G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 1064241

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Дерр, Ефремов

МПК: G01R 31/26

Метки: полевых, порогового, транзисторов

...работы.Устройство содержит клеммы 1 дляподключения электродов испытуемогополевого транзистора (С - сток, И:исток, 3 - затвор), программируемыйблок 2 воздействий и измерения, .блок3 управления, программный блок 4,аналоговый компаратор 5, основной.ЦАП 256, коммутатор 7, выполненный, например, в виде ВБ-триггера 8, логического элемента ИСКЛЮЧАОЦЕЕ ИЛИ 9 и элект.ронных ключей 10 и 11. Устройствосодержит также аналоговый запоминающий блок 12, выполненный, например,в виде усилителя 13 постоянного тока(УПТ) с входным резистором 14, резистором 15 обратной связи и конденсатором 16 обратной связи, программируемый источник 17 тока, АЦП 18 и 35дополнительный ЦАП 19,Программируемый блок 2 воздействийи измерения служит для Формированияиспытательных...

Номер патента: 1068847

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Гулидов, Овчаренко, Панасюк, Смирнов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: области, параметров, полупроводникового, слоя

...области измерений, а такжевременная зависимость 13 толщины неравновесной области пространственного заряда.МДП-структура включает также скрытый слой 14, контактное окно 15 дляподключения вольтметра, контактнуюплощадку 16 - МДП-структура на внешней области полупроводникового слоя,контактную площадку 17 - МДП-струк-,тура на контролируемой области полупроводникового слоя,Электрическую изоляцию контролируемой области от остальной частислоя структуры на. время измеренияосуществляют не с помощью разрушающих структуру технологических операций, а путем йодачи на ограничивающую размеры контролируемой области по поверхности слоя замкнутуюМДП-структуру импульса напряжениятакой полярности, при которой происходит обеднение слоя полупроводника...

Номер патента: 1068848

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Барышев, Петров, Столяров

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: мдп, параметров, структур

...регистрации, дополнительно введены два блока памяти, блок формирования опорного напряжения, компаратор и дифференциатор, при этом второй выход генератора развертывающего напряжения соединен с первым входом первого блока памяти, второй вход которого подключен к выходу детектора и к входу диф- Ф.ренциатора, выход которого соединен с первым входом компаратора, второй вход которого подключен к выходу блока Формирования опорного напряжения, вход которого подключен к выходу первого блока памяти, а вход блока регистрации соединен с выходом второго блока памяти, управляющий вход которого соединен с выходом компаратора.На Фиг. 1 приведена функциональная схема, поясняющая работу устройства; на Фиг, 2 - полные временные диаграммы,работы...

Номер патента: 1069034

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Божевольнов, Горлин, Николаев, Романов, Соколов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: границы, межфазной, параметров, электролит-полупроводник, электрофизических

...(К ), 19 - сопротивление межфазной границы (й,), 20 - емкость межфазной границы (С 1). 45 50 Для сохранения линейной зависимости между приращением 3 напряжения и величиной измеряемой емкости 20 длительность импульса тока должна быть не более 10 мкс пульса 1 на границе остается приращение 4 напряжения, которое измеряется в течение времени 5, между основным 1 и дополнитель.ным 2 импульсами. Если суммарный заряд, внесенный основным и дополнительными импульсами тока, не равен нулю, возникает ошибка измерения 6.Образец полупроводника (д г. 2) помешается в электрохимическую ячейку 7, основным электродом 8 которой является образец полупроводникового материала, и которая содержит электрод 9 сравнения, электрод 10 внешней поляризации,...

Номер патента: 1073716

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Алексеев, Антонец, Лебедев, Таранов

МПК: G01R 31/26

Метки: площадки, размера, фотоприемников, фоточувствительной

...дискриминатор 12 пространственной частоты, состоящий из компаратора 13 и формирователя 14 сигнала рассогласования, модулятор 15.Устройство работает следующим образом,С помощью источника излучения 1 и модуляционного интерферометра 3 на площадке исследуемого фотоприемника 5 формируются интерференционные полосы излучения, При модуляции пространственной фазы одного из интерферирующих лучей с помощью модулято" ра 15 на выходе фотоприемника 5 нозникает электрический сигнал с широким спектром, содержащим все гармоники частоты модуляцииг01 Бо.тЮЙ 1 - сов 51,)"Я)где 0 о постоянная составляющаяэлектрического сигнала;индекс модуляции;фазовый угол интерференции,определяющий начальное положение интерференционныхполос с периодом Т, относительно...

