G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 1536982

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Гук, Зубрилов, Котин, Шуман

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, коэффициентом, лавинного, однородности, положительным, пробоя, температурным

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОДНОРОДНОСТИ ЛАВИННОГО ПРОБОЯ ДИОДОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ НАПРЯЖЕНИЯ, включающий пропускание через диод импульсов обратного тока, отличающийся тем, что, с целью устранения разрушения прибора в процессе измерений, на диод подают последовательно два одиночных прямоугольных импульса обратного тока равной длительности с различными амплитудами со средней плотностью тока в импульсе не менее 20 А/см2, измеряют напряжения на диоде в конце каждого импульса тока, определяют по ним дифференциальное сопротивление диода, при этом длительность импульсов обратного тока выбирают в пределах 2 10-6c

Номер патента: 1582834

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин

МПК: G01R 31/26

Метки: основе, памяти, пноп-структуры, программирования, ячейки

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПНОП-СТРУКТУРЫ, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, на ПНОП-структуру подают нарастающее напряжение и при этом контролируют величину сквозного тока через ПНОП-структуру, при достижении сквозным током заданного значения определяют соответствующую ему величину приложенного напряжения, которое является напряжением программирования.

Номер патента: 1433333

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Борзунов, Лапатин, Медведев, Монич, Петров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: поверхностной, полупроводников, фотоэдс

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ ФОТОЭДС ПОЛУПРОВОДНИКОВ, содержащее импульсный источник света, конденсаторную ячейку с полупрозрачным электродом, импульсный усилитель, соединенный с индикатором, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения величины и определения знака поверхностной фотоЭДС, в него дополнительно введены последовательно соединенные генератор тестовых импульсов, первый управляемый коммутатор с переменой знака выходного напряжения, первый управляемый электронный ключ, резистор, второй управляемый электронный ключ, второй управляемый коммутатор с переменой знака выходного напряжения и схема сравнения с блоком опорного сигнала; компаратор, генератор синхронизации с тремя выходами и третий управляемый...

Номер патента: 1694018

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Корнилович, Студеникин, Уваров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вырожденных, заряда, концентрации, носителей, полупроводниках

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ, включающий охлаждение образца до гелиевых температур, воздействие на него изменяющимся постоянным магнитным полем B и одновременно переменным магнитным полем с амплитудой h << B, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и локальности неразрушающего контроля, воздействуют на образец монохроматическим когерентным излучением, энергия кванта которого меньше ширины запрещенной зоны полупроводника, и поляризованного так, что вектор напряженности электрического поля перпендикулярен вектору индукции постоянного магнитного поля B, регистрируют интенсивность 1 прошедшего через образец или отраженного от него излучения, по соседним максимумам зависимости...

Номер патента: 1529940

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Васильев, Олейник, Сучков

МПК: G01R 31/26

Метки: пластине, полевых, свч, транзисторов

СПОСОБ КОНТРОЛЯ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ПЛАСТИНЕ, включающий подачу постоянного напряжения на стоковый и истоковый электроды полевого транзистора, возбуждение в нем СВЧ-тока, регистрацию усиленного полевым транзистором СВЧ-тока, определение коэффициента усиления полевого транзистора и сравнение его с эталонным значением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и расширения частотного диапазона при контроле, после возбуждения СВЧ-тока к стоковому электроду полевого транзистора прикладывают поглощающую СВЧ-пластину, на участке стокового электрода между поглощающей СВЧ-пластиной и затвором полевого транзистора размещают электрооптический кристалл, возбуждение СВЧ-тока в полевом транзисторе осуществляют путем освещения...

Номер патента: 814057

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Васильев, Золототрубов, Ключанцев, Литвинов

МПК: G01R 31/26

Метки: обратных, полупроводниковых, приборов, токов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ОБРАТНЫХ ТОКОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ по авт. св. N 673939, отличающееся тем, что, с целью уменьшения времени измерения и повышения достоверности источника контроля, в него введены анализатор относительного приращения измеряемой величины, генератор временных меток, счетчик и схема И НЕ, при этом выход генератора временных меток подключен к первым входам измерителя напряжения, анализатора и счетчика, вход генератора и вторые входы счетчика и анализатора подключены к выходу устройства синхронизации, выход измерителя подключен к третьему входу анализатора, выход счетчика и первый выход анализатора раздельно подключены к входам схемы И НЕ, а объединенные второй выход анализатора и выход схемы И - НЕ подключены к...

