G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 334529

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Варгасов, Пдтейтно, Стальна

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: состояния, тиристора

...схематически изображено описываемое устройство.Устройство состоит из контролируемого тиристора 1, в цепь управляющий электрод- катод которого включен следящий триггер, собранный на транзисторах 2, 3, резисторах 4, 5 и диоде 6. Следящий триггер управляет ключом, выполненным на тоанзисторе 7 и реПри закрытом тиристоре 1 следящий триг гер находится в первом устойчивом состоянии, т. е. таком, когда транзистор 2 закрыт, а транзистор 3 открыт, следовательно, открыт транзисторный ключ на транзисторе 7, в результате чего закорочен конденсатор 10 цепью эмиттер-коллектор транзистора 7. Диод 11 закрыт напряжением Г/и на выходе устройства напряжение /,отсутствует. При подаче управляющего напряжения на тиристор 1 последний открывается. По цепи...

Номер патента: 335751

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ашмонтас, Репшас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/00

Метки: горячих, носителей, полупроводнике, температуры, эффективной

...щают щую Изобретопие относится к области использования горячих,носителей тока в полупроводникахх.Приборы, работающие на основе разогрева носителей тока электрическим:полем, широко 5 применяются в технике (например, генераторы, основанные на эффекте Ганна) .Важнейшим параметром, определяющим степень разогрева носителей тока электрическим полем, является их эффективная темпе ратура.Известен способ измерения эффективной температуры горячих носителей тока путем определения их термо-э.д.с.Этот способ имеет существенный недоста ток. Термо-э.д.с. горячих носителей тока возникает только при градиенте концентрация носителей тока, который обы шо создают легированием полупроводника, что является технологически сложным и трудноконтроли руемым...

Номер патента: 336620

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Зуев, Тодуа

МПК: G01R 31/26

Метки: iшш04кш, всесоюзная

...исто тиристо пульсов и монот пульсу напряж что, с ц иред и меряют рехода ченном ность и, ше пер Изобретение относится к области промышленной электроники и может быть использовано в радиотехнике, вычислительной технике и автоматике,Известен способ измерения напряжения включения тиристора, основанный на том, что на анод тиристора подают последовательность импульсов с постоянной для каждого импульса и монотонно меняющейся от импульса к импульсу амплитудой напряжения и измеряют напряжение включения.Однако точность измерения напряжения переключения тиристоров известным способом низка.Цель изобретения - повышение точности измерения,Достигается это тем, что перед измерением напряжения включения измеряют период квазирезонансной частоты...

Номер патента: 337738

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Урбонас

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, заряда, измеритель, переключения

...связи с выхода операционного усилителя на вход А в точке В устанавл 1- вается напряжение, равное задаваемому делителем,а переключеник тока, геульсов, двух- регулируемый смещения и ечивает высо 10овышение точности тет изобретения р Измерителсодержащий ключ аюших торную схем ник напряже Изобретение относится к техникмерений.Известный измеритель зарядния диодов, содержащий источнератор переключающих импдиодную детекторную схему,делитель, источник напряженияустройство индикации, не обеспкой точности измерений,Цель изобретения - пизмерений,Для этого в предлагаемом устройстве кточке соединения диодов детекторной схемы подключен инвертирующий вход операционного 15усилителя, другой вход которого связали с регулируемым делителем, соединенным с...

Номер патента: 340984

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бел, Пашенцев, Трицевский

МПК: G01R 31/26

Метки: классификации

...импулысного ключа б, п 1 ри этоот запоминающая ячейка подсоединяется,к,импулысному ключу б. Она не. толыко фиксирует патдение напряжения на приборе, но и воспроиэводит его. При этом на вход имптульсното ключа б подается разность напряжений на приборе 4 и;на запоминающем устройсттве 7.Одновременно с подключсчнием переключателя 5 к им 1 пульсному ключу б включаетсякторы: М. Коробова и Л, Корогод Подписное инистров СССРИзд. Юо 807 Тираж 448 делам изобретений и открытий при Сове Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 каз 1932,Ч 7НИИПИ Комитета Типография, п апунов 3генератор 1 преющей моцности и на прибор 4 поступает импульс мощности, нагревающий ето р - п-,переход, По истечении некоторого времени, достаточного для окончания переходных...

