Патенты с меткой «арсенида»

Номер патента: 1559980

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Башевская, Колмакова, Пащенко, Сарнацкий, Тюнькова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности

Способ очистки поверхности арсенида галлия, включающий химико-механическую полировку поверхности арсенида галлия, окисление поверхности путем химической обработки в концентрированном растворе перекиси водорода при одновременном воздействии ультразвука, удаление окисла с поверхности, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества очистки за счет снижения уровня углеродных загрязнений, окисление поверхности проводят не более чем через 10 мин после химико-механической полировки в растворе, дополнительно содержащем соль щелочного металла, при следующем соотношении ингредиентов, мас.Соль щелочного металла 2 7,4Перекись водорода (30%-ная) Остальноев течение 7 15 мин.

Номер патента: 1582921

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Колмакова, Пащенко, Сарманов

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, консервации, межоперационной, пластин

Способ межоперационной консервации пластин арсенида галлия, включающий очистку поверхности пластин от углеродосодержащих загрязнений, обработку в концентрированной перекиси водорода, отмывку в деионизованной воде, сушку в потоке инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени консервации уровня углеродосодержащих загрязнений, обработку в концентрированной перекиси водорода проводят в течение не менее 5 мин, а после сушки в потоке инертного газа половину пластин дополнительно обрабатывают в концентрированном растворе водного аммиака в течение не менее 3 мин, сушат в потоке инертного газа и не более чем через 12 мин приводят в контакт попарно рабочие поверхности пластин, обработанных только в концентрированной перекиси...

Номер патента: 1593513

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Башевская, Колмакова, Пащенко, Тюнькова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, пластин, предэпитаксиальной

Способ предэпитаксиальной очистки пластин арсенида галлия, включающий обработку в травителе, содержащем перекись водорода и воду, промывку в деионизованной воде, промывку в концентрированном водном аммиаке, повторную промывку в деионизованной воде и сушку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности пластин за счет снижения уровня загрязнения углеродом, обработку проводят в травителе, дополнительно содержащем хлористый натрий и водный аммиак, при следующем количественном соотношении ингредиентов, мас.ч.Водный аммиак (25%) 1Перекись водорода (30%) 1,5 2,18Вода 1,09 5,45Соль щелочного металла 0,0218 0,0981при этом обработку проводят в течение 15 20 мин.

Номер патента: 1127479

Опубликовано: 20.02.1997

Автор: Лапин

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, равномерных, слоев, эпитаксиальных

Способ получения равномерных эпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий нанесение эпитаксиального слоя арсенида галлия на полуизолирующую подложку, анодное окисление эпитаксиального слоя вплоть до прекращения процесса окисления с последующим стравливанием анодного окисла, отличающийся тем, что, с целью получения равномерных эпитаксиальных слоев большей толщины, перед анодным окислением путем фотолитографии на поверхности эпитаксиального слоя вскрывают окна, через которые проводят локальное анодное окисление эпитаксиального слоя на глубину h W, где h конечная толщина эпитаксиального слоя, W глубина распространения области объемного заряда, возникающей на границе окисел полупроводник с последующим стравливанием анодного окисла.

Номер патента: 1591751

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Белобровая, Биленко, Медведев, Мокеров, Пылаев, Слепнев, Ципоруха

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых рабочих слоев, осаждение буферного слоя прекращают после достижения интенсивностью регистрируемого отраженного излучения постоянного уровня в момент времени t3,...

Номер патента: 1369593

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Вяткин, Итальянцев, Копецкий, Мордкович, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей рабочую поверхность арсенида галлия подвергают высокотемпературному полирующему газовому травлению при 650-950oC на глубину 0,5-25 мкм со скоростью 0,02-30 мкм/мин.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании легированных областей в пленке арсенида галлия толщину пленки при...

Номер патента: 1088586

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Девятова, Журков, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, травитель

Травитель для арсенида индия, включающий бром и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса травления и снижения токсичности, в качестве органического растворителя травитель содержит ацетонитрил при следующем количественном соотношении компонентов, об.%:Бром - 0,1-2,5Ацетонитрил - 97,5-99,9

Номер патента: 865057

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гудзь, Коновалов, Лисовенко, Марончук, Ходыко

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, пластин

Способ обработки пластин арсенида галлия, включающий их отжиг в градиенте температуры при постоянной средней температуре в течение 1 - 4 часов, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пластин - подложек для эпитаксии и структур на их основе, устанавливают величину градиента температуры 473 - 1073 К/см при средней температуре 873 - 1073 К

Номер патента: 1009242

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зайцева, Лисовенко, Марончук, Соловьев, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-структур, арсенида, галлия

Способ получения р-n-структур арсенида галлия эпитаксиальным наращиванием из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного мышьяком раствора-расплава, содержащего в качестве металла-растворителя галлий с добавкой индия, легирующую примесь-кремний, приведение в контакт раствора-расплава с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, дополнительно водят в раствор-расплав висмут в количестве 3,310 ат.% при содержании индия 6-18,2 ат.%.

