G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 456203

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Лауринавичюс, Пожела

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, полупроводниках

...15 резонанса и помещенного между полюсами 14,15 электромагнита.При измерении концентрации носителей тока с помощью электромагнита в исследуемом образце 1 создают магнитное поле, а через су женный коленец прямоугольного волновода 5возбуждают геликонную волну в определенном месте образца 1. Изменяя напряженность магнитного поля, добиваются возникновения геликонного резонапса в образце 1, что прояв ляется в уменьшении сигнала, отраженного отобразца, до минимального значения. Отраженный сигнал через ответвитель 7 поступает к детектору 10, где детектируется и подается па вход усилителя 11. С выхода усилителя 30 сигнал поступает на У-вход двухкоординатно456203 го самописца 12, На Х-вход самописца пода- рядок геликонного резонанса; вт,...

Номер патента: 458062

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Морозов, Петров

МПК: G01R 1/067, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: диэлектрических, емкостных, зонд, полупроводниковых, структур, характеристик

...лемент 3, с 2. аботает сл я емкостных харак х и полупроводник полусферу 1, втулк оединяющий полусф м образом,Изобретение относится к электронике и может использоваться для исследования полупроводниковых и диэлектрических структур.В настоящее время С(Р) -характеристики снимаются при помощи контактных металлических пленок, напыленных или осажденных на поверхность структуры полупроводник-диэлектрик.Однако использование известных контактных пленок не обеспечивает контроля пара метров образца до напыления в процессе обработки и невозможность снятия С-характеристик в любой точке образца. Помимо этого, сам процесс напыления пленочного контакта может изменять свойства структуры, что 1 затрудняет процесс исследования.Целью...

Номер патента: 459747

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Горохов, Коробков, Петров

МПК: G01R 31/26

Метки: вторичного, защиты, пробоя, транзисторов

...или5 отключение с опозданием), что снижает надежность защиты.Цель изобретения - повышение надежности и автоматическое отключение испытуемоготранзистора в начальный момент вторичного10 пробоя,Поставленная цель достигается благодарятому, что на вход испытуемого прибора подают возрастающее пилообразное напряжение ив момент, когда одновременно производные15 напряжения коллектор - эмиттер по току коллектора и по времени равны нулю, формируют управляющий импульс.Начальный момент вторичного пробоя характеризуется равенством нулю производной20 напряжения коллектор - эмиттер испытуемого459747 Предмет изобретения Составитель А. Авдонин Корректор О. Тюрина Техред О, Гуменюк Редактор Т. Орловская Заказ 948/14 Изд.463 Тираж 902 Подписное ЦНИИПИ...

Номер патента: 463074

Опубликовано: 05.03.1975

Автор: Выменец

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, измеритель, тунельного, удельного

...6, регулируемый источник напряжения 7, резистор 8,Измеритель тока максимума 3 выдает переменное напряжение, амплитуда которого пропорциональна току максимума туннельного диода 1. Благодаря равенству входного и выходного потенциалов оппрующего усилителя 2 суммарный ток, протекающий через туннель ЫЙ ДИОД, ВХОДНОС СОПРОТИВЛЕНИЕ гвх КОПИРУ- ющего усилителя и резистор 8, оказывастся прямо пропорциональным току максимума туннельного диода и равным току через токоогра 1 ич 11 ва 1 О 1 ций резистор 4. На выходе корректирующего усилителя 5 при этом устанавливается некоторое напряжение, величина которого сравнивается с напряжением, полу 1 гсмым от регулируемого источника напряжения 7, Напряжение источника 7 увеличивается до тех пор, пока...

