G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 1020789

Опубликовано: 30.05.1983

Автор: Сергеев

МПК: G01R 31/26

Метки: сопротивления, теплового, транзисторов

...преобразователя, вход которого соединен с клеммой для подключения эмиттера испытуемого транзистора.На фиг. 1 представлена функциональная схема устройства, на фиг, 2 - эпюры, поясняющие принцип его работы.Устройство содержит генератор 1 линейно нарастающего коллекторного напряжения, стабилизатор 2 эмитерного тока, клемму 3 "Запуск" и клемму 4 для подключения коллектора, клемма 5 базы и клемма б эмиттера испытываемого транзистора, схему 7 сравнения и источник 8 опорных напряжений, аналого-цифровой преобразователь (АЦП) 9, реверсивный счетчик 10, блок 11 индикации.Устройство работает следующим образом (фиг. 2).При появлении соответствующего управляющего сигнала на клемме 3 "Запуск", генератор 1 линейно нарастающего коллекторного напряжения...

Номер патента: 1022342

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Бадыгин, Кальянов, Машкевич, Соломин, Федосов, Шевцов

МПК: G01R 31/26, H05K 13/00

Метки: радиодеталей, разбраковки

...снабжено траверсой, установленной на основании с возможностью перемещения вдоль оси вращения транспортирующего ротора, механизмы прижима и съема радиодеталей установлены на траверсе, а приемные механизмы кинематически связаны с траверсой.На фиг. 1 изображено устройство, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - разрез А - А на фиг. 2.Устройство содержит основание 1, на котором расположены приводной механизм с электродвигателем 2, редукторами 3 и 4 и мальтийским механизмом 5 и транспортирующий ротор 6 с гнездами 7 для радиодеталей. Над транспортирующим ротором 6022342 5 10 15 20 25 30 35 40 45 2на основании 1 закреплена стойка 8 с пкевмоцилиндром 9, на штоке которого закреплена траверса 10, установленная с возможностью...

Номер патента: 550882

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Юзкевичене

МПК: G01R 31/26, H01L 21/00

Метки: горячих, носителей, полупроводнике, температуры, эффективной

...горячихносителей тока в полупроводнике обычно определяют по величине термоэдс, 5обусловленной градиентом концентрации носителей тока, который создаютпосредством лвгирования полупроводника, что является технологически слож, ным и трудно контролируемым процес Осом. В процессе измерения наряду сполезным сигналом обычно появляютсяи нежелательные ЭДС. Все это приводит к снижению точности измерений.В известном способе определения 15эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике 1в части однородного образца с контактами, создаютэлектрическое поле,причем контакты находятся вне области электрического поля, освещают образец светом, в результате чего создается необходимый градиент концентрации носителей тока, приводящий...

Номер патента: 1026092

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Бардин, Беспалов, Миков, Цетлин

МПК: G01R 19/00, G01R 31/26

Метки: обратного, полупроводниковых, приборов, силовых

...с компаратором, второйвход которого соединен с испытываемым иэделием 2 .Недостатком такого устройства являются большие время контроля и погрешность измерения тока,Цель изобретения - уменьшениевремени контроля и погрешность измерений.Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство для измеренияобратного тока сидовых полупроводниковых приборов, содержащее трансфор- З 5матор, первый вывод вторичной обмотки которого соединен с выводомобъекта контроля, второй вывод объекта контроля соединен через шунт с общей шиной устройства, измерительный 40прибор, соединенный с шунтом, первый вывод первичной обмотки трансфор-матора соединен с пусковым тиристором,параллельно"встречно с который соеди-нена цепь иэ последовательно соединен-.45ных диода...

Номер патента: 1026094

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Воинов, Кругликов, Ледовской, Чалый

МПК: G01R 31/26

Метки: варианты, динамического, его, надежности, полупроводниковых, приборов

...другому варианту способа динамического контроля надежности, измеряют длительность переходного процесса при отключении источника питания.На чертеже представлена структурная схема осуществления способа.Сущность способа основана на том,что процесс старения полупроводникового прибора можно рассматриватькак Фазовый переход второго рода,из доказательства которого следуетизменение теплоемкости приборасо временем (и в зависимости от плотности дефектов), а следовательно, изменение как сопротивления, таки емкости прибора, приводящее к иэ.менению длительности переходногопроцесса в нем при подключении .илиотключении напряжения источника пи 5 тания. При этом длительность переход. -ного процесса может быть оцененав соответствии с выражением...