Номер патента: 1356901

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Амальская, Гамарц, Ганичев, Стафеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, рекомбинационных

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий облучение образца модулированным по интенсивности возбуждающим излучением с длиной волны из области межзонного поглощения исследуемого материала, облучение возбужденной области полупроводника зондирующим излучением с длиной волны из области поглощения свободными носителями заряда, измерение относительного изменения интенсивности прошедшего через образец зондирующего излучения и определение эффективного времени жизни * расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности раздельного определения объемного времени жизни to и скорости поверхностной...

Номер патента: 1212172

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Ази, Ананьев, Васерина, Лунин, Тоомла

МПК: G01R 31/26

Метки: включении, тиристорах

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НА ТИРИСТОРАХ ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ, содержащее силовой блок, к выходу которого подключены первая и вторая шины для подключения тиристора и вход входной схемы, блок управления, вход которого соединен с входом первого блока формирования задержанного импульса, ключ, повторитель напряжения, и третью шину для подключения тиристора, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, оно снабжено ограничителем, вторым блоком формирования задержанных импульсов и осциллографом, при этом выход входной схемы соединен с входом ключа, выход которого соединен через последовательно соединенные повторитель напряжения и ограничитель с сигнальным входом осциллографа, вход запуска которого соединен с выходом второго...

Номер патента: 1817559

Опубликовано: 10.06.1996

Автор: Питанов

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-фарадной, диода, параметров, полупроводникового, характеристики

...и Ч;,1, и 1 - эффективные значения первой и второй гармоник тока через диод;Ч, - эффективное значение первой гармоники напряжения на диоде;у- показатель степени вольт-фарадной характеристики;Ч, -диффузионный потенциал выпрямляющего контакта диода.Осуществление предлагаемого способа поясняется с помощью устройства, показанного на чертеже и представляющего собой емкостно-омический делитель. Способ определения параметров вольтфарадной характеристики полупроводникового диода, включающий подачу на диод регулируемого обратного смещения и гармонического сигнала и измерение эффективного значения первой гармоники тока через диод, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном повышении его информативности,...

Номер патента: 1818981

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Варданян, Гуюмджян, Рштуни

МПК: G01R 31/26

Метки: базе, заряда, неосновных, носителей, параметров, транзистора, электрофизических

...в зависимости от магнитного поля, а 1, поддерживаетсяпостоянным):в 21. 1гг фВсоя (и В),ст г К(Г)(4)Из отношения выражений (1) и (3)получают подвижность ННЗ1 ви = - агссоя(В В ).гВ ст ст(5)а из выражений (2) и (4) - время жизниННЗ в базе транзисторав вВ В И - Уст ст т ттв вВ -В ы ыст ст т т(6)Имея значения,и и г, рассчитывают диффузионную длину ННЗ по формуле-- итгде 1. - диффузионная длина ННЗ.На чертеже представлена структура контролируемого транзистора в магнитном поле.П р и м е р, Измерения времени жизни, подвижности и диффузионной длины ННЗ в базе проводились для мощных транзисторов ТК-63, ТК-100 и ТК-63, Результаты измерений сведены в таблице. Там же приведены значения ти и Е, рассчитанные по формулам (6),(5) и (7)...

Номер патента: 1290869

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Козлов, Рабодзей, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, импульсных, мощных, однородного, работы, режимах, тепловой, токораспределения, транзисторов, устойчивости

Способ контроля тепловой устойчивости однородного токораспределения в импульсных режимах работы мощных биполярных транзисторов, включающий задание эмиттерного тока и напряжения между коллекторным и базовым выводами контролируемого транзистора, регистрацию изменения напряжения между выводами эмиттера и базы контролируемого транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, эмиттерный ток задают в виде последовательности импульсов с заданной амплитудой, длительностью и периодом следования, а напряжение между коллекторным и базовым выводами контролируемого транзистора подают одновременно с подачей одного из импульсов эмиттерного тока в виде импульсов со ступенчато возрастающей амплитудой, причем длительность каждой...

