Установка для выращивания кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 445462
Авторы: Бодячевский, Каган, Климовицкий, Липов, Рейтеров, Рубин, Симун, Соколов, Фельдман, Хазанов
Текст
) 445462ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Соеетскмн Соцмадистнцескин Реса убттни(32) ПриоритетОпубликовано 05.107 ударстаеннын ноинтетвота тенннстроа СССРо делам нзебретеннйн открытий юллетеиь37описания 15 12 7 УИК 621,315.592.) УСТАНОВКА ДЛЯ ВБРАЩИВА ИСТАЛЛОВ 25 Изобретение относится н областн выращивания коисталлон.В изнестнои устанонне для ныращинания нристаллон, работающей по методу Штобера и содержащей футеронанную печь с неподвижным тиглем ннутри и нагреватели, осевой градиент температуры создают потоком от нерхнего торцоного нагре с нателя через тигель н холодильник .Однаво при применении таних устанонов н процессе выращивания кристаллов Форма стронга кристаллизации не управляется, что приводит в нозможности зарождения н оснонном блоке побочных кристаллон и образования поликристаллическом структуры.Кроме того, величина осевого градиента темйературы янляется практически нерегулируемой нели.чийой и может не соотнетстнонать услониям проведения процесса . Во время перемещения Фронта кристаллизации на высоте кристалла нелич на осеного градиента изменяется, что принодит в неоднородности свойств нристаллизуемого материала.По этим причинам процент ныхода годных нристаллон при ныращинании н известных установках мононристаллон больших диаметров или нристаллон с соотношением нысоты н диаметру менее 0,3 очень ненелин.Цель изобретения - управление Формой Фронта кристаллизации. Для этого н предлагаемой устанонне на всей внутренней поверхности печи установлены сенциониронанные нагреватели.На чертеже изображена схема описываемой устанонни, нид сверху.Устанонна содержит нагренатели 1-4 с наждой торионой стороны3тигля и несколько например,три)боковых нагревателей б, тепло-.изоляцив 8 и неподвижный тигель 9Боковые нагреватели управляютормой Фронта кристаллизации засчет регулирования соотношениярадиального и осевого тепловыхпотоков в вристаллизуемом материале. Осевой градиент температуры создают тепловым потоком междуверхним 1,2 и нижними 3,4 торцовыми нагревателями.Установка работает следующимобразом,После загрузки тигля и расплавления материала температурунагревателей 1-7 подбирают так,чтобы обеспечить необходимыйтемпературный градиент по высотерасплава.Изменяя по программе температуру торцовых нагревателей 1,ыи 3,4 добиваются равномерногоперемещения фронта кристаллизациипо высоте расплава. Боковые нагреватели 5-7 сохраняют дри этомпостоянство соотношения радиальных и осевых тепловых потоков,управляя Формой ,фронта кристаллизации и обеспечивая ее постоянст 4454624во во время всего процесса выращивания.В момент овончания полногозакристаллизовывания расплава5, :в самом "холодном" участие ирис таяла температура должна бытьне ниже температуры релаксациитермических напряжений. Это полностью исключает растрескивание10 полученных кристаллов,По окончании процесса выращивания с помощью нагревателей 1-7создают изотермические условияво всем объеме полученного крисй талла, после чего проводят егоотжиг по заданной программе. ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ20установка для выращивания кристаллов по методу Штобера, содержащая футерованную печь с неподвижным тиглем внутри и нагревате ли, отличающаяся темчто, с целью управления формой Фройта кристаллизации, на всей внутренней поверхностй печи установлены секционированные нагреватели.445462 ЗаказИзд. М 7 БФ Тираж 6 Я Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб., 4 Предприятие Патент, Москва, Г.59, Бережковская наб., 24 Составитель 3 00 ааОЛИл ОВРедакторУЬНЧЙДОЗИ ехред Л е ПО 79 ПОВИ КорректорЕЦОХОВВ
СмотретьЗаявка
1635731, 23.03.1971
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4696
БОДЯЧЕВСКИЙ СТАНИСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ, КАГАН НАУМ БОРИСОВИЧ, КЛИМОВИЦКИЙ ВЛАДИМИР НАУМОВИЧ, ЛИПОВ ВАЛЕНТИН ЯКОВЛЕВИЧ, РЕЙТЕРОВ ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ, РУБИН ГЕОРГИЙ КУСИЕЛЕВИЧ, СОКОЛОВ ВАЛЕНТИН АЛЕКСАНДРОВИЧ, СИМУН ЕЛЕНА АНАТОЛЬЕВНА, ФЕЛЬДМАН ИОСИФ АЙЗИКОВИЧ, ХАЗАНОВ ЭРЛЕН ЕГОШЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: B01J 17/06
Метки: выращивания, кристаллов
Опубликовано: 05.10.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-445462-ustanovka-dlya-vyrashhivaniya-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Установка для выращивания кристаллов</a>
Устройство для питания электрического нагревателя и контроля его температуры
Номер патента: 428231
Опубликовано: 15.05.1974
Авторы: Вититин, Гриффен, Синтетических, Украинский
МПК: G01K 13/00, G01K 7/20
Метки: нагревателя, питания, температуры, электрического
...другой конец нагревателя.15 На чертеже изображена схема предлагаемого устройства,Устройство представляет собой мост пере.20 менного тока, состоящий из нагревательногоэлемента 1, регулируемого сопротивления 2, последовательно с которым включен дстод 3, и двух резисторов 4 и б, В диагональ моста включен измерительный прибор 6. Мост под.25 ключен к источнику питания 7 через диод 8,Для обеспечения непосредственного включения нагревательного элемента 1 на питающее напряжение в схему введен диод 9, подключенный одним электродом к источнику напря. з 0 жения, а другим через выключатель 10 - к428231 нагревательному элементу. Полярность включения диода 9 обратна включению диода 8,При отключенном выключателе 10 устройство представляет собой...