Номер патента: 1026095

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Гаевский, Мартяшин, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: измеритель, мдп-структур, параметров, электрофизических

...соединенс регулирующим входом источника управляющего напряжения, выход которогосоединен с управляющим входом первогоуправляемого делителя напряжения,третий выход блока управления соединен с управляющим входом .источника управлящвщего напряжения,четвертый выход блока управлениясоединен с управляющими входамипервого и второго пиковых детекторов, а пятый выход блока управлениясоединен с управляющим входом блокаизмерения установившегося значениянапряжения, выход блока измеренияпостоянной времени соединен с управляюшим входом .ключа, выход первогопикового детектора соединен с третьим входом коммутатора.На чертеже изображена структурная схема устройства.Измеритель электрофизических параметров МДП-структур, содержит блок1 управления,...

Номер патента: 1027652

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Антюфеев, Венцковский, Ковтун, Самойлов

МПК: G01R 31/26

Метки: классификации, полупроводниковых, приборов

...с первым входомЪсчетчика, второй вход которого подключен к входу управления первого реверсивного счетчика и первому входу блока управле ния, выход второго преобразователя- формирователя соединен с первыми вхо дами четвертого и пятого элементов И, выходы которых подключены к вычитающему и суммирующему входам второго реверсивного счетчика, выход которого соединен с первым входом схемы сравнения, второй вход которой подключен к выходу первого реверсивного счетчика, а выход схемы сравнения соединен с входом блока управления и блока декодирования и через элемент задержки с управляющими :входами первого и второго реверсивных счетчиков, выходы счетчиков соединены с. соответствующими входами блока декодирования, выходы которого подключены...

Номер патента: 1027653

Опубликовано: 07.07.1983

Автор: Шафер

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур, фотоответу

...чертеже представлена структурнаясхема предлагаемого устройства.Лазерный луч источника 1 лазерного1 излучения направляется на блок 2 сканирования, с которого поступает в оптическую систему 3, а затем на нсследуемую полупроводниковую структуру 4. Выход исследуемой полупроводниковой структуры 4 соединен с входом усилителя 5 фотонапряження, выход которого соединенФс первым входом видеоконтрольного блока (ВКБ) 6. Синхронная работа всего уст 10 ройства задается генератором 7 сннхроимпульсов, первый и второй выходы которого соединены соответственно с первыми и вторыми входами синхронизации блока 2 сканирования, блока 6 и блока 15 8 управления, состоящего иэ первого н второго ждущих мультивибраторов 9 и 10, первого и второго формирователей 1 1...

Номер патента: 1033992

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Барков, Крутоголов, Лебедева

МПК: G01R 31/26

Метки: лавинного, пробивного, фотодиода

...схемы 9, вход управления которой соединен с первым.усилителя 6. Генератор 10 нарастаюцего напряжения, выход которого соединен с входом измерительного прибора11 и через электронный ключ 12, входуправления которого соединен с вторым выходом нелинейного операционного усилителя 6, соединен с второйшиной для подключения лавинного фотодиода 1. Компаратор 13, вход которого подключен к зкстраполирующему кон денсатору 8, а выход - к первому управляющему входу Стопф генератора 10 нарастающего напряжения и первому управляюцему входу запуска измерительного прибора 11. 40Высокочастотный генератор 14 сэлектронной регулировкой амплитудывыходных импульсов соединен с источником 15 излучения, который оптически связан с лавинным Фотодиодом 1, а 45между...

Номер патента: 1035540

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Горин, Кленов

МПК: G01R 31/26

Метки: сопротивления, теплового, транзисторов

...которого соединен с выходомблока дифференцирования, которыйсвоим входом подключен к эмиттеруи базе транзистора.На чертеже приведена блок-схемаустройства для контроля тепловогосопротивления транзисторов,Устройство содержит генератор 1постоянного греющего тока, источник2 коллекторного напряжения, выполненный в виде генератора пилообразного бОнапряжения, компаратор 3, контролируемый транзистор 4, подключенныйколлектором к источнику 2 коллектор"ного напряжения, эмиттером - к генератору греющего тока, управляющий вход которого соединен с выходомкомпаратора 3, и блока 5. дифференцирования, вход которого подключен кпереходу эмиттер-база контролируемого транзистора 4, а его выход соеди .енен с входом компаратора 3, выходкоторого...

