Патенты с меткой «мдптранзисторах»

Номер патента: 462274

Опубликовано: 28.02.1975

Автор: Берлинков

МПК: H03K 3/286

Метки: входом, мдптранзисторах, счетным, триггер

...транзисторов 3 и6 соответственно, а между ними включен дополнительный транзистор 9, подключенный затвором к входной шине 10 и к затворам транзисторов 5 и 8. Позициями 11 и 12 обозначе О ны выходы триггера.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии ца входной шине 10действует высокий уровень напряжения ЛОГ 1, открывающий транзисторы 5, 8 и 9, 25 Поэтому, если на одном из выходов триггера также действует высокий уровень напряжения, то транзистор 4 (или 7) оказывается включенным и истоки транзисторов 3 и 6 подключаются к общей шине через открытые 30 транзисторы 9 и 4 (или 7). Следовательно,462274 Составитель Л, МихайловаТехред А. Камышникова рректор О, Тюрин Редактор Н. Кол Изд Хга 1248 осударственного по делам пзо Москва,...

Номер патента: 636805

Опубликовано: 05.12.1978

Авторы: Андреев, Гинзбург, Сноль

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, мдптранзисторах, формирователь

...(т и 13 О ту(рь 1 тьтВЬттСО 1 сц;,5 ВскодцЫт 1 ННГ 1 Ряут(ЕНИЕМ, 1 а ВЫХО.- тсуДЕ тгСИЛИТЕЛ 55 4 - НИЗКИЙ УРОВЕНЬ 11 атцрл".У(ЕНИЯ г ЕОТОРЫго ЗаКРЫТЫ ТРНЦЗЯСТСРЫ 1711 19. Па. 1 сстоу(е трацзистора 16 - ца"прлжение, бгут з 1(туе 1( вели сц",не Гг 1ПЕ т. - наг 5 тт 5(уусЕ 515 Ла агтточцстл =: Пст . ВтЦ 11 Л,(1 1 усрсговОе напряжение транзистора 16. иЭТИМ Нс 1 ПРЯЖЕНЦЕМ ОТУ(:;Ьут ТРВЦЗЦСТСР9,ак 11 М ОбРсазс 11 кон ЦенсатсР 18 сбеи 1 с(и обкладками подключен к пине 23, а конденсатор 14 через тсацзистср 11 ЗНРЛжЕЦ ДО ЦсаПРЯжЕЦ 1 т 1 Л 11 - 1), ЭТЦМ НаптОЯ - жением Открыт транзистор 12Ц Цат 1 алцн,т 1 Й МсУМЕЦТ 11 сс ЛЕ ПОДсатни Ца шину 21 нулевого потенциала запирают"- ся транзисторы 3, 6 и 1 Происходит наРастание напряжения ца затвОРах т 15...

Номер патента: 668092

Опубликовано: 15.06.1979

Авторы: Андреев, Жуков

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, мдптранзисторах, формирователь

...образом.Когда нв входе 11 устройстваимеется 6высокий потенциал, транзисторы 1 и 2 открыты и на их стоках низкий потенциал,При этом транзистор 6 заперт и напряжение нв его стоке равно напряжению питания Е, Так как конденсатор 10 предвври зтельно заряжен от источника питания через транзистор 8, напряжение на его второй обкладке равно 2 Е-Опо,фиг, 2), гдеЦ - пороговое напряжение МДП-транзиспортора, Такое напряжение позволяет полностью отпереть транзистор 5 и зарядитьконденсатор 9 формирователя до напряжения Е.Когда на вход 11 формирователя поступает низкий уровейь напряжения, трвн- Изнсторы 1 и 2 запираются, напряжениена стоке транзистора 1 возрастает и принапряжении, равном Орар отпирартся транзисторы 4 и 6, напряжение на...

