Способ изготовления детекторных кристаллов для сверхвысоких частот
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
. Фистул 1 Х КРИСТАЛЛОВ ДЛЯТОТ СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТЕКТОР СВЕРХВЫСОКИХ Чделам изобретений и открытийСР аявлено 14 января 1957 г. за564639 в Комитет п гри Совете Министров СВ известных способах изготовления кремневых детекторных кристаллов на графитовую подложку высаживают смесь кремния и бора из газовой фазы с последующим высаживанием пленки чистого кремния также из газовой фазы, При подобных способах трудно регулировать толщину высаживаемых слоев и равномерно распределить примесь бора в слое наносимого на графитовую подложку кремния.Известные электромагнитные сепараторы типа СП-А позволяют получать тонкие пленки кремний-бор-кремний регулируемой толщины, но не обеспечивают равномерного распределения бора в наносимой пленке.Предлагаемое изобретение устраняет указанные недостатки тем, что кремний и бор высаживают на графитовую подложку из плазмы дугового разряда ионного источника установки для разделения изотопов.Схема устройства для осуществления описываемого способа показана на чертеже,В ионный источник 1 вводится вещество, содержащее кремний. Пары этого вещества ионизируются в дуговом разряде источника и ионы втягиваются в камеру, помещенную в магнитное поле. Напряженность магнитного поля и потенциал ускорения ионов подбираются так, чтобы ионы кремния высаживались на графитовую подложку, используему 1 а в качестве коллектора ионов. Аналогично ионы бора или другого легирующего элемента направляются на коллектор 2 из второго ионного источника 3, Ионы посторонних примесей попадают на коллектор 4, не достигая подложки, что позволяет снизить требования, предъявляемые к чистоте испсльзуемых для нанесения на нее веществ.Для получения кристаллической структуры графитовую подложку вместе с нанесенными на нее слоями кремния и бора нагревают до 1 емпературы кристаллизации либо во время нанесения слоев, либо113403 после окончания "процесса нанесения, Способ позволяет наносить слои толщиной до,1 б 6 см и распределять требуемым образом легирующую присадку в слое кремния. Предмет изобретения способ изготовления детекторных кристаллов для сверхвысоких частот путем высаживания смеси бора и кремния из газовой смеси на графитовую подложку, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью регулирования толщины высаживаемых слоев и равномерного распределения примеси бора в слоях наносимого кремния, на графитовую подложку высаживают кремний и бор из плазмы дугового разряда ионного источника установки для разделения изотопов с последующей кристаллизацией высаженных элементов нагреванием подложки до необходимой температуры. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРРедактор Л. П. Ситников Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 и, л. Зак. 3275 Подл, к печ. 13.1 ХгТираж 1600 Цена 25 коп. Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14
СмотретьЗаявка
564639, 14.01.1957
Пинес Г. Э, Фистуль В. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/363
Метки: детекторных, кристаллов, сверхвысоких, частот
Опубликовано: 01.01.1958
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-113403-sposob-izgotovleniya-detektornykh-kristallov-dlya-sverkhvysokikh-chastot.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления детекторных кристаллов для сверхвысоких частот</a>
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку
Номер патента: 1484193
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Красницкий, Крищенко, Лесникова, Турцевич, Шкуть
МПК: H01L 21/205
Метки: кремния, осаждения, пленок, подложку, поликристаллического, полупроводниковую
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции...
Источник диффузии для одновременного легирования кремния бором и золотом
Номер патента: 683397
Опубликовано: 30.10.1993
Авторы: Глущенко, Косенко, Лапунин, Плохих
МПК: H01L 21/22
Метки: бором, диффузии, золотом, источник, кремния, легирования, одновременного
...кварцевые подложки 1 и 2 наносят борный ангидрид. После отжига в аргоне при 940 С в течение 2 ч происходит стекло образование, в результате чего на подложках образуются слои 3 боросиликатного стекла. На боросиликатные слои 3 наносят слои 4 золота при давлении 5 10 мм рт.ст, 5 в течение 20-25 с.Расстояние от испарителя до подложки70 мм, навеска золота весит 40 мг, Толщинанапыленных слоев золота составляет 0,05- 0,1 мм, После напыления золота подложку 10 отжигают в течение 20 мин при 940 С. Легирование ведут в открытой кварцевой трубе 5 в потоке аргона.Температура диффузии 940 + 1 С, время легирования 20 - 40 мин, Расход аргона 40 - 50 л/ч при диаметре трубы 58 мм, Пластины 6 кремния со вскрытыми окнами под базовое легирование...
Способ легирования кремния бором
Номер патента: 1391168
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина
МПК: C30B 29/06, C30B 31/22
Метки: бором, кремния, легирования
1. Способ легирования кремния бором, включающий облучение кремниевой подложки пучком ионов бора и последующий отжиг одиночными импульсами лазерного излучения в режиме модулированной добротности на длинах волн в полосе собственного поглощения кремния с образованием линий скольжения в слое, отличающийся тем, что, с целью увеличения проводимости слоя, подвижности дырок в нем и коэффициента использования примеси, облучение ведут дозой 6,25 1015 D < 6,25 1016 см-2...
Способ изготовления абразивных изделий, режущих инструментов и деталей машин из карбида бора или карбида кремния или их смеси
Номер патента: 63648
Опубликовано: 01.01.1944
Автор: Тихонов
МПК: B24D 3/06
Метки: абразивных, бора, инструментов, карбида, кремния, машин, режущих, смеси
...Отв. редактор Д. А. Михайлов Техн. редактор М. С. Бондарев Л 101629. Подписано к печати 14/ЪП 1945 г Тираж 500 экз. Цена 65 к Зак 73 Типографии Госпланиздата, им, Боровского, Калуга мой твердости изделия в массу добавляют углеродистый наполнитель, в качестве которого могут быть использованы коксы (литейный, нефтяной), графит, малозольный антрацит, сажа и т, п. с добавкой металлицеского кремния, При внесении значительного количества углерода в кацестве наполнителя связку можно брать и не углеродистой и пользоваться обычными связками (патока, декстрин, глицерин, гель кремпсзсма и др.), Соотношение указанных выше компснентов определяется назначением изделия. Например, для получения изделий с твердостью вт можно применить следу 1 ощий...
Графитовый тигель для получения монокристаллов карбида кремния
Номер патента: 136564
Опубликовано: 01.01.1961
МПК: C23C 16/30
Метки: графитовый, карбида, кремния, монокристаллов, тигель
...5 за 196 г.Осуществление способа получения монокристаллов карбидов кремния кристаллизацией из расплава кремния затрудняется отсутствием подходящего матернала тигля для расплавления кремния, Кварцевые тигли при перегреве, необходимом для выращивания монокристаллоз карбида кремния, размягчаются, что вызывает выбросы кремния; тигли даже из графита высокой плотности пропускают кремний,Описываемый способ подготовки графитового тигля позволяет использовать последний для выращивания монокристаллов карбида кремния. Сущность способа заключается в том, что графитовый ти;ель подвергают нагреву до 1000 - 1200 в атмосфере предельных углеводородов, например в атмосфере гептана, в результате чего поверхность тигля и внутри и снаружи покрывается...
Предыдущий патент: Автомат для нанесения краски в кольцевой паз на внешнем торце ручек управления для аппаратов и приборов
Следующий патент: Смеситель, например, для легких бетонов и бесцементных составов
Случайный патент: Генератор случайного процесса