Номер патента: 1038891

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Виткус, Лауринавичюс, Малакаускас, Пожела

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках

...4, Суммарный сигнал детеклупроводниковых образцов произволь- тируется детектором 5 и подается на, ной формы и имеет нйэкую точность. вход усилителя 15. с выхода усилителяцель изобретения - обеспечение иэ-, 15 сигнал поступает на двухкоординат.мерений параметров полупроводниковых Зо ныйсамописец 16, .на его у-вход., образцов произвольной Формы при позы- на.Х-вход которого .подается ыапряже-шении точности. ние с датчика 17 магнитного поля.указанная цель достигается тем, С изменением величины магнитного по"; что в предлагаемом устройстве измери- ля изменяются фаза и амплитуда протельное плечо образовано двумя отрезшедшего через исследуемый полупроводками металлических волноводов, на об- никовый образец 8 сигнала, На двухращенных друг к...

Номер патента: 1038892

Опубликовано: 30.08.1983

Автор: Филинюк

МПК: G01R 31/26

Метки: генерации, максимальной, транзистора, частоты

...и измерение мощности электромагнитных колебаний между его коллектором и эмиттером, после измерения мощности между коллектором и эмиттером транзистора на них подают электромагнитные коле-: бания и измеряют мощность между его базой и эмиттером, а максимальную частоту генерации определяют из выражения . где Е - частота подаваемых электромагнитных колебаний;коэффициент разделенияколлекторной емкости транзистора;Р - моцность, измеренная междуколлектором и эмиттеромР 5 - мощность, измеренная между базой и эмиттером, ачастота подаваемых электромагнитных колебаний выбирают из условияО "ЕтЕизм с 05 Хт,На фиг. 1 изображено включениетранзистора в держатель; на фиг. 2 -блок-схема простейшей установкидля осуществления способа; нафиг. 3 -...

Номер патента: 1041966

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Горюшкин, Овчинников

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, передачи, транзисторов

...измерений.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения: коэффициента передачи тока транэисторов, содержащее источник опорного напряжения, управляемый стабилизатортока, соединенний выходом с клеммойдля подключения эмиттера испытуемого 15 транзистора, а управляющим входом .- со схемой управления, измерительный операционный усилитель, в цепь отрицательной обратной связи которого включен блок нагрузок, а кего выходу подключен интегратор через аиа 1логовый ключ, соединенный также со .схемой управления, введены переклю-:чатель, преобразователь напряженияв ток и повторитель тока, имеющий,три входа и один выход и состоящийиз операционного усилителя и полево-. го транзистора, причем первым входом повторителя тока является...

Номер патента: 1041968

Опубликовано: 15.09.1983

Автор: Бузыкин

МПК: G01R 31/26

Метки: предельных, режимов, тепловых, транзистора

...30 му между общей шиной и базой транзистора, выход пикового детекторасоединен с первым входом электронного переключателя, второй вход которого соединен с общей шиной, а его35 выход соединен с первым входом сумматора, второй вход которого соеди-нен с выходом источника напряжениясравнения, а выход - с вторым входомблока сравнения, второй выход блока40 упРавления и синхронизации соединенс входом ждущего мультивибратора,выход которого соединен с. управляющим входом электронного переключателя,На чертеже представлена принципиальная схема устройства,Устройство содержит испытуемыйтранзистор 1, источник 2 греющеймощности, состоящий из управляемыхисточников тока и напряжения, источ 50,ник 3 измерительного тока, блок 4сравнения, блок 5 управления и...

Номер патента: 1043573

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Гармашов, Кострицкий, Сафонов

МПК: G01R 31/26

Метки: допустимого, максимально, полупроводниковых, приборов

...с блока задания тока и со"ответствующих приращениях испытательного напряжения, измерительныйблок включается как в области ВАХиспытуемых приборов с положительнымзначением дифференциального сопротивления, так и в области ВАХ с отрица-,тельным значением дифференциальногосопротивления, В первом случае измеряемый параметр эанижается, а вовтором иэ-эа локально выделякщейсямощности при переключении приборыразрушаются. Защиту испытуемас приборов от разрушения можно повыситьпутем уменьшения приращений дискретно возрастающего сигнала с блока задания тока как при неизменных соответствующих им, приращениях испытательного напряжения, так и при од-новременном уменьшении их значений. 5 Однако это приводит к еще большему занижению...