Номер патента: 692369

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Вето, Крымко, Левин, Пресс, Рубинштейн

МПК: G01R 31/26, H01L 29/66

Метки: выходным, зарядовой, прибора, связью, устройством

Способ управления выходным устройством прибора с зарядовой связью (ПЗС), включающий подачу напряжения на выходной затвор ПЗС, постоянного напряжения на сток транзистора сброса и импульсного напряжения на затвор транзистора сброса, отличающийся тем, что, с целью снижения уровня когерентной помехи, на выходной затвор ПЗС подается импульсное напряжение, совпадающее по фазе с импульсным напряжением на затворе транзистора сброса и противоположное ему по знаку.

Номер патента: 923281

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Квурт, Миндлин, Нечаев, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, однородности, структуры, транзисторов

1. Способ контроля однородности структуры мощных транзисторов, включающий импульсный разогрев структуры при постоянной амплитуде тока эмиттера и регистрацию изменения во времени прямого падения напряжения на переходе эмиттер база, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, разогрев осуществляют подачей прямоугольного импульса напряжения на переход коллектор база, амплитуда которого превышает напряжение образования шнура тока в структуре для статического режима и длительность фронта которого значительно меньше тепловой постоянной времени полупроводникового кристалла, причем импульс разогрева прерывают в момент, когда происходит увеличение скорости изменения во времени модуля приращения регистрируемого параметра, а однородность...

Номер патента: 1829634

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Гольдштейн, Коровин

МПК: G01R 31/26

Метки: критической, плотности, тиристора

...токе управления, снятие вольтамперной характеристики тиристора и определение величины постоянного тока в точке вольт-амперной характеристики, соответствующей окончанию процесса распространения изготовления, либо путем измерения, например, у неисправного тиристора, который может быть вынут из корпуса. Затем испытуемый тиристор включает в контур с регулируемым источником постоянного тока и токоизмерительным шунтом, На его управляющий электрод подается ток управления, соответствующий техническим условиям. К шунту и выводам тиристора подключают приборы для снятия ВАХ (например, осциллограф или милливольтметр и вольтметр). Включают источник тока и снимают ВАХ тиристора на постоянном токе сначала при увеличении тока от нуля до предельно...

Номер патента: 1829635

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Гольдштейн, Коровин

МПК: G01R 31/26

Метки: критической, плотности, тиристора

...у предприятия изготовителя, либо путем измерения, например, у неисправного тиристора, который может быть вынут из корпуса. Затем испытуемый тиристор включают в контур с регулируемым источником полусинусоидальСпособ измерения критической плотности тока тиристора, включающий определение площади активной области и-эмиттера тиристора, подачу на управляющий электрод тиристора номинального тока управления, пропускание через тиристор полусинусоидального импульса промышленной частоты, снятие вольт-амперной характеристики тиристора, измерение величины тока в точке вольт-амперной характеристики, соответствующей окончанию процесса распространения включенного состояния в тиристоре, и расчет критической плотности тока тиристора,ного тока...

Номер патента: 1433207

Опубликовано: 10.12.1997

Авторы: Гаевский, Мартяшин, Рыжов, Светлов, Цыпин, Чумаков

МПК: G01R 31/26

Метки: c-g-v-характеристик, мдп-структур

Устройство для измерения C-G-V характеристик МДП-структур по авт. св. N 1000946, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, оно снабжено инвертирующим управляемым делителем напряжения, опорным резистором, вторым блоком измерения установившегося значения напряжения, третьим вычитателем напряжений, вторым нуль-органом, вторым источником управляющего напряжения, при этом вход инвертирующего управляемого делителя напряжения подключен к выходу операционного усилителя, инвертирующий вход которого через опорный резистор соединен с выходом инвертирующего управляемого делителя напряжения, управляющий вход которого подключен к пятому входу коммутатора и выходу второго источника управляющего напряжения, первый вход...

Номер патента: 1232029

Опубликовано: 10.12.1997

Авторы: Лукичева, Мартяшин, Светлов, Соловьев, Цыпин

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках, содержащее формирователь инжектирующих импульсов, формирователь опорного напряжения, первый и второй резисторы, операционный усилитель с клеммами для подключения исследуемого полупроводника на входе и на выходе, первый и второй блоки выборки и хранения, масштабирующий преобразователь и генератор импульсов, первый выход которого соединен с входами формирователя инжектирующих импульсов и формирователя опорного напряжения, выходы которых через первый и второй резисторы соответственно подключены к первому входу операционного усилителя, второй вход которого подключен к общей шине, а выход операционного усилителя соединен с входом первого блока выборки и...

