Патенты с меткой «схем»

Номер патента: 1675176

Опубликовано: 07.09.1991

Автор: Афанасьев

МПК: B65H 3/24

Метки: интегральных, параметров, схем

...заслонку 27 на сортировочном устройстве для удержания интегральных схем на случай, если под сортировочным устройством находится пенал для интегральных схем, 1675176Устройство работает следующим образом,В пеналы 6 загружают интегральные схемы. Пеналы вставляют в ячейки магазина 5, который поворачивается на шаг с помощью делительного храпового механизма 4 пневмопривода 10, Храповой механизм 4 движется поступательно, собачка, установленная на штоке пневмоцилиндра, переходит на следующий эуб храпового колеса, Одновременно под действием кулачка 13, установленного на штоке пневмопривода, открывается фиксатор 11. Фиксатор 12 не дает колесу двигаться в обратном направлении во время прямого хода. Затем собачка движется в противоположном...

Номер патента: 1675804

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Воинов, Кураченко, Макеев

МПК: G01R 31/28

Метки: итегральных, схем, ттл

...величину входного воздействия Овх до тех пор, пока выходное 5804напряжение логической "1" не достигает минимального значения допускаемого техническими условиями Оссн, При этом токи через эмиттерные переходы транзисторов 5 ИС минимальны, а их сопротивления максимальны. Постепенно с шагом ЛОсс снижают напряжение питания,Выбор шага Ь О обусловлен следую 10 щими требованиями. Требуется минимальное значение шага для обнаружения скольугодно малых аномалий и существуют естественная погрешность измерений напряжений измерительной установки и15 естественно малая (до 0,0005 В) неравномерность хода зависимости Он - Ф(Осс) - выходного напряжеНия логической "1" отнапряжения питания. Поэтому шаг снижения напряжения питания выбирается по20 крайней...

Номер патента: 1675908

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Осадчук, Паламарчук, Стронский, Яровенко

МПК: G01R 31/303, G06F 11/277

Метки: интегральных, качества, объемных, схем, теплового

...л) соз хо о оплхх соз х (уй соз укЕ+ Ь Е з)п ук Ехехх бх 1 у бк, (6)где Т(п, )т), К) - изображение температурыТ(х, у, к);у)с - положительные корни уравнениясщ у А = ( = О, 1, 2, . ) , (7)2 у)с Ьуравнение (1) переводится в пространствоизображений Фурье. Для этого обе частиуравнения (1) умножаются на ядро преобразования (6) и интегрируются по х от О до Ь,по у от О до (х, по х от О до ЬОо)с О ф нх д Ь Ь"Таким образом, в пространстве изображений Фурье уравнение (1) имеет виде) т(О,О,1Их П(е Х;, П (е(; Гп 1( х сЮ р 5 П д С 05 и гп кх х15 Рз) Оо СООЕхс,ою)г;)х 3,".фпк 9.(п 1, еп 1 ). Формула обращения для преобразования (6) имеет вид 25 ТЬг)(Г -у Е 30 35 005 СОО Екс 05(5+ 3 11 ,) Ь -(,"-),3, где дпо, дно дельта функции Кронекера 1 п=О(51 О )...

Номер патента: 1680735

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Акопов, Арутюнянц, Гитис, Исагулянц, Кашинская, Конышева, Неумоева, Пойманов, Путилина, Рязанцева

МПК: C08L 63/04, C09K 3/10

Метки: герметизации, интегральных, полупроводниковых, пресс-материал, приборов, схем

.... ратуре 800 С в течение 8 ч.Стандартные образцы для проведения испытаний получали методом литьевого прессования при температуре 1655 фС, удельном давлении 15,0 ИПа с последунмцей термообработкой при температуре 200 С в течение 8 ч.Удельное объемное электрическое сопротивление определяли по ГОСТ 6433,2-.71 при постоянном напряжении 100-105 В на трех дисках диаметром 50 мл толщиной О, 8-1,0 мм.Влагопоглощение пресс-материала ,в процессе выдержки в автоклаве определяли на трех образцах диаметром 50 мм, толщиной 2 мм. Расчет влагопоглощения проводили по изменению массы образцов после выцержки их в автоклаве емкостью 500 мл, содержащем 50 мл деионизованной воды, герметично закрытом и помещенном в термостат со ф;Т=120 С. Взвешивание...

