Герасименко

Способ синтеза карбида кремния кубической модификации

Номер патента: 552860

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Смирнов, Герасименко, Эдельман, Кузнецов, Лежейко, Любопытова

МПК: H01L 21/265

Метки: модификации, кремния, карбида, кубической, синтеза

Способ синтеза карбида кремния кубической модификации путем внедрения в подложку кремния, нагретую до температуры 600 - 650oC, ионов углерода при плотности тока 15 - 20 мка/см2, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллического карбида кремния в объеме подложки, содержащей внедренные атомы углерода, после внедрения проводят термообработку подложки при температуре 1100 - 1300oC.

Способ изготовления n-p-переходов

Номер патента: 719390

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Бакланов, Ловягин, Герасименко, Мурадов, Алферов, Донин

МПК: H01L 21/265

Метки: n-p-переходов

Способ изготовления n-p-переходов с неплоским профилем в кремниевой пластине р - типа, включающий операции ионной имплантации донорной примеси и последующего гермического отжига, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров n-p-переходов, формирование профиля n-p-перехода производят после отжига, для чего на пластину, нагретую до температуры 700 - 800oC, направляют луч лазера с длиной волны излучения 0,46 - 0,51 мкм, работающего в непрерывном режиме на мощности 0,1 - 1,0 Вт, фокусируют его по оси изготовленной диодной структуры в пятно диаметром, составляющим 0,5 - 0,6 диаметра n-p-перехода, затем плавно в течение 2 - 3 мин увеличивают мощность до значения 5...

Способ формирования омических контактов на арсениде галлия

Номер патента: 1459538

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильев, Мойзеш, Герасименко

МПК: H01L 21/268

Метки: галлия, контактов, арсениде, формирования, омических

Способ формирования омических контактов на арсениде галлия, включающий нанесение на полупроводниковую подложку проводящего покрытия и термообработку ее СВЧ-излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контактов и повышения процента выхода годных за счет уменьшения контактного сопротивления с одновременным устранением опасности разрушения подложки в процессе СВЧ-обработки, термообработку СВЧ-излучением проводят с частотой 0,95 - 10 ГГц при времени обработки 30 - 300 с при нерастающей плотности мощности излучения от (2 - 10) до (10 - 200) Вт/см2 в течение времени, равного 10 - 50% времени обработки.

Способ определения профиля распределения параметров материала подложек

Номер патента: 1748579

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Мажирин, Герасименко

МПК: H01L 21/66

Метки: подложек, профиля, параметров, распределения

Способ определения профиля распределения параметров материала подложек, включающий изготовление химического среза подложки путем вертикального погружения ее в травитель с последующим постепенным ее подъемом из травителя и измерение значений параметра материала подложки вдоль поверхности химического среза, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения профиля параметров, перед изготовлением химического среза подложки теоретически или по результатам предварительных измерений рассчитывают в виде кусочно-линейной функции приближением П(х) для искомого распределения параметра по глубине х подложки, травитель выбирают обеспечивающим скорость Т травления материала подложки...

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Номер патента: 429604

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Герасименко, Васильев, Болотов, Смирнов

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов с использованием облучения полупроводника высокоэнергетическими легкими частицами, например электронами, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности уменьшения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике, облучение ведут при температуре выше температуры начала собственной проводимости, но ниже температуры эффективной диффузии примеси.

Способ изготовления гетероперехода sic-si

Номер патента: 463398

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Герасименко, Лежейко, Любопытова, Кузнецов, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: sic-si, гетероперехода

Способ изготовления гетероперехода SiC-Si путем внедрения ионов углерода энергией несколько десятков килоэлектронвольт в кристалл кремния и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности поверхностный состояний на границе раздела, внедрение ионов производят при дозе облучения более 7 1017 см-2.

Способ изготовления варикапов

Номер патента: 1204083

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Герасименко, Смирнов, Аешин, Стась

МПК: H01L 21/265

Метки: варикапов

Способ изготовления варикапов, включающий облучение протонами и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения чувствительности варикапов к малым напряжениям, облучение проводят протонами с энергией, для которой параметры Rp и Rp удовлетворяют условиюLpn< Rp-4 Rp< Lpn+LD,где Lpn - требуемая глубина залегания металлургической границы p - n-перехода или толщина слоя металла для варикапов на основе...