Номер патента: 465602

Опубликовано: 30.03.1975

Авторы: Евстропов, Именков, Попов, Царенков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: величины, заряда, объемного, перехода

...изоб ения Способ определения велич 10 заряда р - п-перехода путем экспериментальной зависимос кающего в прямом направле переход, от времени в интер ном моментом включения ток 15 реход и моментом окончания ной емкости, о т л и ч а ю щ и " целью снижения трудоемкос тегрирования, регистрируют ния зарядки барьерной емко 20 во времени током по момент минесцентного излучения р -Изобретение относится к способам определения величины объемного заряда.Известен способ определения величины объемного заряда р - п-перехода путем интегрирования зависимости тока от времени при изменении напряжения на р - и-переходе.Недостатком известного способа является невозможность фиксации момента равенства нулю объемного заряда по моменту начала уменьшения...

Номер патента: 468198

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Алиев, Амурбеков, Крылов, Митрофанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: неоднородности, полупроводников

...попадает на третью ПТК 12,При наложении на образец импульсного магнитного поля с частотой 50 гц в каждой точке исследуемого полупроводника происходит поворот плоскости поляризации 15 проходящего излучения. Угол поворота плоскости поляризации пропорционален локальным концентрациям свободных носителей в зондируемом объеме. В результате на третью ПТК 12 попадает излучение, моду- р) лированное в плоскости, перпендикулярной оптической оси, по интенсивности, несущее информацию о координатном распределении свободных носителей в образце. На первую ПТК 7 попадает излучение, несущее информацию об отражении, а на вторую ПТК 8- о поглощении в исследуемом образце.При включении трехконтактнцио включателя 18 сигналы с выходов ПТК подаются на...

Номер патента: 473131

Опубликовано: 05.06.1975

Авторы: Грицевский, Пашенцев, Смирнов, Степанов

МПК: G01R 31/26

Метки: допустимого, лавинного, максимально, полупроводниковых, приборов, пробоя, режиме

...6, цифровой индикатор 7, блок уставок 8, схему сравнения 9 и индикатор годности 10. Устройство работает следующим образом.Испытуемый прибор (ИП) подключают кклеммам и запускают задающий генератор 5, 15 который включает управляемый генератор тока 1, настроенный при помощи блока управления 6 на максимальную амплитуду тока.Если амплитуда тока при заданной его длительности больше, чем допустимая для данно го прибора, то срабатывает амплитудный дискриминатор 4, который сравнивает амплитуду напряжения на испытуемом приборе в данный момент с ее предыдущим значением, запомненным в блоке 3. Дискриминатор выра батывает импульс на выходе в том случае, если произошло понижение этого напряжения, что сигнализирует о начале термоэлектрического...

Номер патента: 473133

Опубликовано: 05.06.1975

Автор: Горобец

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, предварительной, приборов, проверки

...потечет по цепи того составного тран зистора, проводимость которого совпадает сполярностью включенного р-л-перехода. Так, при совпадении полярности включенного в цепь испытуемого р-гг-перехода с проводимостью транзистора 7 транзистор 7 открывается, 25 заряжает емкость 8 и через резистор 9 заряжает емкость 10. Открывается транзистор 11, и сигнал поступает на блок ключей 3, ко 1 орые отключают цепи транзисторов 7, 11 от подключаюц;его устройства 4 и производят 30 требуемое подключение электродных выводов;Ц1 Сос 1 а,нтедь В. А Те" ред Е, По вдониндурушинаТираж 902а Совета Министи открь 1 ти 11ая нао., д. 4/5 ректор Н. А дакто аказ 2023/19ЦНИИП Изд, Ьв 758 сударственного ко.нитет но де;,агн нзобьетенн: Москва, Б, РаушскПодписноеСССР...

Номер патента: 476525

Опубликовано: 05.07.1975

Автор: Модорский

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводникового, сопротивления, удельного

...фазовращающего сопротивления первого зонда, исследуемого полупроводникового материала и второго зонда, а выход фазометра соединен с измерителем напряже 5 ния.Схема предложенного устройства показанана чертеже.Фстройство для измерения удельного сопротиьления полупроводников содержит гене ратор переменного тока 1, регулятор тока 2,476525 Предмет изобретения Составитель В. Немцев Техред А. Камышникова Редактор Т. Орловская Корректор В. Брыксииа Заказ 298/3 Изд. М 942 Тпрагк 902 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раупгская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 съемное эталонное фазовращающее сопротивление 3, двухзондовый манипулятор с зондами 4, 5, фазометр 6, имеющий...

