Способ определения удельной энергии поверхностного натяжения кристаллов

щ 462 20 Союз Советских Социалистических РеспубликОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 03.08.73 (21) 1950250/26-25 1 п 21/2 присоединением заявки Ъе 1 асударстеенный комнтеСовета Министров СССРоо делам нэобретеннйи открытии(23) Приор и х ДК 548 75 (088 8 Опубликовано 28.02.75. Бюллетень М 8 Дата опубликования описания 17.09.75 72) Авторизобретеии 71) Заявитель В. Кузи льского филиала А Институт геолог 54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ УДЕЛЬНОЙ ЭНЕРГИИ ПОВЕРХНОСТНОГО НАТЯЖЕНИЯ КРИСТАЛЛОВпластинки по иитерф визиы изгибающеис ренционцой картинеОпределяется пов жения по формуле: ерхностная энергия н 1 Е/гз 8 Г нки,й пла ющим, образДанное изобретение относ исследований слоистых крис удельной энерпш поверхност есть параметр, указывающими личия сил межмолекулярног окружающей среды и неслед Поверхностное натяжение больших размерах граничащ от величины образующейся определяется как работа пер стный слой из окружающего молекул, образующих один тиметр поверхностного слоя. ится к области таллов. Величина ного натяженияна степень разо взаимодействия 5 уемого образца.прп достаточно х фаз ие зависитповерхности и ецоса в поверяю объема фаз всех квадратный санТаким образом, поверхностное натяжение 15 определяет средшою энергию перевода молекул из объемного состояния в поверхностное (двухмерное); прп этом совершается работа против молекулярных сил сцепления, Удельная энергия поверхностного натяжения 20 выражается в эрг/см, т, е. величина энергии поверхностного натяжения, отнесенная к единице площади кристалла.Известен оптический способ определения поверхностной энергии натяжения: исследуе мый кристалл устанавливается в фокусе объектива твердомера ПМТи образец раскалывается стеклянным клином вдоль плоскости третьего пинакоида, Прп помощи ПМТопределяется жесткость кристалла и радиус кри- з 0 где Е - жесткость образца,/г - толщина откалываемой пластп Л - радиус кривизны откалываемо стиики.Известный способ является разруша трудоемким, и его нельзя применять к цам малых размеров.С целью ускорения определения снимается ИК-спектр отражения с подобных граней эталонного и исследуемого кристаллов, определяются максимальные коэффициенты отраже. ния кристаллов и рассчитывается удельцая энергия поверхностного натяжения исследуемого кристалла по формуле:ВЕ = - ЕСпособ заключается в следующем.На серийном спектрометре пли спектрофо. тометре устанавливается эталонный кристалл с известной энергией поверяюстного натяжения и определяется максимальное значение коэффициента отражения относительно алю462120 Предмет изобретения 965 617 695 588 318 347 ТалькПриродный флогоиитСинтетический флогоиитЬиотит природныйВерикулитХлорит 88 57 64 54 29 32 25 Составитель Е. Никитина Текред М. Семенов Редактор Л, Цветкова Корректор Н. Лебедева Заказ 3059 Изд.1247 Тираж 902 11 одиисиое ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж.35, 1 аушская иаб., д. 4/5Обл. тип. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли миниевого зеркала, затем ставится исследуемый кристалл и определяется максимальный коэффициент отражения от той же грани; затем по формуле находят:ЯЕ = - Е,а где Е - энергия поверкиостиого натяжения,отнесенная к единице площади,Я - коэффициент отражения исследуемого кристалла,В - коэффициент отражения эталона,Е. - энергия поверхностного натяженияэталона,Ниже приводится таблица значений уделаной энергии поверхностного натяжения, определенных по предлагаемому спосооу для рядаслоистых кристаллов. Коэффиузси),иая эпср)ця цо 11 азв;иие мииеРа:а отравси)и)я всРЯпостиого иатагкср,.иия, И эргсм При сравт 1 ении с литературными данными отклонения в полученных значениях составляют не более 4%. Способ определения удельной энергии поверхностного натяжения кристаллов с использованием сравнительного оптического метода,отличающийся тем, что, с целью ускоренияопределения, снимают ИК-спектр отраженияс подобных граней эталонного и исследуемогокристаллов, определяют максимальные коэффициенты отражения кристаллов и рассчиты 5)ваот удельнуо эиерпио поверхностного натяжения исследуемого кристалла по формуле:Е = - ЕЯ )23где Е - энергия поверхностного натяженияна единицу площади,Л - коэффициент отражения исследуемого кристалла,Яа - коэффициент отражения эталона,Еа - энергия поверхностного натяженияэталона.