G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 561157

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Завалин, Иващенко, Максимов, Потыкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводников, проводимости, типа

...практически невозможно.Известно устройство для определениятипа проводимости полупроводников, содержащее источник питания, регистрирующий прибор, электроды для подклю енияисследуемого образца, истэчник магнитного поля 12,Принцип действия устройства основанна определении а,д.с. Холла,едостатком известного устройства561157 ПНИИПИ 7 .в: 1557 Л 51 Тирои 1101 Пониионовонниии пгппвтвнт г, уиаоров ун провитнвн 4 симостти от типа его проводимости и от пэнлярнэсти напряжения поляризации.На чертеже изображечо предлагаемоеустройство.Устройство содержит пластину 1 изсегнетозчектрического материал ,иала на противоположные грани которой нанесеныМект 1 эодьт поляризации 2, подключенныек источнику питания 3, контакт 4, измертите 1 ть...

Номер патента: 561234

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Галунов, Морозов, Староверов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: автомат, полупроводниковых, приборов, разбраковки

...приборов на 180, закреплена непод. вижно таким обраэом, что пазы диска 7 являются продолжением пазов лотка. Часть 23 лотка мож.т перемещаться с помощью электромагнита 25 и ры чага 26 в вертикальной плоскости между упора. ми 27, 28, выполненными на кронштейне 29,Устройство выгрузки промаркированных при боров выцолне о и виде трубки-сопла ЗО, нз кото. рую посажена втулка 31, поджимаемая пружиной 32 с нижней поверхности транспортирующего ротора 3, Во время остановки ротора на позиции, выгрузки его гнезда сообщаются посредством сверлений, имеющихся в роторе, с соплом ЗО, к которому подведен сжатый воздух.Для предотвращения выгрузки (на данной познща); из ротора непромаркирозаиных приборов имеется заслонка 33 с приводом от электромагнита,...

Номер патента: 566210

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Брусов, Глебов, Горшков, Ефимов

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, фотопреобразователей

...соответствуетнаибольшему к.п.д. преобразования световой энергии в электрическую.Известно, что зависимость вь 1 ходноймощности от выходного напряжения нагруэочная характеристика) представляет 20собой несимметричную параболу с резковыраженной вершиной., При изменении сопротивления нагрузкиколичество энергии, выделяемое на нем,ог.достигнет при какой- то величине 7 .Инаибольшего значения, а затем начнетуменьшаться,Для автоматического вывода фотопреобразователя в режим максимальной отда-.ваемой мощности с последующим замеромвеличины выходного напряжения и оптнмального сопротивлечия нагрузки последовательн с линейной нагрузкой 6 введен. диф-,ференциальный измерительный преобразователь мощности 8 с тремя входами.При освещении...

Номер патента: 568912

Опубликовано: 15.08.1977

Авторы: Калинин, Пронская, Пчельников, Федоренчик

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, статической, туннельного, характеристики

...с кристаллом в корпусе диода 2.Однако известный способ ухудшает высокочастотные свойства диода в процессе его дальнейшей эксплуатации. тчослтся к области измере к полупроводниковых приго изобретения является измерений за счет созда- емкости туннельного дио- СВЧ возбуждение и не ухудшающеи его своиств в процессе эксплуатац,ии,Это достигается тем, что по предлагаемому способу црибор погружают в электропроводную жидкость, например в насыщенный раствор соли или щелочи.Реализация описываемого способа заключается в снятии статической характеристики, надример, с помощью иэменения тока через туннелыный диод, и регистрации напряжения на нем. Туннельный диод,при этом погружают В электропроводную жидкость.Лучших результатов достигают при погру...