Номер патента: 342142

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дтгнтно, Терпигорев, Федорков

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, изл1ерения, токов, туннельных, экстремальных

...подярности тока 1 периодически с частотой синхронизатора б сбрасывают диод 1 в низковольтное состояние, создавая на нем и,мпулысы,напряжения, соответствующие переключению диода. Эти импульсы запускают формирователь 7. Импульсы напряжения с выхода формирователя 7 накапливаются в накопителе 14, который запирает ключ 13, прекращая форсированный заряд кондеосатора 1 О.Через исследуемый диод 1 протекает:постояиный ток 1, примерно равный току 1 макс342142 Предмет изобретения Составитель 3. ЧелиоковаРедактор Т, Орловская Техред А, Камышникова Корректоры: Л. Корогоди М. Коробова Заказ 1945/13 Изд.842 Тираж 406 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография,...

Номер патента: 343231

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Абдуллаев, Алихаиова, Ахундов, Воротникова, Джафарова, Искендер

МПК: G01R 31/26

Метки: 343231

...превышающем длину диффузионного смещения не- основных носителей в базе диода; и; - концентрация собственнных носителей; Т - температура р - а перехода; й - постоянная Больцмана; д - заряд электрона.Учитывая температурную зависимость и то, что во всем рабочем интервале полупроводниковых диодов Л 7 п;, после преобразований получаем:Свин(Т) = - Е(Т) 1 п Х7(р Р "дт Рфгде Е (Т) - ширина запрещенной зоны полуЫФпроводника, Р, М, - постоянные, определяющие эффективную плотность состояний в валентной зоне и в зоне проводимости полупроводника, соответственно при комнатнойтемпературе Тк.Концентрация примесей У есть величина постоянная в базе диода и определяется удельным сопротивлением исходного кристалла полупроводника. В области р - и...

Номер патента: 346768

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гребенников, Гребенникова, Шашмурин

МПК: G01R 31/26

Метки: допустимой, нагрузки, предельно, тиристоров

...что уменьшает отток тепла со структуры ц охлаждепие р - и перехода и, слсдовательцо, обеспечивает получение более точцых ц близких к цстцццому значению даццых о предельцо допустимой токовой нагрузке тиристора.1-1 а тцрцсторс путем включения сго в цепь управлеция задают определенную величину токовой нагрузки 1,прц задаццых температуре окружающей среды и атмосфсрцом давлсции, В этом режиме тиристор выдерживают в течение времени, достаточного для устацовлецця стационарного теплового режима. В момсцт отключсцця от тирцстора токовой цагрузкп У илц цссколько ранее в базу, соедццеццую с управляющим электродом, подают импульс тока У, с возможцо большей амплитудой, коротким задним фронтом ц полярно346768 П р ед м ет изобретения 10 Составитель...

Номер патента: 347699

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Изобретеии, Финкельштенн

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, неосновных

...по делам изобретений и открытий иМосква, Ж, Раугискаи нао., л. писнос овсте Министров СССР агорская типографа 1 а 11 ряжсн 11 я 1 змсн 11 ю мскс 1 м 11 лыОс зн 11 е 1 нс напряжения таким образом, чтобы обе кривые пересеклись в точке максимума 1 орнвой полной эквивалентной емкости (фиг, 2); время жизнги отсчитывается по углу поворота ручки регулировки максимального значения амплитуды ннлоооразного напряжения. П р сдм ет из обр етен няСпособ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в базе германиевых полупроводниковых быстродействующих диодов, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения на низких частотах, б определяот отношение максимальной емкостидиода к соответствующей ей величине прямого тока с...

Номер патента: 347700

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Пецюх

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, статического, току, транзисторов, усиления

...выполу 1 п 1 п тЮЛ, Яр 40 45 50 55 1 в Уп1 вых -Уу ненного на двух диодах, конденсатора 1 б и разрядного сопротивления 17. На выход цепи подключен вольтметр постоянного напряжения 18.При приходе переднего фронта импульса эмиттерного источника импульсного напряжения 1 триггер 11 устанавливается в такое положение, при котором токовые ключи 7 и 13 открыты и конденсатор 8 заряжается выходным напряжением 1.1 у усилителя б, а,конденсатор 16 - от источника постоянного напряжения Уп 14. Если на конденсаторе 8 напряжение снап достигает величины поРога поРоговой схемы 10, то на выходе пороговой схемы появляется импульс, который устанавливает триггер 11 в положение, при котором токовые ключи 7 и 13 закрыты,В установившемся режиме в течение...