Номер патента: 692089

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Еремин, Кармазинский, Хорошков

МПК: H03K 19/08

Метки: или-нена, логический, мдптранзисторах, элемент

...транзистора 10 с каналом р-типа. Логический элемент включает также: шины питания 11, нулевого потенциала 12 и выходную 13,Источки и подложки входных транзисторов 1 и 2, подложка нагрузачного транзистора 3, истоки инвер" тирующих транзисторов 5 и б, а также исток и подложка инвертирующеготранзистора 9 присоединены к шиненулевого потенциала 12, Затворывходных транзисторов 1 и 2 соединены с соответствующими нхадами злемента Вх. 1 и Вх,2, Стоки входных транзисторов 1 и 2 объединены с истоками нагрузочнага транзистора 3 со стоком транзистора 4 и с зат 15ворами транзисторов первого инвер тора 5, б, 7 и 8, Подложка транзистора 4, а также сток транзистора 3,исток транзистора 4, подложки траниэстора 7,:истоки и подложки нагрузочных...

Номер патента: 708512

Опубликовано: 05.01.1980

Автор: Кабанов

МПК: H03K 19/00

Метки: мдптранзисторах, согласующее

...на выходе второго инвертораравно напряжению питания, а ххапряжеиие,на выходе первого инвертора соответству. ет нулевому уровню, Транзистор 6 ожрьхт,При поступлении на вход 9 сигнала, 55уровень которого соответствует напряжению, логического нуля и управляющих сигнаджна хцины 10 и 11, транзистор 7 Ъакрыва 1 ется, а транзистор 8 открывается и напряжение на входе первого инвертора понижается, Величина напряжения на входе первого инвертора определяется соотношениемсопготивлеххий транзисторов 6 и 8, которое выбирается таким, чтобы величина напряжения на входе первого инвертора былапри атом ниже напряжения переключенияНапряжение на выходе первого инвертораповышается до напряжения питания, а напряжение на выходе второго инвертора понижается до...

Номер патента: 738168

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Блейерс, Кампарзале, Опманис

МПК: H03K 17/693

Метки: коммутатор, мдптранзисторах, многоступенчатый

...19, второй вход подключен к выходу источника тоха 17 и к истоку МДПтранзистора 20, а выход к четвертому входу суммирующего операционно- Щго усилителя 16, Отпирающее напряжение 22 подключено ко второму входусуйййрующего операционного усилителя 16. Выход усилителя 16 подключен .к общей шине переключателей 23-28, 65 к которой также подключен затворМДП-транзистора 20, Шина запирающего сигнала 29 через резисторы 30-35соединена с затворами всех ключевыхМДП-транзисторов 5-10,Предлагаемый многоступенчатый коммутатор работает следующим образом.МДП-транзисторы 5 и 9 открыты отпирающим напряжением, поступающим ссуммирующего операционного усилителя 16 через замкнутые переключатели23 и 27. Переключатели 24, 25, 26,28 разомкнуты, МДП-транзисторы 6,...

Номер патента: 799004

Опубликовано: 23.01.1981

Авторы: Гафаров, Лушников, Минков, Соломоненко, Уросов

МПК: G11C 11/40

Метки: мдптранзисторах, памяти, статическая, ячейка

...5, затвор которого соединен с числовой шиной б, Междустоком транзистора 2 и разряднойшиной 7 включен транзистор 8, затвор 25которого также соединен с числовойшиной б. Между стоком транзистора 1и разрядной шиной 4, и между стокомтранзистора 2 и разрядной шиной 7включены, соответственно, элементы 9и 10, сопротивление утечки которых .меньше сопротивления утечки стокаМДП-транзистора 1 или 2 в закрытомсостоянии.В режиме хранения информации числовая шина б имеет потенциал нижепорогового напряжения транзисторов5 и 8 (логический 0). Еслисток транзистора 1 имеет потенциалвыше порогового напряжения транзистора 2 (логическая ф 1 ф), а сток транзистора 2 имеет потенциал логического 0, то это состояние хранитсянеограниченно длительное...

Номер патента: 1409004

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Бусыгин, Григорьев

МПК: G01R 31/26

Метки: мдптранзисторах, параметров, поверхностных, состояний

Устройство для изменения параметров поверхностных состояний в МДП-транзисторах, содержащее клеммы для подключения затвора, стока, истока и подложки испытуемого прибора, криостат с датчиком температуры, импульсный генератор, источник напряжения и блок регистрации и обработки данных, один из входов которого подключен к выходу датчика температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено вторым источником постоянного напряжения, преобразователем ток - напряжение и операционным усилителем, причем выход операционного усилителя подключен к первому входу блока регистрации и обработки данных и к клемме для подключения затвора испытуемого транзистора, первый источник...