Номер патента: 570129

Опубликовано: 25.08.1977

Автор: Поляков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: групповых, испытаний, ненадежных, отбора, потенциально, техники, электронной

...держателями испытуемыхиэделий 5 с формирующими цепочками 6 иштепсельные разъемы 7. Отдельные виткипроводников образуют автономные источники элекчропитания 8, которые через штепсельный разъем и контактное приспособление 9 подсоединены к испытуемому издеРабота устройства происходит следуюшим образом,При вращении ротора-барабана 2 испытуемыми изделиями 5 в витках проводников 3, движущихся в магнитномполе, создаваемом магнитами, установленными вкорпусе 1, действует инуктированная ЭДС.Отдельные витки проводников, вращающиесясовместно с ротором-барабаном в магнитном поле, выполняют роль автономных источников электроэнергии, обеспечивающихэлектропичаннем соответствующие цепи испытуел ыхизделий. Например,при испытаниитранзисторов при...

Номер патента: 573781

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Гуцман, Сульжик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: автомат, варикапов, комплекты, подбора

...пьданный устройством 1 подачи на измерительные контакты, поступает фиксированное напряжение смешения У, (см. фиг. 2) с блока 2 задания режимов С выхода измерителя 3 20 напряжение, пропорциональное емкости вари- капа, через коммутаторы 41, - 4 подается .на компвраторы 5 - 5, определяющие предположительную принадлежность варикапа 9 к комплекту. Пусть варикап 9 принадлежит и находится в зоне допуска первого комплекта (см. фиг. 2, кривая 1), тогда сигнал логического устройства 6 отсоединит от измерителя 3 коммутаторы 4 - 4 п, и подсоединит к варикапу 9 напряжение смешения (см, фиг. 2), а к выходу измерителя 3 селектор 7, Селекторы представляют собой пороговые устройства, вырабатывающие вь- ходной сигнал только при подаче на их вход...

Номер патента: 575585

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Блюменау, Херманис

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, заряда, измеритель, переключения, полупроводниковых

...и в цифровой код в реверсивном счеччике).Интегрирование импульсов обратного тока исследуемого диода осуществляется засчет динамических свойств цепи негатронас:подключенными к нему пассивными элементами, При этом производится разделениеимпульсов не по амплитуде, как в обычных 30детекторах, а по фазе, т.е. во временной области. На чертеже представлена схема предложенного измерителя заряда переключения,Выходы генератора прямого рока 1 и генератора 2 переключающих импульсов обратного напряжения подключены к аноду исследуемого диода 3 и к управляющему входу негатрона 4, а также через элемент задержр кй 5 - к счетному входу реверсивного четчика 6. Катод диода 3 через параллельную ЯС -цепь из емкости 7 и резистора 8 подключен к первой...

Номер патента: 576624

Опубликовано: 15.10.1977

Автор: Окружнов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/3063

Метки: травления, установкой, электролитического

...через которое поступает электролит 11. В устройство загружается заготовка полупроводникового прибора, содержащая кристалл 12 и электрод 13. Поверхность кристалла 12 в начале травления имеет форму 14, изображенную сплошной линией, а в конце травления - форму 15, изображенную штриховой линией.Устройство работает следующим образом.После загрузки заготовки сигнализатор 3 выключается, включая ток травления коммутатором 8 и ток первого источника тока 2, Наг,76024 Заказ 2280/16 Изд.813 Тираж 995 Подписное Типография, пр, Сапунова 2 участке цепи обратной связи операционного усилителя 1, состоящем из электрода 13 и входа операционного усилителя 1, устанавливается ток, равный алгебраической сумме тока травления, протекающего по цепи: вход...

Номер патента: 555814

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Головко, Шермергор

МПК: G01R 31/26

Метки: барьеров, насыщения, переходов, р-п, шоттки

...5 где З-ток, при котором флуктуацпряжения на образце максимальны.е - основание натуральных лог5 д 58пропустить прямой ток. Изменяя величинутока, цо индикатору установить максимумфлуктуаций. Затем необходимо измерить ве-личину тока и разделить ее на коеффициейт(е 1), где е - основание натуральных логарифмов.П р и м е р 1. Барьер Шоттки иэготовлен напылением золота на химически травленную поверхность фосфида галлия и гипас Концентрацией доноров п смПлощадь металлического контакта равна20,78 мм, Измерения тока, при которомФазкочастожые флуктуации напряжения максимальны, определили, чтомсхс 1,1 мкА.15Следовательно, ток насьпцения равенЮ, 1,1 (2,718-1) 0,64 мкА,П р и м е р 2. Концентрация, доноровв полупроводнике в отличие от предыдущего...