Номер патента: 347701

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Глух, Гриценко

МПК: G01R 31/26

Метки: jiiotffia, lmmiie, всегооюзная-ii

...изобретения - исключение влияния на 20 испытуемые тиристоры аварийных токов, возникающих при коротком замыкании в момент пробоя или самопроизвольного переключения потенциально-ненадежных приборов.Цель достигается тем, что последовательно 25 с испытуемыми тиристорами в каждом плечо т-фазного преобразователя дополнительно включают вспомогательные тцристоры с большими значениями токов и напряжений и с повышенной устойчивостью к (зи/Ж и Й/й, а в З 0 Установка представляет собой трехфазный мостовой цнвертор с двумя группами тцрцсторов: испытуемых тцрцсторов 1, 2 ц вспомогательных тцрцсторов т, 4.Контроль потенциально-ненадежных тиристоров осуществляется с помощью осциллографа 5, попеременно подключаемого к каждому из тпрпсторов. По...

Номер патента: 356599

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Краснобаев, Кругликов, Шевцов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, сопротивления, теплового

...узел автоматического выполнения арифметических операций, состоящий из блока вычитания б и блока деления б, регистрирующий прибор 7, клеммы 8 и 9 для подключения испытуемого прибора.Устройство работает следующим образом.10 Постоянный греющий ток от источника 1,проходя через испытуемый прибор, подключенный к клеммам 8 и 9 вызывает его нагрев до установившейся температуры. Инфракрасное излучение структуры и основания полу проводникового прибора попадает на соответствующие датчики 2 и 3, которые вырабатывают выходные напряжения, пропорциональные температурам структуры и основания, Полученные напряжения поступают на блок 20 вычитания 5, напряжение на выходе которого пропорционально разности температур структуры и основания испытуемого...

Номер патента: 356600

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Боренко, Новиков, Сокол, Сушенц

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, передачи, статического, транзистора

...а к входу нуль.;органа, соединенного с синхронизатором, подключено суммарное сопротивление в цепи базы испытуемого транзистора. На чертеже приведена олок-схема предлагаемого устройства,Оно состоит из генератора 1 прямоугольных импульсов тока, задающего ток эмиттера испытуемого транзистора, управляющего синхронизатором 2 нуль-органа 3, к входу которого подключено суммарное сопротивление 4 в цепи базы и сопротивления 5 в цепи коллектора, счетчика б импульсов, управляющего ключами 7 ь 727 и источника коллекторного напряжения 8, Клеммы 9 - 11 служат для подключения соответственно эмиттера, коллектора и базы испытуемого транзистораа.Устройство работает следующим образом.Генератор 1 генерирует импульсы, которые поступают в эмиттер...

Номер патента: 385246

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Тарвид, Шаронов

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, передачи, статического, транзисторов

...источнику опорного напряжения 5, состоящему из релаксатора б и накопителя 7. Накопитель 7 подключен через делительное устройство 8 к индикатору 9, а через модулятор 10 - к управляемому входу стабилизатора тока 11. Стабилизатор тока 11 подключен к базе испытуемого транзистора. Блок управления 12 синхронизирует работу измерителя ,и выдает ца,модулятор 10 модулирующий импульс, а на схему сравнения 4 - сброс-импульс, который сдвинут во времени относительно переднего фронта импульса, подаваемого ца модулятор на время установления переходных процессов в коллвкторе испытуемого транзистора.Если испытуемый транзистор це подключен к измерителю, папряжение на выходе накопителя 7,имеет максимальное значецие по абсолютной величине, и стабилизатор...

Номер патента: 387305

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бко, Ная

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, передачи, статического, транзисторов

...напряспытуемого транзисна ту же величину. ице и тсядмет изобретени Устроиство0 коэффициента Изобретение относится к электроннои технике и может быть применено для измерения параметров транзисторов.Известны устройства для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов й+1 в схемах с общей базой, в которых на коллектор от источника подается постоянное напряжение и не учитывается падение напряжения на базовых резисторах. Однако при больших токах эмиттера и низких напряжениях на коллекторе этим падением напряжения пренебречь нельзя, так как это вносит большие погрешности измерения параметра Й+1, особенно в граничной области поддиапазонов измерения.Цель изобретения - повышение точности измерения Ьеы+1Это достигается тем,...