Номер патента: 1073910

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Вансович, Натансон

МПК: G01R 31/26

Метки: удельного, электросопротивления

...контроля удельного электросопротивления изделий, преимущественно иконических ниппелей, содержащее узел базирования, потенциальные зонды, токовые головки, шарнирно связанные с приводом их перемещения и сбрасыватель изделий, узел базирования снабжен механизмом поворота и выполнен в виде роликов, закреплен ных посредством осей на кОнцах рычагов, шарнирно соединенных между собой и установленных с возможностью перемещения один относительно другого, причем потенциальные зонды размещены между роликами узла базирова ния и шарнирно соединены с его рычагами, один из которых кинематически соединен с механизмом поворота.На фиг. 1 схематически изображено предлагаемое устройство, общий вид; 55 на фиг. 2 - вид Л на фиг, 1; иа фиг. 3 - схема узла...

Номер патента: 1075201

Опубликовано: 23.02.1984

Автор: Попов

МПК: G01R 31/26

Метки: критического, транзисторов

...ключ, а генератор импульсного тока снабжен управляющим входом, соединенным с выходом генератора линейно-изменяющегося напряжения причем входы детектора и первого пикового детектора подключены к выходу усилителя, выход детектора соединен с первым входом компаратора, второй вход которого соединен с выходом перного пикового.детектора, выход компаратора подключен к управляющему входу ключа, вход которого подключен к второму выходу источника напряжения и первому выводу токосъемного резистора, второй вывод которого соединен с общей шиной, выход ключа через второй пиковый детектор соединенс индикатором.На фиг. 1 приведена структурная схема устройства; на Фиг, 2 " график зависимости граничной частоты транзисторов от тока...

Номер патента: 1075333

Опубликовано: 23.02.1984

Автор: Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующих, полупроводниках, примесей

...генератора присоединен к второму входу .первого смесителя, первый выход второго генератора подключен к сигнальному входу управляемого фазовращателя, управляющий вход которого соединен через последовательно включенные третий фильтр нижних частот, нуль-орган и второй. Фазовый де- тектор с вторым выходом второго генератора и опорным входом третьего фазового де-. тектора, соединенного сигнальным -входом с сигнальным входом. второго фазового де- тектора, выходы управляемого фазовращателя и блока стабилизации амплитуды под 1075333Устройство работает следующим образомВысокочастотный сигнал с частотойг генераторачерез регулируемый усилигель 2, фазоицверсцый каскад 3 и суммао 4 поступает на первую шину для подключения структуры 5, вторая...

Номер патента: 1081573

Опубликовано: 23.03.1984

Автор: Шраго

МПК: G01R 31/26

Метки: диодных, структур

...собой, а параллельно каждой обмотке реле и между смежными контактами второй розетки для подключения звеньев диодной магистрали контролируемой структуры подключен соотнетствующий диод н обратном направлении, первый вывод соединения обмоток реле подключен к первому выводу индикатора, а группа замыкающих контактов реле соединена между собой последовательно, причем первый вывод ее соединен с вторым выводом индикатора, а второй - с вторым выводом первого резистора, контакты третьей розетки для подключения звеньев диодных ответвлений контролируемой структуры соединены с контактами этой розетки для подключения смежных звеньев диодной магистрали контролируемой структуры, а второй контакт третьей розетки для подключения звеньев диодной...

Номер патента: 1081574

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Бингелис, Клебанский, Шпаков

МПК: G01R 31/26

Метки: крутизны, полевых, транзисторов, характеристики

...напряжения стока и нагрузка, параллельно которой вклю чена первичная обмотка трансформатора, во вторичной обмотке которого включен измеритель переменного напряжения 23Однако в известном устройстве 4 О необходима линейная характеристика усилителя переменного напряжения в большом диапазоне измерения амплитуд сигнала при значительном его усилениичто приводит к неудобству 45 измерения и снижению помехоустойчивости из-эа малого уровня выходного сигнала, обусловленного необходимостью выполнения условия малости сигнала, а также иэ-за наводок и пролеэаний амплитудного характера.Целью изобретения является увеличение помехоустойчивости.Указанная цель достигается тем, что в устройство для измерения крутизны характеристики полевых транзисторов,...

