G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Страница 16

Устройство для моделирования полевого транзистора

Загрузка...

Номер патента: 918902

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Курганов, Троицкий

МПК: G01R 31/26

Метки: моделирования, полевого, транзистора

...6 соединены с шинами управления 12 и 13. Вина 12 позволяет регулировать крутизну, а шина 13 пороговое напряжение моделируемого полевого транзистора.Устройство работает следующим образомПри нулевом напряжении на клемме 9 затвора выходное напряжемие дифференциального усилителя 3 усиливается равным пороговому напряжению выходного полевого транзистора 2 путем подачи напряжения на шину 13. Это напряжение передается через блок защиты 7 на затвор выходного полевого транзистора 2, Далее, с помощью управляющего напряжения, подаваемого на шину 13, на выходе блока 6 выставляется напряжение, равное пороговому напряжению моделируемого полевого . транзистора, принимая за нулевой уровень отсчета ранее установленное напряжение.После подачи...

Устройство для измерения теплового сопротивления тиристора

Загрузка...

Номер патента: 918903

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Бренцис, Лейманис, Узарс, Феоктистов

МПК: G01R 31/26

Метки: сопротивления, теплового, тиристора

...вход которой соединен сзистора 14 дифференцирующей цепочвыходом второго дифференциального уси- ки 11.лителя, третий выход блока управления . Состояние тиристора 1 в процессе соединен с входом генератора импуль- выполнения измерений поддерживается сов, при этом управляемая дифференци" во включенном состоянии от источни 45рующая цепь содержит конденсатор, диск ка 5 стабилизированного измерительнои полевой транзистор, первая обкладка го тока. Процесс измерений заключает- конденсатора соединена с входом управ- ся в переменной подаче греющих и измерительных, а. также только измери"50тельных импульсов. При этом, разностьтемператур р-и-перехода тиристора 1 равляемой дифференцирующей цепи, исток и его корпуса фиксируется и...

Способ измерения коэффициента идеальности вольт-амперной характеристики диода

Загрузка...

Номер патента: 920581

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Ашмонтас, Лапинскас, Олекас

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-амперной, диода, идеальности, коэффициента, характеристики

...(ВАХ) диода путем подачи на него импульсов тока и измерения отклонения. реальной ВАХ от иде-.альной (1) .Однако этот способ позволяет измерять коэффициент идеальности ВАХ диода только при больших напряжениях, когда ток, текущий через диод, значительно превышает ток насыщения.Наиболее близким по техническс 1 й сущности к предложенному является способ определения коэффициента идеа льности ВАХ диода путем подачи на диод постоянного смещения, малого переменного напряжения и измерения дифференциального сопротивления диода при двух различных напряжениях смещения (2 .Однако точность данного способа снижается при малых смещениях, ког.па ток, текущий через диод, не пре" вышает тока насыщения. Кроме того, известный способ требует измерения...

Устройство для сравнения вольт-амперных характеристик нелинейных элементов

Загрузка...

Номер патента: 920583

Опубликовано: 15.04.1982

Автор: Яшин

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-амперных, нелинейных, сравнения, характеристик, элементов

...входом элемента , обеспечивает цереобразующие полярности напряжения, что позволяет располагать кривые вольт-амперных характеристик .сравниваемых элементов в 1-ом и 1 И-ем квадратах обобщенной характеристики (фиг.2 в), для их 5 сложения с обратными знаками в блоке 7. С выходов элементов 4 и 6 преобразованный процесс (С) поступает на сумматор 7 и с него на формирователь 8. На сумматоре 7 выделяется резистный сигнал, который поступает на формирователь 8 (блок).Сформированные блоком 8 из непрерывного сигнала импульсы случайной последовательности поступают на один из входов элемента И 9На другой вход элемента 9 от генератора тактовых импульсов 10 поступают стробирующие импульсы длительности Т, равной времени анализа процесса. Сформиро"...