Номер патента: 586407

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Родный, Якерсон

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур, температуры

...импульсы анодного тока от генератора 2, От генератора 1 подаются импульсы на модулятор 10 че586407 ставитель Т. Дроздов Техред Л. Гладкова Корректор И. Позняковская дактор Н 1 зд.1 аказ 278 ираж 110 одписное пография, пр. Сапунова,рез блок задержки 7. В модуляторе 10 формируются импульсы для управления импульсной трехэлектродной рентгеновской трубкой 11, анодное напряжение на которую поступает от блока питания 9. Мощные кратковременные рентгеновские импульсы с анода трубки 11 через фильтр 12 и свинцовый коллиматор 13 попадают на р-и-р-и структуру со стороны катода 4. Глубина проникновения рентгеновских лучей для структуры с определенной глубиной залегания коллекторного р-и перехода и толщиной металлического покрытия регулируется...

Номер патента: 494063

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Вайткус, Ярашюнас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводника, фотоэлектрических, характеристик

...содержащее одномодовый твердотельный лазер 1 на стекле с неодимом, лазерный усилитель 2, набор нейтральных светофильтрон 3 для изменения мощности излучения лазераа стеклянную плоскопараллельную пластйну тдля отвода части луча лазера к измерителю 5 мощности излучения, например к фотоэлементу ФЭКК, За пластиной 4 на пути излучения установлен делитель 6 света, например система призма для разделения лазерного луча на два луча. На месте пересечения этих лучей помещен исследуеьияй полупроводниковый образец 7 и измеритель 8 интенсивности дифракциикоторым может служить также фотоэлемейт ФЗКК. Измеритель 5 мощности излучения и измеритель 8 интенсивности дифракции подключены к двухлучевому запоминающему осциллографу С 1-429. Направление лучей...

Номер патента: 594466

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Даугела, Матусявичюс, Нагис

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, передачи, статического, транзисторов

...тока эмиттера установленной величины .Во време действия импульса тока эмиттера 3 к по цепи база-обратная связь операционного усилителя 5 течет ток базы )в испытуемого трав" зистора, Выходное напряжение В операционного усилителя 5 можно выразить, кЬкоУ в зс, И)где кос - величина сопротивления управляемой: цепи обратной связи,Измеряемая величина коэффициента передачи тока транзисторов выражается, как"изт.е. выходное напряжение операционного усилителя 5 прямо пропорционально установленному току эмиттера 3 и обратно пропорционально измеряемой величине Й Ь . С целю исклю" чения зависимости выходного напряжения 11,9 операционного усилителя 5 от величины установленного тока эмиттера 3, т.е. с целью поддержания постоянным (например, равным...

Номер патента: 595685

Опубликовано: 28.02.1978

Автор: Урбонас

МПК: G01R 31/26

Метки: измеритель, коэффициента, модуля, передачи, транзисторов

...олин выхОд ОтороГ) Г)с.1 инсн с ннлндторйм, д вто;к;и 111(Э висири)и(5, .(р. (,"и) ии,рой через сксу ср(Висни 1 с ) э улр иНИЛ В.0;ЦМ УНЭ сВ,15)СМ 01 Ц сТТСНЦЦРс.Па Чертеже Прннедеп СруКтуЭи 5 СКСяс Н Р С;Л Д Г Д С М О 0 Н з М СР И ТС; 5 М ОДУ.51 и ( :. ф ф- ЦИСНТД ПСЭС;с 11 Н Т 01;Д РсНЗИ(ГЦРО 3,с)С ГЭойс ВО СЦЧСРКИ Г ИС0 НИКИ ИИТНН 5 1, . испытуемый Грднзистор 3, первый комм( тдтцр 4, гснсрдгор гармцннчсскик сигналов 5, усилитель 6, индикатор 7, мост 8, второй коммутатор 9, управляемый аттснюа гор 10, сксму сравнения 11.Измсритсгь работдсг сэсд юним оордзо 1.Выкодной сигнал генератора гармоничсскцго сигнала 5 через управляемый аттспоатор 10 поступает на мост 8. В исходно( Поло)кении мос 1 8 прн Гтстствии по.елотсино 0...