Номер патента: 790996

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Гуревич, Долгих, Салман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, тиристоре

...жизни неосновных носителей в тиристоре; на фиг.2 - диаграммы, объясняющие работу предлагаемого устройства.Блок-схема содержит испытуемый тиристор 1, источник 2 обратного анодного напряжения и индикатор 3 анодного тока, который выполнен из датчика 4 анодного тока, запоминающего устройства 5, блока 6 вычислений и блок 7 цифровой индикации, при этом шунтирующий блок 8 подключен к источнику 2 обратного анодного напряжения, причем вход шунтирующего блока 8 соединен с первым выходом задающего устройства 9, три других выхода которого соединены с входами источника 2 обратного анодного напряжения, запоминающего устройства и источника 10 постоянного тока соответственно.При работе через испытуемый тиристор 1 по команде задающего устройства 9 от...

Номер патента: 1083136

Опубликовано: 30.03.1984

Автор: Попов

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, свч, транзисторов

...соединен с первой шинойконтактной головки 2 для подключенияиспытуемого транзистора, вторая шинакоторой соединена с выходом источника 3 питания транзистора, а третьячерез последовательно соединенныенаправленные ответвители 4-6,включенные в линии передачи СВЧ мощности, соединена с согласованнойнагрузкой 7,.второй выход генератора1 рабочего СВЧ сигнала подключенчерез аттенюатор 8 к первому входумодулятора 9, второй вход которогосоединен с выходом генератора 10низкой частоты, а выход в , с входомответвителя 6, входы ответвителей4 и 5 соответственно соединены черезпоследовательно соединенные детекторы ,11 и 12 и избирательные усилители 13и 14 с первым и вторым входами измерителя 15 отношения, выход которогоподключен к индикатору...

Номер патента: 1083137

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Афанасьев, Иевский, Свечников, Шапарь

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, лавинных, фотодиодов

...отношения, источник опорного напряжения и логарифматор напряжения, 20 причем селективный детектор включен между выходом широкополосного усили" теля и первым входом логарифматора отношения, второй вход которого соединен с выходом источника опор-25 ного напряжения, а его выход в . с входом вертикального отклонения двух- координатного регистратора, подключенного входом горизонтального отклонения к выходу генератора пилообраз- З 0 ного напряжения через логарифматор напряжения. На фиг. 1 представлена блок-схема устройства, на фиг, 2 - зарегистрированная характеристика для безмикро- З 5 плазменного германиевого лавинного фотодиода; на фиг. 3 - характеристика для микроплазменного лавинного фото- диода, т.е, диода с дефектами.Устройство...

Номер патента: 1084708

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Джишкариани, Игумнов, Маилов

МПК: G01R 31/26

Метки: вольтамперных, преобразователей, термоэмиссионных, характеристик

...с управляющими входами ключей непосредственно и с регулирующим входом управляемой нагрузки через последовательно включенные регулируемый усилитель и сумматор, подключенный вторым входом к Выходу модулятора, первый вход которого соединен с выходом дополнительного дифференциального усилителя и управляющим входом регулируемого усилителя, а второй вход модулятора подключен к выходу генератора прямоугольных импульсов и к одному из входов прерывателя, соединенного другим входом с выходом дифференциального усилителя измерительного канала напряжения, а выходом - через динамический запоминающий элемент с первым входам дополнительного дифференциаль ного усилителя, второй вход которого присоединен к выходу задатчика напря жения, выход...

Номер патента: 1084709

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Горин, Малашихин, Мирошник, Нуров, Шкурина

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, рассеяния, транзисторов

...собранный на основе переключателя 34 с контактами 35-38 и переключателя 39 с контактами 40-43, усилитель 19 в составе входного каскада на полевом транзисторе 44 с нагрузкой 45 в цепи истока и конденсатором 46, включенным параллельно его входу, усилительного каскада на микросхеме 47 типа операционный усилитель и элементах, обеспечивающих режим микросхемы 47, а имен но резисторах 48 - 50, конденсаторах 51 и 52 и диодах(стабилитронах) 53 и 54, и составного эмиттерного повторителя на транзисторах 55 и 56, и резисторах 57 и 58; высокоомный делитель напряжения на резисторах 20 и 21 в цепи сравнения схемы стабилизации коллекторного напряжения; высокочастотные гнезда 59 для подключения опорного и 60 для измерительного канала векторного...

