Способ определения поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 119253
Авторы: Рубинштейн, Фистуль
Текст
СССР ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. И, фистуль и Р. инштеи МОСТИ РЕДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ ПРО ОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛО СПОСОБ оретений 4 в Комитет поЯннисров СС бретений8 Заявлено 4 ию.чя 1958 г. за6034142 и открытий при Советеелам 953 г. публиковано в Бюллетене на естным значениям тока 1, градиента потенсечения 5 образца в месте замера градиента потенциала по соответствующим формулам определяется величина поверхностной и объемной проводимостей. Предлагается спс,"об определения поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов, обладающих объемной проводимостью, основанный на использовании зависимости полного сопротивления проводника электрического тока от его геометрической формы.Известные способы подобного рода не позволяют осуществлять непосредственное измерение поверхностной проводимости полупроводников. При этих способах величина ее косвенно определяется по результатам измерений эффективного сопротивления кристалла, по спаду тока фото- проводимости, либо по измерению контактных потенциалов.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что в процессе измерений непосредственно определяют градиент потенциала вдоль образца, выполненного в виде клина с углом наклона не больше 7, к которому ток подводится через контакты, имеющие постоянное переходное сопротивление.На чертеке изобракена принципиальная схема определения поверхностной проводимости полупроводников по предлагаемому способу,Образец, с помощью которого производятся измерения, выполняется в виде клина 1 с углом наклона не более 7. К этому образцу через контакты с постоянным переходным сопротивлением подводится электрический ток 1 и с помощью эЛектродов 2 измеряется градиент потенциала вдоль образца.В дальнейшем по изв(рпиалаи поперечногоМд 119253 Предмет изобретения Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редалтор Л. А. Блатова Гр. 95, 97Информационно.издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак. 4493 Поди. к печ. 27 У 1-59 г.Тираж 950 Цена 25 коп,Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14, Способ определения поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов, обладающих объемной проводимостью, основанный на использовании зависимости полного сопротивления проводника электрического тока от его геометрической формы, отличающийся тем, что измеряют градиент потенциала вдоль образца, выполненного в виде клина с углом наклона не больше 7", к которому ток подводится через контакты, имеющие постоянное переходное сопротивление.
СмотретьЗаявка
603414, 04.07.1958
Рубинштейн Р. Н, Фистуль В. И
МПК / Метки
МПК: G01R 27/08
Метки: кристаллов, поверхностной, полупроводниковых, проводимости
Опубликовано: 01.01.1959
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-119253-sposob-opredeleniya-poverkhnostnojj-provodimosti-poluprovodnikovykh-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов</a>
Способ определения поверхностного электростатического потенциала полупроводника
Номер патента: 782510
Опубликовано: 23.09.1982
Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Михаляк
МПК: H01L 21/66
Метки: поверхностного, полупроводника, потенциала, электростатического
...термоэдс от постоянного напряжения на емкостном контакте с ес теоретической зависимостью от поверхностного электростатического потенциала полупроводника при фиксированной энергии электромагнитного излучения.Данный способ осуществляют следующим образом.К полупроводниковому образцу с одним металлическим и другим емкостным контактами прикладывают постоянное смещающее напряжение такой малой величины, чтобы существенно не нарушалось термодинамическое равновесие между свободными носителями тока и решеткой полупроводника. Измеряют суммарную емкость образца С, состоящую из емкости области поверхностного пространственного заряда С,-, и емкости диэлектрика Со, под емкостным контактом в зависимости от величины постоянного смещающего напряжения...
Устройство для измерения распределения поверхностного электрического потенциала на полупроводниковом слое
Номер патента: 1046714
Опубликовано: 07.10.1983
МПК: G01R 29/12
Метки: поверхностного, полупроводниковом, потенциала, распределения, слое, электрического
...7 неподвижных сигнальныхэлектродов, анализатор 8 скоростиизменения потенциала, блок 9 логического совпадения и генератор 10тактовых импульсов.юУстройство работает следующимобразом. На проводящей подложке 2 располагается предварительно заряженный исследуемый образец (полупроводниковый слой). В результате взаимодействия заряда исследуемого образца с одним из сигнальных электродов матрицы 7 неподвижных сигнальных электродов напряжение на выхо, де интегратора 3 заряда становится пропорциональным количеству заряда, прошедшему по входной цепи меж ду проводящей подложкой 2. и,сигнальным электродом матрицы 7, неподвижных сигнальных электродов. Матрица 7 неподвижных сигнальных электродов представляет собой плоскость, сос тоящую из и отдельных...
