Патенты с меткой «эвтектики»

Номер патента: 85025

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Бухтин

МПК: B04B 11/06

Метки: аппарат, жидкой, массы, отделения, эвтектики

...ударится о неподвижную желобообразную поверхность 4, по инерции обогнет ее кривизну и начнет. гадать (стекать) по,поверхности неподвижного конуса 12 в сборник 5. Лз сборника б жидкость (эвтектика) сифонными трубками б и 7 отка;ивается в резервуар 8. Количество сифонных трубок и их диаметр зависит от величины и производительности аппарата. Ползучий слой массы, достигнув верха .вращающегося конуса, упирается в желобообразную поверхность 4 неподвижного конуса 12. Между подвижным конусом 3 и желобообразной поверхностью 4 находится регулируемая щель 9, через которую отжатая сухая масса выдавливается наружу и падает кусками на лоточек 10 и по нему в сборный бункер для массы 11. Толщина ползущего конуса из массы регулируется зазором между...

Номер патента: 127409

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Белецкий, Ковшинов, Рапопорт

МПК: C22B 9/02

Метки: действия, кристаллов, непрерывного, отделения, паллет-фильтр, силуминовой, эвтектики

...электрическим обогревом. В зоне температур приблизительно 575 лента с чушками проходит под вакуумными секциями и находящаяся в жидком состоянии силуминовая эвтектика просасывается в сборник, расположенный под лентой.Для дополнительного извлечения силумина из фпльтруемого материала можно механически воздействовать на него во время прохождения над очередной вакуумной камерой, например, закрепленными неподвижно над лентой штырями, разрыхляющими фильтруемый материал при движении ленты; вращающимися гребками; опускающимися периодически штырями; гладкими или рифлеными валками и т. п.Для очистки фильтров от остатков застывшей эвтектики и мелких кристаллов, например, при обратном движении ленты (когда палетты опрокинуты), палетты проходят через...

Номер патента: 616598

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Гольдберг, Царенков

МПК: G01R 31/26

Метки: металла, плавления, полупроводника, температуры, эвтектики

...температуру, при которойвольт-амперная характеристика имеетформу прямой линии,На фиг, 1 изображена кривая, характеризующая ток-напряжение при низкойтемпературе; на фиг.2 - то же, в момент образования омического контакта,т.е. при температуре, соответствующейтемпературе плавления эвтектики.Предлагаемый способ измерения осуществляется следующим образом.На чистую поверхность исследуемогополупроводника , с предварительно иэготовленньи к нему смическим контактом, наносят металл. Структуру616598 тонкими слоями металлов, так как назависимость тока от напряжения структуры металл-полупроводник не влияеттолщина слоя металла,Формула изобретения Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе: 1. Захаров А.М. Диаграммы состояния...