Номер патента: 481004

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Долгих, Плоткина, Цзин

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, тиристоров

...для классификации их по допустимой величине ЙЙ, содержащие конденсатор, ин дуктивность, клеммы для подключения испытуемых приборов.Недостатком таких устройств является низкая точность из-за несоответствия момента измерения моменту максимального нарастания 10 тока через тиристор.Целью изобретения является повышение точности классификации,Это достигается тем, что в предлагаемом устройстве параллельно конденсатору под ключены блоки регистрации прямого и обратного напряжений, источник переменного напряжения с включенным последовательно диодом, последовательно включенные высокочастотный диод и клеммы для подключения ти ристора, причем к клемме для подключения управляющего электрода подключен блок формирования управляющего импульса....

Номер патента: 481044

Опубликовано: 15.08.1975

Автор: Корнев

МПК: G01R 31/26

Метки: взрыва, действия, моделирования

...линии задерж кц 4, соединенной через коммутатор 5 с Й 1.-сеткой 6 и измерительным олоком 7, выходы которых соединены с блоком 8 поперечных элементов, Другой выход коммутатора 6 через блок 9 определения степени дроолсния подключен к другому входу измерительного олока 7.11 а фиг. 2 изображена схема блока 9 определения степени дробления.Блок 9 состоит из высокоомного делителя 10, переключателя 11, цнвертора 12, усилителя-ограничителя 13, электронного ключа 14, мультивибратора 16 и счетчика импульсов 16.Раоота установки заключается в следующем.Электрический сигнал поступает с коммутатора ца делитель 10, где в случае необходимости уменьшается; далее через переключатель 11 он подается ца усилитель-ограничитель 13 и электронный ключ 14....

Номер патента: 481863

Опубликовано: 25.08.1975

Автор: Каплан

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, измерителя, постоянной, проверки, транзисторов, эталон

...Однако ему свойственна низкая точость измерений после проверки из-за еэквивалентности К и С параметрамэт эт ния - повышение точноодиапазона измерений. то тем, что конденсатор1 клеммами коллектора и между клеммами эмиттетного устройства.едена схема эталона, а подключения его к изр ЯЭталон содержтт конденсатор 1, резисто ,2 и контактное устройство 3 (ЕСВ).Контактное устройство 4 измерителя содержит паразитную индуктивность 5,паразитную емкость 6, разъем 7 дляподключения высокочастотного генератора,разъем 8 для подключения вольтметра,контактные гнезда 9 для подключения эталона,Для проверки измерителя эталон подключается к контактному устройству 4.На разъем 7 подается сигнал от генератора. Вольтметром через разъем 8 измеряютсигнал помехи....

Номер патента: 482697

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Рибикаускас, Чеснис

МПК: G01R 31/26

Метки: диодных, дифференциального, сопротивления, структур

...и генератор 12 прямоугольных импульсов. При помощи положительного импульса, поступающего из мультивибратора 8, коммутатор 7 переводится в состояние открыто и сигнал с резистора 4 через этот блок и сумматор 9 подается на вход вертикального отклонения осциллографа. В это же время напряжение на другом выходе мультивибратора 8 скачком уменьшается и коммутатор 6 переводится в состояние закрыто. Длительность импульсов на выходе генератора 12 подбирается равной продолжительности пребывания мультивибратора во временно устойчивом состоянии, которая больше продолжительности переходных процессов в измерительной цепи, но меньше длительности импульсов на выходе источника 5 управляющего напряжения, Таким образом, при поступлении на вход усилителя...