Устройство для измерения зависимости емкости конденсатора со структурой металл-диэлектрик-полупроводник от велечины поверхностного электростатического потенциала
Номер патента: 693276
Опубликовано: 25.10.1979
Автор: Рагаускас
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: велечины, емкости, зависимости, конденсатора, металл-диэлектрик-полупроводник, поверхностного, потенциала, структурой, электростатического
...идеализированные теоретические зависимости.Второе из известных устройств содержитгенератор линейно изменяющегося напряжения, аналоговое дифференцирующее устройством, образованное операционным усилителем и исследуемой МДП-структурой, ко торая включена между выходом генератора и инвертирующим входом операционного уси лителя, и осциллограф 2. Это устройство также не обеспечивает измерения зависи мости емкости МДП-структуры от величиныповерхностного электростатического потенциала.. Брызгаовая Составитель ЮТехред О. ЛугТираж 1073Государственного клам изобретений иква, Ж - 35, РаушсПатент, г. Ужгоро Редактор И, Нестеро Заказ 6066/1 6р Н. Стене митета С открытий кая наб.,ул. Про ЦНИИПИпо д 113035, Мо лиал ППП д. 4(5 ктная, 4 времени,...
Способ измерения поверхностной проводимости электрофотографических слоев
Номер патента: 959025
Опубликовано: 15.09.1982
Авторы: Ганчо, Монтримас, Моцкус, Федорова
МПК: G03G 5/07
Метки: поверхностной, проводимости, слоев, электрофотографических
...по параметрам испольЬ 5 зуемой миры с учетом увеличения оп-. 4 эо К (ьао)Й(Х,)= Я Яе совыох, (Ь) 15 где амплитудно-частотная характеристика "заряд-поле".- ехр (-2 ыо г 1 )о) Е Е +1(Е -)ехрыоФЯ где Е Е. - диэлектрическая проницаемость ЭФС;6 - толщина ЭФС,Оптическая плотность проявленного 25 изобрйжения пропорциональна амплитуде зарядного рельефа5 щоьоо)2 вЯе (5) Используя эту зависимость и выражения (2 - 4), для величины поверхностной проводимости можно получить следующую формулу )и (О/02)(100 лян/мм) Воэдействяе иа ЭФС ся;яям проявятелем, эарядка положительная 0,7 И 105(11, 4 лин/мм) Воздействие на ЭФСсиним проявителем, зарядка отрицательная Э. То же тической системы. Для вычисления амплитудно-частотной характеристики "заряд-поле",...
Способ измерения поверхностной проводимости фоточувствительных слоев электрофотографических носителей записи
Номер патента: 1161912
Опубликовано: 15.06.1985
Авторы: Барба, Дуць, Кучер, Фитьо
МПК: G01N 27/02, G03G 13/00
Метки: записи, носителей, поверхностной, проводимости, слоев, фоточувствительных, электрофотографических
...го элев момен г о элемомент ОСУДАРСТВЕККЫЙ КОМИТЕТ СССР 10 ДЕЛАМ ИЭОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЦТИ(54) (57) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ ПРОВОДИМОСТИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХСЛОЕВ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАПИСИ, включающий сенсибилизацию слоя нанесением на его поверхность электрического заряда, экспонирование штриховой миры для создания скрытого электростатическогоиэображения. на нем с пространственнопериодическим распределением потенциала и расчет величины поверхностной проводимости по оценке спадапотенциала после экспонирования,отличающийся тем, что,с целью повышения точности измеренийи расширения диапазона измерений,проводят непосредственное измерениепотенциала на пробельных и штриховыхэлементах скрытого изображения в момент конца...
Предыдущий патент: Генератор ступенчатых напряжений
Следующий патент: Мост переменного тока
Случайный патент: Способ модифицирования молибдена и его сплавов