Номер патента: 1819053

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Мамонтов, Чернов

МПК: H01L 21/263

Метки: n-n-ni-слоях, арсенида, галлия, интегральных, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на n-n--ni-слоях арсенида галлия, включающий создание омических контактов и/или контактов с барьером Шоттки, формирование активных областей структуры, покрытие защитной маской активных областей, удаление незащищенных участков n-слоя травлением, ионное легирование на глубину n--слоя ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров и повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и интегральных схем путем повышения термической стабильности межэлементной изоляции, в качестве активных заряженных частиц используют дейтроны, при этом...

Номер патента: 1424630

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Итальянцев, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий высокотемпературное полирующее газовое травление рабочей поверхности арсенида галлия ориентации <100> при 650 - 950oC со скоростью 0,02 - 30 мкм/мин на глубину 0,5 - 25 мкм в газовой смеси Ga-AsCl3-H2, ионную имплантацию атомов элемента IV группы периодической системы элементов, последующий отжиг в атмосфере водорода и паров мышьяка при температуре не менее 800oC в течение времени не менее 10 мин, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборных структур за счет улучшения электрофизических и структурных свойств ионолегированных...

Номер патента: 1814442

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Галицын, Ковчавцев, Мансуров, Пошевнев

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, поверхности

Способ обработки поверхности арсенида индия, включающий обезжиривание, травление в растворе, промывку, сушку и термообработку в условиях сверхвысокого вакуума, отличающийся тем, что, с целью повышения степени совершенства структуры поверхности за счет снижения температуры термообработки, травление осуществляют в насыщенном растворе паров соляной кислоты в изопропиловом спирте в течение 5 - 10 мин, а термообработку проводят при равномерном подъеме температуры до 200 - 230oC за время 1,5 - 2 ч и последующей выдержке при этой температуре в течение 20 - 30 мин.

Номер патента: 531430

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Сидоров

МПК: H01L 21/20

Метки: арсенида, газотранспортной, галлия, источник, эпитаксии

1. Источник галлия для газотранспортной эпитаксии арсенида галлия, представляющий собой кварцевую лодочку закрытого типа, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы и уменьшения времени насыщения источника, в отверстие источника опущен капилляр, имеющий на другом конце развитую поверхность контакта с газовой фазой.2. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован близкорасположенными пластинами из материала, смачиваемого галлием, например вольфрама, имеющего отверстия в верхнем конце пластины.3. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован спиралью, намотанной на пластину.

Номер патента: 511755

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильева, Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/205

Метки: n+-слоев, арсенида, галлия, кристаллах, пленках

Способ получения n+-слоев на кристаллах и пленках арсенида галлия в кварцевом реакторе при выращивании из газовой фазы или при отжиге пластин, отличающийся тем, что, с целью получения поверхностных слоев с концентрацией носителей до 1019 см-3, в газовую фазу вводят треххлористый алюминий в концентрации, большей, чем содержание кислорода и кислородсодержащих соединений, например при содержании в газовой фазе паров воды ~ 2 10-5 атм, концентрация вводимого треххлористого алюминия составляет 3,5 10-4 атм.

Номер патента: 1127466

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Болховитянов

МПК: H01L 21/208

Метки: алюминия, арсенида, галлия, наращивания, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия-алюминия на подложках бинарного соединения типа AIII - BV из жидкой фазы алюминий-галлий-мышьяк, содержащей 3 - 7 ат.% сурьмы, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллического совершенства слоев арсенида галлия-алюминия на подложках фосфида галлия, поверхность подложек предварительно приводят в контакт на 5 - 10 мин с насыщенной жидкой фазой индий-сурьма при температуре 723 - 798 К.

Номер патента: 1840172

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Белотелов, Емельянов, Солдак

МПК: H01L 21/316

Метки: арсенида, диэлектрических, индия, мдп, основе, пленок, растворов, структур, твердых

Способ получения диэлектрических пленок для МДП структур на основе арсенида индия и его твердых растворов, включающий погружение полупроводниковой пластины в первый электролит, содержащий органический растворитель, электропроводящий компонент и галогеносодержащую добавку и подачу на пластину электрического напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения обнаружительной способности МДП структур путем снижения величины встроенного заряда и плотности ловушек в диэлектрических пленках, в качестве галогеносодержащей добавки используют аммоний фтористый в количестве 1,6-1,8 вес.%, после анодирования в первом электролите, полупроводниковую пластину погружают во второй электролит,...