Номер патента: 1529941

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Дулов, Карпов, Сергеев, Широков, Юдин

МПК: G01R 31/26

Метки: безопасной, области, работы, транзисторов

Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзисторов, содержащее усилитель мощности, выход которого соединен с клеммой для подключения эмиттера испытуемого транзистора, клемма для подключения базы которого соединена с общей шиной устройства, а клемма для подключения коллектора испытуемого транзистора соединена с входом первого фильтра нижних частот, первым входом осциллографа и первым входом компаратора, второй вход которого подключен к выходу первого источника опорного напряжения, выход компаратора подключен к S-входу триггера, R-вход которого соединен с шиной запуска, выход триггера подключен к входу синхронизации генератора линейно нарастающего напряжения, выход...

Номер патента: 1354953

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Дулов, Сергеев, Широков

МПК: G01R 31/26

Метки: безопасной, области, работы, транзистора

1. Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзистора, содержащее генератор линейно нарастающего напряжения, усилитель мощности, блок обработки сигнала, выход которого соединен с входом усилителя мощности, регистрирующий прибор, один вход которого подключен к клемме для подключения коллектора испытуемого транзистора, для источника опорного напряжения, один из которых подключен к входу блока обработки сигнала, и клеммы для подключения эмиттера и базы испытуемого транзистора, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности измерения, расширения функциональных возможностей, оно снабжено компаратором, RS-триггером, генератором низкой частоты, сумматором,...

Номер патента: 1245094

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Горюнов, Сергеев, Широков

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, отбраковки, транзисторов

Устройство для отбраковки мощных транзисторов, содержащее клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, соединенную с выходом стабилизатора тока, клемму для подключения базы испытуемого транзистора, соединенную с общей шиной, клемму для подключения коллектора испытуемого транзистора, вольтметр, измерительный вход вольметра соединен с выходом генератора линейно нарастающего напряжения, а вход синхронизации вольтметра подключен к последовательно соединенным формирователю импульсов и дифференцирующей цепи, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности отбраковки транзисторов, в него введены аналоговый сумматор, генератор низкой частоты, усилитель низкой частоты в...

Номер патента: 1729210

Опубликовано: 27.05.1999

Автор: Сергеев

МПК: G01R 31/26

Метки: отбраковки, транзисторов

Устройство для отбраковки транзисторов, содержащее клеммы для подключения базы, эмиттера и коллектора испытуемого транзистора, источник напряжения питания, генератор тока, образцовый транзистор, два резистора, первые выводы которых соединены соответственно с клеммой для подключения коллектора испытуемого транзистора и с коллектором образцового транзистора, база которого подключена к общей шине устройства и к клемме для подключения базы испытуемого транзистора, клемма для подключения эмиттера которого соединена с выходом генератора тока, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности отбраковки, оно снабжено аналоговым запоминающим устройством, дифференциальным усилителем и...

Номер патента: 1715141

Опубликовано: 20.07.1999

Автор: Мусонов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: m-параметра, p-n-перехода, полупроводниках

1. Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках, включающий измерение амплитуды переменного напряжения Um1, обусловленного протекания через p-n-переход переменной составляющей тока Im1 с частотой 1 и постоянной составляющей I0, соотношение между которыми A1 = (Im1/I0) поддерживают постоянным, и определение m-параметра расчетным путем по величине амплитуды измеренного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона определения m-параметра полупроводниковых приборов по постоянному току, повторяют...

Номер патента: 1632187

Опубликовано: 20.07.1999

Автор: Бусыгин

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, отработки, транзисторов

Способ отбраковки биполярных транзисторов, включающий подачу на биполярный транзистор тока эмиттера и напряжения база-коллектор, определение информативных параметров биполярных транзисторов и сравнение их с эталоном, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, напряжение база-коллектор устанавливают равным его предельно допустимому значению, изменяют ток в диапазоне его допустимых значений, устанавливают его значение, при котором статический дифференциальный коэффициент прямой передачи тока при котором замыкании на выходе при включении биполярного транзистора по схеме с общей базой достигает максимального значения, измеряют при этой величине тока эмиттера значение...