Номер патента: 596894

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Аронов, Архипов

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, допустимого, лавинно, максимально, пролетных

...на диоде регулировкой температуры диода.Комбинированное воздействие ступенчатого снижения постсяннО тока с одновременным вк 111 с:1 ение"., высокочастотного тока такой же ам 11 ли гуды приводит к тому, что.пиковое значение тока не отличается от величины заданного изме- рит ельн ОГО тОкаа и зме 1 е 1111 е пи КОВОГО значения напряжения на диоде обусловлено лишь изменением температуры р-и- перехода.Способ осушествляется сяедующим образом. На контролируемый прибор подается измерительный посто 5111 ный тОк в обратном направлении, при этом Фиксируется постоянное напряжение на диОде Затем задается скачок ПОстоян кого тока на испытуемом ди -.де и одновременно включается высоко. астотний59 б 894 Формула , изобретения Составитель Т. ДозоровТехред...

Номер патента: 494958

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Бродовой, Дерикот, Мирец, Пека

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: инжекции, коэффициента

...при исследовании фоточувствительных кристаллов, в которых наблюдается оптическое гашение собственной,фотопро" водимостй, например, Сд Ь, Сц Яе, ба Аз СС о ) 6 о Аь(С),йв и Ь 1с глубокими примесными центрами и др Способ позволя. ет определить долю инжекционного тока в общем токе через кристалл.Предложенный способ измерения коэффициента инжекции состоит в следующеМ, После нанесения контактов снимают темновую вольт-амперную характеристику (ВАХ) . Кристалл возбуждают, светом из области собственного спектрального состава и при напряжении - из области линейности темновой БАХ измеряют фо"494958 формула изобретения Составитель В. УтехинаТехред Н.Андрейчук Корректор А. Кравченко Редактор Т, Орловская Заказ 937/7 Тираж 1111 Подпис...

Номер патента: 597998

Опубликовано: 15.03.1978

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: вентилей, испытаний, нагрузочных, полупроводниковых

...в индуктнвностях8 и 14 в предшествующий полупериод питающегонапряжения, Конденсатор 19 заряжен "плюс" слева, з11 %1 60минус справа, и его напряжение, равное заданной величине Обпр (фиг. 2 д),приложено в прямом направлении к закрытому вентилю 6. Вентили 7, 23 и25 также закрыты, конденсатор 2 заряжен "плюс"сверху, минус" снизу до напряжения, близкого кОб пр.макс,В момент т 2 управляющим импульсом отпирг.ется вентиль 6. На интервале т 2 - т под действиемконденсатора 19 ток переводится с вентиля 4 навентиль 6 (фиг. 2 б и. г), и вентиль 4 запирается, наинтервале тз - т, происходит колебательный процессперезаряда кбнденсатора 19 по контуру, включающему индуктивности 8, 14 и 20, вентили 5 и 6 и фазу 10 вторичной обмотки трансформатора...

Номер патента: 600483

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Гуревич, Долгих, Салман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: структуры, температуры, тиристоров

...о- ЯАЧр гт Ж)45 Между управяющим электродом и катодом испытуемого тиристора 1 1 см фиг .1) подключают источник постоЯнного упрааляюще).о тока 2 и уста- навливают.ток УЛРавлснин, достаточи)дй д)Я полив го включения береговой липин управляющего алек трода тиристора. Анод и катод испытуемого тирнс. тора 1 соединяют через измерительный прибор 3 для регистращти разности потенциалов Е ,. Между этими электродами В отсутствие специального источника аноДного напряже)пот. В качестт)е термо 10 чувствительного параметра используют 1 тазнс)сть по" тенциалов между анодом и катодом тиристора,Физическая сущность возникновения Е, следуеогцаяь.При протекппщ тока д по р-базе В нее )и. 15 жектируются избыточные электроны и и для со. хранения...