Номер патента: 1682286

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Афанасьев

МПК: B07C 5/38, B65H 3/24

Метки: интегральных, параметров, схем

...14 и ее имеется приспоовки и приема, вырех модулей 17, каретки 19 с пане- Каждый модуль 17 я 22 и заполнениялку 24 с двумя намодуль или в бракгруппы, оснащен работает следующим обраружаются интегральные танавливаются в ячейку н подводит с помощью эочную позицию, кото 16822 обрую определяет датчик 5, ячейку с заполненным пеналом. По направляющим 6 и 11 интегральная схема 3 подается на нижню . заслонку 9 отсекателя 7, С помощью привода 10 отсекатель 7 совершает прямой ход. В результате нижняя заслонка 9 открывается, а верхняя заслонка 9 прижимает следующую интегральную схему 3 к направляющей 11, Нижняя интегральная схема 3 освобождается и попадает в зону контактного средства 13 на заслонку 14, затем привод 10 возвращает отсекатель...

Номер патента: 1684756

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Козлов, Лепехин

МПК: G01R 31/3163

Метки: интегральных, схем, функционального, цифровых

...уровнями напряже 84756 10 15 20 25 30ний 11 оп 111 оя о, эввавяс мяли со д- ветствсвво источннкямн 19 и 20 опор-. ных напряжений. На выходе ус илителяко; р= яо "1,. 2 цг ркнРго уровня при этОм форьнц 7". .с з "игналпрнвРдгьяый на фиг,2 б, 1 а вьводе уснлителякомиаратор;: нижнРгс уровня ф рмируется сиг.:и, приведенный на Фиг.2 в, гДР о - ЭРДОРжка сигнала УсилителЯЛми-компаратор,ями 2 и 3, С приходом строб-импул са на управляющий вход 15 (фиг.2 г) и., следовательно, на вторые входы триггеров 4 и 5, в последние запиивается информация, у становленная : данный момент на выходах усилителей-компараторов 2 и 3 (фиг,2 д,е). Запись информации осуществляется по переднему фронту строб-импульса, ь, - задержка сигЛнала триггерами 4 и 5. На...

Номер патента: 1684757

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Воронов, Новиков, Соловьев, Статкевич, Тарашкевич, Шаповал

МПК: G01R 31/3177

Метки: диагностирования, логических, схем

...20 и 24 останутся н нулевом состояйии, а им 1 ульс переполнения счетчика 14 через инвертор 19, элементы И-НЕ 25, элемент И 26, переведет в единичное состояние триггер 27, единичный сигнал с прямогс 1 выхода которого через пятый выход блока 10Ц 11 управления разрешит ицдцк; пию ксд," 0 (логическая схема ис.правил), злпислцного по нулевому адресу в блоке постоянной памяти 15, Низкий уровень логического сигнала с ицперс.ного выхода триггера 27 злпретцт прохождение тактовых импульсов через элемент И 30,Если же хотя бы один отсчет це совпадет с эталоцць 1 м, триггер 27 ос - танется в нулевом состоянии, единичное состояние триггера 24 импул ьсом переполнения счетчцкл 14 с 3-го входа блока управления через ццвертор 19 запишется в триггер 20,...

Номер патента: 1691790

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Балабанов, Цветков, Шаевич

МПК: G01R 31/02, G01R 31/303

Метки: внешних, выводов, диодной, замыканий, изоляцией, интегральных, коротких, корпус, обрывов, подложку, схем, твердотельных, фиксации

...источника 5. При нали.чии на всех входах блока 6 компараторов 45потенциалов, отличных от нуля и меньшихнапряжения источника 5, на выходе блока 6компараторов имеется напряжение, соответствующее уровню "0",. В случае обрыва любой из клемм 3,1 - 50З.п микросхемы 1 на соответствующем входе блока 6 компараторов устанавливаетсянулевой потенциал, В случае обрыва клеммы 2, соединенной с подложкой кристалламикросхемы 1, нулевой потенциал устанавливается на всех входах блока 6 компараторов. В случае короткого замыкания любойиз клемм 3.1 - З.п микросхемы 1 на корпусили подложку кристалла на соответствующем входе блока 6 компараторов устанавливается полное напряжение источника 5. Появление на любом входе блока 6 компараторов нулевого потенциала,...

