G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 1506401

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Криулин, Петров, Ушеренко

МПК: G01R 31/26

Метки: зависимости, координатной, светочувствительных, фотоэдс, элементов

...соответствующей точкам структуры с координагами (х .; Ь), Последовательное1повторение операций сканирования поверхности исследуемой структуры сфокусированным световым пучком и запись координатной зависимости сигнала фотоЭДС позволяют получить трехмерное иэображение распределенияфотоЭДС по поверхности структуры,Программойфиг.2) предусмотренолинейное сканирование сфокусированны;. пятном с прямоугольным растромповерхности светочувствительного элемента с числом элементов разложенияв строке М и числом строк Г 1.Блок 7 управления построчной координатной зависимости сигнала работает следующим образом. Параметр 1принимает численное значение 0",чтосоответствует нулевой строке сканирования. На выходе первого ЦАП 8 (входУ самописца)...

Номер патента: 1506402

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Горемышев, Григорьев, Резанов

МПК: G01R 31/26

Метки: высоковольтного, коэффициента, транзистора, усиления

...обусловленный нагревом испытуемого транзистора. Так как при 1= 0,5 1на переходной харак теристике напряжения легко выражены оба этапа процесса выключения транзистора, то в дальнейшем при уменьшении тока базы удается точнее установить режим, при котором время 50 рассасывания высоковольтного транзистора становится равным времени восстановления равновесного сопротивления коллектора. Длительность тока базы устанавливают не менее пяти значений времени жизни дырок в коллекторе (для п-р-и-транзисторов)5ля того чтобы измерение 61коэффициента усиления осуществлялось в условиях, близких к стационарным и ие приводящих к нагреву испытуемого прибора. Если 1 ( 5 , то возрастает погрешность определейия р из-за не- завершившихся переходных...

Номер патента: 1141869

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Гринсон, Гуткин, Метревели

МПК: G01R 31/26

Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней

...10 В, где О контактная разность потенциалов в исследуемом, образце. Следовательно, прототип.не позволяет без потери5 чувствительности исследовать глубокие уровни, сконцентрированные на расстояниях от границы раздела р- и и-областей в р-и-переходе ифметалл-полупроводник в барьере Шоттки, меньше 10 ширины слоя объемного заряда при напряжении смещения 10 В.Цель изобретения - повышение чув,ствительности.Поставленная цель достигается тем, 15 Мто в способе определения параметров глубоких уровней в полупроводниках включающем подачу на образец напряжения смещения и импульса напряжения, изменяющего напряжение смещения, и 20 компенсацию изменения емкости образца после окончания импульса напряжения путем изменения напряжения смещения, Перед...

Номер патента: 1389606

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Ермакова, Перов, Поляков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: большей, гетеропереходах, емкости, запрещенной, зоны, мдп-структурах, шириной

...при С =С н =и С=С ; ы, - значение чаетотымодуляции, выше которого величины .дч и ЛЧ не изменяют своего значеф,ния, 20П р и м е р. Способ используютдля определения емкости материала сбольшей шириной запрещенной зоныА 1 Са,Ая в гетеропереходе СаАзА 1 СаАя(Е=Е а,Аз=1,8 эВ, Е= 26=Е=1,43 эВ) с толщиной слояА 1 Са,.Аз2 мкм.ИсследуемыГ образец включают в измерительную схему последовательно семкостной нагрузкой С=С (фиг. 1) 301и освещают модулированным по интенсивности светом с энергией квантовР(М (Е)со стороны материала сбольшей шириной запрещенной зоны,При таком освещении свет поглощается только в материале с меньшей шириной запрещенной зоны.Освещение производят со стороныА 1 Са,Ая модулированным по интенсивности светом с энергией...