Номер патента: 601638

Опубликовано: 05.04.1978

Авторы: Ершов, Жеребцов, Косматых, Мирошник

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, рассеяния, транзисторов

...5 и б характеризует удвоенную величину падающей волны, поступающей на вход исследуемого транзистора, При измерении падающей волны образцовые резисторы по переменному току включены последовательно, а при следующих измерениях они относительно входа транзистора по переменному току включены в параллель. Именно при параллельном включениями эти резисторы служат в качестве согласующей нагрузки для входа и выхода транзистора или имитируют внутреннее сопротивление генератора.В следующем положении программатора 14замыкаются контакты 47 - 45, 54 - 52,и 61 - 59,постоянное напряжение подается на обмотки 20, 31, 34 и 38, т. е, дополнительно срабатывают ключи 11 и 12.На транзистор через контакты ключей 11и 12 подается электропитание. Выход...

Номер патента: 603924

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Горохов, Коробков, Петров

МПК: G01R 31/26

Метки: вторичный, испытаний, многократных, полупроводниковых, приборов, пробой

...исполнительйый орган, и ея сколь угодно большуюдлительность.На чертеже показана блок-схема описываемого устройства.Устройство содержит клеммы 1,2 для З 0подключения испытуемого прибора 3, генератор импульсов 4 пилообразного напряжения, блок 5 формирования управляющих импульсов, импульсные выходные трансформаторы 6, 7, 8, коммутирующий,:элемент 9, 35ключ.10, триггер 11, блок возврата 12,осциллограф 13, токосъамный резистор 14,Работает устройство следующим образом, В исходном состоянии блок возврата12 запускаемый генератором импульсов 4 40по заднему фронту пилообразного импульса,формирует импульсы возврата, которые закрывают.Пилообразный импульс через открытыйкоммутирующий элемент 9 и токосъемный 45резистор 14 подается на испытуемый...

Номер патента: 603925

Опубликовано: 25.04.1978

Автор: Чирков

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, напряжений, токов, туннельных, характеристических

...4. Таким образом, триггер 1вместе с ичвертором 2 выполняет роль источника напряжения смешения на туннельный диод, Выход генератора 4 соединен свходом усилителя 5, а выход усилителя -с управляющим входом триггера 1. Делитель напряжения 3 выполнен на резисторах 108,9 и потенциометре 10,Принцип работы схемы заключается вследующем, В исходном состоянии на выходе триггера 1 - алогический Оф, а навыходе инвертора 2 - логическая 1". Напряжение соответствующее "логической 1 фпоступает на выход резистивного делителя 3.Потенциометр 10 установлен в положение, соотг.ветствующее напряжению на туннельном диоде,меньшему напряжения "пикаф, Далее с помощьюпотенциометра 10 напряжение на туннельномдиоде монотонно повышается до достижения напряжения...

Номер патента: 528007

Опубликовано: 05.05.1978

Авторы: Барцева, Виксне, Котиков

МПК: G01R 31/26

Метки: выводами, контактное, микросхем, планарными, подключения

...крышкой, и размещенным внутри корпуса подпружиненньм выталкивателем в виде штока.Однако при выталкивании микросхемы после проверки в таком контактном уст ройстве происходит деформация выводо приводящая к порче микросхемы и снижающая надежность работы устройства.Цель изобретения - устранение деформации выводов при выталкивании микросхемы -.достигается тем, что предлагаемое устройство снабжено размещенным соосно со штоком выталкивателя и взаимодействующим с корпусом микросхемы стержневым толкателем с пружиной, свободный конец которой взаимодействует с корпусом устройства.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг, 2 - то же, вид сверху, со снятой крышкой.Контактное устройство для подключ ния микросхем с планарными выводами чаемая...