Номер патента: 389475

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Тарвид, Шаронов

МПК: G01R 31/26

Метки: вптб

...14, Напряжение конденсатора через усилитель мощности 17 поступает на коллектор измеряемого транзистора.Так как вчачале импульсы с релаксатора следуют с частотой задающего генератора, то второй накопитель 15 также заряжается и включает транзисторный ключ 16, через который происходит быстрый заряд накопительного конденсатора 14 от источника постоянного тока.Когда напряжение на коллекторе измеряемого транзистора достигает максимального напряжения устойчивого усиления, ток через базовый резистор 9 прекращается, фазовый селектор 11 перестает запускать релаксатор, заряд накопительного конденсатора 14 заканчивается. Накопительный конденсатор начинает разряжаться через стабилизатор тока разряда 18 и входную цепь усилителя мощности. Процесс...

Номер патента: 389578

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Баховкин, Куршев, Масленников, Степанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: изобретения, пгсга, рпи

...повышена благодаря бжено дополнительной зончетырьмя щупами (количеетствует количеству вывороена в поворотный рычаг оединена с блоком ориенниковых приборов по полоизмерения электрическихустройством. 1-1 икняя зондовая головка 5 вмонтирована в поворотный рычаг кронштейна 7 манипулятора д.Предложенное устройство работает следующим образом. 5Из вибробункера 1 транзисторы 8 подаются в гнездо 9 нижней зондовой головки 5 и фиксируются по упорам (см. фпг. 4).Затем вибробункер отключается, и кронштейн 7 переносит транзистор к верхней зондовой 10 головке 4 (см. фиг. 2). Кронштейн перемещается с помощью двух кулачков, укрепленных на распределительном валу (на фиг. 2 не показаны), и соединенных с рычагами 10 и 11, один из которых поворачивает крон...

Номер патента: 391475

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бинин, Ларин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, параметров, полупроводниковых, электрических

...изображена схема предлагаемого устройства, 30 В положительныи полупериод переменного напряжения открывается тиратрон 2 а и на иснытуемый диод 4 действует обратное напряжение У,ор, которое контролируется индикатором 11. В отрицательный полупериод тира. трон 2 а закрывается, открывается тиратрон 2 б и через диод протекает ток в прямом направлении, Этот ток регулируется резистором 13 и контролируется индикатором б. Одновременно с тиратроном 2 б открываются тиратропы 7, обеспечивая тем самым подключение к измерительному мосту испытуемого диода, индикатор 9 регистрирует, падение напряжения на диоде при прохождении по нему пряИзобретение относится к конрительной технике, конкретно кдля контроля и испытаний повых диодов,Устройство работает...

Номер патента: 391503

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бальзовский, Кричевский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: теплового

...быть использовано для измерения параметров полупроводниковых приборов как па этапах разработки, так и в процессе производства. 5В известном устройстве для измерения теплового сопротивления полупроводниковых диодав, содержащем источники греющего и измерительного тока с параллельным ключом и разделительным диодом между источником гре ющего тока и измерительной схемой, измерспии теплового сопротвления диодов с относительно большим временем жизни неосновных носителей заряда, особенно в импульсном режиме, имеет место большая погрешность за 15 счет рассасывания заряда, накапливаемого в базе диода при прохождении греющего тока. В результате момент измерения отстоит от момента окончания греющего тока на время рассасывания накопленного...

Номер патента: 397857

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: контактов, надежности, омических, полупроводниковых, приборов

...характеристики р-и перехода прибора. При наличии нарушений омцческого контакта наблюдаются высокочастотные деформации вольт-амперной характеристики. Импульс напряжения, возникающий на контролируемом прибора при пропусканци через397857 ваемые на входы нуль-органа 9, не совпадают.Нуль-орган 9 срабатывает, возбуждая исполнительное устройство 12. В случае посто янного обрыва на выходе генератора 1 формируется прямоугольный импульс и подчеркивается высокочастотная составляющая спектра.В случае постоянного короткого замыкания 10 перехода исследуемого прибора работает блокобнаружения постоянных коротких замыканий 10, выходной сигнаал которого через логическую схему 11 возбуждает исполнительное устройство 12,15 Устройство контроля...

