B01J 17/34 — B01J 17/34

Способ изменения концентрации примеси в полупроводнике

Загрузка...

Номер патента: 445464

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Молчанова, Смирнова

МПК: B01J 17/34

Метки: изменения, концентрации, полупроводнике, примеси

...кремния (толщина 0,2 мм), легированного золотом, со следующими параметрами: р 40 ом см, и 10" см -р 820 в см - 2 сек- помещают в электролит - 32 н. раствор пла впковой кислоты марки 04 и выдерживают вцем в течение 100 час. Содержание золота в пластцце до проведения процесса 210" атом/см, после проведения - меньше,чем 10" атом/см, Электрофизические пара метры принимают следующие значения: р0,3 ом см, и 1,6 10" см в см сек .П р и м е р 2. Пластину монокристаллического арсенида галлия (толщина 0,2 мм) со 20 следующими параметрами: р 0,0005 ом см,п 10 сг смр 76 в см - сек -помещают в электролит - 30%-цый раствор едкого кали с добавкой 10 вг/л ионов меди. Затем через пластину в электролите пропускают в тече цие 24 час постоянный...

Способ изготовления пластин на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 514621

Опубликовано: 25.05.1976

Авторы: Григорьев, Ивин

МПК: B01J 17/34

Метки: кремния, основе, пластин

...от 0,8 ммему;ром 35 мм - 40 мм. Толастины задают изменением ееличиски смеси, загруженной в пресоль, напри ают ав смеси микропорощковов позволяет получить Ввецени тугоплавких высокую те значительно в сост металл пературу плавления смеси при больщем по сравнению с язв бомс содержании в ней галлия. смеси с послецуюшим высоко стным спосо Прессование Это достиг юлей-галлий в группы тита гревают ее давлении О, при 1000-3 оздать прмерно расормнрова пористаястабильног рхн остью Гомогениз пресс-формч тфсм М и 250 сованную пла мы и отжигв в течение ча ные пластины цо 2 мм и ди шая по предлагаемопластина обеспечивает о давления пара галлия3 516621В фваваниык условиях получены размеры"1Ф о р м у л амикропор фвимудественно н диапазоне0,1 мкм120...

Подложкодержатель для устройств ионнолучевого легирования

Загрузка...

Номер патента: 710625

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Зотов, Назарова, Титов

МПК: B01J 17/34

Метки: ионнолучевого, легирования, подложкодержатель, устройств

...цилиндров с двумя кольцевыми прорезями, ширина одной иэ которых равна толщине пластины, а ширина другой равна толщине подложки.С целью уменьшения загрязнения подложек материалом подложкодержателя он преимущественно выполнен иэ стеклоуглерода, кремния или кварца. На фиг.1 схематически показан подпожкодержатель, вид спереди; на фиг.2 вид сбоку; на фиг.З изображен фиксатор.Подложкодержатель представляет собой прямоугольную пластину 1 с наклонными прорезями 2 по боковым сторонам. В прорезях 2 установлены фиксаторы 3, которые удерживают подложку 4 на поверхности подложкодержателя. Фиксатор имеет две прорези, одна из к"торых 5, равна толщине пластины, служит для крепления фик - сатора в прорези 2. Ширина второй прорези 6 равна толщине...

Способ легирования монокристаллов кремния

Загрузка...

Номер патента: 717999

Опубликовано: 25.02.1980

Авторы: Иоахим, Конрад

МПК: B01J 17/34

Метки: кремния, легирования, монокристаллов

...способы с ориентацией затра- тывается в конструк вочных кристаллов (111)(100)или 1.15) . с проведением высок Предусматривается также вращение 40 процессов, например кристалла кремния, содержащего гер- В данном способе маний, в процессе облучения нейтро- регулируемое введен нами. В качестве источника излуче- с хорошей точностью ния применяют известные ядерные параметров: изменен реакторы типа реактора с легкой или З 5 мания в сплаве и иэ тяжелой водой или реактор с графито- ности или времени о вым замедлителем. Применяя предлаг П р и м е р 1. Исходным матери- лось впервые получи алом является поли кристаллический ческие кремниевые ст кремниевый стержень длиной 900 мм 40 тельно больших диаме и диаметром 35 мм, который имеет распределением...

Способ окрашивания ювелирных кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 768455

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Жижейко, Жмурова, Хаимов-Мальков

МПК: B01J 17/34

Метки: кристаллов, окрашивания, ювелирных

...1. Для того, чтобы бесцветным . исталлам лейкосапфира придать голу)о окраску, соответствующую цвету алю" -кобальтовой шпинели, наносят на ниж:ото часть кристалла полубриллиантовойранки известным способом термического ;пыления слой металлического кобальта ", тщиной 0,3 мм. Затем кристалл подвергаа термообработке на воздухе при темпера)уре 1100 С в течение 30 мин, В результатвердофазной химической реакции)зОз + СО+ /0-.СОА 104 на по- )1)хности кристалла лейкосапфира обра устся слой алтомокобальтовой шпинели, ) торый окрашивает кристалл в голубой ц)тебе. Полученный окрашенный слой устой)цц в ооычных условиях (твердость по 4 оосу - 3, це растворяется в бытовых35)т)слотах и щелочах).Пример 2. Для получения ювелирного :)мня зеленого цвета...