Номер патента: 1045177

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Алексеева, Ефимова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диэлектрических, защитных, испытания, покрытий, полупроводниковых, приборов

...плоских закругленных металли.ческих электродов, размещенных на поверхности исследуемого диэлектрического покрытия, введена подложкаиз диэлектрического материала, система электродов выполнена в виде ппротяженных центральных электродов,по обе стороны каждого из которыхразмещены щ боковых электродов, приэтом подложка расположена на систеЗ 5 ме электродов со стороны, противоположной исследуемому покрытию,выступы которого размещены в зазорах между соответствующими боковымии центральными электродами, величи на укаэанных зазоров равна ширинеобласти объемного заряда на поверхности р-и перехода полупроводникового прибора, а его протяженностьпериметру р-и перехода, причемудельиоесопротивление подложки определяется из соотношения ельные...

Номер патента: 1045313

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Шабанов, Шенгуров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, проводимости, слоев, структур, типа

...цншии компоцецтцв, мсГ.(Г:П.)явиковая к 31 слОтс 2,0-;Вода Остальцое а тип проводимости ццредслякт из соотццшеия линейных размеров образовавшихся ямок, причем меньшие размеры ямок соотвлствуют слоям р-типы, ы большие п-типа.На фиг. 1 приведена диаграммы, цокызыБаюшд 51 ОГряничеци 51 15)смени т")ЯБ 1 ец 3)я. П,101 НОСТИ ТЦКЯ И КЦЦЦ(сЦТРЯЦИИ 1)пасЗИКОВЦИ кислоты цри рса,тизации изобрстеция; цы фи 2 х 3 крсс)цтц рафия ск(кы эпитыксиалыкй л руктуры р-и-п тица Ны фи. 3 м и к р О ф ц т 0 Г 1) я ф и и я м ц к т р а Б, ) с ц и я д Г 1 я п,1 ы стин с рызг)ичный т)Г 1 цм прцвц,ихО(ти рызц удсльцым сспрц)3 Гзг)сиисм.На фиг. 1 осизцачсно: область 1 фцрми- Г)овация коричневой пленки цы ццвсрхцост; скоса, которая це позволяет цаблкдать ях)к 1,...

Номер патента: 1049755

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Мяннама, Ярвальт

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: перехода, пика, температурного

...сущности и достигаемому результату яв.ляется способ измерения температурного пикар - п перехода, при котором пропускают через переход модулированный ток и измеряютизменение напряжения на прямосмещенном пе-реходе 121,Недостатком указанцого способа, являетсянизкая чувствительность при измерениях в импульсном режиме.Целью изобретения является повыптениечувствительности к измеряемой температуре,Указанная цель достигается тем, что, в способе измерения температурного пика р - и перехода, при котором пропускают через переход модулированный ток и измеряют изменение напряжения на прямосмещенном переходе,ток через переход изменяют скачком, и в течение переходного процесса дополнительно изме.ряют напряжение на переходе,...

Номер патента: 1049837

Опубликовано: 23.10.1983

Автор: Пиняев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, транзисторов

...сза счет отсутствия явления временногоЗ 5 близкой к нулю Энергией активации,отжига дефектов и более полного учета П р и м е р. Необходимо произвестиобъемных дефектов и утечек на поверх- разбраковку партии изготовленныхности полупроводникового криеталла. транзисторов типа МП 14, годные транЧем больше отличие реального транзис- зисторы по техническим условиям должтора от идеализированной модели, тем 40 ны иметь следующие параметры:больше будет превьааание величины тока коллектора при заданном прямом"кзотах15 В при 1 =+50 Ссмещении эмиттерного перехода.Цкэ,ц 10 В при-+70Для установившегосятехнологичес-О =-10 Вкого процесса изготовления полупро 8водниковых приборов величина 0 у"- оэЦ =-15 Вкэк30 мкА 4 ри =+20-С итанавливается также...

Номер патента: 1051469

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Добровольский, Севастьянов, Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: варикапов, добротности, измеритель

...дополнительный вклад в ошибку измерений.цель изобретения - повышение точности измерений.Поставленная цель достигается тем что в измеритель добротности варикапон, содержащий генератор, усилитель, линейный детектор, первый и вторЬй постоянные конденсаторы, первый и второй развяэывающие элементы, третий раэняэывающий элейент, соединенный первым выводом с выходом первого развязывающего элемента, вторым выводом - с первым выводом первого постоянного конденсатора, ннедены регулируемый усилитель, усилитель постоянного тока, переменный резистор, переменный конденсатор, резистор, источник опорного напряжения, трансформатор, нуль-орган, первый и вто-. рой синхронные детекторы, причем первый выход генератора соединен с первыми входами первого...