Устройство для испытания силовых транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 920584

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, силовых, транзисторов

...напряжениц а катод - к его положительному полюсу 7. Общие точки 8 и 9 каждой пары диодов подключены к точкам соединения эмиттеров и коллекторов 10 и 11 пар соединенных последонательно .,испытываемых транзисторов 12, 13 и 14, 15. Цепи база-эмиттер транзисторов соединены с блоком 16 управления.Между положительным полюсом 17 первого источника 18 низкого напряжения и отрицательным полюсом 19 второго источника 20 низкого напряжения включены пары испытываемых транзисторов. Отрицательный полюс 21 источника 18 соединен с положительным полюсом 7 источника б, а его отрицательный полюс 5 - с положительным польсом 22 источника 20.Источники низкого напряжения и источник испытательного напряжения выполнены по схеме, содержащей питаю щий...

Устройство для классификации силовых тиристоров

Загрузка...

Номер патента: 920585

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Миков, Осипов, Цетлин

МПК: G01R 31/26

Метки: классификации, силовых, тиристоров

...1 двухполярных импульсов высокого .напряжения, измерительный делитель напряжения на резисторах 2 и. 3, измери тельный шунт 4, инвертор 5, блоки б и 7 памяти, компаратор 8, блок 9 сравнения токов, блок 10 измерения напряжения класса, клеммы 11 и 12 для подключения испытуемого тиристо ра.Устройство работает следующим образом.По сигналу "Пускисточник 1 двух- полярных импульсов высокого напряжения вырабатывает один эа другим импульсы высокого напряжения, первый -менту срабатывания защиты, являет"ся величиной Члр тлм , Сигнал, пропорциональный Чпр пах снимается сделителя напряжения на резисторах2 и 3 и запоминается блоком памяти б.После срабатывания защиты по положительному значению тока (по токуутечки) источник 1 формирует...

Устройство для измерения параметров полупроводниковых вентилей

Загрузка...

Номер патента: 920586

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Беспалов, Мускатиньев, Петров

МПК: G01R 31/26

Метки: вентилей, параметров, полупроводниковых

...генератор 19 линейно нарастающего напряжения, второй компаратор 20 и сумматор 21.Устройство работает следующим образом,Величина опорного напрякения источника 16 устанавливается пропорционально значению тока уставки.При измерении величины. тока утечки уили обратного тока ай по сигналу "Пускфна первом выходе блока 17 управленияФормируется управляющий прямоугольныйимпульс, длительность которого пропорциональна амплитуде напряжения наиспытуемом приборе, при которой необходимо произвести измерение тока,При этом запускается генератор 19,выходное напряжение которого нарастает пб линейному закону с заданнойскоростью, это напряжение поступаетйа первый вход второго комаратора 20и через сумматор 21 подается на аналоговый вход балансного...

Устройство для контроля теплового сопротивления полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 922662

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Левина, Любельский, Пашенцев, Смирнов

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, сопротивления, теплового

...тока к клемме 12 при испытании тиристо а или к клемме 10 при испытании диода.Испытания диода и тиристора проводятся не одновременно, генератор н динамике ныполняет разные функции. При испытании тиристора термочувствительным параметром является разностьпотенциалов анод-кода при пропускании управляющего, тока, которая далее 40 поступает н дифференцирующий блок 3. В этот момент других напряженйй к 30 прибору не прикладывается, т,е. внеш 55 60 65 М 340984,кл.С 01 К 31/26,1970 (прототип),ного напряжения, и дешифратор, выход которого соединен с индикатором,введены дифференцирующий блок и блок измерения интервалов времени, причем клемма для подключения анода исследуемого полупроводникового прибора соединена с входом дифференцирую" нее Пд...

Устройство для измерения концентрации примесей в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 924634

Опубликовано: 30.04.1982

Автор: Усик

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: концентрации, полупроводниках, примесей

...6они смешиваются на нелинейной емкости образца и на малом реактивном сопротивлении блока 23 выделяется наЯпряжение Ч- М " - ф М Х (5)Сгде 1 = Г- Г,Й - концентрация примесей. 5 9246на сигнал проводимости, т.е. на выходе его регистрируют сигнал, пропорциональный проводимости С испытуемого полупроводника 6. Сигнал,пропорциональный емкости С полупроподника 6, поступает с детектора 10на вход усилителя 11 постоянноготока, на второй вход которого поступает опорный сигнал с задатчика 26, Разностный сигнал усиливает 1 оусилитель 11 и через ВС-фильтр 12подает его на вход усилителя 3,Обозначим амплитудные значениянапряжения сигнала на выходе усилителя 4 через Ч, на выходе синхронного детектора 10 - Ч , на выходесинхронного детектора 13 - Ч...

