Аппарат для выращивания кристаллов корунда
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 136724
Авторы: Глебский, Красильников, Хохлов
Текст
, 12 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа48 ов и Л. Б. Глебский И, Хохлов, ф. А, Краси АРАТ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КОРУН Заявлено 11 апреля 1960 г. за662631/93 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в Бюллетене изобретений ЛЪ 6 за 1961 г.Известны конструкции аппаратов, применяемых для кристаллизации корунда методом Вернейля. Сущность этого метода заключается в том, что наращивание кристаллов происходит на корундовом стержне- затравке, равномерно опускающемся и вращающемся вокруг оси, расположенной вертикально. Ось вращения совпадает с осью аппарата.Отличительная особенность предлагаемого аппарата состоит в том, что держатели с закрепленным в нпх стержнем-затравкой в печи располагают не вертикально, как в известных аппаратах, а горизонтально, перпендикулярно оси аппарата, что позволяет получать кристаллы корунда дискообразной формы с гораздо большими размерами, чем корунды, изготовленные по известному методу.На описываемом аппарате можно получить кристалл дискообразной формы диаметром от 80 до 100 лл, толщиной 18 - 22 лп 1 и весом от 100 до 250 г (вес известных корундов 50 - 55 г).Получаемое увеличение в весе и размерах синтетических корундоь позволяет научно-исследовательским и оптическим институтам производить проектирование и разработку новых видов различных изделий и оборудования для часовой, ювелирной и оптической промышленности.На фиг. 1 изображена схема аппарата для выращивания кристаллов корунда; на фиг. 2 - схема кристаллизации.Аппарат для динамического вырашивания кристаллов корунда дискообразной формы состоит из керамической вертикальной печи 1, помещенной в разъемный чугунный корпус 2, В передней стенке имеется окно 3 для наблюдения за ходом процесса кристаллизации. От центра верхней стенки, в осевом направлении, проходит конусообразный канал 4 с дискообразным расширением 5, куда в струе водородно-кислородного пламени подается в расплавленном состоянии пудра (шихта). Пудра эта попадает на вращающийся стержень-затравку 6, закрепленньш в керамических держателях 7. Вращение стержня вокруг своей горизонМ 136724тальной оси осуществляется от цепной передачи со скоростью 0,1. об/люие., Вверху аппарата, над центральной частью керамической печи, рас. положен цилиндрический бункер 8, герметически закрепленный внутри латунного корпуса 9. Нижняя часть бункера 10 имеет конусообразную форму с винтовой наружной нарезкой. Диаметр бункера 100, а, высота 180 и,и. Предназначен он для помещения пудры, которая под действием ударного механизма 11, создающего колебательные движения бункера, пройдя через сетку, поступает одновременно с кислородом в форсунку 12.Для обеспечения одного и того же постоянного уровня для верхнего края растущего кристалла в процессе его кристаллизации установлен полуавтоматический механизм, регулирующий требуемое положение. Состоит он из рычажно-червячного приспособления И, рабочий вал которого вращается от главного привода (на чертеже не показано),На верхнем коротком плече рычажной системы укреплен механизм 14, вращающий стержень-затравку при помощи цепной передачи 15.В описываемом аппарате предусмотрены механизмы (не указаны на чертеже), регулирующие подачу реагентов 16 для выращивания кристаллов 17 корунда,Предмет из обретенияЛппарат для выращивания кристаллов корунда, состоящий из керамической печи, бункера для пудры, форсунка для водородно-кислородного пламени и механизма для вращения и опускания держателей с закрепленным в них стержнем-затравкой, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью ооеспечения возможности выращивания кристаллов дискообразной формы, держатели с закрепленным в них стержнем-затравкой в печи располагают горизонтально, перпендикулярно оси аппарата.
СмотретьЗаявка
662631, 11.04.1960
Глебский Л. Б, Красильников Ф. А, Хохлов М. И
МПК / Метки
МПК: C01F 7/38
Метки: аппарат, выращивания, корунда, кристаллов
Опубликовано: 01.01.1961
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-136724-apparat-dlya-vyrashhivaniya-kristallov-korunda.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Аппарат для выращивания кристаллов корунда</a>
Способ обработки шихты из алюмоаммонийных квасцов для выращивания кристаллов корунда
Номер патента: 1604872
Опубликовано: 07.11.1990
Авторы: Епифанов, Суздаль, Цуранов, Шевченко
МПК: C30B 29/20
Метки: алюмоаммонийных, выращивания, квасцов, корунда, кристаллов, шихты
...степени ее загрязнения, вкачестве неконденсированной среды используют водяной пар, нагретый до 95 - 120 С,давление поднимают до 150 - 200 кПа, а и роцесс проводят в течение 5-10 мин. аемыйть сте- тепени ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 1189831, кл, С 04 В 7/00, 1984,Авторское свидетельство СССРМ 1024563, кл. Е 02 Р 5/30, 1981,(54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ШИХТЫ ИЗАЛЮМОАММОНИЙНЫХ КВАСЦОВ ДЛЯВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА Изобретение относится к области выращивания кристаллов, в частности к способам обработки алюмоаммонийных квасцов при приготовлении шихты для выращивания монокристаллов корунда.Целью изобретения является повышение степени измельчения шихты при снижении степени ее...