Номер патента: 611163

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Григорьев, Рамзайцев, Шварцбург

МПК: G01R 31/26

Метки: емкости, коллекторного, перехода, транзистора

...1, 2,высокочастотных сигналов, формирующих сигналыс частотой Ф, и 11 соответственно, измеритель.ные каналы 3, 4 и 5, электронную вычислительную машину (ЭВМ) 6 и индикатор 7,Измеритель работает следующим образом.С выходов генер 1 и 2 высокочастот.ные сигналы поступаю клемму К в коллектор испытуемого транзистора. С базы и эмитера испытуемого транзистора (с клемм Б исоответственно) сигналы поступают через буфер.611163 составляюответстобратной та обра частотах съемногоого трап мула изобретения внима. ллекторног Способ измерения емкости ко перехода транзистора путем подачи мый прибор двух различных по ча частотных сигналов и измерения к о бра пой передачи транзистора, о ш и й с я тем, что, с целью пов сти измерения, на одной из двух...

Номер патента: 615431

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Ефремов, Маслов

МПК: G01R 31/26

Метки: крутизны, полевого, транзистора

...От нзмер 55 теля, возникает дополнительная погрешность измерения переменного сигнала вследствие появления паразитной емкости в коммутационной цепи.Цель изобретения состоит в повыщенни 2 В Точйости при дистанционных измерениях.3Цель достигается тем, .что предлагаемоеустройство дополнительно содержит инвертирующий и реверснвный усилители, а операционный усилитель выполнен с разъемнойобратной . связью, причем дополнительныеусилФФТЕЛН включены последовательно между,фильтром цепи обратной связи и затвором испытуемого прибора,На чертеже изображена принципизль.иая злектрическая схема описываемого устройствз, которое состФэит из источника ре.жимного напряжения 1, вынолиеииого по схеме иивертирующеГО ОперациОНИОГО усилиГеля, операционного...

Номер патента: 615433

Опубликовано: 15.07.1978

Автор: Филиппов

МПК: G01R 31/26

Метки: нестабильности, параметров, полупроводниковых, приборов, электрических

...10 сра;нения кодов выявляет совпадение кодов, что означает равенство чисел во всех разрядах счетчика нестабильйостн и старшей декаде реверсивного счетчика,4Реле 5 времени через логический элемент И 9 дает разрешение на заполнение счетчика 11 нестабильности. При измере. нии нестабильности импульсы, идущие в реверсивный счетчик 8 через элемент И 9 проходят в счетчик 1 нестабильности,Предположим, что прн измерении нестабильности в интервале времени 1 в реверснвный счетчик 8 проходят шесть импульсов, так как в старшей декаде реверсивного счетчика 8 находится цифра 3, то счетчик 11 нестабильности считает только до трех, и каждый третий импульс попадает в блок 12 индикации. Для данного случая в блок 12 индикации. попадает 2 импульса, что...

Номер патента: 616596

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Егоров, Лезжов, Масимов

МПК: G01R 31/26

Метки: долговечности, свч-диодов

...по результатам ступенчатых.испытаний, равное рассеиваемой мощности той,ступени, на которой зафиксирован первый отказ- основание натуральногологарифма.Сущность предлагаемого способа состоит в том,что длительность испытаний в Форсированном режиме по отношению к длительности испытаний в нормальном режиме 1 и уменьшается в р, раз. Данная величина назы" вается коэффициентом Форсирования. Между величинами Р,Ф,Р, Р, иследующие математические соотно- шенияь РуР 1 н Р РДля установленной рассеиваемой электрической мощности 1 по конк.ретному типу СВЧ-диодов, определив Ь и п,р, а также проведя испытание в течение времени Т,р в данном режиме при температуре корпуса диодов 25110 С, спомощью выражений (1) и (2) оценивают долговечность 1...