Измеритель электрофизических характеристик мдп-структур

Загрузка...

Номер патента: 924635

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Мартяшин, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: измеритель, мдп-структур, характеристик, электрофизических

...ко велик туры пра ктрика. едол струк диэле Слтельно, в ре а напряж онного усили емени д 1имсмещся Р+йаТаким образом достигается компенсация емкости диэлектрика С 1.Аналогично компенсируется емкость диэлектрика и для интервала времени Ь, ,е. выходное напряжение операционного усилителя 7 не зависит от параметра С при подаче на ИДПструктуру 6 воздействия любого вида.После того, как емкость диэлектри. ка С,1 скомпенсирована, начинается процесс снятия С-С-Ч-характеристик.Обеспечение компенсации влияния напряжения смещения О ена режим работы операционного усилителя 7 по постоянному току достигается при помощи блока 19 компенсации напряжения смещения, состоящего из интервала 20, регулируемого сопротивления 21 и ключа 22.На регулируемое...

Устройство для измерения крутизны характеристики полевых транзисторов в импульсном режиме

Загрузка...

Номер патента: 924636

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Бингелис, Клебанский, Шпаков

МПК: G01R 31/26

Метки: импульсном, крутизны, полевых, режиме, транзисторов, характеристики

...приведена структурнаясхема предлагаемого устройства;. нафиг.2 - эпюры, поясняоцие работупредлагаемого устройства.45Устройство содержит генератор 1переменного напряжения, источник 2напряжения затвора, исследуемый транзистор 3, импульсный источник 1 напряжения стока, измеритель 5 переменного напряжения, формирователь 6задержанных импульсов, элемент 7 задержки, резистор 8 нагрузки, сумматор 9, блок 1 О памяти и клеммы 1113 для подключения исследуемого тран зистора.Устройство работает следующим образом,6 фИмпульс напряжения, равный по дли тельности импульсу напряжения стока с маломощного выхода импульсного истоцника 1 напряжения стока О , поступает на вход формирователя 6 задержанных импульсов прямо и через элемент 7 задержки. Передний...

Устройство для измерения характеристик переключающих диодов

Загрузка...

Номер патента: 928265

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Приходько, Чеснис

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, переключающих, характеристик

...лучаосциллографа 1 О, который вырабатывает импульсы напряжения, сдвинутые по отношению начала Формирования импульсов на выходах генераторов 2 и 11. Величина этого сдвига вырабатывается большей продолжительности переходных процессов 35в измерительной цепи. При этомсумма сдвига и. длительности импульса, вырабатываемого модулятором 9,не превышает длительность любогоиз импульсов, поступающих от генеораторов 2 и 11. При поступленииимпульса от модулятора 9 на вход2 осциллографа 10 на экране последнего появляется светящаяся точка.Ее координаты пропорциональны 45напряжению на исследуемом элементеи току через него.От генераторов импульсов 3 и 4через сумматор 24 на вход измерительной цеи (22 и 23) поступаютпрямоугольные импульсы, сдвинутыекак...

Устройство для определения перегрузочной способности тиристоров

Загрузка...

Номер патента: 928266

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Боронин, Гуреев, Гусев, Моисеев

МПК: G01R 31/26

Метки: перегрузочной, способности, тиристоров

...17 и 18 к прохождениюследующего импульса тока перегрузки,а именно: код, содержащийся в счет-.чике 17, переписывается в счетчик 18,а в сетчик 17 записывается число И,соответствующее предельной разностивремен выключения времени остывания) тиристора. На другой вход элемента 12 совпадения подключен автономный источник 14 опорного сигнала, в качестве которого можетбыть использован кварцевый генератор опорной частоты, При совпадениисигналов на входах элемента 12 с еговыхода на вход вычитающего блока 15поступают импульсы стабильной частоты, задаваемой источником 14,причем число импульсов связано с длительностью времени остывания. В вычитающем блоке 15 эти импульсы поступают на первые входы счетчиков17 и 18, которые управляются элементом 16,...