Номер патента: 488152

Опубликовано: 15.10.1975

Автор: Бедняков

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, полупроводниковых, постоянных, составляющих, токов

...14, соединенный с измерительными цепями 5 и 6 через детптель напряжения 15.Диоды 7 и 8 в измерительных цепях вк(цочены разнополярно.Устройстьо работает следуОцпм образом.Прп вклочецпи источника низкочастотногонапряжения 14 вык,цочателем 6 цапряжецис 20 поступает на разнополярно включенные диоды 7 ц 8, которые вклочсцы по схеме двухполуперподцого выпрямлсния. 1 ерез диоды 7, 8 и резисторы 9, 10 протекает выпрямленены ток источника низкочастотного цапряжения, 25 который фиксируется индикаторами 11 и 12.При отсутствии мощности гетеродица 17диоды 1 и 2 почти полностью закрыты и представляют собой значительные сопротивления.При наличии мощности гетеродина токи диого дов 1 и 2 резко возрастают, а сопротивления;арректор Л. Котова рчикова...

Номер патента: 489049

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сталерайтис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: носителей, поверхностной, полупроводников, рекомбинации, скорости

...поле; .ае 4 гостоянные,Способ измерения скорости поверхности й рекомбинации заключается в следуюшем,Под воздействием силы Лоренц, процор 25 циональной величине силы ток е 7 и и,., ТИ МВГНИ ТНОГО ПОЛЯ .Г И НВПРВВ,.);1 ендйкул)ярно К ГраНЯМ 1 скороСТЬ-"ной рекомбинации на ОднОЙ из ,;ется) а на противополоиной соз);)Вст с болу цюй с: о о)т ю реком ) 5у этих граней происходит о кло:- . ;Ины кс пснтрации носи. елей отНОЙ. 1.".) Е;ПГ 1 ИЕ В ОТК ЛОНЕ Ь.5 и, М 8%С КРатг)Д ЭКСПОЕЬЦИЬНО ): МЕНбидот, апой диффузии,,.и О)В).с;с.Г)рот;:ь),поло;кн)ыми Гэ)ая:;м)р н;" ,.ревышаюшем длину биполярной диф:, ."рость пдве)эхностнОЙ рекскоинВцииГРВН-.Й, ОПРЕДЕЛЯЮИ в ;и ВМЕСТЕ:,)и гарамеграми полупроводника "ной силы Лоренца величину от".онцентрации от...

Номер патента: 489050

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Кириллов, Шатило

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, рассасывания, транзисторов

...лабоио.раториях при разработке импульсных схемна транзисторах.1 В известном устройств. при иэм времени рассасывания транзисторов мер, поря;,ка 10 нсек и меньше,фо Р ние подаваемого в базу транзистор да тока с очень малой длительност него фронта сложно. Например, для ния 1 с погрешностью не рвс, напри рмн рова пегепвю передиэмере 10% хуже диего фронта пере нсек. Однако о репвдов базового то ими параметраминьц кв иевозм Цель изобретения - упростить устройст-во для измерения времени рассасываниятрвнзис горов, повысить точность измеренийи уменьшить его габариты и стоимость,Это достигается тем, что б."ок формирования испытательного сигнала выполнен в рЕ виде кольпевого генератора, состоящего изоднотипных логических схем, И-ИЛИ-НЕ,...

Номер патента: 490047

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Денисюк, Копыл

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, потенциально-нестабильных, приборов

...полупроводниковых диодов и транзисторов путем измерения интенсивности шумов. В известном способе измеряется интенсивность шумов в эксплуатационном режиме и при приложении к прибору обратного напряжения, По отношению результатов измерения судят о потенциальной стабильности приборов.Недостатком известного способа является невозможность обнаружения объемных дефектов, например микротрещин, неоднородностей материала и ограниченность применения только для испытаний транзисторов и диодов.Целью изобретения является повышение достоверности и расширение функциональных возможностей измерений.Цель изобретения достигается тем, что после измерения интенсивности шумов в эксплуатационном режиме пропускают через испытуемый прибор импульс тока, в 1,5 - 5...