Номер патента: 397858

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Пожала, Толутис, Ука

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, датчик, концентрации, носителей, полупроводниках

...концентрации,носителей тока по объему часто не бываст равномерным, поэтому цзмсрснцые величины дают картину интегральной концентрации.В случае малых исследуемых образцов измеренные значения более близки к локальной концентрации. Смена образцов в датчике осуществляется легко и быстро, благодаря налцчцю в одцои из полосковых линии сдвигасмоц части.На чертеже схематично показан предложенный датчик.Исследуемый образец 1 помещается в отверстие в центре металлического корпуса 2. Всхняя посеребренная полоска - входное устройство 3, к которой присоединен цснтральцыц провод входного кабеля 4, прпклссца к диэлектрической пластинке 5. Подвижная деталь 6 входного устройства, к которой приклеена посеребренная полоска 7, отодвигается в сторону....

Номер патента: 397859

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Виснап, Дикун, Кальгина, Овчаренко

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 2(088, 3126удк, авторскому, кл, свидетельствум

...4 включено 1 О реле времени 6. Все элементы устройства подключены к источнику питания 7.Устройство работает следующим образом.К участку испытуемого перехода 8 или 9)прикладывается напряжение от источника пи тания 7, соответствующее рабочему режиму.Обратньш ток перехода в,датчцке-преобразователе тока 1 усиливается. Усиленный сигнал тока перехода сравнивается в схеме сравнения 2 с оигнапом, пропорциональным норме по 20 постоянноц составляющей тока, установленнойв технических условиях. Если оц превышает установленный уровень, то схема сравнения 2 выдает сигнаал в блок коммутации и индикации 4, и устройство сигнализирует о браке.Если же сигнал на выходе датчика-преобразователя 1 меньшс установленной нормы, то происходит его...

Номер патента: 397860

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Воронков, Зелезецкий, Макеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: микронеоднородности, сопротивления, удельного, фотоэлектрический

...- заряд электрона;0 - полное число носителей, создаваемыхсветом в единицу времени;5 - сечение образца;Ио, рп - подВИЖНОСТЬ, СООТВСТСТВСННО, ОСНОВных и неосновных носителей; р(Х,) - удельное сопротивление в месте нахождения световой полоски;- изменение напряжения, снимаемогос обпазца,397860 Составитель М. Ленешкина Текред Т. Курилко Корректор А. Дзесова Редактор Т. Орловская Заказ 50/17 Изд. Мз 16 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, К, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Образец сканировали по длине модулированной с частотой 18 кгц полоской излучения шириной 50 мк, с длиной волны 1,1 мк. Скорость сканирования, осуществляемого...

Номер патента: 397861

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Куришко, Стрельченко

МПК: G01R 31/26

Метки: 397861

...низкочастотных параметров транзисторов (до 1000 гц). Частота импуль сов, синхронизирующих работу источника импульсного напряжения и управляющих модулятором, равна частоте напряжения синусоидального источника, Длительность выходных импульсов источника, импульсов, источника 25 импульсного напряжения выбрана, исходя изтребуемой скважностп при измерении параметров транзисторов,Синхронизация и управление происходят таким образом, что импульсь 1 источника импуль- ЗО сного напряжения и управления модулятором397861 ктор Т, Добровольс Гехрсд А. Камышников сдактср Л. Утехина ранк 75 Подписи Заказ 224,7 ипографин, пр. Сапунова, 2 расположены в центре полржнтельной (отри. цателыной) полуволны синусоиды.Напряжения с выходов источников 2, 1 и 3...

Номер патента: 399798

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Урбонас

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, заряда, измеритель, переключения, полупроводниковых

...импульсов обратного напряжения. Индикаторное устройство 18 в этом случае показывает суммарную величину заряда переключения.При поступлении с обоих выходов 11 и 12 схемы 13 управления единичных уровней на схему совпадений 5, на выходе последней образуются пачки из двух импульсов, следующие с периодом повторения импульсов прямого тока. Импульсы в пачках смещены на четверть периода повторения пачек. Эти импульсы запускают генератор 14 импульсов обратного напряжения, выходные импульсы которого приведены на фиг, 2 з. Как видно из фиг, 2 з, первый импульс пачки совпадает с импульсами прямого тока, а второй - с паузой между импульсами прямого тока. Эти импульсы попадают на измеряемый диод 15, и на выходе детектора 16 появляются...