Устройство для контроля стабилитронов

Загрузка...

Номер патента: 932431

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Кисляков, Обадин

МПК: G01R 31/26

Метки: стабилитронов

...8 объектов контроля контролируемого стабилитрона блок управления ( не показан) открывает на короткое время первый клюц ч, Синусоидальное напряжение с генератора 1 синусоидального45 напряжения поступает на суммирующий блок 5, где суммируется с сигналом постоянной составляющей блока 2 задания режима и переменной составляющей синусоидального напряжения, поступающей с генератора 1 синусоидального напряжения через управляемый делитель 3 напряжения и второй ключ 11. Суммарное напряжение поступает на вход преобразователя 6 напряжение-ток, где 55 преобразуется в переменный ток с постоянной составляющей. Этот ток,проходя через выводы стабилитрона, вызыаает эффект фриттинга, повышающийкачество контактирования стабилитрона с коммутатором 8...

Устройство для обработки информации

Загрузка...

Номер патента: 932432

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Алгулиев, Каджар, Махмудов, Эминов

МПК: G01R 31/26

Метки: информации

...последовательного и выборочного опросов. После включения питания, нажатием кнопки "Сброс" устанавливаются в исходное состояние регистры 25 сдвига, дополнительный регистр Ж, счетчик. 16, а триггер17 управления - в .нулевое состояние.бели требуется осуществить режим последовательного опроса, то подачей сигнала на вход элемент 8 ИЛИ приводится в нулевое состояние ( или подтверждается) триггер 17 управления через третий элемент ИЛИ 18 и через первый элемент ИЛИ 8 включается тактовый генератор 1 и мультивибратор 9. Запускаются регистры 2 и 5, которые последовательно подключают элементц фотоприемной матрицы 20 к считывающему устройству 12. Каждым им" пульсом .тактового генератора 1 мультивибратор 9 вырабатывает импульс, который подается...

Устройство для измерения импульсных вольт-амперных характеристик полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 935835

Опубликовано: 15.06.1982

Автор: Файнберг

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вольт-амперных, импульсных, полупроводниковых, характеристик

...подсоединены ко входам стробоскопического осциллографа 5, коак"сиальную измерительную линию 6 за-.держки и исследуемый образец 7. Параллельно входам осциллографа 5 подсоединены две идентичные коаксиальные линии 8 и 9 задержки, нагружен 5 4ные на активные сопротивления 10 и11, а выходы осциллографа 5 подключены ко входам двухкоординатногосамописца 12. Вход синхронизации осциллографа 5 соединен с выходом генератора 1,Устройство работает следующим образом,Импульс от генератора 1 через линию 2 задержки поступает на входырезистивных зондов 3 и 4, где раз"деляется на три части. Первые два импульса через реэистивные зонды 3 и4 поступают на входы линий 8 и 9 задержки, а третий импульс подаетсянепосредственно на вход линии 6 за"держки....

Устройство для измерения и контроля параметров полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 938216

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Масленников, Романов, Фельдман

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...нарастаниянапряжения сети, Напряжение на выходе источника2 напряжения, а следовательно, наиспытуемом приборе увеличивается.При достижении обратного тока илитока утечки через испытуемый приборщ 15 установленного предельного значения,с помощью блока 9 предельноготока срабатывает компаратор 6, навыходе которого формируется сигнал,поступающий в блок 7 управления.Сигнал с входа регулятора 1 напряжения снимается, регулятор 1 напряжения запирается, тем самым снимается напряжение с испытуемого прибора 15Одновременно с увеличением напряжения на испытуемом приборе 15, напряжение с делителя 3 с необходимымкоэффициентом запаса поступает навход расширителя 11 импульсов,а сего выхода, расширенный по длительности импульс поступает на...