Номер патента: 490048

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Воробьев, Шевцов

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов

...и соответственно увеличения габаритов всего устройства.Целью настоящего изобретения является повышение точности измерений.Для этого в яноднуо цепь испытуемого прибора включен диод в обратной полярносп, параллельно которому полкСЛСДДВЯ 1 СЛЬНО 00 СДИЦЕЦНЫЕ ИСТОЧ1 д Гдка и дросссль.11 я чертеже приведена схем 1 Описывяс"10 к) сстрдйства. Оц сд;тдпт из истоника 1 пап;)5 же 1151 1 сдсд:1 Спид 0 п)рял;СГьпд с них 1 111:)И ГОЛ:О 0 К)ПДС)СЯОР;1, ПдГГС:10 ВЯГЕЛЬП) С КДОРЫ.1, ВКЛЮЕ 11 ППДКтцни)ГГЬ Э, вк:1 ючсццыи в одраПО.1 напр евлсппп (дтоситсльпо истс шика 1 напряжения) диод 4, параллельно ко01 ох Подкл 0 чен я цспОчкя з последовательно соединеннык источника 5 прямого тока, дио;1 Я 4 и дросселя 6, испыт)с)оо пр;боря 7 и шуцтя 8, я также...

Номер патента: 490049

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Анискович, Савкин

МПК: G01R 31/26

Метки: граничной, передачи, транзистора, частоты

...шунта и к второмувыходу через резистор шунта подключенаклемма эмиттера (Э) и через избирательныеусилители нижней и граничной частот - регистрирующее устройство.Схема устройства приведена на чертеже.Устройство работает следующим образом,Прц включении испытуемого транзистора всхему на его базу одновременно поступают сигналы с генераторов нижней 1 и грайичной 2 частот. Источники коллекторного ц опорно го напряжений, а также усилитель постоянцого тока 3 обеспсчцвают установление заданного режима испытуемого транзистора по постоянному току. Усиленный испытуемым транзистором суммарный переменный сигнал О выделяется на шунте 4 и поступает на входыизбирательных усилителей 5 и 6, с выходов которых усиленные сигналы нижней и граничной частот...

Номер патента: 494707

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Денис, Канцлерис, Мартунас

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, нелинейности, полупроводника, электропроводности

...а " -7ности при сть вещест ктропровод соответс вующей среднеСоставители я Лвдохыпловокаятехрел щивлввяоррект Релактор Лебеде З каа д.а(ЛЯ Тираж ОЛ Пол писи сулярствеииого комитета Совета Мииист по лелям изобретений и открытийМосква, Ж1 аукискаи иабл, 45 в СССР 1 ПП Пятеит",Чосква, -59,ережковская иаб., 21 йе превышает +106, а для субмиллиметрового диапазона волн такая аппаратура вообще нв разработана. Цель изобретения - повышение точ 5 ности и упрощение процесса измерений.В соответствии с изобретением, поставленная цель достигается тема что о для определения В фф измеряют изменение постоянного тока, протекающего через образец, при двух, определенным образом подобранных, частотах амплитудной модуляции поступающего в тракт ВЧ- сигнала,...

Номер патента: 494708

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Лебеденко, Лубяный

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: автомат, варикапов, комплекты, подбора

...устойчивое 5состояние, Если емкость контролируемого варикапа превышает емкость эталонного, в первьш полупериод контроля срабатывает первый триггер 9, во второй полупериод - второй триггер 9; если же емкость эталонного варикапа превышает емкость контролируемого,в первый полупериод контроля срабатываеттретий триггер 9, во второй полупернод -четвертый триггер 9.К прямым и инверсным выходам триггеров 159 подключена группа логических схем И 10и ИЛИ 11 так, что в случае более гысокойемкости контролируемого варикапа сравнительно с емкостью эталонного в первый полупериод или в первьш и второй полупериоды 20возникает сигнал на одном из выходов, к которому подключено одно из исполнительныхустройств 12. Исполнительное устройство направляет этот...