Номер патента: 1691937

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Лаврищев

МПК: H03K 5/156, H03K 5/19

Метки: корректировки, синхронизации, схем, фазы

...н), Очередной импульс с третьего тактового выхода ТГ 5 (фиг.2, г), пришедший на синхровход второго триггера 10, переводит его и третий триггер 11 в единичное состояние (фиг,2, н, о). Высокий уровень с третьего триггера 11, поступая на вторые входы третьего и второго элементов И 7 и 6, разрешает им пропустить на входы параллельной записи вычитающего 3 и суммирующею 2 счетчиков импульсы (фиг.2, ж,д), "привязанные" соответственно к тактам с третьего (фиг.2, г) и первого (фиг.2, б) тактовых выходов ТГ 5, Очередной импульс с второго тактового выхода ТГ 5 (фиг,2, в) обнуляет третий триггер 11 (фиг.2,о),и т.д.В случае прихода корректирующего (добавляемого) импульса на вход корректирующей последовательности устройства (фиг.2,. р), он поступает...

Номер патента: 1387807

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Мягконосов, Платонов

МПК: H01L 21/98

Метки: гибридных, интегральных, настройки, схем, функциональной

...элементов 2, после чего осущеществляют откачку воздуха (вакуумироночной схемы подключают к источ" нику питания и контрольно-испытательной аппаратуре посредством металлических пленочных проводников10, соединенных с разъемом 11, и при жимных контактных соединений между этими проводниками и внешними кон".тактными площадками платы. Дпя контроля функционирования ГИС используютустановки тестового контроля типа УТКили системы "Элекон-СФ". Затеи на ГИС подают питающие напряжения иОсуществляют контроль,ее электрнчес"кого функционирования, испытания инастройку, в процессе которых выяв-,ляют дефектные кристаллы ИС. Послеэтога отключают питающие напряжения,вакуумный насос, отделяют рамку 9 сгибкой диэлектрической подложкой 8от платы 1, а...

Номер патента: 1700538

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Бартоломей, Флейш

МПК: G05B 23/02

Метки: параметров, схем, электронных

...сигнала на активном выходе;в регистры 10 и 11 о допустимыхзначениях контролируемого сигнала на пассивном выходе.25 30 35 40 45 50 55 щего сигнала. В первом режиме регистр 60 команд через элемент ИЛИ 58, второй элемент 61 задержки и элемент И 62 выдает сигнал за запуск измерительного блока 23, Через интервал времени, необходимый для измерения, блок 23 выдает на информационные входы регистра 50 цифровой код измеренного параметра, а на его управляющий вход - сигнал конца измерения. По этому сигналу информация записывается в регистр 50 и с некоторой задержкой, необходимой для надежного установления информации на выходе регистра, разрешается сравнение блоками 51 и 52 цифровых кодов регистра 50 и кодов, поступающих с регистров...

Номер патента: 1700640

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Андреичев, Вовк

МПК: H01L 21/48

Метки: гибридных, интегральных, корпусов, схем

...р фили 3 и 4. На торцевые остроконечные профили заготовки 2 боковых граней наносят металлическое покрытие 5, образующее с Ь материалом заготовок эвтектику. Затем пе- О ред сборкой удаляют с вершин профилей покрытие. Сборку корпуса проводят на оп-, 3 равке 6, зажимая заготовки между электродами 7 и 8. При этом устанавливают шунтирующие вставки 9 и 10, пропускают ток по образовавшейся цепи между электродами 7 и 8 в виде короткого импульса продолжительностью 2 - 3 с в защитной среде.При достижении температуры образования эвтектики, например, никель-титан, происходит оплавление боковых поверхно 1700640стей остроконечных профилей. Одновременно с разогревом на острие профиля действует приложенное к электродам давление.. В процессе сварки...