Устройство для нагрузочных испытаний силовых транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 938217

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: испытаний, нагрузочных, силовых, транзисторов

...8 и 9 с диодами ячейки 4 подключены анодными концами к отрицательному полюсу источника 2 постоянного напряжения, а катодными концами - к положительному полюсу. Ветви 14 и 15 с испытываемыми транзистора" ми ячейки 7 подключены к цепи последовательно соединенных источников 1, 2 и 3 постоянного напряжения. Схемные ячейки между собой включены последовательно так, что концы ветвей 14 и 15 с испытываемыми транзисторами ячейки 4 соединены с концами ветвей 8 и 9 с диодами ячейки 5 и т.д, При этом образуются два кон.9382 15 5тура из последовательно соединенныхиспытываемых транзисторов и диодов.Первый контур включает приборы16 и 10 всех ячеек, второй - приборы18 и 12, третий - приборы 11 и 17,четвертый - приборы 13 и 19. Первыедва контура...

Способ контроля качества соединений элементов конструкции теплозащищенных полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 938219

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Беляков, Голубев, Грицевский, Груздев

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, теплозащищенных, элементов

...Вп, =80 оС.Схема содержит резисторы 1 и 2, величина сопротивления каждого из ко. торых равна (1/2 Йп) - половине соб-. ственного теплового сопротивления терморегулятора, резистор 3 (Й) - контактное сопротивление терморегулятор-полупроводниковая структура, В.п - тепловое сопротивление, равное Йп, = 1/2 В., + В емкость 4, Сптеплоемкость термор.гуля 1 ора, резистор 5 и емкость 6 йт и Ст - тепловое сопротивление и теплоемкость полупроводниковой структуры, соответственно, Чт - мгновенный перегрев терморегулятора, Чп - мгновенный перегрев полупроводниковой структуры.1 В реальном теплозащищенном приборе выполняются следующие соотношения:й йт; СС,; "-т 1 где п - пк Сп а Тт = йт СтПусть в произвольный момент времени С = С; полупроводниковая...

Устройство для измерения дифференциального коэффициента передачи тока транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 938220

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Бингелис, Пукянец

МПК: G01R 31/26

Метки: дифференциального, коэффициента, передачи, транзисторов

...передачитока транзисторов, содержащее источник постоянного тока, выход которого соединен с клеммой для подклюце20 аказ 4455/70 Тираж 717 Подписно ВНИИ иал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектн 5 9382 чения и при соответствующей калибровке определяется путем. измерения данного периода.Для обеспечения высокой точности измерения необходимо, чтобы изменение з периода следования импульсов низкочастотной составляющей от периода к периоду была незначительной.Предлагаемое устройство позволяет повысить точность измеренияпо грешность измерения составляет +154) и расширить динамический диапазон измерения, так как обеспечивает прямую шкалу измерения при постоянной амплитуде низкочастотной 15 составляющей тока коллектора, а также повысить...

Камера для измерения параметров свч-двухполюсников

Загрузка...

Номер патента: 943611

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Большакова, Сурин

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: камера, параметров, свч-двухполюсников

...арсенид индия, с помощью данной камеры осуществляется следующим образом.Измерением частоты СВЧ-сигнала генератора на измеряемом образце 13 устанавливается резонанс последовательного контура по минимуму мощности, проходящей в нагрузку. В этом случае последовательное эквивалентное сопротивление образца равноК = - у -2 1т где Е - волновое сопротивление отрезка коаксиальной линии,Т - коэффициент передачи,т =",Ргде Р 1 - мощность в нагрузке приотсутствии образца в линиипередачи;Р 2 - мощность в нагрузке при услоусловии последовательногорезонанса контура.Емкость С образца вычисляетсяпо значению эталонной индуктивности1. и частоты последовательного резонанса15 в Ь9Таким образом определяются параметры последовательной эквивалентнойсхемы...

