Способ определения профиля распределения примесей в кремнии

Номер патента: 371617

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G21C 17/00, G21C 17/025

Метки: жидкометаллических, ловушках, примесей, примеси, распределением, холодных

...что сигнал ца выходе датчика остается постоянным, и об изменении распределения (концентрации) примеси судят по изменению толщины экрана,На чертеже приведена схема устройства, позволяющего реализовать предлагаемый способ. Устройство содержит блок 1 коллимированного источника, экран 2 переменной толщины, холодную ловушку 3 примесей металлического теплоносителя, датчик 4 с компенсационной 5 схемой измерения.Способ осуществляется следующим образом.Сначала производят последовательные измерения в фиксированных точках ловушки, через которую прокачивается чистый металличе ский теплоноситель, затем по мере накопленияпримеси или ее перераспределения в объеме ловушки проводят повторные замеры в тех же условиях (геометрических и тепловых). При...

Номер патента: 1756827

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Изидинов, Назаров, Разяпов

МПК: G01R 1/00

Метки: анализа, вторично, ионного, количественного, кремния, лазерного, масс-спектрометрического, образцов, основе, поверхности, примесей, создания, сравнения, структур

...и (2)величинами концентрации примеси в интервале 10-10 5 мас.0 в исходном расгворе.Предлагаемый способ характеризуютследующие свойства:простота операций, общедоступностьлабораторного оборудования и оснасткидля создания ОС;простота и точность регулирования впределах не менее 4 порядков содержайиястандартизируемого элемента-примеси;возможность высокой точности прогнозирования содержания примеси и направлейного его изменения на основе простогосоотношения, параметры которого мотутбыть найдены путем простых расчетоввследствие высокой восп роизводймостисвойств матрицы из СПК;тонкая структура и равномерное распределение микропор (обусловливает равномерное распределение примеси пообъему СПК);большая толщина СПК (100 - 200 мкм);что позволяет...

Номер патента: 1753381

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Илясов, Михайлин, Садыков

МПК: G01N 23/22

Метки: анализа, примесей, распределения, состава, твердом, теле

...неколлимированным расходящимся потоком ионов гелия, то на каждой точкеповерхности образца может произойти рас 20 сеяние в диапазоне указанных углов; Выбирать радиус образца существенно меньше определяемого формулой (1) нецелесообразно, ибо при этом будет уменьшаться количество актов рассеяния, а следовательно, 25 и статистическая точность. 30 35 40 55 5 10 4550 отметить, что энергия и тип ионов не являются определяющими параметрами для данной геометрии и в зависимости от определяемой толщины или примеси могут варьироваться. В предлагаемом техническом решении благодаря использованию, например, источника ФАКТдиапазон возможных значений энергий существенно расширяется (до 4-5 МэВ), что позволяет повысить разрешающую способность по...

Номер патента: 346663

Опубликовано: 01.01.1972

МПК: G01N 31/02

Метки: пленках, примесей, распределения, тонких

...заключающийся в активировации нейтронами материала образца поэтапным травлением и измерением активности полученного раствора по отношению к активности образца сравнения,Недостаток известного способа - ограниченное число материалов исследования вследствие трудности контроля травления.Предлагаемый способ дает возможность определить распределение примесей в достаточно тонких пленках 50 А, расширить класс исследуемых материалов и может быть применен при экспериментальном изучении распределения примеси в тонких пленках и многослойных тонкопленочных системах.Процесс измерения заключается в том, что исследуемую тонкую пленку с распределенной в ней примесью помещают в электролитцческую ванну, к емам которой подают напряжение, и измеряя разницу...

Номер патента: 443341

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Дмитриев, Малкин, Мастеров, Царенков

МПК: H01L 21/66

Метки: закона, измерений, квазиконтактного, перехода, потенциала, примесей, р-п, распределения

...частоты 5, детектор б, сравнивающее устройство , первый генератор экспоненциально падающего напряжения 8, блок синхронизации 9, второй генератор экспоненциально падающего напряжения 10, управляемый ключ 11, переключающее реле 12 и осциллограф 13.Устройство работает следующим образом, Блок синхронизации (СИНХР) периодически с частотой /=400 Гц запускает оба генератора экспоненциального напряжения ГЭНи ГЭН. Зависимость напряжения (У 1) на выходе ГЭНимеет вид:г.гг= г.гог ехртгде тг - постоянная времени спадания напряженич, которая дискретно (или непрерывно) может быть пзменена оператором, но выбирается такой,1чтооы т 1 (Зависимость напряжения (г.,г 2) на выходе ГЭНимеет вид;(/02 ехртггде т 2 - постояиная времени спадания напряжения,...