Номер патента: 1704113

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Байда, Локазюк, Перевозников

МПК: G01R 31/28

Метки: схем, цифровых

...сравнивают их с эталонными значениями, по результатам сравнения судят об исправностизлементовсхемы, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса контроля комбинационных цифровых схем за счет создания временных искусственных цепей с помощью токоограничивающих соединителей, образуют временные последовательные соединения всех элементов контролируемой схемы, на входы элементов, не участвующие в образовании последовательных соединений всех элементов контролируемой схемы, согласно функциональному назначению элементов подают входные сигналы, обеспечивающие прохождение тестового воздействия по образованным последоват льым цепям. и 1 срмиГюэт входные тестовые воздействия е виде гачкг импульсов,25 30 35 40 Составитель В.БутинТекред...

Номер патента: 1705771

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Лаансоо, Мин, Мяннама

МПК: G01R 31/00, G01R 31/28

Метки: проверки, схем, электрических

...(характеристики).Измерение постоянного напряжения и тока, сопротивления, действующего значения напряжения, а также частоты может быть проведено непосредственно блоком 7, на вход которого сигнал поступает через узел 3.2 от узлов 4.1, 4.4 и 4.5, а цифровой выходной сигнал поступает в блок 1.Измерение передачи ПС, ее АЧХ, ФЧХ и КНИ требует включение в цепь измерений блока 6, а при проверке прецизионных схем и блока 5. В первом случае измерительный сигнал от узлов 4.1, 4.4 и 4,5 через узел 3,2 поступает на измерительный вход блока б (на узел 6.4). Через узел 6,5 он передается на сигнальный вход узла 6.3. Опорный сигнал от узла 2.3 поступает на опорный вход узла 6.3 через узлы 3.2, 6,1 и 6.2. В соответствии с измеряемым параметром...

Номер патента: 1706037

Опубликовано: 15.01.1992

Автор: Лаврищев

МПК: H03K 19/096, H03K 5/135

Метки: корректировки, синхронизации, схем, фазы

...пятый О-триггер 6 обнуляется, третий элемент И 15 открывается, и все устройство в иСхОднОм СОСтоянии,В случае прихода импульса на второй вход 25 устройства Густройство находится в исходном состоянии) оно срабатывает аналогично тому, как оно срабатывает от ил 1- пульсов на первом входе 24. Импульс через третий элемент 11 15 и второй элемент ИЛИ 11 с максимальным бысгродейсгвиек поступает на выход устройства. С выхсда третьего элеменгг И 15 через второй элемент задержки 20 эгот импульсный сигнал поступает на тактовый вход шестого О-триггера 7 (в этот мол 1 ент на информационном входе триггера 7 присутствует высокий уровень с выхода элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 18) и переводит шестой О-триггер 7 в единичное сосго ние, Низкий уровень с...

Номер патента: 1714389

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Додонов, Иванов, Лазаренко, Лопатин, Сидоренко

МПК: G01K 7/02

Метки: интегральных, схем, температуры

...для ИС, выбранной в качестве датчика температуры, в котором не происходят необратимые изменения. в ней.По результатам этих измерений строится градуировочная кривая для данного экземпляра ИС. Если используется кристалл без корпуса, для него необходимо снять аналогичную градуировочную кривую, исключив попадание на него света, что может изменить значение периода регенерации,Чтобы измерить температуру кристалла микросхемы (в том или ином технологическом и роцессе), необходимо и одкл ючить микросхему к измерителю параметров (если она не подключена в ходе данного технологического процесса), измерить период регенерации, а затем по известной градуировочной кривой определить температуру.Если требуется измерить температуру кристалла без...

Номер патента: 1716586

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Грушковик, Терегеря

МПК: H01R 13/62, H01R 23/00

Метки: выводов, интегральных, контактное, корпусах, нулевым, перпендикулярным, подключения, расположением, расчленения, сочленения, схем, усилием

...9 по направлению перемещения крышки больше толщины вывода ИС, Контактные элементы установлены в гнездах 6 с возможностью взаимодействия подвижными лепестками 4 со стенкой 12 паза 10, При этом ширина паза 10 больше суммы толщины вывода ИС и подвижного лепестка 4 с учетом отгиба 11.Устройство работает следующим образом.При повороте рычага 7 на угол 90 относительно исходного положения крышка 2 под воздействием кулачковой поверхности 8 рычага 7 перемещается по штифтам 3 вдоль их продольной оси. При этом выступающий подвижный лепесток 4 контактного элемента под воздействием стенки 12 перемещается на величину, превышающую толщину выводов ИС, что создает зазор между лепестками 4 и 5 контактных элементов, обеспечивая нулевое усилие...