Номер патента: 1092436

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Бунегин, Карапатницкий, Коротков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходами, полупроводниковых, приборах

...импульса обратного тока измеряют максимальное значение обратного тока через испытуемый прибор, а временный интервал измеряют до момента смены знака тока через испытуемый прибор, по измеренным значениям сопротивлений и известным величинам пропускаемых токов рассчитывают семейство теоретических зависимостей обратного тока через полу О проводниковый прибор после момента переключения токов от времени, нормированного по величине времени жизни еосновных носителей заряда, выбират из этого семейства зависимость, 15которой значение максимального обратного тока совпадает с измеренным, и определяют время жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковом приборе из выражения 20- время жизни неосновных носителей заряда,- измеренный временный...

Номер патента: 1095114

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Лякас, Привитень

МПК: G01R 31/26

Метки: вольтамперных, исследования, полупроводниковых, приборов, характеристик

...второго блока выборки и хранения - с входом горизонтального отклонения осциллографа, а управляющие входы блоков выборки и хранения подключены к выходу генератора импульсов.На фиг.1 представлена блок-схема устройства; на фиг,2 - временные диаграммы напряжения в случае исследования быстродействующего туннельного диода (ТД); на фиг.3 - наблюдаемая на экране осциллографа ВАХ ТД.Устройство для исследования вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов содержит генератор напряжения, мост 2 Уинстона, в плечи которого и измерительную диагональ включены резисторы 3-8, клеммы 9 и 10 для подключения испытуемого прибора включены в одно из ппеч моста 2 и осциллограф 11, генератор 12 импульсов (ГИ), модулятор 13, усилитель 14, два блока 15,...

Номер патента: 1095115

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Веденеев, Ждан, Кабыченков, Сульженко, Шафран

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп, параметров, пограничных, состояний, транзисторах

...при определении спектра"мелких" ПС, а именно низкое энерге- ,тическое разрешение дЕ и большаяпогрешность при определении плотнос-,ти мелких" ПС, М (Е).Цель изобретения - увеличениечувствительности способа.Указанная цель достигается тем, что согласно способу определения параметров пограничных состояний в МДП- транзисторах, включающему охлаждение транзистора, измерение зависимости тока стока транзистора от напряжения смещения нри фиксированном значении напряжения исток-сток и определение спектра пограничных состояний расчетным путем, транзистор охлаждают до температуры ТдЕ/4 К, одновременно с измерением зависимости тока стока от напряжения смещения измеряют зависимость скорости возрастания тока стока от этого напряжения,...

Номер патента: 1100586

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Лошицкий, Торчинская, Щербина

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, лавинно-пролетных, отбраковки, шумовых

...соотношениям;10 А 1 об 410 Аииобратные токи при напряжениях О и О соответственно;Опр напряжение пробоя,Установленный критерий годности шумовых ЛПД определен экспериментально в результате измерений зависимости относительной спектральной плотности мощности шума от величины соответствующих токов на обратной ветви вольт-амперных характеристикиспытанных приборов, При этом для испытаний отбирались приборы с одинаковымк значениями емкостей и пробивных напряжений, а также одинакового конструктивного исполнения.При комнатной температуре обратный ток 1 об кремниевых ЛПД можно представить как сумму трех компонент; термогенерационного 1 , голевого 1(илн тУннельного 1 т) и .лавинного 1 токов гдЕ 1 б1обр 2 1 рбр 1 тг + 1 н + 2 л Измерять...

Номер патента: 1100587

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Бумарин, Егоренков, Покровский

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, полупроводниковых, стабилизации, стабилитронов, температурного

...достигается тем,что согласно способу определениятемпературного коэфФициента напряжения стабилизации полупроводниковЫх 50стабилитронов, включающему измерениенапряжения стабилизации при нормальной температуре, дополнительно измеряют при нормальной температуре емкость запертого р-и-перехода стабилитрона в предпробойной области и определяют температурный коэффициент .напряжения стабилизации стабилитрона по модели связи с напряжениемстабилизации и емкоСтью запертого 60 р-и-перехода при нормальной температуре.Способ осуществляется следующим образом.Предварительно в достаточно большой группе (объемом 100-200 штук) однотипных стабилитронов (статистически значимой выборке) у каждого стабилитрона измеряют три характеристики:Х, - напряжение...