Номер патента: 1524017

Опубликовано: 23.11.1989

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: транзисторов

...ОТНРЦТИЯПРИ ГКНТ СССР 1793/24-2111,8711.89.Бюл.Турченков(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ (57) Изобретение отно измерительной технике чено для контроля тра Цель изобретения - по верности контроля пут напряжений между эмит Изобретение относитс технике и предназначено исправности транзистораЦель изобретения - и товерности контроля пут напряжений на базовых и переходах транзистора,На фиг.1 показана бл шиной, а вторыми выводами ственно с клеммами 2 и 3,имуму этои зависимостиапряжений между во транзистора при энзисторы исправны при вусловия 0ц, 0 9 Унапряже,ие междуэтого транзистора.152401 7 Формула изобретения Составитель В,Масловскедактор Л,Зайцева Техред М,Ходанич орректор М.Ша аз 7039/48 Тираж 714 ПодписноеНИИПИ Государственного комитета по...

Номер патента: 1534414

Опубликовано: 07.01.1990

Автор: Свирид

МПК: G01R 31/26

Метки: варикапов, параметров

...с переменным коэффициентом деления и формирователя информации о периоде колебаний, информационный вход преобразователя логарифмического декремента затухания во временной интервал совместно с информационным входом формирователя управляющих импульсов соединен с первым выходом измерительного блока, а третий управляющий вход преоб" разователя логарифмического декремента затухания во временной интервал подключен к третьему выходу генера .тора ударного возбуждения, четвертый выход которого соединен с первым входом формирователя информации о периоде колебаний, второй вход которого подключен к третьему выходу формирова 45 теля управляющих импульсов, информационный вход третьего синхронного демодулятора подключен к вьмоду первого...

Номер патента: 1545174

Опубликовано: 23.02.1990

Авторы: Аракелян, Мартиросян, Петросян

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, полупроводниковых, приборов

...предлагаемая конструк;.гия позволяет обходиться без контактиру 55 ющих устройств и вентиляторов, умень- шить габариты установки за счет .выс - вобождения рабочего объема от .их има пространств,.необходимьщ для свободного потока воздуха и обеспечения равномерности распределения температуры, а также уменьшить .расход сырья,материалов и электроэнергии.Испытание конкретного устройства на предполагаемое изобретение осуществлено на макете для про:ведения ЭТТ приборов с планарным расположением выводовУстройство работает следующим образом.При помощи нагревательных элементов осуществляется нагрев жидкости в резервуаре. В качестве жидкости используется вода, Образовавшийся пар заполняет камеры, герметично соединенные с резервуаром. Боковые стенки...

Номер патента: 1550443

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Колесников, Ловинский, Мусатова, Николаев

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, излучения, мощности, полупроводникового

...температуры диода засчет саморазогрева ЬТ определяетсяФормулой П р и м е р. На светоиэлучающий Диод. типа АЛ 107 Б подают прямоугольный жпульса тока силой 0,1 А и изМерюот временную зависимость напряжеИия на нем с помощью циФрового вольтметра Щ 15-13. Находят из нее максимальное значение напряжения на диоде О= 1,426 В и напряжение в стационарном режиме ц = 1, 386 В . Значения ф и Кт определяют одним из стандарти зированных методов, Для определения о измеряют напряжения на диоде при а 11двух значениях температуры.аТ1,83 мВ/К, где ЬП - изменение напряжения на диоде при изменении температуры на ЬТ. Для определения йтизмеряют приращение температуры р-иперехода диода в результате рассеивания в диоде определенной мощностипри обратном...

Номер патента: 1555692

Опубликовано: 07.04.1990

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: более, инверсным, коэффициентом, транзистора, усиления

...напряженияна выходе ключа 9 индикатор 10 указывает на брак. Например, загораетсясветодиод "Брак",1 ООпределение типа проводимости проверяемого исправного транзистора происходит в тот полупериод разнополярных импульсов, при котором проверяемый транзистор насыщается,Если к 15клемме ) подсоединена база, то напряжение между клеммами 2 и 3 равнонапряжению между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора, Приподсоединении к клемме 1 эмиттера 20или коллектора проверяемого транзистора напряжение между клеммами 2и 3 равно падению напряжения на базовом переходе, При малых токах базыоно всегда больше падения напряжения 25между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора. Таким образом, полярности напряжения с выхода генератора 4...