Номер патента: 1718222

Опубликовано: 07.03.1992

Автор: Шепелев

МПК: G06F 11/26

Метки: логических, схем

...записи с выхода АЦП 4 на вход блока 7 оперативной памяти. Однако с инверсного выхода триггера 12 "единичный" сигнал поступает на вход элемента И 9 и тем самым разрешает прохождение сигнала с выхода АЦП 4 на вход элемента И 10,Во втором цикле работы объекта контроля первый 1 и второй 2 датчики тока, блок 3 вычитания, АЦП 4 функционируют так же, как в первом цикле. Однако разность токов потребления в дискретном виде для каждого такта работы схемы 15 сравнивается схемой 5 сравнения с разностью токов, записанной для этого же такта в первом цикле работы, При совпадении сравниваемых величин на выходе схемы 5 сравнения "нулевой" уровень, который при поступлении с выхода АЦП 4 через элемент И 9 на вход элемента И 10 сигнала,...

Номер патента: 1718303

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Безрук, Благий, Новосядлый

МПК: H01L 23/28

Метки: больших, интегральных, корпус, пластмассовый, схем

...микротрещин в корпусе при термоциклировании, ф-лы, 2 ил,К тыльной стороне выводной рамки 1 приклеивают ободок 2, изготовленный из железоникелевого сплава и имеющий теп- СО локомпенсирующие условные прорези 3, (,) расположенные по периметру зоны монта- ) ка кристалла. Ободок имеет форму шестиугольника, большую ось которого при, приклейке ориентируют вдоль продольной оси выводной рамки, Угол шестиугольникапри вершинах, располокенных на продольной оси выводной рамки, выбирают равным 30 - 400 Для увеличения мощности рассеивания корпуса наружную сторону ободка выполняют с демпфирующей теплопроводящей пленкой из силицида титана, карбида кремния или меди, После насадки кристалла1718303 Составитель С.Манякинедактор И,Шулла Техред М.Моргентал...

Номер патента: 1732397

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Комина, Свиноренко

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: интегральных, кассетная, контейнер, преимущественно, схем, транспортирования

...стоек, сводя их к стопе кассет 1.Высота стоек 3 - б такова, что при сведении их одна к другой стопка кассет не приподнимается, а из-за разницы в ширине ( и Ь поперечных пазов 12 и выступов 26 кассет 1 последние располагаются в пазах 12 с зазорами Ь 1 и Ь 2 Затем плиту 2 подают вперед до упора кассет 1 в буртики 22 стоек 5 и б. После чего опускают переднюю дверку 15 аналогично задней по выступам 13 стоек 3 и 4. Сборка контейнера закончена, При подъеме контейнера (вручную или автоматически) его нижняя кассета опирается выступами 26 на базовые поверхности опорных площадок 11 и удерживает всю стопу кассет 1.При использовании контейнера на ручных операциях дверки-шторки 15 и 16 служат и как фиксаторы стоек, и как ограничители от выпадания...

Номер патента: 1737465

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Безроднов, Кондратьев, Овчинников, Поваренкин, Щупаков

МПК: G06F 15/46

Метки: интегральных, схем, функционального

...запуском от ЭВМ 64, начало тестирования, с различными заданными значениями времени задержки входных сигналов и моментов регистрации отклика ИС относительно друг друга, с фиксацией результата в блоке 1. В этом режиме возможны следующие операции: контроль откликов, поступающих с выходов ИС, выполняется путем занесения данных с выходов ИС в блок 1 и последующим программным анализом правильности работы ИС либо сравнением отклика с эта лоном, записанным в блок 1 предварительно, и занесением результата в блок 1 и программным анализом результата сравнения на "0", Совмещенный контроль всей тестовой информации как передаваемой в ИС так и принимаемой от нее. В этом случае вся информация, подаваемая и принимаемая повторно записывается в блок 1,...