Номер патента: 616597

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Карапатницкий, Терехин, Уваров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: барьерных, емкостей, параметров, переходов

...блока 8 обработки данных, К блоку 8 обработки данных также подключе"ны источник 4 постоянного напряжениясмещения и генератор 1 синусоидального напряжения.В основе работы устройства лежит616597 Формула изобретения НИИПИ Заказ 4061/43 Тираж 1112 Подписноеилиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 анализ гармонических составляющих тока, протекающего через нелинейную барьерную емкость обратно смещенного р"и перехода под воздействием приложенного к нему синусоидального напряжения.Под действием синусоидального напряжения через подключенную к выходу ге 5 нератора 1 цепочку, состоящую иэ последовательно соединенных исследуемого р-п, перехода 2 и измерительного резистора 3, протекает несинусоидальный ток. Йесинусоидальный характер 10 тока...

Номер патента: 616598

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Гольдберг, Царенков

МПК: G01R 31/26

Метки: металла, плавления, полупроводника, температуры, эвтектики

...температуру, при которойвольт-амперная характеристика имеетформу прямой линии,На фиг, 1 изображена кривая, характеризующая ток-напряжение при низкойтемпературе; на фиг.2 - то же, в момент образования омического контакта,т.е. при температуре, соответствующейтемпературе плавления эвтектики.Предлагаемый способ измерения осуществляется следующим образом.На чистую поверхность исследуемогополупроводника , с предварительно иэготовленньи к нему смическим контактом, наносят металл. Структуру616598 тонкими слоями металлов, так как назависимость тока от напряжения структуры металл-полупроводник не влияеттолщина слоя металла,Формула изобретения Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе: 1. Захаров А.М. Диаграммы состояния...

Номер патента: 616600

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Долгих, Плоткина, Румма, Таратута, Цзин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, тиристоров

...электродов управления применения сложной методики регистрации рекомбинационного излучения из неметаллизированной границы раздела управляющий электрод- катод и может использоваться только на открытых структурах, не заключенных в корпус.Наиболее близок к предлагаемому изобретению способ определения качества "изготовления тиристоров, вклю-чающий измерение отпирающих тока и 10 напряжения управляющего электрода, а также измерение потерь энергии в тиристоре в процессе включения при протеканииузкого импульса анодного тока. 15Однако при таком способе отсутствует критерий оценки качества изго- товления электродов управления, так как измеряют потери в тиристоре для одного произвольно выбранного ф значения напряжения на управляющем электроде,...

Номер патента: 619877

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Кернер, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, отбраковки, транзисторов

...да ной зависимости.Способ отбраковки мощных транзист ров опробован на транзисторах типов КТ 904 и КТ 912,овэтот способ может быть осутолько при наличии дорогой дна вле619877 Формула изобретения 07 Составитель Т.ДозоровТехред Э.Чужих Корректор И.Гокс Л.Батанова еда аз 4500/ НИИПИ Го Тираж 1112 Подписноедарственного комитета Совета Министров ССС/5 по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4 илиал ППП Патент, г,Ужгород, ул.Проектная,4 Транзисторы включают по схеме с ОБ. При заданном токе1 й коллектора для транзисторов тийа КТ 912 напряжение ц на коллекторе плавно увеличиКвается до 30 В. Это обеспечивается включением в коллекторную цепь генератора пилообразных импульсов напряжения с длительностью импульсов 1 и50 мсек....

Номер патента: 623166

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Валентеюс, Григас, Станкевичюс

МПК: G01R 31/26

Метки: вольтамперной, крутизны, полевых, транзисторов, характеристики

...Каунас, 1972, с. 306-311,вторым входом схемы сравнения, а выход схемы сравнения соединен с управляршим входом генератора переленного напряжения.На чертеже представлена структурная схема устройства.Устройство содержит источник 1 напря жения стока через контактную годовку 2 подключенный к стоку измеряемого пойевого транзистора 3, генератор 4 переменного напряжения, через контактную головку 2 подключенный к эатвдру,полевого транзистора 3, схему 5 йзмерения переменной составляющей тока с 1 она, блок 6 задания уровня тока стока, последовательно соединенные. преобразователь 7 тока стока, схему сравнения 8 и управляемый источник 9 напряжения затвора. Вых,од схемы сравнения 8 соединен с управляющим входом генератора 4 переменного напряжения, а...