Номер патента: 1051470

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Афанасьев, Иевский, Кретулис, Свечников, Шапарь

МПК: G01R 31/26

Метки: лавинного, фотодиода, характеристик

...управлякщий вход которого присоединен к дополнительномувыходу генератора 1, а его выход - квторому входу блока 10 деления, сое- .диненного своим выходом, который яв1051470 40 ляется выходом блока 8, с входом вертикального отклонения осциллографа12. Вход горизонтального отклоненияосциллографа 12 соединен с выходомгенератора 1 пилообразных импульсов. фильтр 5 верхних частот соединен с шиной для подключения испытуемого лавинного фотодиода 13, к другой шине для подключения которого присоединен источник 2 постоянного напряжения и генератор 1 пилообразных импульсов, фотодиод 13 оптически связан с источником 3 излучения, соединенным с генератором 4 сигналов высокой частоты. Устройство работает следующим образом. В начальный момент генератор...

Номер патента: 1051623

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Нестюрина, Роздобудько

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: анодным, ганна, диодах, катодного, контакта, контактом, омическим, типа

...работоспособностипредлагаемого способа.Исследовались диоды Ганна, изготовленные на основе арсенидгаллиевойэпитаксиальной структуры типа и - ис концентрацией доноров .в и -области2-410 см , толщиной и областий8-10 мкм. Технология изготовленияконтактов указанных диодов включаласоздание катодного контакта типабарьера Шоттки, ВАХ которого несимметрична, и заведомо омическогоанодного контакта,В качестве источника света использовался лазер ЛГ-1 с длиной волны 0,63 мкм диаметром луча 400 мкм,и 30 мощностью излучения8 мВт.Диод Ганна облучали со стороныкатодного контакта сфокусированнымлучом Лазера. Фото-ЭДС регистрировали между анодным и катодным контакЗ 5 тами диода Ганна вольтметром постоянного тока. Измеренное значение разности потенциалов...

Номер патента: 1056087

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Гармашов, Миков, Стешин, Цетлин, Шубин

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, разбраковки, силовых

...испытаний силовых приборов.Целью изобретения является повышение производительности разбраковки и снижение энергоемкости,Поставленная цель достигается тем, что в устройство для раэбраковки силовых полупроводниковых приборов, содержащее генератор импульсов испытательного тока,.соединенный выходом с клеммой для подключения анода испытуемого прибора и первыми входами трех блоков сравнения по напряжению, вторые входы которых подключены к соответствующим выходам блока уставок, а их выходык блоку индикации, блок управления соединенный своим, входом с шиной запуска генератора импульсов испытательного тока, а выходом - с клеммой для подключения управляющего электрода испытуемого прибора, клемма для подключения катода которого соединена с...

Номер патента: 1057888

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Завалин, Крючков, Тарасов

МПК: G01R 31/26

Метки: аморфных, памятью, параметров, переключателей

...импульсногонапряжения соединены соответственнос входами первого и второго формирователей, выходы которых соедине"ны соответственно с входами первого и второго блоков задержки, первыевыходы которых соединены соответственно с первыми входами первого ивторого элементов 2 И-НЕ, выходы которых соединены соответственно спервым и вторым входами Йб -триггера, выход которого соединен ссчетчиком импульсов, вторые выходыпервого и второго блоков задержкисоединены соответственно с первыми вторым входами третьего элемента2 И-НЕ, выход которого соединен через третий элемент нагрузки с анодомтретьего диода, катод которогосоединен с первым выводом переключателя, выход третьего элемента нагрузки соединен с входом пороговогоусилителя, прямой выход...

Номер патента: 1057889

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Беспалов, Мускатиньев, Петров

МПК: G01R 31/26

Метки: тиристоров, удержания

...изобретения - повышение точности измерения.Поставленная цель достигается тем,что в устройство для измерения токаудержания тиристоров, содержащее генератор импульсов анодного тока, выход которого соединен с выходом усилителя мощности и анодом тиристора,управляющий электрод которого соединен с управляющим входом генератораимпульсов анодного тока и первым вы-ходом блока управления, а катод соединен с общей шиной через токоиэмерительный резистор, параллельно которому подключен вход блока сравнения,выход генератора падающего напряженйя соединей с входом усилителямощности, введены блок задержки,схема совпадения, цифровой измерительнапряжения, при этом генератор падающего напряжения выполнен в виде генератора...