Номер патента: 1287058

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Корбашов, Семин, Спирин

МПК: G01R 31/28

Метки: параметров, схем, электрических

...положительной полярности на его синхровходе,поступившего с формирователя 7 импульсов. Этим же синхроимпульсом 2 Оприводится в исходное состояние слой18 сегнетоэлектрика. Чтобы не. сбросить слой 18 сегнетозлектрика в исходное состояние еще до окончанияв нем релаксационного процесса, свяэанного с измерением потенциалаконтролируемой электрической цепи,необходимо задержать формированиеположительного импульса на выходеформирователя 7 на время релаксации 30слоя 18. В противном случае слой 18не успеет переполяриэоваться и результат измерения будет неточен.Элемент 5 задержки задерживаетФронт положительного импульса, формирующегося на выходе усилителя 2,на время, необходимое для окончания.релаксапии слоя 18 и для срабатывания после окончания...

Номер патента: 1739325

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Картамышев, Кленов, Котов, Нуров, Сидоренков

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, кмоп, озу, статических, схем

...информативного параметра- тока утечки в общей шине питания - необходимо проводить в режиме хранения, когПо окончании перезаписи информации 5 из ИС 8 в блок 5 памяти по очередному сигналу с блока 7 управления производится снова включение генератора 2 тестовых воздействий, но в этом случае управляющие сигналы с генератора 2 тестовых воздейст вий создают режим считывания информации с блока 5 памяти и записи ее в контролируемую ИС 8 в инверсном виде. Инверсия сигналов осуществляется с помощью блока 6 инвертирования (для однода ток утечки проверяемой ИС обусловлен утечкой элементов запоминающей матрицы и не маскируется током потребления усилителей записи и считывания.Следующий сигнал, поступающий через 200 мкс с блока 7 управления на блок...

Номер патента: 1313257

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин, Титов, Эрмантраут

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, контактных, областям, отверстий, схем, типа, формирования

...Удаляют маску и под" ложкц подвергают облучению ионамиазота в диапазоне энергий 15-100 кзВи доэ 1 О -5 10 си . Для сравце 14 1 аиия облучению подвергают только поДоза Ионов аоа, си Энергиянапав Параметр Етте.ттвевтеетттие ет тееев ттЕтвввее 1 С 10 10 4 ф 10еееей твеее азота,кзВ5 10 49 ОО 100 84 "11 ОтсутствиеоплавленилФСС Отношение вьжадаГо,плых контактные 1,1.отверсти:Й в %к дале аабраковелньжпо аатвкщппа кантапчьиотверстнЦ, ре,эмерсонЗхЗ мкм В % у 2лави 11 у каждой подложки, в результатецеоблучецнал часть подложки изготав"лццлстсл ц саатлетст 1 ии с црототипойеПосле облучения подложки отжигдютпри 1000 С в течение 30 мин для оплавлеццл слоя ФСС. Дпл сравнешгл прототипа и предлагаемого способа на изготовленных та" кцм образом...

Номер патента: 1040978

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, мноп, основе, памяти, схем, транзисторов

...сторону;10Поскольку процесс йормирования заданныхсвойств затворного диэлектрикаэлементов памяти производится локаль"но, то на стабильности работы других элементов ИС он никак не ска. зывается.,.Изменяя концентрацию ловушек, ихэнергетическую глубину и пространст. венное распределение по слою Б 1 И,, которые определяются дозой, типом 20внедряемого иона и энергией, ионов со. ответственно, можно для неизменныхУсловий записи варьировать величинуэахватываемого информационного заряда Для повышения надежности и воспроизводимости уровня записи заряда в элементы памяти И 6 в предлагаемом способе конкретизированы тип иконцентрация ионов, используемых дляоблучения и глубина их проникновения 30в пленку БИ, Применение ионов эле.ментов компонентов...

