин

МПК: G01R 31/28

Метки: бесконтактного, диагностирования, интегральных, логических, состояний, схем, цифровых

...проводились с использованием осциллографа С 1-99 с коаксильным кабелем РКи выходным сопротивлением 1 мОм. Эпюры напряжений, снятых с осциллографа приведены на фотографии (фиг. 8), где развертка А - соответствует импульсу на выводе элемента 2 ИНЕ, развертка Б - сигнал, снимаемый с датчика,Выбор датчика, состоящего из 3-х витков объясняется компромиссом между сложностью конструкции датчика и собственной резонансной частотой контура, т.к. увеличение числа витков приводит к увеличению Ь, росту Ск и, следовательно, к уменьшению резонансной частоты 1 рез и снижению требований к широкополосности и быстродействию последующих устройств. Переколебательный процесс контура ударного возбуждения при необходимости можно демпфировать, введением...