Номер патента: 1057890

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Бардин, Беспалов, Пономарев

МПК: G01R 31/26

Метки: вентелей, переходной, полупроводниковых, тепловой, характеристики

...выход подключен к первому входу элемента ИЛИ, второй вход которого соецинен с выходом задающего генератора, а выход присоединен к входам коммутатора и счетчика импульсов, соединенного своим выходом с входами счетного триггера и схемы управления, выходы которых подключены соответственно к входам задающего генератора и источника силового .тока, причем второй выход схемы управления соединен с клеммой для подключения управляющего электрода,а шина сброса подключена к входам начальной установкй счетчика импульсов и счетного триггера.На чертеже изображена структурная электрическая схема предлагаемого устройства.Устройство состоит из источника 1 измерительного тока, источника 2 силового тока, отключающего диода 3, шунта 4, нуль-органа 5, схемы...

Номер патента: 1057891

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Веревкин, Галун, Харитонов, Чесноков

МПК: G01R 31/26

Метки: коммутации, мощности, потерь, тиристора

...времени. С выходов датчиков 2 и 4 тока и напряжения через согласующие узлы 6 и 7 на входы блоков 8 и 9 выборки-хранения поступают изменяющиеся во времени уровни напряжения, пропорциональные соответственно току через испытуемый прибор 3 и напряжению на нем. На управляющие входы блока 8 и 9 выборки-хранения поступает импульс с выхода формирователя 10 импульса хранения.Процесс включения испытуемого прибора происходит периодически, 60 например, с частотой 50 Гц. С каждым следующим включением испытуемого тиристора 3 передний Фронт импульса хранения сднигается относительно начала импульса тока управления на 65 неличину Кйс, где К - количество сделанных включений, ас - шаг дискретизации, т.е. время между двумя соседними точками входного сигнала...

Номер патента: 658971

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Гуревич, Долгих, Сальмани, Таратута

МПК: G01R 31/26

Метки: падения, прямого, тиристоров

...диаметров. Цель изобретения - повышение эффективности и точности измерения.Это достигается тем, что через 45 Испытываемый тиристор пропускают импульсы тока, которые формируют путем наложения двух токовых импульсов, один иэ которых имеет амплитуду меньше предельного тока тиристора, а другой имеет амплитуду, превышающую предельный ток тиристора, причем, второй импульс подают через промежу. ток времени после начала первого импульса, превышающий время распространения включенного состояния с нысоким уровнем инжекции по всей площади структуры, а прямое падение напряжения измеряют н момент максимального значения второго импульса.Пропускание первого импульса тока 50 обеспечивает распространение включенного состояния по всей площади структуры,...

Номер патента: 1061073

Опубликовано: 15.12.1983

Автор: Павасарис

МПК: G01R 31/26

Метки: граничной, транзисторов, частоты

...собой и подключенык коллекторной клемме испытуемогоприбора, четвертое реле соединеносвоим переключающим контактом с ат"тенюатором измерительного каналаразмыкающим контактом - с эмиттерной клеммой испытуемого прибора, азамыкающим контактом - через четвертый согласующий резистор с общей шиной, зонды соединены с соответствующими иэмерительными вентилями черезпервый и второй усилители, первыйзонд расположен в линии измерительного канала между аттенюатором ичетвертым реле, а второй зонд размещен в линии опорного канала междувторым и третьим реле, при этомрасстояния от эмиттерной и коллекторной клемм до зондов определяютсяиз следующего соотношения:Д = .Ъ /4,где 2 - расстояние от клеют до зонда;Э - длина волны генератора,На чертеже приведена...

Номер патента: 1061074

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Коваленко, Курихин

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, фоторезисторов, фотоэлектрических

...двухвходовых коммутатора кодов связаны с входами схемы сравнения кодов (не показано).1Устройство работает следующим образом.Сначала измеряют значения Зе и 3 в следующей последовательности. Набор 4 контролируемых фоторезисторов устанавливают в кассету емкостью П-штук, расположенную на измерительной позиции,.при этом все фоторезисторы подключают к входам собирающего коммутатора 5. После этого осуществляют пуск устройства и вся дальнейшая его, работа происходит автоматически по заданному алгоритму, который начинается со стирания предыстории контролируемых фоторезисторов. При этом по сигналамблока 9 выполняются следующие операции: набор 2 светофильтров устанавливается приводом 3 в положение, обеспечивающее создание на контролируемых...