Номер патента: 1751704

Опубликовано: 30.07.1992

Автор: Терпигорев

МПК: G01R 31/28, G01R 31/318

Метки: интегральных, параметрического, схем

...12 и элементы Иносится к классу времязадающих микросхемНЕ 13 и 2 И-ИЛИ 23 являются элементами(аналоговые таймеры, одновибраторы), синхронизации работы устройства, функпредназначена для генерации импульсов ции управления отдельными блоками устили стабильных временных интервалов и, ройства, синхронизации работы этихкакправило.содержитдвавхода(запускаю блоков, обработки результатов контролящий и вход для подключения внешней вре- (сравнения с нормой, классификации, арифмязадающей цепи), выход и выводы дляметических и логических операций, преоб. подключения источника питания, разования кодов, запоминания результатов)ЦАП 1-Зсисточниками 4-6 напряжения выполняет внешняя ЭВМ, связанная с уст-,ив выходе лредствелвхтт собой лрограмми. родством...

Номер патента: 1755206

Опубликовано: 15.08.1992

Автор: Савин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодно-релейных, проверки, схем

...число 15, В момент прихода отрицательного полупериода напряжение на втором резисторе 3 сразу же оказывается более отрицательным, чем на среднем выводе первого резистора 2,и поэтому на выходе первого компаратора 8 остается высокий уровень, ЯЯ-триггер 14 не меняет своего состояния, двоичный реверсивный счетчик 20 не обнуляется.При обрыве обмотки реле 22 или при его отсутствии в течение положительных полупериодов напряжение на втором резисторе 3 будет равно нулю и на выходе второго компаратора 9 в течение положительного полупериода будет поддерживаться низкий уровень, который также записывается в двоичный реверсивный счетчик 20. На выходе первого компаратора 8 в течение всего периода будет высокий уровень, благодаря чему...

Номер патента: 1756940

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Добров, Кубышкин, Кушнарев, Лабковский

МПК: H01B 1/02

Метки: паста, полупроводниковых, преобразователей, силовых, соединения, схем, элементов

...Остальное Дендритная форма (" ежик" ) порошка медного способствует тому, что частицы меди продавливают поверхностную окисную пленку соприкасающихся элементов силовых схем, обеспечивал надежный электрический контакт.В целом, введение в состав известной пасты порошка медного электролитического, состоящего из частиц дендритной формы, с указанным в формуле изобретения соотношением компонентов, повышает ее электропроводность и улучшает теплопроводность. Это обеспечивает снижение контактного электро- и теплового сопротивления, что, в свою очередь, позволяет повысить допустимые токовые и тепловые нагрузки силовых полупроводниковых преобразователей, т. е. реализовать цель изобретения,Для проверки свойств предлагаемой пасты были...

Номер патента: 1758611

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Данилов, Лобанов, Пункевич

МПК: G01R 31/318

Метки: больших, интегральных, схем, функционального

...быть примерноравным половине длительности периодаопорной частоты, а значение максимальной задержки строб-импульсов навыходе блока 4 синхронизации должнобыть меньше на значение периода опорной частоты по сравнению с длительностью такта контроля. Блоки 8 и 9 памяти осуществляют временную привязку информации, поступающей с аналоговых компараторов 2 и 3, к строб-импульсу со сдвигом на три такта контроля. С целью обеспечения нормальной работы устройства следует учитывать это обстоятельство при составлении тестовой таблицы контроля, т.е, ожидаемая эталонная информация должна записываться в блок.5 тестовых воздействий со сдвигом на три такта, Информация с выходов 0-триггеров 12-15 поступает на входы решающего блока 17, который в случае либо...

Номер патента: 1762334

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Лысенко, Мардилович, Мухуров, Сидоренко

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумных, высокотемпературных, диэлектрических, интегральных, схем

...способные удерживать молекулярный СО 2,При добавках в З -ный раствор Н 2 С 20 менее 0,2 Н 2304 после отжига при Т1100 К диэлектрические детали содержат включения как щавелевой, так и серной кислот, При увеличении концентрации Н 2304 от 0,4% и вплоть до 4 о , можно добиться, что в решетку будут внедряться только ионы серной кислоты, Однако при таком содержании Н 2304 в электролите формируется оксид обладающий, особенно после отжига, очень низкими прочностными характеристиками (в связи с этим такой оксид совершенно не пригоден для изготовления диэлектрических деталей для высокотемпературных ВИС) и содержащий большое количество сорбированной воды. Только добавки Н 2304 в количестве 0,2 - 0,4% позволяют формировать диэлектрические...