Номер патента: 1555693

Опубликовано: 07.04.1990

Автор: Григорьев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: высоковольтного, коллектора, транзистора, ширины

...и коллектором от уменьшающегоока базы при пропускании постоянтока коллектора, устанавливаев диапазоне 0,05-0,1 от предельопустимого, Ширину коллектора дят по значениям коэффициентов усиления по току транзистора,ветствующим двум изломам на зав мости коэффициента усиления потранзистора от напряжения междулектором и эмиттером, использутематическую формулу, приведенописании изобретения, 1 ил. где Ь - отношение подв ронов и дырок; г - коэФФициент пе ранов в базе н жимов усиления=х/1 х-,ширина модуобласти в ко циент усиления высоковольтногоанзистора имеет два граничных знания, Действительно, если ток базы5залось равным 15 10с, то Ь =- 162 мкм. Получают сд = 137 мкм,1555693 6зависимость коэффициента усиления по току транзистора от напряжения...

Номер патента: 1559319

Опубликовано: 23.04.1990

Автор: Малецкий

МПК: G01R 31/26

Метки: диодных, матриц

...и контроляпрямого падения напряжения, Аналогично производится проверка третьего ичетвертого диодов. По пятому тактовому импульсу генератора 8 импульсов блок 6 синхронизации выдает сигнал и первый коммутатор 2 для подктпочения всех первых выводов контролируемых диодов 3 к генераторутока. При этом производится контрольразбаланса тока Т всехвозможных 45параллельно включенных пар диодовв диодной матрице, причем вывод одного иэ диодов пары подключается кобщей шине, а вывод второго диода -к входу блока 7 контроля тока. . 50Составитель В,Сум Изобретение, позволяет повыситьпроизводительность и достоверностьконтроля диодных матриц. 15 формула изобретении Устройство для контроля диодных матриц, содердащее генератор импульсов, генератор тока,...

Номер патента: 1559320

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Кривун, Крутов

МПК: G01R 31/26

Метки: индикатор, полупроводникового, прибора, пробоя, теплового

...герметичнуюоболочку 1, выполненную из полихлорвинила и заполненную нашатырнымспиртом 2 теплового пробоя полупроводниковыхприборовЦель изобретения - расширение функциональных возможностейиндикатора за счет индикации теплового пробоя полупроводникового прибора, недопустимого для визуальногонаблюдения. Индикатор теплового пробоя полупроводникового прибора содержит термоиндикатор плавления изполихлорвинила, выполненный В Видегерметичной оболочки, наполненнойнашатырным спиртом, Расплавлениеоболочки при тепловом пробое прибора приводит к испарению нашатырногоспирта, появление запаха которого Индикатор располагается на верхности полупроводникового3. При тепловом пробое приб рметичная оболочка 1 расплав ся и нашатырный спирт испаряет...

Номер патента: 1387672

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Молочников, Шалейко

МПК: G01R 31/26

Метки: варикапов, параметров

...иэ емкости варикапа 4 С и индуктивностиЬ1.: Ъг С,Измерение добротности варикапа 4 и значения его емкости производят следующим образом.С помощью коммутатора 9 подключают выход детектора 13 к первому входу блока 1 О деления, а выход детектора 7 - к второму входу блока 1 О. Устанавливают на выходе генератора 11 (на входе линии 6) напряжение высокой частоты заданного уровня, 35 который поддерживают постоянным.По отношению напряжений5 и 1 Хв определяют блоком 10 деления входное сопротивление коаксиальной линии 40Я -- -Ур0 Вх 6, 1 Б (7)вХ ив 5 ИВх 5 6Изменяя емкость конденсатора 2,устанавливают входное сопротивлениелинии 1, равное заданному емкостномусопротивлению исследуемого варикапд 4что обеспечивает измерение.добротности варикапа 4...