Устройство для измерения коэффициента усиления по току транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 943612

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Васильев, Золототрубов, Осьминин

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, току, транзисторов, усиления

...содержащее управляемый источник эмиттерного тока, источник коллекторного напряжения, преобразователь тока59тока коллектора в базовую цепь, т,е.этот ток не влияет на величину на пряжения К ьц.С выхода блока 6 в блок 7 регистрации поступает импульс напряженияЦо, пропорциональный постояннойсоставляющей базового тока испытуе"мого транзистора1 эо -авэо1+1"в. 1 ВО К Оогде )с - коэффициент усиления преоб-разователя 3;1 - ток эмиттера,Таким образом, предлагаемое устройство позволяет одновременно измерить параметры Ь,В и Ь 21 в одномцикле измерения, что расширяет егофункциональные возможностиКроме того, предлагаемое устройство позволяет производить измерение параметра Ь 2 в на модулирующемсигнале любого вида, например в виде последовательности...

Измеритель заряда переключения транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 945828

Опубликовано: 23.07.1982

Автор: Иванютин

МПК: G01R 31/26

Метки: заряда, измеритель, переключения, транзисторов

...выборе амплитуды импульсов генератора 1 и величин сопротивлений резисторов 14 и 15не входят в режим насыщения. Предотвращение насыщения транзисторов переключающей схемы исключает накоплениев них значительных зарядов, обеспечиваякороткое время переключения испытуемыхтранзисторов. Последнее позволяет повысить точность измерения заряда переклктчения за счет снижения рекомбинацийчасти носителей заряда переключения втечение времени переключения,Для снижения погрешности. измерениязаряда переключения, связанной с перезарядкой емкости эмиттерного перехода)третьего транзистора 13 сопротивлениеК резистора 15 выбирается в соответствии с формулой где Я - сопротивление первого реэистора 14;- напряжение первого источниэ.ц - амплитуда импульсов генерв...

Устройство для неразрушающего контроля полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 947791

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Дроздов, Патрин, Подольный, Савотин

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: неразрушающего, полупроводниковых, структур

...контроли руемой структуры.Функциональная схема устройства приведена на чертеже.Устройство содержит источник 1 света, луч которого проходит через 35 оптический модулятор 2, блок 3 управления, отклонякщую призму 4 с объективом 5, которые синхронно перемещаются по горизонтали механизмом б перемещения, электролитическую 4 О кювету 7, состоящую из прозрачного стекла 8 с нанесенным на него электродом 9 съема Фото-ЭДС в виде сетки и заполненного электролитом 10 корпуса 11, в котором Фиксируется 45 контролируемая структура 12. Кювета 7 перемещается механизмом .б в вертикальном направлении. Синхродетектор 13 подключен к структуре 12 клеммой 14 и к электрОду съема Фото-ЭДС- клеммой 15, блок 16 регистрации, клем му 17 дПускдУстройство...

Устройство для испытания транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 947792

Опубликовано: 30.07.1982

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, транзисторов

...элемента 7, выход которого подключен к входу блокировки источника 2 а также через ключ 8 с входами второ го порогового элемента 9 и инвертирующего усилителя 10. Выход последнего подключен к суммирующему входу генератора 1 тока эмиттера.Устоойство работает следующим образом.В исходном состоянии сигналом "Сброс" выключаются пороговые элементы 7 и 9, размыкается ключ 8. Затем последовательно подают на вход генератора 1 тока эмиттера управляющее напряжение такой величины, чтобына его выходе и соответственно через переход эмиттер - база испытуемого транзистора протекал ток, равный задаваемому току коллектора, включают источник 2 коллекторного напряжевия и замыкающий ключ 8. В результате того, что испытуемый транзисторпосле включения...

Устройство для измерения комплексных у и s-параметров линейных четырехполюсников

Загрузка...

Номер патента: 949545

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Диденко, Жеребцов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: комплексных, линейных, с-параметров, четырехполюсников

...определенной про грамме к источнику 19 питания. При этом опорный вход векторного вольт" метра 14 при прямом и обратнбМ включении четырехполюсника 2 постоянно . подсоединен к источнику 13 напряже 65ния переменного тока и регистрирует напряжение.на его выходе. В прямом включении четырехполюсника вольтметр 14 измеряет напряжение Е, а . при обратном включении - Е,При срабатывании управляемых ключей 4, 7, 9 и 10 сигнал от источника 13 напряжения переменного тока через контактны управляемого ключа 4, образцовый резистор 15 и контактны управляемого ключа 10 подается на вход четырехполюсника 2, выход которого нагружается на резистор 18, подключаемый к корпусу через контакты управляемого ключа 7 и нормально замкнутые контактны управляемого...