Номер патента: 1409004

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Бусыгин, Григорьев

МПК: G01R 31/26

Метки: мдптранзисторах, параметров, поверхностных, состояний

Устройство для изменения параметров поверхностных состояний в МДП-транзисторах, содержащее клеммы для подключения затвора, стока, истока и подложки испытуемого прибора, криостат с датчиком температуры, импульсный генератор, источник напряжения и блок регистрации и обработки данных, один из входов которого подключен к выходу датчика температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено вторым источником постоянного напряжения, преобразователем ток - напряжение и операционным усилителем, причем выход операционного усилителя подключен к первому входу блока регистрации и обработки данных и к клемме для подключения затвора испытуемого транзистора, первый источник...

Номер патента: 1614712

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Орлов, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров

Устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор, блок управления, первый выход которого соединен с первым входом блока смещения, второй вход которого соединен с первым выходом формирователя временных интервалов и первым входом формирователя строб-импульсов, второй вход которого соединен с выходом первого нуль-компаратора, вход которого подключен к выходу первого синхронного детектора, первый вход которого подключен к выходу первого селективного усилителя, вход которого соединен с первой клеммой для подключения полупроводника, входами усилителя тока и с выходом блока переключаемых конденсатов, вход которого соединен с вторым входом первого синхронного детектора и...

Номер патента: 1616341

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Конев, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля

Устройство для измерения профиля концентрации примесей в полупроводниках, содержащее генератор, первый выход которого подключен к опорным входам первого и второго синхронных детекторов, причем первый выход первого синхронного детектора соединен с выходом первого избирательного усилителя, выход второго синхронного детектора подключен к первому входу блока сравнения, второй выход генератора соединен с первым входом первого сумматора, выход которого подключен к первому входу модулятора, выход которого соединен с входами выходного усилителя и первого фильтра, первый и второй выходы которого подключены соответственно к первому входу смесителя и сигнальному входу первого синхронного детектора,...

Номер патента: 1393098

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Талышев, Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, характеристик

Устройство для измерения характеристик полупроводниковых материалов, содержащее высокочастотный генератор, первый выход которого подключен к первому входу первого перемножителя, выход которого соединен с первым входом первого синхронного детектора и первым входом выходного блока, первый выход которого подключен к первой клемме для подключения исследуемой структуры, вторая клемма для подключения которой соединена с входами повторителя и первого переключателя и выходом блока компенсации, выход которого подключен к второму выходу выходного блока, второй вход которого соединен с первым выходом низкочастотного генератора, блок смещения, первый выход которого подключен через развязывающий...

Номер патента: 1353124

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Добровольский, Севастьянов, Талышев, Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: концентрации, легирующих, полупроводниках, примесей

Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, содержащее смеситель, входы которого соединены соответственно с выходами первого и второго высокочастотных генераторов и входами сумматора, выход которого подключен к входу регулируемого усилителя, первый и второй синхронные детекторы, первые входы которых подключены к выходу первого высокочастотного генератора, первый селективный усилитель, выход которого соединен с вторым входом второго синхронного детектора, выход которого соединен с первым входом блока сравнения, второй вход которого подключен к выходу источника опорного напряжения, выход блока сравнения подключен к управляющему входу первого регулируемого...

Номер патента: 1646390

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Добровольский, Овсюк, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля

1. Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках, заключающийся в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения, одновременном освещении полупроводникового образца двумя световыми потоками с частотами f1 и f2 и регистрации возникающих в полупроводниковом образце переменных напряжений с комбинационными частотами f1 + f2 и f1 - f2, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерений за счет выявления глубоких уровней примеси и измерения профиля их концентрации, дополнительно регистрируют две ортогональные составляющие суммарной или разностной...

Номер патента: 1426252

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Добровольский, Усик, Фарносов

МПК: G01R 31/26

Метки: концентрации, полупроводниках, примеси, профиля

1. Способ определения профиля концентрации примеси в полупроводниках по авт.св.N 689423, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, освещают полупроводниковый образец со стороны прозрачного электрода немодулированным световым потоком с интенсивностью, равной сумме средних интенсивностей обоих модулированных световых потоков, и измеряют переменное напряжение фотоЭДС на тех же частотах, а при определении профиля концентрации примеси по переменному напряжению фотоЭДС из переменного напряжения фотоЭДС, измеренного при освещении образца модулированным световым потоком, вычитают переменное напряжение фотоЭДС, измеренное при освещении немодулированным световым потоком.2. Устройство...