Номер патента: 1589223

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Долганин, Тулубенский

МПК: G01J 1/04, G01R 31/26

Метки: коэффициента, между, многоэлементного, связи, фотоприемника, фотоэлектрической, чувствительными, элементами

...элементов и расстоянием между центрамищелей (Фиг.2) в соответствии с соотношением Изменяя размер д, можно регулировать период интерференционной картины, что позволяет измерять коэффициент ФЭС у МФП 5 с различным периодом расположения элементов,Закон распределения облученности интерференционной картины в пределах чувствительных площадок МФП 5 близокк синусоидальному (с амплитудой, изменяющейся не более чем на 2 Х, и постоянной составляющей, практическисовпадающей по величине с амплитудой), если ширина щели Ь ( О, 12й/Х,где И - число измеряемых элементовМФП. В этом случае величина коэффициента засветки Кв пределах Н 1 0чувствительных элементов практически постоянна и близка к минимальновозможной для данной топологии чувствительных...

Номер патента: 1596287

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Ахтямов, Измайлов, Кутлин

МПК: G01R 31/26

Метки: аппаратуры, надежности, радиоэлектронной, элементов

...балластной нагрузки 5 и широкополосного усилителя 6, к выходу которого подключены последовательно соединенные детектор 7, ннтегрирукщее звено 8, блок9 компенсации, выходной индикатор 10.Вторые выводы балластной нагрузки 5широкополосного усилителя 6 и ключа2 соединены с общей шиной устройстваи блока 11 формирования деформирующей нагрузки, механически соединенного с контролируемым элементом 3,Процесс измерения осуществляетсяследующим образом,87 6 фо р мул а 515962При отсуствии деформирукщей нагрузки ключ 2 отключает источник 1постоянного тока от контролируемогоэлемента 3На выходе измерительноготракта, состоящего из широкополосного усилителя 6, детектора 7 и интегрирующего звена 8, формируется сигнал, обусловленный тепловым...

Номер патента: 1612268

Опубликовано: 07.12.1990

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов

...выход генератора 4 соединен с щупом 1, а между вторым выходом генератора 4 и земляной шиной включен элемент 5,1 индикации.Устройство работает следующим образом.На первом и втором выходах генератора 4 формируются импульсные последовательности в противофазе с уровнями,акаэ 3829 Тираж 560 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 здательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина,оизводств соответствующими нулевому напряжению, и например, положительному напряжению Е,При проведении контроля биполярного транзистора последний своими тремя выводами подключается к щупам 1-3. При этом база транзистора подключается к щупу 1, а коллектор и эмиттер соответственно,...

Номер патента: 1626189

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Беляков, Ермина, Мартяшин, Чураков

МПК: G01R 27/02, G01R 31/26

Метки: варикапа, напряжение, параметров

...на выходе блока б повторяет напряжение на выходе усилителя 2, поступает на аналоговый входблока 11 и под действием управляющихимпульсов с генератора 4 преобраэует -ся в напряжение типа меандр с амплитудой, определяемой суммой сопротивлен:й г и К варикапа 1:г+К+Е (- --- 1 КТ( е с (К+О 5)То К )фО9 ) установившееся знаене выходного напряжения усилителя при ТАКС;сопротивление утечки;сопротивление растекания;емкость варикапа 1;значение сопротивления спорного резистора 17 СК Г,щ Мархи г+В-Е ( -- ) (К+О 5)Тс с с (К+1)Т,о К 0Фриоде представляет собой остроконечные импульсы30 Разность выходных напряжений усилителя 2 и блока 11,на выходе вычитающего усилителя 7 в каждом полупе 2 Е --- ехр(-г./КС) КТ с С с (К+0,5)Т,о Куо ЬУ 7 К-2 Е ехр(-г/КС),...

Номер патента: 1626220

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Гуревич, Синявский

МПК: G01R 31/26

Метки: включаемых, динисторов, реверсивно, структуры, температуры

...и катодом реверсивно включаемого динистора. Причем это напряжение измеряется при токе через прибор, лежащем в диапазоне (0,5 - 1,0) 10 от номинального тока накачки и совпадающем с ним по направлению. В этом диапазоне токов калибровочная зависимость напряжения анод - катод от температуры линейна и не меняется от прибора к прибору для реверсивно включаемых динисторов одной партии, 2 ил. цов РВД одного типа при измерительном токе 1 гя от чительно, а именно разброс го типа не превышает +.0,1 образом, с достаточной д применений точностью гра проводить на одном РВД для образцов данного типа ем а, что повышает прои способа.1626220 70 Измерение температуры осуществляется при уровнях тока в РВД, не изменяющих существенно концентрацию носителей в...

