Способ выращивания кристаллов кварца

Номер патента: 491593

Авторы: Ташкер, Шапошников

ZIP архив

Текст

0 П И С А Н И Е (11) 491593ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Сооетских Соева.ц;стических Роса)саик(23) Приоритет Сооата Мииистров СССР Опубликовано 15Дата опубликов(53) УДК 666.11(088,8 делам изобретений и открытий ия описания 04.0 2) Авторы изобретения(71) Заявитель сесоюзный научно-исследовательский инстит синтеза минерального сырья4) СПОСОБ ВЫРАЩИВА КРИСТАЛЛОВ КВАР 2 Полученные мелкие кри ляются готовым концентра предварительного цзмельч исключает обогащение и 5 щает отходы сырья по сра ми спосооами. Предложеш ет значительно сократить процесса кристаллизации,ления дорогостоящих затр О сложного внутреннего осц Фор мх л а из обретесинтеза кварцесталлы кварца явтом, не требующим ения в крупку. Этона 15 - 25% сокравнеццю с известнытый способ позволяпродолжительцость не требует изготовавочных цластиц ц ащеция автоклава,ыращивания кристаллов оренця аморфного кремне та в растворе, напрцмер нця прц повышенных техс последующей крцстал е прц снижении цх, от ем, что, с целью получеьп еского кварца, крцсталлцз чных затравках цз частиц варца размером 0,001 - 0,1 ом отношении к аморфно кристобалиту от 1/100 д м перемсшцваццц. Изобретение относится к областикварца для изготовления оптического вого стекла.Известен способ выращивания монокристаллов кварца из растворов фтористого аммония.Цель изобретения - получение мелких кристаллов кварца, пригодных для непосредственного наплавлеция оптического кварцевого стекла. Достигается это тем, что в автоклав загружается аморфный кремнезем или кристобалит и кварцевые частицы размером от 0,001 до 0,1 мм прц весовых отношениях кварца к аморфному кремнезему от 0,0 до 0,25. Автоклав на б 0- 90% заполняется фтористым аммонцем, Процесс растворения и кристаллизации вед;тся при температурах 100 - 450 С и давлениях 100 - 1000 атм с перемешиванием среды, После растворения аморфного кремнезема понижают температуру и давление, что приводит к кристаллизации кварца на кварцевых частицах, Б зависимости от требуемого размера кристаллов снижение температуры и давления продолжается от 5 до 150 ч. Способ в пхтем раств 5 кристобали стого аммо и давлении на затравк щийся т 0 кристалл ич дут на точе лцческого к тых в весов незему или 5 непрерывнокварца, зема цлцфторипературе лизаццей лцчаюя мелкоаццю ве- кристалмм, взяот кремо 1/4 при

Смотреть

Заявка

998308, 11.09.1968

ВСЕСОЮЗНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ СИНТЕЗА МИНЕРАЛЬНОГО СЫРЬЯ

ТАШКЕР ЭМИЛЬ МОИСЕЕВИЧ, ШАПОШНИКОВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: C03C 3/06

Метки: выращивания, кварца, кристаллов

Опубликовано: 15.11.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-491593-sposob-vyrashhivaniya-kristallov-kvarca.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания кристаллов кварца</a>

Похожие патенты