Способ неразрушающего определения предельной для тиристора скорости нарастания анодного тока

Загрузка...

Номер патента: 949554

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Боронин, Гусев, Дерменжи, Думаневич, Соков, Тестоедов, Чесноков

МПК: G01R 31/26

Метки: анодного, нарастания, неразрушающего, предельной, скорости, тиристора

...4 ь изобретения - повышение точности и производительности нераэрушающего определения предельной длятиристора скорости нарастания анодного тока во всем диапазоне рабочихтемператур (до 125 О С) . 5Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу, включающему пропускание через тиристор импульсов силового тока возрастающейамплитуды, пропускание в момент про- (Охождения импульсов контрольного тока,величина которого превышает ток утечки тиристора, измерение временноготермочувствительного параметра, контрольный ток пропускают через управляющий и анодный электроды тиристора и измеряют время восстановленияблокирукщих свойств р-и-р-транзисторной секции исследуемого тиристора.,используемое в качестве термочувстви тельного...

Устройство для измерения неравномерности коэффициента передачи тока транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 949555

Опубликовано: 07.08.1982

Автор: Попов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: коэффициента, неравномерности, передачи, транзисторов

...4 нарастающего тока, заземленный через токосъемыый резистор 5, К клемме б коллектора транзистора подключен источник 7 напряжения коллектора контролируемого транзистора, блокирующий конденсатор 8, с помощью которого коллектор транзистора заземляется по переменному току. Клемма 9базы испытуемого транзистора заземлеыа через токосъемыый резистор 10,сигнал с которого после усиления вусилителе 11 подается через ключ 12и детектор 13 на вход измерителя 14отношения, а через пиковый детектор15 - ыа второй вход измерителя отношения, ыа выходе которого включен измерительный прибор 16. Управляющий вход ключа 12 соединен с токосъемыым 51015 25 30 35"ку задаются с помощью источника 7 напряжения коллектора и генератора 4 нарастающего тока в цепи...

Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых р-п переходах

Загрузка...

Номер патента: 951198

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Ромейков, Семушкина

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходах, полупроводниковых, р-п

...Кроме того, укаэанный способ не позволяет проводить измерения времени жизни Ф неосновных носителей заряда при вы- . соких уровнях инжекции, так как прибольших активных токах погрешностьизмерения емкости известными способами становится очень велика.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах, основанный на использовании зависимости переходныххарактеристик от этого времени и заключающийся в том, что по осциллографуустанавливают нулевую длительностьвершины импульса обратного тока и 15 измеряют сопротивление цепи в прямомили обратном направлениях, по которому определяют искомое время жизни 23. 20Недостатками известного...

Устройство для измерения и регистрации напряжения лавинного пробоя р-п переходов

Загрузка...

Номер патента: 951199

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Романенко, Шиянов

МПК: G01R 31/26

Метки: лавинного, переходов, пробоя, р-п, регистрации

...и источник тока 5 образуют схему управляемогоисточника питания, Выходы фаэовращателя 2 и полосового усилителя бподключены ко входам фазочувствительного детектора 7, выход которого соединен со входом интегратора 8,подключенного своим выходом к управляющему входу аттенюатора,Выход смесителя 3 подключен кпоследовательно соединенным заграждающему фильтру 9 и регистратору10, а также к одной иэ клемм 11 дляподключения испытуемого перехода,а другая клемма 12 соединена с комплексной нагрузкой 13 и входом полосового усилителя б,Устройство работает следующим образом.Постоянный ток, выдаваемый источником 5 тока, проходя управляемыйаттенюатор 4, смешивается в смесителе 3 с током от генератора 1 высокочастотного напряжения. Суммарныйток протекает в...