Номер патента: 399801

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дрепин, Маслов

МПК: G01R 31/26

Метки: измеритель, цифровой

...к эмиттерной и коллекторной цепям испытуемого транзистора 19, устанавливают режим, при котором производят измерение коэффициента усиления транзистора по току До.В цепь эмиттера транзистора 19 через разделительный конденсатор 14 и обмотку 5 измерительного трансформатора 4 подают сигнал низкой частоты со звукового генератора 3. Вторая обмотка 6 измерительного трансформатора 4, последовательно соединенная с обмоткой 9 измерительного трансформатора 8, через разделительный кОнденсатор 15 подключена к коллектору 17 испытуемого транзистора 19.Напряжение на обмотке 5 пропорционально току эмиттера испытуемого транзистора 19, а напряжение на обмотках 6, 9 и 10 пропорционально току коллектора, Встречное включение обмоток 5 и 6 позволяет...

Номер патента: 401938

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 401938

...капель защитного кислотостойкого лака, например ХСЛ, структуру травят в растворе НР:НХОз:СНзСООН=2:9:5 на глубину, несколько превышающую толщину двух эпитаксиальных слоев. Полученные меза-структуры защищают сплошным слоем защитного лака, подложку подшлифовывают 0 и затем химически никелируют в стандартномрастворе.Защитные слои лака растворяют в толуолеи измеряют прямую вольт-фарадную характеристику меза-структуры на мостовом измериз тельном приборе в двух характерных точках:при нуле (Со) и при выбранном значении прямого смещения (Сц). Оптимальная величина напряжения смещения определяется экспериментально для данного типа СВЧ-ограничиЗ 0 тельного диода с целью получения максимальЗаказ 26515 Изд. Уа 127 Тираж 755 Подписное Ь,ИИИПИ...

Номер патента: 401939

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26

Метки: 401939

...и 8 и генератора управляющих импульсов 9, выход которого через сопротивление 8 соединен с базой транзи стора б. Коллектор транзистора 6 соединен сэмиттером транзистора 3. Переключатель 10 обеспечивает режим запирания транзистора 6.На выходе стабилизатора тока 3 включен миллиамперметр постоянного тока 11, измеряю щий значение тока, установленное с помощьюКорректор В. Жолудева Редактор Т. Орловская Заказ 267/9 Изд. М 128 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 переменного сопротивления 12. Напряжение на коллектор испытуемого транзистора 1 подается от источника постоянного напряжения 13. Ток базы измеряется...

Номер патента: 401940

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26

Метки: 401940

...испытуемого полупроводникового прибора 3, накопительный конденсатор 4 и подключенный параллельно ему индикатор 5 (пиковый вольтметр), высоковольтный источник питания 6, подклочецый к накопительному конденсатору через схему линеа401940 Предмет изобретения Составитель 3. ЧелноковаРедактор Т. Орловская Техред Л. Грачева Корректор Н. Учакина Заказ 274/14 Изд. Мз 92 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5Типография, и р. Сапунова, 2 ризации 7, операционный усилитель 8, компаратор 9, ключ 10 и схему задержки 11. Операционный усилитель 8 состоит из усилителя 12 с большим коэффициентом усиления, резистора обратной связи 13 и входного...

Номер патента: 402836

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26

Метки: 402836

...описывается уравнением:С = а (6 + У) - ",где а - постоянная;О - контактная разность потенциалов; У - приложенное к р-и-переходу обратноевнешнее напряжение,ц - показатель степени.Три параметра а, О, п, не поддаются непосредственному измерению, Они могут быть определены путем решения, например, системы уравнений:С, = а(6+У,)а(г+Ц ) - иС,:= а(б+ Уг)где С С Сз - значения емкости р-и-перехода, измеренные при напряжениях У У У, соответст венно.Исследуемый р-гг-переход 9 с индуктивностью 10 образуют колебательный контур, (Емкость 8 намного больше барьерной емкости, она являешься блокировочпой).В контуре при помощи системы 11 возбуждения возбуждаются колебания малой амплитуды на резапансной частоте контура,Фазовый детектор 4,...