Устройство для контроля температуры в процессе
Номер патента: 362673
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Бырев, Гринвальд, Страшно
Метки: процессе, температуры
...ли(нзы 7 прое(ц(и(рует(оя (на по(верхвооть фото(пр(ие(мпги(ка так, чтобы ра(вппомерцо ос(вет(ить в(сю его светочув(ст(в(ительпгую плогцад(ку. Ра(в(но(ме(р(наст(ь 0(авещен(ия м(ож(но наблпода(ть пр(и по(м(о(щ(и на(блгодательной о(пти(ческой си(. стем,ы 10 при по(ме(ще(н(и(и (свето(дел(ительгго(й (пласти(ны 11 в пол(оже(н(ие 1.И(зображение С 1 веточ(у(вствительной пл(ощадк(и фот(о(пр(неми(ика,в отраже(п(ных лучах о(п.пическо(Й си(стемой 9 проеци(руетоя ца по(ве(рх(ность объе(кта с(вар(ки,Ра(зме(р освещен(ной п(лопцад(кп 1 фото(п(рпгем(ни(ка 2 и( и(з,с(б(ра(жепгие ее в плос(кост(н зоны 1 с(вар(ки одтпозцачпо определяют разгмер контр(олефир(уе(мо(по уча(ст(ка з(ояьп с(ва(рк(и, так как пло(ск(ость, в которой ца(ход(иться по(верхнс(сть...
Устройство для исследования процесса износа графитовых нагревателей
Номер патента: 1233023
Опубликовано: 23.05.1986
МПК: G01N 25/18
Метки: графитовых, износа, исследования, нагревателей, процесса
...60 постоянногонапряжения, подключенных каждый ксоответствующей обмотке трансформатора 61. На вход фотореле 62 включенфотоприемиик 63 (в качестве которого Юмогут быть использованы как фотосопротивлеиия, так и фотодиоды, а такжек другие фотоприборы с малым временем срабатывания), освещаемый лампой64, Нормально замкнутое контакты 65 5реле 66 включены в цепь обмотки реле7, а нормально разомкнутые контакты19 реле 17 включены в цепь обмоткиреле 66.( для регулирования временисрабатывания параллельно обмоткам 20могут подключаться конденсаторы)., Реверсирование электродвигателя 24 осуществляется путем переключеиия.кон- .денсаторов 67 и 68 с помощью нормально разомкнутых 69 и нормально замкну- г 5тых 70 контактов реле 71. В цепь обмотки реле...
Способ автоматического регулирования температуры в процессе подготовки стекломассы к выработке
Номер патента: 447375
Опубликовано: 25.10.1974
Автор: Лаптев
МПК: C03B 5/24
Метки: выработке, подготовки, процессе, стекломассы, температуры
...температуры питателя стекломассы,внполненная по данному способу, приведена на чертеже .Она имеет датчики 1-3 температуры, установленные у левой и правой сторон и дна питателя 4 стекломассы; регуляторы 5 и 6, управляющие подачей топлива соответственно к горелке 7 одной из сторон питателя и к горелкам 7 и Б одновременно; исполнительные механизмы 9 и 10; регулятор П, изменяющий температуру на выходе в соответствии с заданным значением, устанавливаемым задатчиком 12 путем изменения напряжения на пластинах-электродах 13, установленных с боковых сторон, с помощью, например, магнитйого усилителя 14.3 44При нарушении температурного равновесия питателя стекломассы по сторонам, на входе регулятора 5 появляется разностныи сигнал с датчиков 1 и 2, и...
Устройство для определения положения границы фаз при выращивании кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава
Номер патента: 485761
Опубликовано: 30.09.1975
Автор: Карпов
МПК: B01J 17/06
Метки: вертикальной, выращивании, границы, кристаллизацией, кристаллов, направленной, положения, расплава, фаз
...вера кристаллизации и тепрого соответствуют темации и теплопроводности щества.(22) Заявлено 04.01.74 (21) 1982949/23-26 ата опубликования описания 24.12.75 Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано при исследовании процесса направленной кристаллизации для подбора оптитальных параметров режима,В известном устройстве, позволяющем определить положение границы фаз при помощи подвижно установленного по длине ампулы щупа, герметизация внутреннего объема ампулы при необходимости создания высоких давлений и температур затруднительна.,Целью изобретения является обеспечение ВОЗможности определения положения границы фаз в герметичной ампуле с контролируемой газовой средой.Предложенное устройство отличается...
Предыдущий патент: Способ получения желатиновых микрокапсул
Следующий патент: Способ очистки и выращивания монокристаллов
Случайный патент: Устройство для термообработки изделий в вакууме