Номер патента: 1631473

Опубликовано: 28.02.1991

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: транзисторов

...испытуемый транзистор не подключен к клеммам 1 - 3 и на клемму 4 не подано напряжение от источника опорного напряжения, на четвертый вход 16 элемента 12 неравнозначности поступает напряжение с выхода источника напряжения, подключенного к клемме 30 через резистор 19, Через дели -. тель 9 это напряжение прикладывается к инвертирующему входу третьего компаратора, в связи с чем на его выходе формируется напряжение противоположной полярности.Элемент 12 неравнозначности Формирует на своем выходе напряжение положительной полярности, когда на его входах имеются напряжения разной полярности, и напряжение, близкое к нулю, когда на его входах напряжение одной и той же полярности. В рассмотренном случае на выходе элемента не- равнозначности...

Номер патента: 1636809

Опубликовано: 23.03.1991

Автор: Баканов

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, параметров

...тип контролируемого диода, а входам эадатчика 1 обратного напряжения и задатчика 2 прямого тока. Второй инфорвходу блока 13 управления. Первый выход допускового контроля, что приводит к уста 1636809значит, и величина обратного напряжения, допускового значения обратного тока, прямого тока, проходящего через контролируе- мый диод, и допускового значения прямого падения напряжения на этом диоде, При установленном диоде между клеммами 4 и 5 проходит обратный ток, который преобразуется преобразователем 9 ток - напряжение таким образом, что клемма 5 находится под нулевым потенциалом, Напряжение, пропорциональное току, проходящему через контролируемый диод с выхода преобразователя 9 ток - напряжение (фиг.2 к), подается на первый блок 11...

Номер патента: 1638681

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Стадченко, Титов, Харенжев

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп-структур, параметров

...сдвоенного компаратора 16, подключенного выходнойшиной к входу индикатора 18,Иа фиг,2 приняты следующие обозначения: сигнал 19 на выходе генератора1 высокой частоты; сигнал 20 на выходе генератора 4 развертывающегонапряжения; сигнал 21 на выходе блока12 формирования опорного напряжения;сигнал 22 на выходе детектора 8; сигнал 23 на выходе компаратора 3. Устройство для отбора радиационностойких МДП-структур работает следующим образом,Исследуемую МДП-структуру подключают к клеммам 2 и 3 (фиг.1). В исходном состоянии на выходе генератора 4 развертывающего напряженияимеется напряжение Б (фиг.2, сигнал20), при котором МДП-структура находится в режиме обогащения. Высокочастотный сигнал П, снимаемый с выхода генератора 1 высокой...

Номер патента: 1127488

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Андреев, Коньков, Теруков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: аморфных, запрещенной, зоне, плотности, полупроводников, распределения, состояний

...К Егде е - заряд электрона,Ч 1 - функция распределения плотности состояний в запрещенной зоне полупроводника,смэВэнергия, эВ;Ц(х) - профиль потенциала в ОПЗ,В.При приложении к структуре внешнего напряжения "-" на электроде 1,"+" на электроде 4 (см.фиг.1), происходит изменение профиля потенциала в полупроводнике, что иллюстрируется Фиг.З.При таком профиле потенциала плотность заряда в ОПЗ определяется выражением 25 Г.щ(х)На фиг. представлена исследуемая структура; на фиг.2 - профиль распределения потенциала в структуре с барьером Шоттки в отсутствии внешнего напряжения; на Фиг.З - профиль распределения потенциала при приложении к структуре внешнего напряжения; на Фиг. 4,5,6 - представлена временная диаграмма, разъясняющая порядок...

