Полтинин

Номер патента: 1045777

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Михайловский, Полтинин, Федорова

МПК: H01J 1/304, H01J 3/04

Метки: автоэмиттер, заряженных, частиц

...УЭМВВ, х 10000. Острие с утолщением устанавливают затем в гелиевый автоионный микроскоп. Нагружение острия электрическим полем производят от высоковольтного генератора с плавной регулировкой напряжения в интервале от 1 до 30 кВ с длительностью импульса 5 10 с. Скорость подъема напряжения 4 кВ/мин. Генератор обеспечивает максимальный ток в импульсе 150 А. При этом получено значение плотности тока б 10 А/см. Вблизи граничных значений отношений диаметров (2/д= 1140 А /330 А=3,5;3 /д = 2270 А /2080 А = 1,1) значение плотности тока остается постоянным.35 Анализ продуктов испарения при механическом отрыве сферического утолщения на вершине показал, что механический отрыв утолщения, приводящий к повышению напряженности поля, приводит к...

Номер патента: 810173

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Бахарев, Полтинин

МПК: A01K 47/00

Метки: круглогодичного, осуществле-ния, павильонеп, передвижном, полтинина, семей, содержанияпчелиных, способа

...отверстия 10, гнездовые рамки 11 расположены в пакете 12 ина выдвижной раме, которая держится наприкрепленных к стенке рейках 13, и выдвигаются на передвижную площадку 14,секция разделяется временной перегородкой 15, снабжена двумя летками 4 и дверцей 9, пакет 12 содержит леток 1 б, отъем 5 1 О 15 20 20 ЗО 35 40 45 50 55 ную стенку 17, выдвижной поддон 18. Рабочая площадка 14 Имеет передвижную подставку 19, которая передвигается по стойкам 20, прикрепленным к основанию 21, передвигающимся на роликах 22.Рамки 11 размещены в пакетах 12 и на выдвижной раме 2 Л, Секции 24 сотохранилища б имеют летки 25. Вход в павильон имет две двери 2 б и 27, В лаборатории находится стол 28, а также контрольный улей 2 У. Камера 7 содержит люк 30,...

Номер патента: 742754

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Гарбер, Михайловский, Полтинин, Федорова

МПК: G01N 3/08

Метки: испытания, кристаллов, нитевидных, разрыв

...значению автоионизации газа.Способ осуществляют следующим об- .разом,На вершине нитевидного кристалласоздают сферическое утолщение эасчет его нагрева до температуры поверхностной самодиффузии и выдерживают его при этой температуре до формирования сферического утолщения диаметром Дъ(8 С (зт ), затем кристалл2Ь утолщением помещают в камеру автоионного микроскопа и в присутстниихимически активного газа, например,азота при давЛении10 тор при напряженности электрического поля, равной пороговому значению автоиониэации газа, проводят формиронание атомногладкой поверхности вершины нитевидного кристалла, Затем кристалл разрушают, прикладыная к его вершине на742754 Д Ъ(82 й где б - диаметр рабочей части кристалла;Е - пороговая напряженность...