Способ отжига ионно-легированных полупроводников

Номер патента: 1028202

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: H01L 21/477

Метки: полупроводников, отжига, ионно-легированных

Способ отжига ионно-легированных полупроводников, включающий импульсный СВЧ-нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса термообработки и повышения однородности отжига ионно-легированных слоев полупроводников с малой величиной проводимости, нагрев полупроводников проводят импульсом СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность импульса СВЧ-излучения 10-6 - 102С, основная частота СВЧ-излучения 950 Мгц - 10 ГГц, плотность поглощенной энергии СВЧ-импульса рассчитывают по формулеE T(Cndn+2

Способ моделирования воздействия тяжелых ядер космических лучей на p-nпереходы полупроводниковых приборов

Номер патента: 1589863

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Грищенко, Такибаев, Герасименко

МПК: G21H 5/00

Метки: ядер, тяжелых, лучей, воздействия, полупроводниковых, приборов, моделирования, p-nпереходы, космических

Способ моделирования воздействия тяжелых ядер космических лучей на p-n-переходы полупроводниковых приборов, включающий бомбардировку ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью получения возможности изучения воздействия единичных тяжелых ядер космических лучей в земных условиях и сокращения времени эксперимента, полупроводниковые приборы с p-n-переходами облучают осколками деления, возникающими при облучении нейтронами делящегося вещества, например урана-235, дозой 103 - 105 см-2 по осколкам деления.

Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии

Номер патента: 1762689

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников

МПК: H01L 21/268

Метки: геттерирования, дефектов, кремнии, примесей

Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии, включающий создание на нерабочей стороне подложки лазерных нарушений с шагом не более и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет полного использования лазерных нарушений и производительности процесса геттерирования, лазерные нарушения создают с шагом не менеегде W - плотность энергии импульса, Дж/см2;ф - диаметр пятна лазера на поверхности подложки, см;R - ширина зоны, свободной от дефектов, мкм;d - толщина...

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним

Номер патента: 1424638

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Калинин, Герасименко, Васильев

МПК: H01L 21/28

Метки: ним, контактов, легированных, кремния, мелких, слоев

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...

Способ изготовления моп интегральных схем

Номер патента: 1025286

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Цейтлин, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, схем, моп

Способ изготовления МОП интегральных схем, включающий окисление кремниевой пластины, создание легированных областей истока и стока, нанесение контактов электродов на затворный диэлектрик и проводящих покрытий контактных дорожек, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции МОП интегральных схем на кремниевой пластине путем повышения порогового напряжения паразитных транзисторов и упрощения технологии, после нанесения контактов к истоку и стоку и электродов на затворный диэлектрик, проводят обучение структуры ионами водорода дозами 1016-1018 см-2 с энергией от 50 эВ, соответствующей глубина пробега ионов Rр такой, что Rр...

Способ изготовления образцов для использования структуры твердых тел

Номер патента: 1119535

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Ивахнишин, Герасименко, Астахов

МПК: H01L 21/302

Метки: образцов, структуры, тел, твердых, использования

Способ изготовления образцов для исследования структуры твердых тел, включающий формирование границ раздела между разными участками структуры и последующее утонение образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа изготовления образцов, перед утонением на поверхности исследуемого тела создают ряд выступов прямоугольного или трапецеидального поперечного сечения, на боковых гранях которых формируют границы раздела.

Способ изготовления диодов шоттки

Номер патента: 1530009

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Суртаев, Герасименко, Калинин

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, внедрение ионов N+2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения производительности, снижения затрат изготовления, ионы N+2 или O+2 внедряют в процессе обработки в плазме с напряжением 0,5 - 10 кВ в дозой облучения 1014 - 1016 ион/см2.

Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке

Номер патента: 1112913

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: G03F 7/26

Метки: фотошаблона, подложке, стеклянной

Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке, включающий нанесение на нее пленки хрома, фотолитографию по металлу и ионное облучение, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости фотошаблона, пленку перед фотолитографией облучают ионами бора или азота, или углерода с энергией, обеспечивающей средний проецированный пробег ионов (Rp) в пределах 1/3 Rp dM, где dM - при дозах обучения 1017-5oC1818ион/см2, а после фотолитографии нагревают фотошаблон...

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок

Номер патента: 830962

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/205

Метки: наращивания, эпитаксиального, пленок, полупроводниковых

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок на монокристаллической подложке, включающий нанесение слоя металла на поверхность подложки, нагрев до температуры эпитаксии и введение компонентов ростового вещества в расплав из сепарированного ионного пучка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и предотвращения испарения летучих компонентов, наносят на слой металла защитную пленку, стабильную в условиях наращивания.

Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния

Номер патента: 1227048

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Цейтлин, Сухих, Дроздов, Носков, Герасименко

МПК: H01L 21/26

Метки: диэлектрических, пленок, низкотемпературных, двуокиси, кремния

Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния, полученных осаждением из газовой фазы, включающий отжиг при температуре роста пленки, не допуская контакта пленок с парами воды от начала отжига, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при одновременном повышении качества, пленки облучают ионами дозой 5 - 1014 - 1016 cv-2 на глубину от 100 до h/2, где h - толщина пленки, не допуская контакта пленок с парами воды до конца ионного облучения.

Способ создания фоточувствительных элементов на антимониде индия

Номер патента: 915684

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Ободников, Герасименко, Лебедев, Вихрев

МПК: H01L 31/18, H01L 21/425

Метки: антимониде, фоточувствительных, индия, создания, элементов

Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технологических нагревов, облучение проводят после всех технологических операций.

Способ ионного внедрения в кристаллические подложки

Номер патента: 906304

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/423

Метки: подложки, ионного, внедрения, кристаллические

Способ ионного внедрения в кристаллические подложки, включающий имплантацию ионов до набора дозы и отжиг путем воздействия импульсного излучения, отличающийся тем, что, с целью избежания накопления радиационных дефектов и снижении температуры полного отжига дефектов, процесс внедрения проводят повторяющимися циклами имплантация-отжиг, причем отжиг проводят после набора дозы не более одной десятой дозы аморфизации, а повторяют циклы после остывания подложек до температуры имплантации.

Способ изготовления диодов шоттки

Номер патента: 1217182

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: шоттки, диодов

Способ изготовления диодов шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, формирование силицида металла в окнах и последующий высокотемпературный прогрев, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности диода за счет устранения бокового роста силицида, после фотолитографии по металлу, но до высокотемпературного прогрева участки металла над окислом облучают ионами N+2 дозой 1015 - 1016 ион/см2 с энергией, обеспечивающей пробег ионов на 0,50 - 0,75 толщины металла.

Способ легирования слоя поликристаллического кремния

Номер патента: 1452399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Ободников, Мясников, Юрков, Герасименко

МПК: H01L 21/268

Метки: легирования, кремния, поликристаллического, слоя

Способ легирования слоя поликристаллического кремния, включающий внедрение ионов легирующей примеси и импульсный отжиг некогерентным источником света, отличающийся тем, что, с целью уменьшения поверхностного сопротивления слоя и увеличения его стабильности при последующих термических обработках, перед внедрением ионов легирующей примеси проводят отжиг слоя поликристаллического кремния в потоке инертного газа в диапазоне температур 950-1100oC в течение 10-45 мин.

Способ получения структур “кремний на изоляторе”

Номер патента: 1626996

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Стась, Герасименко, Сухих, Мясников

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, кремний, изоляторе

Способ получения структур "кремний на изоляторе", включающий имплантацию ионов кислорода или азота в кремниевую подложку с энергиями и дозами, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния или нитрида кремния под слоем кремния, в два этапа на первом этапе имплантируют часть кремниевой подложки так, чтобы имплантированные области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором этапе проводят имплантацию ионов только в неимплантированную часть поверхности кремниевой подложки и проводят нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения выхода годных приборов, изготовленных на основе структур "кремний на изоляторе" за счет формирования...

Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним

Номер патента: 1450665

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Васильев

МПК: H01L 21/265

Метки: n-p-переходов, ним, контактов, создания, мелких

Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним, включающий операции ионного легирования, термообработки и нанесения покрытия из силицидообразующего металла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет устранения опасности проплавления n-слоя при уменьшении его толщины, в качестве силицидообразующего используют металл, обладающий величиной электроотрицательности, Хм, удовлетворяющей условию: Хм > Хпр > Xgi, где Хпр - электроотрицательный легирующей примеси, Xgi - электроотрицательность кремния, а термообработку проводят после нанесения покрытия из силицидообразующего металла при 550-1100 К в...

Способ изготовления проводящих покрытий на полупроводниковых структурах

Номер патента: 1151149

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: проводящих, покрытий, полупроводниковых, структурах

Способ изготовления проводящих покрытий на полупроводниковых структурах, включающий нанесение металла на структуру, формирование требуемой конфигурации металла, отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур путем предотвращения окисления металлизации, после нанесения металла на структуру проводят облучение структуры ионами бора дозой 5 1015-5 1018 ионов/см-2, энергией 0,5-250 кэВ, а отжиг проводят при температуре 1100-1400 К, в течение 15-60 мин или путем обработки СВЧ излучением с основной...

Способ изготовления оптического волновода

Номер патента: 1096913

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Цейтлин

МПК: C03B 37/025

Метки: волновода, оптического

Способ изготовления оптического волновода путем ионной имплантации в кварцевое стекло и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения прозрачности оптического волновода в области 2,7 мкм за счет уничтожения центров захвата паров воды, отжиг проводят в условиях, исключающих контакт облученной поверхности стекла с парами воды и водорода, при температуре 623-673 К.

Способ создания многослойных проводящих покрытий

Номер патента: 1047333

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Ободников, Герасименко, Васильев

МПК: H01L 21/24

Метки: многослойных, создания, проводящих, покрытий

1. Способ создания многослойных проводящих покрытий на полупроводниковых приборных структурах, включающий нанесение пленок диэлектрика, кремния, металла и нагрев, отличающийся тем, что, с целью сокращения числа операций термообработки, на поверхность каждого слоя металла перед нанесением слоя диэлектрика наносят разделительный слой кремния, а нагрев проводят однократно после нанесения всех слоев структуры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нагрев проводят СВЧ излучением со следующими параметрами: длительность воздействия СВЧ излученичя 10-2 - 100 с, плотность поглощенной энергии СВЧ излучения 0,1 - 10 кДж/см2, основная частота СВЧ излучения определяется по...

Способ обработки полупроводников и структур полупроводник диэлектрик (его варианты)

Номер патента: 991878

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Васильев

МПК: H01L 21/423

Метки: варианты, —полупроводник, его, диэлектрик, структур, полупроводников

1. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примесей и нагрев, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности нагрева при одновременном сохранении первоначального профиля внедренной примеси и исключения деформации структур, нагрев производят постоянным СВЧ-излучением с основной частотой излучения 100 МГц - 3 ГГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-излучения 500 - 4000 Дж/см3 в течение 10-3 - 10-2 с, причем структуры помещают в максимум распределения поля СВЧ-излучения.2. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примеси и нагрев,...

Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик

Номер патента: 940608

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Васильев

МПК: H01L 21/477

Метки: полупроводник-диэлектрик, структур, поверхностных, полупроводников, термической, слоев

1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках

Номер патента: 884482

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: H01L 21/24, C23C 14/00

Метки: полупроводниках, металлических, покрытий, создания, диэлектриках

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках, включающий нанесение металла на подложку и последующий нагрев, отличающийся тем, что, с целью исключения нагрева подложки, уменьшения глубины проникновения металла в подложку, нагрев осуществляется импульсом СВЧ-излучения мощностью импульса, обеспечивающей плотность поглощенной энергии 0,1 - 6 дж/см2, длительностью импульса менее 10-5 с и частотой излучения, определяемой по формуле: где d - толщина металлического покрытия; - проводимость данного металла;

Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик

Номер патента: 884498

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Кибалина, Герасименко, Придачин

МПК: H01L 21/423

Метки: полупроводник-диэлектрик, отжига, структур

1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне...