Дорская

Номер патента: 744383

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Дорская, Лымарь, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, полупроводниках

...1, сопртивление 2 тонкого слоя, диод 3. Напряжение высокочастотного сигнала на выходе схемы (фиг. 1) пропорцио(а,(ьно нсгнниой емкости диода 3 где ,( - напряжение высокочастотного сн 15 нала на выходе схемы;С -- емкость диода;о - круговая частота;Л( - последовательное сопротивлешгсто(ого с,(оя20 Й - нагрузошгое сопротнвленнс 1 всхеме;Ь, - напряжение высокочастотного сигнала на входе схемы.Однако что предположение приводит коол. шой но решностн прн определении кондцентрпни, так как имеется большое последовательное сотротивг(сине топко. о слояР(. которое необходимо учесть.Измсрс ше напряжения высоочастотного ",0 си гни,а на ЛВх асотак позволяет иолу( - 1 Формула пзоорстсппяЦОсоо ОРСДС.1 с 1 П 53 коЦ(.1 тРГпп ПИ(31 С,е 11 1 Ика Б;олч...

Номер патента: 439036

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Вейц, Дорская

МПК: H01L 7/50

Метки: арсенида, галлия, состав, травления

...снимаемых слоев полупроводниковых материалов,Посколыку при изготовлении полупроводниковых приборов и исследовании полупроводниковых материалов требуются очеяь тонкие пластины, от нескольких микрон до десятых долей микрона, которые, нельзя получить шлифовкой и хим иком еханической полировкой, возникла необходимость доводить пластины до требуемой толщины травлением. Применяемый правитель должен обеспечить зеркально-гладкую поверхность пластины и плоокопараллельность снимаемых слоев. Основными недостатками известных травителей являются; зависимость полирующих свойств от температуры; отсутствие ллоскопараллельности при травлении, завал тераев.Цель изобретения - получение заркальногладкой полированной поверхности, предотвращение...