Способ определения блочности кристалла корунда
Номер патента: 529411
Опубликовано: 25.09.1976
Авторы: Гринченко, Коневский, Литвинов, Тиман
МПК: G01N 27/78
Метки: блочности, корунда, кристалла
...Если полученное соотношениенаходится в пределах 9:8:5 - 9;(6,4):3, то кристаллмалоблочный, если оно меньше 9: (6,4):3 - кристалл блочный. Граница такого разделения являетсяусловной, но с ее помощью можно легко выявить З 1значительные отклонении в ту или другую сторону.Если наблюдается расщепление сателлитных линий, то измеряют расстояние между отдельнымипиками, которое однозначно определяет уголразориентации отдельных блоков. ИУгловой интервал ориентации кристалла выбранисходя из того, что данные ориентации осуществимы для монокристаллов корунда с обычно встречающимся расположением оптической оси подо60 - 90 по отношению к геометрической оси крис- ЗОталла.При углах менее 62 начинается наложение рядаолиний спектра, так что получить...
Способ автоматического управления процессом наращивания кристаллов в вакуум-аппарате
Номер патента: 1201307
Опубликовано: 30.12.1985
МПК: C13G 1/06
Метки: вакуум-аппарате, кристаллов, наращивания, процессом
...способ автоматического управления процессом наращива.ния кристаллов в .вакуум-аппаратепредусматривает регулирование нересыщения межкристапьного раствора путем его измерения, сравнения с заданным значением и воздействия на подкачку сиропа или патоки, отбор пробы из аппарата в циркуляционный контур, ее охлаждение на постоянную величину и определение появления кристаллической.муки на выходе контура.При этом заданное значение пересыщения межкристального раствора устанавливают в зависимости от пересыценияраствора и содержания кристаллической муки в пробе.На чертеже показана система управления, реализукицая данный способ.Система состоит иэ вакуум-аппара"та 1, датчика 2, измеряющего пересыщение регулятора 3,...
Аппарат для очистки веществ методом кристаллизации плавления
Номер патента: 1692608
Опубликовано: 23.11.1991
Автор: Бей
МПК: B01D 9/02
Метки: аппарат, веществ, кристаллизации, методом, плавления
...1,Аппарат имеет корпус 1, крышку 2 иднище 3. Вчутри корпуса 1 в верхней трубной решетке 4 и нижней трубной решетке 5закреплены вертикальные трубки 6. Патрубок 7 служит для ввода очищаемого вещества, а клапан 8 для вывода продуктов. Кромегого нэ днище 3 установлены клапаны 9 и 10для ввода и вывода принудительного циркулируембго насосом 11 исходНого расплава черезерез патрубок 7 в аппарат и заполняет вергикальные трубки 6 и полость между дни.цем 3 аппарата и нижней трубной решеткой 5, Через патрубок 15 в аппарат подают охлаждающую воду с температурой ниже температуры кристаллизации компонентов смеси, Вода заполняет межтрубное пространство и выходит из аппарата через патрубок 16. При этом происходит охлаждение смеси и кристаллизация...
Аппарат для получения корундов
Номер патента: 74446
Опубликовано: 01.01.1949
Автор: Гумилевский
МПК: C01F 7/38
...2 через штуцер 5 и через наклонные сверления б направляется вдоль стенок конуса 2, Такой способ, подачи кислорода предотвращает задержку шихты на стенках конуса, так как кислород непрерывно обдувает внутреннюю его поверхность.Шихта подается из дозатора 1 под действием электромолоточка 7, постукивающего по дозатору. Из конуса 2 шихта в виде взвеси в потоке кислорода попадает через трубу 8 в камеру горелки 9. В ту же камеру через штуцер 10 и сетку 11 подается водород.Для получения равномерного и легко регулируемого факела горения корпус горелки 9 снабжен соплом 12 с приваренной . к нему перфорированной шайбой И,Сопло 12 можно передвигать относительно выводной трубы 8 и тем самым регулировать характер смешения потока водорода с...
Предыдущий патент: Способ получения аммония пирофосфорнокислого
Следующий патент: Способ очистки раствора перманганата бария от хлоридов
Случайный патент: Способ изготовления цилиндрического решетчатого электрода для электронных ламп и устройство для его осуществления