Патенты с меткой «детекторных»

Номер патента: 48809

Опубликовано: 31.08.1936

Автор: Алямовский

МПК: G01R 15/06, G01R 19/22

Метки: вольтметров, детекторных, компенсации, частотной

...полной компенсации в широком диапазоне частот с ее помощью достигнуто быть не может, так как добавочная емкость С. от частоты не зависит, в то время как емкость детекторов является функцией частоты. Предлагаемый способ компенсацииимеет целью устранить этот недостаток.Сущность его заключается в том, чтов качестве добавочной емкости использована емкость четырех меднозакисныхвыпрямителей 1, 2, 3 и 4, включенныхв виде моста и соединенных последовательно с основным детекторным мостом,в диагональ которого включен измерительный прибор,Фиг. 2 и 3 прилагаемого чертежа изображают схему включения и эквивалентную схему вольтметра по предлагаемому способу.Если через С, и Ргобозначить емкость (в которую включен индикатор)и сопротивление вольтметра, а...

Номер патента: 64056

Опубликовано: 01.01.1944

Авторы: Аристов, Паршин

МПК: G01R 17/10, G01R 19/32

Метки: детекторных, компенсации, приборов, температурной

...увеличением температуры изменялось меньше, чем в другом плече, содержащем сопротивление другого купрокса, работающего в пропускающем направлении. В этом случае, несмотря на абсолютное уменьшение сопротивлений В( Р и В(к)з. с уве. личением температуры, можно было бы на концах диагонали моста получить неизменную от температуры разность потенциалов.Предлагаемый способ заключается в шунтировании купроксов Х, и Кдвумя такими сопротивлениямии В, которые были бы относительно велики по сравненгпо с сопротив.лением купроксов в пропускающем направлении и малы по сравнению с сопротивлением их в запорном направлении. Эти компенсирующие сопротивления В должны быть изготовлены из материала с нулевым или небольшим температурным коэфициентом.Схема...

Номер патента: 113403

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Пинес, Фистуль

МПК: H01L 21/363

Метки: детекторных, кристаллов, сверхвысоких, частот

...кремний. Пары этого вещества ионизируются в дуговом разряде источника и ионы втягиваются в камеру, помещенную в магнитное поле. Напряженность магнитного поля и потенциал ускорения ионов подбираются так, чтобы ионы кремния высаживались на графитовую подложку, используему 1 а в качестве коллектора ионов. Аналогично ионы бора или другого легирующего элемента направляются на коллектор 2 из второго ионного источника 3, Ионы посторонних примесей попадают на коллектор 4, не достигая подложки, что позволяет снизить требования, предъявляемые к чистоте испсльзуемых для нанесения на нее веществ.Для получения кристаллической структуры графитовую подложку вместе с нанесенными на нее слоями кремния и бора нагревают до 1 емпературы...

Номер патента: 1066034

Опубликовано: 07.01.1984

Автор: Геро

МПК: H03K 5/22

Метки: амплитуды, детекторных, импульсов, кристаллоспектрометрах, нормирования, рентгенофлуоресцентных

...с программируемой амплитудой и шириной импульс ного канала и измерителя частоты следования импульсов, и тем, что выход измерителя частоты следования импульсов по цифровому или аналоговому каналу соединен с решающим каскадом, первый выход которого соеди-нен с управляющим входом линейного усилителя, а с второго выхода решающего каскада при максимальном выходном напряжении измерителя частоты следования импульсов может быть 30 снят управляющий сигнал для спектрометрической обработки детекторных импульсов.В качестве решающего каскада целесообразно применять микропроцессор 35 Кроме того, в качестве решающего каскада иногда можно использовать и. детектор пиковых значений. Подключенный за усилителем ка нальный анализатор содержит вобщем...