Номер патента: 1515969

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Василевская, Кива, Фролов, Хатунцев

МПК: G01R 31/26, H01L 27/14

Метки: заряда, переносом, структура, фоточувствительная

...промьшленно И 3, с, 19-22,Василевская Л,М, и д фоточувствительная ., ми зарядовой связью типа К тронная промышленность, с, 10-13,(54) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА ретения - сокращение рение процесса измеренияпередачи модуляцииредставлена предлагаая структура сдержит секцию 1ьными ячейками 2,истр 3, светоэащнтположенный над фоячейками 2, окнаане 4, которыекую последовате 515969 А 1 крытых фоточувствительных ся закрытых и равкрытых Фоточувстви ерным потоком оития в открытых фотоейках структуры ир е фотогенерируемьх По окончании ир- сформ эаствляет их неронс йству ирнпра, Сфор образом и сэевапакетов ирод тавсигалдктый подаче на фоточувстность структуры иэобвого автомата, уменьшается трудоемкость процесса измерения коэффициента...

Номер патента: 1647477

Опубликовано: 07.05.1991

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: исправности, транзисторов

...контролируемого транзистора к клемме 1 ток базы находился в диапазоне от 0,15 до 0,44 мА, в котором разность напряжений между эмиттером и коллектором транзисторов положительна и лежит в диапазоне от 20 до 60 мВ. Блок 10 контроля токов формирует на своем выходе напряжение положительной полярности при наличиии токов на обоих его входах, Если же ток отсутствует хотя бы на одном входе блока 10, то на его выходе напряжение отсутствует,Контролируемый транзистор произвольным образом подключается к клеммам 1-3. Если транзистор исправен, то при определенной полярности генератора 4, когда транзистор открыт, разность напряжений между любыми двумя его выводами по абсолютной велйчине превышает порог срабатывания блоков 5 - 7, и на их выходах имеют...

Номер патента: 1649473

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Долгов, Моторин, Рабодзей, Сычев

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, корпусу, кристалла, неразрушающего, полупроводникового, присоединения

...протекающего через р-и переход тока, процессор дает команду блоку 6 выборки-хранения запомнить мгновенное па деиие напряжения на р-и переходе, а аналого-цифровому преобразователю 5 - измерить его величину, Благодаря малому изменению падения напряжения на р-и переходе б,Н из-за нагрева последнего,(см. Фиг. 2 б), а также соответствующего выбора смещения разностного усилителя 7 и его коэффициента усиления напряжения на выходе блока 6 выборки-хранения находится в динамическом диапазоне второго аналогоцифрового преобразователя 5, чем и обеспечивается нормальная работа последнего (на фиг. 2 а представлена эпюра тока на р-и переходе), Измеренное значение падения напряжения на нагретом р-и переходе запоминается микроЭВМ 9. По измеренным...

Номер патента: 1652949

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Григолия, Русских

МПК: G01R 31/26

Метки: интегральных, линейных, параметров, стабилизаторов

...образом.Процесс измерения электрических параметров ЛИН состоит из нескольких этапов,На первом этапе устанавливается выходное напряжение ЛИН 14, Для этого устанавливается необходимое состояние регулятора 6, который представляет собой программируемый делитель, Требуемый коэффициент передачи делителя К рассчитывается по известной формуле где О 0 п - величина напряжения внутреннего источника опорного напряжения ЛИН;Овых - устанавливаемое выходное напряжение ЛИН. Затем на клемму 4 подается напряжение Овх,1 источника 12 напряжения, и на клемме 5 устанавливается выходное напряжение Л И Н 14 Овых. ъ Коммутатору 9 задается режим, пои котором его первый, второй входы соединены соответственно с первым, вторым входами АЦП 10, а третий вход...

