Способ испытания на разрыв нитевидных кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 742754
Авторы: Гарбер, Михайловский, Полтинин, Федорова
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 31.0178 (21) 258004125-28 (51) М. КЛ.2 О 01 И 3/08 с присоединением заявки Мо -Государственный комитет СССР ио дедам изобретений и открытий( 54) СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ НА РАЗРЫВ НИТЕВИДНЫХ КР ИС Т АЛЛО ВИзобретение относится к области испытания материалов на прочность, а именно к способам испытания на разрыв нитевидных кристаллов..5Известен способ испытания на разрыв нитевидных кристаллов, заключающийся в том, что кристалл помещают в камеру автоионного микроскопа, формируют на его рабочей части атомногладкую поверхность путем испарения в электрическом поле и разрушают кристалл, прикладывая н его вершине напряжение электрического поля положительной полярности 1,Недостатком изнестного способа являются его ограниченные технологические возможности, так как при приложении высоких напряжений кристалл не разрушается, а испаряется.Цель изобретения - расширение технологических возможностей способа.Для этого перед испытанием на вершине кристалла создают сферическое утолщение, диаметр Э которого опреде- ляют из соотношения;Е (8 тгде й - диаметр рабочей части кристалла; Е - пороговая напряженность испаряю его электрическогополя;бт - теоретическая прочность наразрыв материала кристалла,а формирование атомногладкой поверхности проводят в атмосфере химическиактивного газа при напряженностиэлектрического поля, равной пороговому значению автоионизации газа.Способ осуществляют следующим об- .разом,На вершине нитевидного кристалласоздают сферическое утолщение эасчет его нагрева до температуры поверхностной самодиффузии и выдерживают его при этой температуре до формирования сферического утолщения диаметром Дъ(8 С (зт ), затем кристалл2Ь утолщением помещают в камеру автоионного микроскопа и в присутстниихимически активного газа, например,азота при давЛении10 тор при напряженности электрического поля, равной пороговому значению автоиониэации газа, проводят формиронание атомногладкой поверхности вершины нитевидного кристалла, Затем кристалл разрушают, прикладыная к его вершине на742754 Д Ъ(82 й где б - диаметр рабочей части кристалла;Е - пороговая напряженность испаряющего электрического поля;бт - теоретическая прочность наразрыв материала кристалла,а формирование атомногладкой поверхности проводят в атмосфере химическиактивного газа при напряженности злек 15 трического поля, равной пороговомузначениюавтоионизации газа.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Гарбер Р, И. и др, Доклады2 О АН СССР, 1967, 174, с, 1044 (прототип) . Формула изобретения Составитель В. РотницкаяРедактор Н. Воликова Техред М,Петко Коррек рто С. Шекмар Подписное Заказ 3453/38 Тираж 1019 ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 пряже ние положительной полярности электрического поля,Описанный способ позволяет оценнть прочность высокопрочных нитевуных кристаллов диаметром менее 10 мм беэ изменения размеров их перед разруше- . нием. Способ испытания на разрыв нитевидных кристаллов, заключающийся в том, что кристалл помещают в камеру автоионного микроскопа, формируют на его рабочей части атомногладкую поверхность путем испарения в электрическом поле и разрушают кристалл, прикладывая к его вершине напряжение электрического поля положительной полярности, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения технологических воэможностей способа, перед испытанием на вершине кристалла создают сферическое утолщение, диаметрО которого определяют из соотношения
СмотретьЗаявка
2580041, 31.01.1978
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8851
ГАРБЕР РУВИН ИОСЕЛЕВИЧ, МИХАЙЛОВСКИЙ ИГОРЬ МИХАЙЛОВИЧ, ПОЛТИНИН ПАВЕЛ ЯКОВЛЕВИЧ, ФЕДОРОВА ЛИДИЯ ИВАНОВНА
МПК / Метки
МПК: G01N 3/08
Метки: испытания, кристаллов, нитевидных, разрыв
Опубликовано: 25.06.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-742754-sposob-ispytaniya-na-razryv-nitevidnykh-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ испытания на разрыв нитевидных кристаллов</a>
Предыдущий патент: Устройство для испытания проб мерзлых грунтов
Следующий патент: Способ определения модуля упругости материалов при растяжении
Случайный патент: Устройство для поштучной выдачи деталей