Номер патента: 1100588

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Викулин, Пашкуденко, Ройзин, Солошенко, Шевцов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: вольт-фарадных, характеристик

...к второму выходу генератора, а второй вход - к выходу усилителя, вход которого соединен с выходом моста переменного тока, снабжено блоком 65 обратной связи и блоком сопряжения,причем блок обратной связи выполненв виде последовательно соединенныхблока диФференцирования и блока выделения абсолютной величины, а блоксопряжения - в виде регулятора тока,блока оптоэлектронной связи и резистора, выход блока выделения абсолютной величины соединен с входом регулятора тока, выход которого подключенк первому входу блока оптоэлектроннойсвязи, выход которого подключен квходу генератора пилообразного напряжения через резистор, второй вход которого соединен с третьим выходом генератора пилообразного напряжения, авход блока дифференцирования...

Номер патента: 1100589

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Лисицын, Сидоренко

МПК: G01R 31/26

Метки: включения, диодов, параллельного, подбора

...с первым входом элементавыход которого соединен с управляющим входом коммутатора 3, входомзапуска блока 5 контроля напряжениян входом счетчика 9, первый выходкоторого соединен с вторым входомблока 6 регистрации, а второй выходчерез первую дифференцирующую цепь10 - с первым входом триггера 8, выход которого. соединен с вторым входом элемента 1 и через вторую дифференцирующую цепь 11 с управляющимивходами счетчика 9 и блока 6, второй,вход триггера 8 соединен с входомзапуска устройства,Блок 5 контроля напряжений можетбыть, например, выполнен в виде последовательно соединенных цифровоговольтметра постоянного тока с внешним запуском и дешифратора.Устройство подбора диодов для параллельного включения работает сле дующим образом.При...

Номер патента: 1101762

Опубликовано: 07.07.1984

Автор: Муртазин

МПК: G01R 31/26

Метки: предварительной, проверки, транзисторов

...и второй диоды 7 и 8, причем катод первого диода 7 соединен с анодом второго диода 8, генератор 9 двухполярных импульсов, управляемый переключатель 10, третий и четвертый диоды 11 и 12 и третий и четвертый накопительные конденсаторы 13 и 14, первый, второй, третий и четвертый пороговые элементы 15-18, дешифратор 19,первый и второй триггеры 20 и 21,первый и второй интеграторы 22 и 23, блок 24 сравнения, элемент И 25 и блок 16 управления, при этом выход генератора 9 двухполярных импульсов соединен с четвертой вертикальной шиной коммутатора 1, а его вход - с первым выходом блока 26 управления, шина второго выхода которого соединена с управляющим входом коммутатора .1, пятая и шестая вертикальные шины которого соединены соответственно....

Номер патента: 1103163

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Бингелис, Клебанский, Матусявичюс, Шуркус

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, передачи, статического, транзисторов

...измерения 0 статического коэффициента передачитока транзисторов, содержащее источник коллекторного напряжения, первыйвыход которого подключен к клеммедля подключения коллектора испытуемого транзистора, а второй выход - кобщей шине, генератор тока эмиттера,первый выход которого подключен кклемме для подключения эмиттера испытуемого транзистора, а второй выход 0 подсоединен к общей шине, блок выбора пределов и индикатор, введены преобразователь ток-код и блок делениякодов, первый вход которого подключен к управляющему входу генераторатока эмиттера, второй вход подсоединен к входу блока выбора пределови к выходу преобразователя ток-код,первый вход которого подключен кклемме для подключения базы испытуемого транзистора, второй вход...

Номер патента: 1105834

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Ветохин, Гулаков, Резников, Сажевский

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, усиления, фотоприемника

...определяют зависимость отношения дисперсии средней скорости счета одноэлектронных импульсов к средней скорости счета от напряжения питания фотоприемника и минимум этой зависимости, после чего устанавливают напряжение питания фотоприемника, соответствукщее этому минимуму, и измеряют анодныи ток фотоприемника, а его коэффициент усиления определяют из соотношения 834 2где М ,Я - абсолютный коэффициентусиления фотоприемника при произвольном напряжении питания,1 К И О - соответственно анодныйток, коэффициент передачи усилителяи средняя скорость счета одноэлектронных импульсов при напряжении питания, соответствующем минимуму отношения дисперсии к средней скорости счетаК ( - коэффициент передачиусилитея при произвольном напряжении...