Номер патента: 496514

Опубликовано: 25.12.1975

Автор: Терентьев

МПК: G01R 31/26

Метки: нестабильности, параметров, полупроводниковых, приборов

...уравновеши ции, а и сположен ильности п точек ругамели. ектральных составляю образцового сигналов. ани котро мог ции ряд звестен способ контроля нестаби токов р- Рт -переходов, уемому транзистору за ерения по постоянному т т значение обратного то е моменты времени и п етов определяют величи ний, Это достигается те спектра контролируемогоают циклической огибаюшей сигнала и определяют ха На фиг. 1 дана блок-схема устройствадля реализации данного способа; на фиг, 2 -спектр измеряемого сигнала, развертываощий слектр и расположение точек уравновешивания спектральных составляющих контролируемого и образцового сигналов,Устройство содержит блок 1 заданияисходных режимов испытуемому прибору, ккоторому подключен блок 2 развертываюпво...

Номер патента: 496516

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Ермолаева, Калекин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, обратных, полупроводниковых, токов

...следуюшим обраОбратное напряжение, совпадающееОзе с положительной полуволной напряжения питания сети, поступает через пе-,реключатель 4 на измеряемый диод 1. Обратный ток, протекающий через конденсатор7 заряжает его. При этом амплитуда напряжения на конденсаторе пропорциональнасреднему значению обратного тока за одинпериод напряжения питающей сети, Когдаконденсатор заряжается, полевой транзистор закрыт положительным напряжением, рподаваемым на его затвор с формирующейцепочки. В интервале времени, составляющем 210-;330 периода питающей сети,полевой транзистор 8 открывается отрицательным напряжением с формирующей цепи 15и интегрирующий конденсатор разряжаетсячерез ограничительный резистор 9, Напряжение через резистор 9,...

Номер патента: 498576

Опубликовано: 05.01.1976

Автор: Браташевский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: легированном, массы, микроволнового, носителей, полупроводнике, эффективной

...- упрощение и повышение точности измерения.Цель изобретения достигается благодаря тому, что исследуемый полупроводник помещают в электрическое циркулярно поляризованное микроволновое поле и направленное перпендикулярно плоскости поляризации постоянное магнитное поле, изменяют напряженцость постоянного магнитного поля до тех пор, пока включение и выключецце модуляции концентрации носителей тока не будет вызывать изменения действительной части диэлектрической постоянной полупроводника, и прц данной величине напряженности определяют эффективную массу.Заказ 229/698 Изд.201 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытийТип. Харьк. фпл. пред. сПатент После подстановки выражения...

Номер патента: 500510

Опубликовано: 25.01.1976

Автор: Абрукин

МПК: G01R 31/26

Метки: измеритель, импульсный, остаточного, транзисторов

...остаточногонапряжения транзисторов работает следующим образом,В исходном состоянии транзисторы 1 и2 и испытуемый транзистор 11 закрыты.При поступлении на испытуемый транзистороткрывающего импульса транаистор открывается, открывая тем самым транзисторы 2и 1 и создавая цепь заряда-разряда конденсатора 4, Величина тока, пр текаюшегочерез транзистор 2 ат генератора тока, определяется напряжением, снимаемым с делителя, составленного иэ резисторов 6, 7 ивеличиной резисторе 8, Этот ток протекаетчерез транзистор 1 в коллектор исш,1 туел 1 о,го транзистора. Поэтому напряжение на конаква 4915 изд. мЧГЦШИПИ Государственного кпо делам изобрМосква,13035,Тиравс 102тета Совета М одписвое стров СССР тенин и открытийРаушская иаб., 4 Филиал ППП...

Номер патента: 502344

Опубликовано: 05.02.1976

Автор: Григорьев

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, коллекторной, постоянной, транзистора, цепи

...- коллектор испытуемого транзистора. В соответствии с этим на вход усилительного тракта попеременно подаются напряжения высокой частоты, эмиттсра (1, ц коллектора (,. Каждое цз этих напряжений попеременно проходит через усилитель высокой частоты 5, в детекторе из высокочастотного сигнала выделяется постоянная составляющая, которая проходит через усилитель постоянного тока. Постоянные напряжения С, и У,. подаются на отсчетный прибор 8, который регистрирует их отношение, представляющее сооой коэффициент обратной передачи напряжения от коллектора и эмиттеру испытуемого тоанзистора в режиме холостого хода эмиттсрцой цепи. Как известно, это отношение пропорционально постоянной времени коллекторцой цепи транзистора, т. е.Режим холостого хода...