Номер патента: 1384120

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Ждан, Омельченко, Рыльков, Шафран

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: заряда, инверсии, каналах, мдп, носителей, свободных, транзистор

...нс с амплитудой 11 В и частотой следования455 кГц от генератора на фоне постоян-ного смещения напряжения. Ток между.истоком и стоком регистрируют с по .мощью осциллографа со стробоскопическим блоком. Время нарастания пере-. 50ходной характеристики определяютвизуально по сигналу на экраие ос-,циллографа, которое составляет 40 нс,Максимальную амплитуду У периодических импульсов определяют поформуле2 1. 1 - ЕсЬУ.ии+макс-18%Ь фйа8 биагде- требуемая точность равнаяв примере 0,45,Г - уровень Ферми;Е - энергия края зоны основсных носителей;- элементарный заряд;. - толщина диэлектрика,1 а ; концентрация легирующейпримеси в подложке;.ЕА - диэлектрические проницаемости полупроводника идиэлектрика соответственно, .При этом параметры...

Номер патента: 1666990

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Головизнин, Деменин, Казанцев, Радзиевский

МПК: G01R 31/26

Метки: импульсным, перегрузкам, р-n-перехода, стойкости, электрическим

...со ступенчато возрастающей амплитудой и фиксируют параметры импульса, вызывающего разрушение, и величину напряжения лавинного пробоя, соответствующую критической температуре разрушения. Для определения изменений значений чувствительных к температуре параметров перехода за время воздействия импульса используют зависимость значений тока от напряжения. За счет нагрева перехода ветвь этой зависимости, соответствующая переднему фронту импульса, отличается от ветви, соответствующей заднему фронту импульса, Изменение напряжения лавинного пробоя измеряют по перегибам на графике зависимости, соответствующим переднему и заднему фронтам импульса (фиг, 2).Для определения стойкости обратно смещенного р-и-перехода в качестве чувствительного к...

Номер патента: 1204039

Опубликовано: 07.08.1991

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, мощности, рассеяния, транзисторов

...1. тоеоньй ключисточник напряжения 15 клемму пус-.Кя, б "1.П ГГрзоднког тК ОТСЕК За-д."."РЯНЗИСТСРЯ В ПРОТИВОПОЛОЖЕН .ИПУ ход к О т 0 Р с Г О с 0 е Д кн е ь с 11 е Р В ььа 1 ".хо"ДОМ схемы И ньгход которой чесез схему ИЛИ 5 соедкнек с упрднлио 1 цкм ВХОДОМ ГЕНЕПЯТОРЯ ГЧТНЬГХ КМГУЛа-.к -" упрднляющим Бх 0 дом Гене" ряторя тока 1, Выход которого СОЕДИНЕН С ГГЕРН 01 КЛЕММСй 1 (ДЛЯ ГГСДКЛЮЧЕНКЯ ЗМИТТЕРа ГГЗМЕР 5 ГЕИОГО транзкстсод21 Дтсрдя клем- МЯ 1 ОДля Г(одключенкя базы .; зменяд МО-.0 ТРДНЗ; ТРЯ 1 ОРД 11 НЕН.;. ":, "5теРОм понтсрктеля 13 к через токо огранкчкнаюв;ий Резистор 7 с базой ОТСЕК ЯЮЩЕ ГО ТРЯГНЗКСТОРЯ Я, ЗаГ".т"Е,: к 070 РОГО СОедкнек с выходом ксточ - НИКЯ НЯГ 10 яжения 1 Э Гао"ШЕКТОР СЕ- (Я 1 ЩЕГО 5 ЯЗС 0 СД Д...

Номер патента: 1137898

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: нагрева, полупроводниковых, приборов, структур

...Одциковых приборов, Обусловленная тем, что у теплоемких прибороводного типа, имеющих разброс теплового сопротивления, импульс греющей5мощности определенной формы и длительности будет вызывать различныйнагрев,Наиболее близким по своей технической сущности является способ нагрева структур теплоемких полупрово 1 никовых приборов, заключающийся вподаче на прибор серии импульсовпостоянной мощности с контролем величины нагрева структуры в паузах между импульсами и прекращение подачиимпульсов в момент достижения температурой нагрева структуры заданнойвеличины.20Недостатком этого способа являет-.ся низкая производительность нагрева,т.к. при нагреве структур полупроводниковых приборов импульсами постоянной мощности, нагрев приборов одноготипа,...