Номер патента: 1105835

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Еремин, Колибаба, Мельников, Ячук

МПК: G01R 31/26

Метки: переходов, полупроводниковых, приборов, характеристик

...растет с уменьшением задаваемого тока. При малых токах это приводит к увеличению дрейфа нуля ОУ, нелинейности преобразования, уменьшению соотношения сигнал/шум, а в случае контроля переходов с большими отклонениями значений параметра оч эти отрицательные явления многократно возрас тают. Кроме того, диапазон измерений ограничен снизу в связи с тем, что носитель информации по о -параметру- переменная составляющая - берется в соотношении 1:10 к постоянной, оп О ределяющей измеряемую точку ВАХ перехода.Ъ1Наиболее близким по технической45 сущности и достигаемому результату к предлагаемому является устройство контроля характеристик о-о -перехода, содержащее задающий генератор, выполненный в виде источника постоянного напряжения, через...

Номер патента: 1109685

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Дерр, Ефремов

МПК: G01R 31/26

Метки: полевых, порогового, транзисторов

...соединенные входами с соответствующими входами блока управления, а своими выходами - соответственно с клеммами для подключения стока и истока испытуемого прибора, выходную клемму и операционный усилитель, неинвертирующим входом соединенный с общей шиной, а инвертирующим входом - с первым выводом входного резистора, введены повторитель и резистор обратной связи, а режимный источник питания снабжен дополнительным входом, причем клемма для подключения затвора испытуемого прибора присоединена к общей шине, вход повторителя соединен с клеммой для подключения исто ка испытуемого прибора, а выход повторителя - с выходной клеммой и с вторым выводом входного резистора, резистор обратной связи включен между инвертирующим входом операционного...

Номер патента: 1114991

Опубликовано: 23.09.1984

Автор: Бузыкин

МПК: G01R 31/26

Метки: локализации, степени, транзисторе

...эмиттер -база, увеличение коллекторного напряжения до значения, при котором.определяют степень локализации тока,повторное измерение установившегосязначения напряжения эмиттер - базапосле окончания импульса греющеготока, дополнительно измеряют пиковоезначение напряжения эмиттер - базав момент окончания первого импульсагреющего тока, фиксируют величинуразности между измеренными пиковымии установившимся значениями, изменяякрутизну заданного фронта импульсовгреющего тока, измеряют пиковое значение напряжения в момент окончаниявторого импульса греющего тока, опре3 1114 деляют величину разности значений, измеренных после воздействия второго импульса греющего тока, по превышению которой фиксированного значения судят о степени локализации...

Номер патента: 1114992

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Гороховатский, Жданок, Осокин, Пономарев, Тулуевский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: испытания, мдп, полупроводниковых, приборов, структурой

...предела температуры поляризации выбирается максимально допустимая рабочая температура изделия, так как при более низких температурах поляризации некоторые механизмы электрической релаксации, присущие данному прибору в рабочем диапазоне температур, не включаются в поляризационный процесс и соответственно не проявляются в токе депо" ляризации. Последнее приводит к тому,1114 3что предлагаемый способ контролядает заниженную оценку зарядовойнестабильности изделий.Верхняя граница температурнойполяризации обусловлена тем, чтопри температуре, больше температурыэвтектики металл - кремний, происходит деградация свойств ИДП-структурыиэ-за образования растворов с повышенной проводимостью,Верхний предел напряжения поляризации выбирается 0,9 Опой где0...

Номер патента: 1118941

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Гармашов, Кострицкий, Сафонов

МПК: G01R 31/26

Метки: допустимой, максимально, нарастания, прямого, скорости, тиристоров

...защиты от разрушения испытуемых приборов,11189 Эуправления, выход которого соединен с входом задающего. генератора 9 и через формирователь 11 импульсов " с одним из входов генератора 1 тока, к второму входу которого подключен преобразователь 12 код - напряжение, соединенный через дешифратор 13 со счетчиком 1 О импульсов, к которому подключен индикатор 14, второй датчик 15 тока и схему ИЛИ 16, причем1 О выход дешифратора 13 соединен с дополнительным входом формирователя 3 переднего Фронта, последовательно с ограничителем 4 напряжения включен второй датчик 15 тока, выход которого 15 через схему ИЛИ 16 соединен с вторым входои преобразователя 12 код " на пряжения, ко второму входу схемы ИЛИ 16 подключен выход первого датчика 7 тока,...