Номер патента: 504989

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Долгих, Лавров, Салман

МПК: G01R 31/26

Метки: перегрузочной, способности, тиристоров

...при которой испытуемый тиристор переключается по аноду при приложении к нему спустя малый промежуток времени после окончания тока, поло жительного импульса напряжения с амплитудой, равной К Упер, где К - коэффициент,определяемыЙ по кривоЙ Упер = (Тр - и)Уп,р - напряжение переключения тиристора, измеренное при Т(Тп 1 ь На фиг, 1 пунктиром 30 показано значение К=0,8 для Тдеп. На фиг.2, а4 Упер, 7 О ТЮОГ 1, ЪЛ, Рис.1и) приведена блок-схема предлагаемого устройства.Синусоидальные импульсы ударного тока от источника узких регулируемых по амплитуде и длительности импульсов 1 подают через предварительно включенный управляемый вентиль 2 на испытуемый тиристор 3. Наличие предварительно включенного вентиля 2 и шунтирующего сопротивления 4...

Номер патента: 504990

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Гусаров, Тарвид

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, передачи, статического, транзистора

...е. непосредственно пропорциональное величине Ье, что исключает ошибку в измерении за счет погрешности задания коллекторного (эмиттерного) тока, кроме того, дает возможность проводить измерения в любой точке заданного плавного диапазона тока коллектора (эмиттера) без смены базовых резисторов, а включение токовых ключей параллельно зарядным конденсаторам исключает ошибку в измерении за счет их внутренних сопротивлений при малых напряжениях и расширяет коэффициент перекрытия диапазона изменения тока коллектора (эмиттера),В описываемом устройстве выражение для напряжения на входе регистрирующего прибора будет иметь вид:Кс( приб --Ь 2 УеКг 1 е Кг при включении дополнительного усилителя вцепь коллектора испытуемого транзистора иК 1 Е К...

Номер патента: 505971

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Заикин, Каплан, Курлович

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, транзисторов

...конденсатору б включен вольтметр 8. Индуктивность 5 выполнена переменной (подстроечной).Рассмотрим работу устройства для случая, КОГдя ЧяСТОТя ИЗМЕрЕНИя Твв Св в И ЧЯСТОТЯ измерения С, б С, равны. В других случаях принцип проведения измерений сохраняется, а под частотой измерения понимают частоту измерения тв в 6, г.При подготовке устройства к работе последовательный 1,С-контур настраивается так, чтобы на частоте измерений резонировали суммарная индуктивность 5 и 7 и емкость конденсатора б. Контроль настройщики осущеизмеряемое вольтметна выходе генератоВ С ствляют, замкнув клеммы С - В контактного устройства 2 конденсатором с емкостью около 10 пф, а клеммы Е - В - накоротко по минимальным показаниям вольтметра 4. При измерении...

Номер патента: 511555

Опубликовано: 25.04.1976

Автор: Абрукин

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: детектор, селективный

...3, истоковый,: ющий конденсатор в паузе между импульсами /. повторитель 4, управляемые генераторы 5будет незначительно разряжаться черези 6 токов и вольтметр 7 постоянного тока. 5 большое входное сопротивление полевогоВ исходном состоянии генераторы токов транзистора, поддерживая выходное напря 5 и 6 закрыты. При поступлении на вход жение неизменным, равным амплитуде из-;селективного детектора измеряемого им. меряемых импульсов. Таким образом, се-,Фимпульса и импульса управления, включающего лектиррый детектор обеспечивает высокуюгенераторы токов 5 и 6, отношение величиер точнось преобраовзния амплитуды импульны токов которых соответственно 1:2,.;, сов при больших пела.одт говторения вг,.устройство вырабатывает на выходе напря....